DE19926958A1 - Lichtemissions-Halbleiterdiode auf der Basis von Ga (In, AL) P-Verbindungen mit ZnO-Fensterschicht - Google Patents

Lichtemissions-Halbleiterdiode auf der Basis von Ga (In, AL) P-Verbindungen mit ZnO-Fensterschicht

Info

Publication number
DE19926958A1
DE19926958A1 DE19926958A DE19926958A DE19926958A1 DE 19926958 A1 DE19926958 A1 DE 19926958A1 DE 19926958 A DE19926958 A DE 19926958A DE 19926958 A DE19926958 A DE 19926958A DE 19926958 A1 DE19926958 A1 DE 19926958A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
zno
semiconductor diode
light emission
layer
led structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19926958A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19926958B4 (de
Inventor
Peter Staus
Berthold Hahn
Konrad Sporrer
Volker Haerle
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE19926958A priority Critical patent/DE19926958B4/de
Priority to PCT/DE2000/001937 priority patent/WO2000077863A1/de
Publication of DE19926958A1 publication Critical patent/DE19926958A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19926958B4 publication Critical patent/DE19926958B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/16—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
    • H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
    • H01S5/2063—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion obtained by particle bombardment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
    • H01S5/2081—Methods of obtaining the confinement using special etching techniques
    • H01S5/209—Methods of obtaining the confinement using special etching techniques special etch stop layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

Bei einer erfindungsgemäßen Lichtemissions-Halbleiterdiode auf der Basis von Ga(In, Al)P-Verbindungen ist mindestens auf einer Seite einer einen pn-Übergang (2A) aufweisenden LED-Struktur (2) der Diode eine transparente, elektrisch leitende Kontaktierungsschicht (3) aus dotiertem Zinkoxid (ZnO) aufgebracht. Diese erlaubt sowohl einerseits aufgrund ihrer hohen Bandlücke eine gute optische Transparenz für die emittierte Laserstrahlung als auch andererseits eine gute elektrische Kontaktierung der LED-Struktur (2).

