DE19919902A1 - Verfahren zur Herstellung eines Waferträgers, der insbesondere in einem Hochtemperatur-CVD-Reaktor bzw. bei einem Hochtemperatur-CVD-Verfahren unter Einsatz agressiver Gase Verwendung findet - Google Patents

Abstract

Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung eines Waferträgers mit einer Beschichtung, nach Reinigen des speziell mechanisch vorgefertigten Waferträgers gekennzeichnet durch Erhitzen des gereinigten Waferträgers auf hohe Temperaturen, Einbringen von Beschichtungskomponenten zum Umwandeln der Waferträgeroberfläche zu einer Schutzschicht oder zur Deposition zugeführter Komponenten zu einer Schutzschicht. DOLLAR A Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, daß der erfindungsgemäße Waferträger mit der speziellen Beschichtung für ein System und ein Verfahren zur Hochtemperatur-CVD-Bearbeitung von Wafern unter Verwendung aggressiver Gase derart eingesetzt werden kann, daß neben der reproduzierbaren Abscheidung der gewünschten Schichtfolgen mit sehr guter Gleichmäßigkeit der Materialeigenschaft, keine chemische Wechselwirkung mit dem Waferträger auftritt.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung spezieller Waferträger, die insbesondere in einem System bzw. entsprechenden Verfahren zur Hochtemperaturbeschichtung von Wafern mit Hilfe aggressiver Gase vor­ teilhaft Verwendung finden.

Stand der Technik

Zur Zeit besteht die Möglichkeit Materialien insbesondere Verbindungs­ halbleiter auf einer Untertage mit Hilfe von CVD-Verfahren wie beispiels­ weise MOVPE-Verfahren zu deponieren. Dabei werden die Bestandteile der zu deponierenden Schicht gasförmig in einem Reaktor zur Verfügung gestellt. Bei den jeweiligen Prozeßschritten treten diese Gase nicht nur dem der zu beschichtenden Unterlage in Kontakt, sondern auch mit deren Umgebung innerhalb des Reaktors in Wechselwirkung, wobei der gesamte Beschichtungsprozeß beeinflußt wird. Insbesondere treten die Prozeßgase mit dem Waferträger in Wechselwirkung. Da der Waferträger in der Regel eine höhere Temperatur als die Unterlage bzw. das Substrat besitzt, findet ebenso eine intensive Wechselwirkung mit dem Waferträger statt, die zu einer Prozeßbeeinflussung führt. Diese Prozeßbeeinflussungen sind bei CVD- bzw. MOVPE-Verfahren, die herkömmliche Waferträger verwenden, schwer zu minimieren.

Insbesondere erfolgt eine unreproduzierbare Beeinflussung der Abschei­ dung, wobei die gewünschten Schichteigenschaften negativ beeinflußt werden. Beispielsweise kann sich der Wirkungsgrad der erzeugten Schichten verschlechtern und/oder die Lebensdauer der herzustellenden Schaltung verringern. Mit den gewünschten Mindestanforderungen an die zu erzeugenden Materialien wie beispielsweise Verbindungshalbleiter müssen abgeschiedene Materialien mit schlechteren Eigenschaften als Ausschuß betrachtet werden, woraus höhere Herstellungskosten resultie­ ren.

Darstellung der Erfindung

Es ist Aufgabe der Erfindung ein Verfahren und ein System, sowie das Herstellungsverfahren für den Waferträger dieses Systems bereitzustellen, mit denen die Hochtemperaturbeschichtung von Wafern mit Hilfe aggressi­ ver Gase wie beispielsweise Ammoniak oder Halogenide aufweisende Ga­ se wie HCl durchgeführt werden kann. Dabei sollen bekannte CVD- Verfahren und insbesondere MOVPE-Verfahren derart optimiert werden, daß diese Verfahren besser steuerbar und reproduzierbar werden und die Erzeugnisse hinsichtlich ihrer Qualität und der an sie gestellten Anforde­ rungen die gewünschten Eigenschaften aufweisen.

Das heißt, es ist Aufgabe der Erfindung bei CVD-Verfahren wie beispiels­ weise MOVPE-Verfahren eine reproduzierbare Abscheidung der ge­ wünschten Schichtfolgen auf Wafern zu erreichen. Dabei sollen die ge­ wünschten Materialeigenschaften bei sehr guter Gleichmäßigkeit vorliegen.