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Lichtemissions-Halblei­ terdiode auf der Basis von Ga(In, Al)P-Verbindungen nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1. Insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf eine solche Lichtemissions- Halbleiterdiode, die eine Lichtaustrittsschicht aus Zinkoxid (ZnO) aufweist.
Die Lichtauskopplung aus Lichtemissions-Halbleiterdioden hängt in besonderem Maße von der verwendeten optisch transpa­ renten und elektrisch leitenden Deckschicht ab. Die wichtigen physikalischen Kenngrößen sind hierfür die Energielücke, der optische Brechungsindex und die elektrische Leitfähigkeit. Bei Lichtemissions-Halbleiterdioden auf der Basis von InGaAlP wird üblicherweise auf der Lichtausgangsseite des pn-Über­ gangs eine 10-20 µm dicke hochdotierte GaP-Schicht aufge­ bracht. Im allgemeinen weist eine solche Schicht eine für die elektrische Kontaktierung ausreichende elektrische Leitfähig­ keit und eine für die Lichtauskopplung ausreichende optische Transparenz auf. Bei Lichtwellenlängen von etwa 565 nm oder weniger ist jedoch aufgrund der Bandlücke von GaP mit einer verstärkten Absorption in der hochdotiertem GaP-Fenster­ schicht zu rechnen.
Die GaP-Schicht kann jedoch nicht ohne weiteres dünner ge­ macht werden, da sich dies nachteilig auf die elektrischen Kontaktierungseigenschaften der Schicht auswirkt.
Der vorliegenden Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, eine Lichtemissions-Halbleiterdiode auf der Basis von Ga(In, Al)P-Verbindungen anzugeben, mit welcher die Lichtausbeute gesteigert werden kann.
Bei einer erfindungsgemäßen Lichtemissions-Halbleiterdiode auf der Basis von Ga(In, Al)P-Verbindungen ist mindestens auf einer Seite einer einen pn-Übergang aufweisenden LED-Struktur der Diode eine transparente, elektrisch leitende Kontaktie­ rungsschicht aus dotiertem Zinkoxid (ZnO) aufgebracht. Eine erfindungsgemäße Lichtemissions-Halbleiterdiode kann aus bi­ nären, ternären oder guaternären III-V-Verbindungen zusammen­ gesetzt sein, welche durch die Elemente Indium und/oder Gal­ lium und/oder Aluminium aus der III. Hauptgruppe sowie das Element Phosphor aus der V. Hauptgruppe gebildet sind.
Wahlweise können auf einer Seite des pn-Übergangs oder auf beiden Seiten ZnO-Schichten aufgebracht werden. Diese minde­ stens eine Schicht kann durch MOVPE (metallorganische Gaspha­ senabscheidung), MBE (Molekularstrahlepitaxie) oder durch ei­ nen Sputter-Prozeß aufgebracht werden. In vorteilhafter Weise wird die ZnO-Schicht durch denselben Kristallwachstumsprozeß hergestellt, durch den auch die Laserdiode gefertigt wurde.
Die Schichtdicke, die Transparenz und die Dotierung der ZnO- Schicht können in einem weiten Bereich für eine optimale Lichtauskopplung und elektrische Kontaktierung der LEDs so­ wohl n- als auch p-seitig angepaßt werden.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbei­ spielen in den Zeichnungen näher beschrieben. In den Zeich­ nungen zeigen:
Fig. 1 ein vertikaler Schnitt durch eine Lichtemissions-Halb­ leiterdiode gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vor­ liegenden Erfindung;
Fig. 2 ein vertikaler Schnitt durch eine Lichtemissions-Halb­ leiterdiode gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vor­ liegenden Erfindung.
In Fig. 2 ist ein grundlegendes Ausführungsbeispiel einer er­ findungsgemäßen Lichtemissions-Halbleiterdiode dargestellt. In diesem wird ein n- oder p-dotiertes GaAs-Substrat 1 be­ reitgestellt, auf welches durch ein geeignetes Kristallwachs­ tumsverfahren wie MOVPE (metallorganische Gasphasenepitaxie) oder MBE (Molekularstrahlepitaxie) eine InGaAlP-LED-Struktur 2 mit einem pn-Übergang 2A gitterangepaßt aufgewachsen wird. Dabei kann sowohl mit einem n-dotierten GaAs-Substrat 1 be­ gonnen und einer p-dotierten InGaAlP-Schicht abgeschlossen werden als auch umgekehrt. Anstelle eines einfachen pn-Über­ gangs aus Volumenhalbleitermaterial kann auch eine einfache oder mehrfache Quantentrogstruktur aus Schichten mit abwech­ selnd kleiner und großer Bandlücke vorgesehen sein.
Auf die LED-Struktur 2 wird je nach der gewählten Dotierungs­ abfolge eine n- oder p-dotierte Zinkoxid-(ZnO)Deckschicht oder -Fensterschicht 3 abgeschieden. Aufgrund der Bandlücke von 3,35 eV von ZnO bei Raumtemperatur ist diese Fenster­ schicht 3 für die Wellenlänge der InGaAlP-Laserdiode und für andere Wellenlängen von Laserdioden des Materialsystems Ga(In, Al)P transparent. Die Fensterschicht 3 dient gleich­ zeitig als elektrische Kontaktierungsschicht für die Laser­ diode. Vorteilhaft für die Herstellung ist es, wenn die ZnO- Schicht mit demselben Kristallwachstumsverfahren wie die La­ serdiode, also innerhalb ein- und derselben Kristallwachs­ tumsapparatur aufgewachsen werden kann. Die ZnO-Schicht kann aber auch mit einem anderen Wachstumsverfahren wie beispiels­ weise einem Sputter-Prozeß aufgewachsen werden.
Bei dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 wird die ZnO-Schicht nur einseitig aufgebracht. Auf der gegenüberliegenden Seite erfolgt die Kontaktierung durch das dotierte GaAs-Substrat. In dem in Fig. 2 dargestellten Ausführungsbeispiel einer er­ findungsgemäßen Laserdiode sind demgegenüber auf beiden Sei­ ten des pn-Übergangs 2A ZnO-Schichten 31 und 32 aufgebracht. Die Herstellung einer derartigen Laserdiode kann dadurch her­ gestellt werden, daß eine Laserdiode nach Fig. 1 mit der auf­ gewachsenen ZnO-Schicht 31 an ein beliebiges Trägersubstrat 5, wie beispielsweise ein Glassubstrat, mit einem vorzugs­ weise transparenten Kleber 4 angeklebt wird. Dann wird das GaAs-Substrat vorzugsweise durch Abätzen entfernt, worauf eine zweite ZnO-Schicht 32 einer entsprechenden Dotierung an Stelle des entfernten GaAs-Substrats aufgebracht wird. Somit befinden sich beidseits der LED-Struktur 2 jeweils p- und n- dotierte, transparente ZnO-Schichten 31, 32 für die elektri­ sche Kontaktierung der Laserdiode.
Das Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 kann durch einen transpa­ renten Kleber 4 und ein transparentes Trägersubstrat 5 so ausgeführt sein, daß das durch die LED abgestrahlte Licht nach allen Seiten emittiert wird. Es kann jedoch auch vorge­ sehen sein, daß eine Emission nur nach einer Seite gewünscht ist. Zu diesem Zweck kann in der Nähe der Grenzfläche der er­ sten ZnO-Schicht 31 zu dem Trägersubstrat 5 eine reflektie­ rende Schicht angeordnet sein, durch die das von der aktiven Schicht der LED in Richtung auf das Trägersubstrat 5 abge­ strahlte Licht in Richtung auf die Vorderseite, d. h. die zweite ZnO-Schicht 32 reflektiert wird. Die reflektierende Schicht könnte beispielsweise durch den Kleber 4 gebildet werden oder zusätzlich auf die ZnO-Schicht aufgebracht wer­ den. Durch eine derartige Ausführungsform, bei der sowohl der Kleber 4 als auch das Trägersubstrat 5 nicht-transparent aus­ geführt sein können, wird auch das rückseitig emittierte Licht optimal für die gewünschte Vorderseitenemission ausge­ nutzt.
Weiterhin kann in beiden Ausführungsbeispielen durch eine körnige polykristalline Oberflächenstruktur der mindestens einen ZnQ-Schicht bei unveränderten elektrischen und opti­ schen Eigenschaften die Lichtauskopplung der LED weiter ver­ bessert werden.
Bezugszeichenliste
1
GaAs-Substrat
2
LED-Struktur
2
A pn-Übergang
3
ZnO-Fensterschicht
31
erste ZnO-Fensterschicht
32
zweite ZnO-Fensterschicht
4
Kleber
5
Trägersubstrat

Claims (11)

1. Lichtemissions-Halbleiterdiode auf der Basis von Ga(In, Al)P-Verbindungen, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens auf einer Seite einer einen pn-Übergang (2A) aufweisenden LED-Struktur (2) der Diode eine transparente, elektrisch leitende Kontaktierungsschicht (3; 31, 32) aus dotiertem Zinkoxid (ZnO) aufgebracht ist.
2. Lichtemissions-Halbleiterdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die LED-Struktur (2) auf einem GaAs-Substrat (1) aufge­ bracht ist und auf ihrer gegenüberliegenden Seite eine ZnO-Schicht (3) aufgebracht ist.
3. Lichtemissions-Halbleiterdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf beiden Seiten der LED-Struktur (2) jeweils eine ZnO- Schicht (31, 32) aufgebracht ist.
4. Lichtemissions-Halbleiterdiode nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß auf einer ZnO-Schicht (31) ein gegebenenfalls transparen­ tes Trägersubstrat (5) aufgeklebt ist.
5. Lichtemissions-Halbleiterdiode nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägersubstrat (5) vermittels eines gegebenenfalls transparenten Klebers (4) aufgeklebt ist.
6. Lichtemissions-Halbleiterdiode nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Trägersubstrat (5) und der ZnO-Schicht (31) eine reflektierende Schicht angeordnet ist.
7. Verfahren zur Herstellung einer Lichtemissions-Halbleiter­ diode nach einem der vorhergehenden Ansprüche, mit den Ver­ fahrensschritten
  • - Bereitstellen eines GaAs-Substrats,
  • - Aufbringen einer einen pn-Übergang enthaltenden LED-Struk­ tur auf dem GaAs-Substrat,
  • - Aufbringen einer ZnO-Schicht einer entsprechenden Dotie­ rung auf der LED-Struktur.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die weiteren Verfahrensschritte
  • - Entfernen des GaAs-Substrats durch Abätzen oder derglei­ chen,
  • - Aufbringen einer weiteren ZnO-Schicht einer entsprechenden Dotierung an die Stelle des entfernten GaAs-Substrats.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß den weiteren Verfahrensschritt Aufbringen eines Trägersubstrats auf eine der ZnO-Schich­ ten.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die mindestens eine ZnO-Schicht durch einen Sputter-Prozeß aufgebracht wird.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die mindestens eine ZnO-Schicht durch MOVPE oder MBE auf­ gebracht wird.
DE19926958A 1999-06-14 1999-06-14 Lichtemissions-Halbleiterdiode auf der Basis von Ga (In, AL) P-Verbindungen mit ZnO-Fensterschicht Expired - Lifetime DE19926958B4 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19926958A DE19926958B4 (de) 1999-06-14 1999-06-14 Lichtemissions-Halbleiterdiode auf der Basis von Ga (In, AL) P-Verbindungen mit ZnO-Fensterschicht
PCT/DE2000/001937 WO2000077863A1 (de) 1999-06-14 2000-06-14 LICHTEMISSIONS-HALBLEITERDIODE AUF DER BASIS VON Ga(In, Al) P-VERBINDUNGEN MIT ZnO-FENSTERSCHICHT

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19926958A DE19926958B4 (de) 1999-06-14 1999-06-14 Lichtemissions-Halbleiterdiode auf der Basis von Ga (In, AL) P-Verbindungen mit ZnO-Fensterschicht

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19926958A1 true DE19926958A1 (de) 2001-01-11
DE19926958B4 DE19926958B4 (de) 2008-07-31

Family

ID=7911106

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19926958A Expired - Lifetime DE19926958B4 (de) 1999-06-14 1999-06-14 Lichtemissions-Halbleiterdiode auf der Basis von Ga (In, AL) P-Verbindungen mit ZnO-Fensterschicht

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE19926958B4 (de)
WO (1) WO2000077863A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005047168A1 (de) * 2005-09-30 2007-04-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW474034B (en) * 2000-11-07 2002-01-21 United Epitaxy Co Ltd LED and the manufacturing method thereof
TW493286B (en) * 2001-02-06 2002-07-01 United Epitaxy Co Ltd Light-emitting diode and the manufacturing method thereof
CN2760762Y (zh) * 2004-04-08 2006-02-22 炬鑫科技股份有限公司 氮化镓系发光二极管结构
US9437910B2 (en) 2011-08-23 2016-09-06 Mesaplexx Pty Ltd Multi-mode filter

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5300791A (en) * 1992-09-29 1994-04-05 Industrial Technology Research Institute Light emitting diode
US5506423A (en) * 1993-07-22 1996-04-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting device with ZnTe current spreading layer
DE19817368A1 (de) * 1997-04-18 1998-12-24 Epistar Corp Leuchtdiode

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5078803A (en) * 1989-09-22 1992-01-07 Siemens Solar Industries L.P. Solar cells incorporating transparent electrodes comprising hazy zinc oxide
US5171707A (en) * 1990-09-13 1992-12-15 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of fabricating semiconductor laser device using the light generated by the laser to disorder its active layer at the end surfaces thereby forming window regions
JP2545306B2 (ja) * 1991-03-11 1996-10-16 誠 小長井 ＺｎＯ透明導電膜の製造方法
US5889295A (en) * 1996-02-26 1999-03-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
US5717226A (en) * 1996-09-18 1998-02-10 Industrial Technology Research Institute Light-emitting diodes and method of manufacturing the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5300791A (en) * 1992-09-29 1994-04-05 Industrial Technology Research Institute Light emitting diode
US5506423A (en) * 1993-07-22 1996-04-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting device with ZnTe current spreading layer
DE19817368A1 (de) * 1997-04-18 1998-12-24 Epistar Corp Leuchtdiode

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005047168A1 (de) * 2005-09-30 2007-04-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip

Also Published As

Publication number Publication date
DE19926958B4 (de) 2008-07-31
WO2000077863A1 (de) 2000-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69025842T2 (de) Lichtemittierende Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE69416012T2 (de) Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Diode mit transparentem Substrat
DE19953588C2 (de) Licht-emittierendes Bauelement mit Waferverbindungs-Schnittstelle und Verfahren zu dessen Herstellung
DE19953609B4 (de) Dickenanpassen von waferverbundenen AlxGayInzN-Strukturen durch Laserschmelzen
DE69408374T2 (de) Lichtemittierende Halbleitervorrichtung
DE69510129T2 (de) Oberflächenemittierende lumineszente Halbleitervorrichtung
EP2248235B1 (de) Kantenemittierender halbleiterlaser und verfahren zur herstellung eines kantenemittierenden halbleiterlasers
DE102005048408B4 (de) Dünnfilm-Halbleiterkörper
DE10211531A1 (de) Hocheffiziente LED und Verfahren zur Herstellung derselben
EP1060541B1 (de) Bauelement mit einer laserdiode und einem lichtempfänger
DE102007019776A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente
WO2001082384A1 (de) Strahlungsmittierendes halbleiterbauelement und herstellungsverfahren
EP2260516A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines solchen
DE112017003307T5 (de) Verfahren zur Herstellung einer optischen Halbleitervorrichtung und optische Halbleitervorrichtung
WO2014019986A1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleiterlaserdiode und halbleiterlaserdiode
DE102010032497A1 (de) Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips
DE69630714T2 (de) Lichtemittierende Halbleitervorrichtung und deren Herstellung
DE19926958A1 (de) Lichtemissions-Halbleiterdiode auf der Basis von Ga (In, AL) P-Verbindungen mit ZnO-Fensterschicht
WO2001073862A1 (de) Halbleiterpolymere, verfahren zu deren herstellung und optoelektronisches bauelement
WO2010048918A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips
EP0917741B1 (de) Verfahren zur herstellung einer infrarotemittierenden lumineszenzdiode
WO2014195267A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil
WO2023104457A1 (de) Laserdiodenbauelement und verfahren zur herstellung zumindest eines laserdiodenbauelements
DE102021133904A1 (de) Halbleiterlaser und verfahren zur herstellung eines halbleiterlasers
WO2022122347A1 (de) Halbleiterlaser und verfahren zur herstellung eines halbleiterlasers

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH, 93049 REGENSBURG,

8364 No opposition during term of opposition
R071 Expiry of right