Die Aufgabe wird durch einen speziellen Waferträger gelöst, welcher nach einem erfindungsgemäßen Verfahren nach Anspruch 1 hergestellt wird und insbesondere in CVD- bzw. MOVPE-Systemen und -Verfahren Verwen­ dung finden kann.

Um die Nachteile der herkömmlichen Waferträger zu überwinden, soll der erfindungsgemäße Waferträger insbesondere nicht in chemischer Wech­ selwirkung mit den Prozeßgasen der CVD-Verfahren treten.

D. h. der erfindungsgemäße Waferträger soll physikalisch und chemisch derart ausgebildet sein, daß er gegenüber der Beanspruchung insbeson­ dere durch Hochtemperatur-CVD-Prozesse oder -MOVPE-Prozesse mit aggressiven Gasen widerstandsfähig ist.

Das erfindungsgemäße Verfahren stellt den erfindungsgemäßen Waferträ­ ger bereit.

Der erfindungsgemäße Waferträger zeichnet sich insbesondere durch eine spezielle Oberflächengestaltung und eine vorteilhafte als Schutzschicht dienende Beschichtung aus.

Dabei geht die erzeugte Schutzschicht des erfindungsgemäßen Waferträ­ gers entweder aus einer Umwandlung der Waferträgeroberfläche oder durch Deposition zugeführter Komponenten beispielsweise durch einen CVD-Prozeß oder MOVPE-Prozeß hervor. Insbesondere kann BN bzw. PBN als zugeführte Komponente benutzt werden.

Durch das spezielle mechanische Vorbehandeln und die damit erfolgende Ausgestaltung der Oberfläche wird der erzeugte Waferträger zur Verwen­ dung in einem CVD-Verfahren derart optimiert, daß die elektrischen und optischen Eigenschaften der Schichten auf den Wafern ein große Homo­ genität aufweisen.

D. h. durch Parameter wie Temperatur, Druck, Zeit Vorbehandlung und Art der mechanischen Vorbehandlung bei dem erfindungsgemäßen Verfahren können die gewünschten Eigenschaften der Schutzschicht auf dem Wafer­ träger bestimmt werden.

Den erfindungsgemäßen Waferträger kennzeichnet eine spezielle Be­ schichtung und eine besondere mechanische Bearbeitung. Dabei können Ausführungsarten der erfindungsgemäßen Waferträger auch nur eine spe­ zielle Beschichtung oder nur besondere Formgestaltungen aufweisen. Bei­ de erfinderischen Lösungsmerkmale dienen dazu möglichst homogene Wafer unter reproduzierbaren Bedingungen in einem CVD-Verfahren zu erhalten.

Weitere Ansprüche geben vorteilhafte Ausführungsarten des Herstellungs­ verfahrens an, wobei damit jeweils die besonderen Vorteile des erfin­ dungsgemäßen Waferträgers verbunden sind.

Ein weiterer Anspruch beansprucht lediglich den Waferträger als Ergebnis eines Herstellungsverfahrens nach einem der Verfahrensansprüche.

Zudem findet der erfindungsgemäße Waferträger Verwendung in einem System nach einem der Verwendungsansprüche zur Erfüllung der erfin­ dungsgemäßen Aufgabe.

Ebenso erfolgt eine erfindungsgemäße Verwendung des Waferträgers in einem System nach einem der weiteren Ansprüche zur Verwendung in ei­ nem Verfahren nach einem der weiteren Ansprüche. Kennzeichnend für diese CVD-Verfahren ist der Einsatz aggressiver Gase bei hohen Tempe­ raturen.

Vorteilhafte Ausgestaltungen des Hochtemperatur-CVD-Verfahrens unter Verwendung des erfindungsgemäßen Waferträgers bei einem Einsatz ag­ gressiver Gase sind in den abschließenden Ansprüchen angegeben.

Als Ausgangsmaterial des Waferträgers eignet sich in vorteilhafter Weise C bzw. Graphit, da damit ein sauberer, im Hochfrequenzbereich gut strom­ leitender, wärmebeständiger Waferträger hergestellt werden kann.

Durch die auf mechanische Vorbehandlung basierende Anpassung der Formgebung des Waferträgers an die Art der Beschichtung kann der ge­ samte Waferträger entsprechend der Aufgabenstellung vorteilhaft optimiert werden. Ziel des Waferträgers ist es, bei einem CVD-Verfahren eine hohe Homogenität der erzeugten Wafer zu erreichen. Mechanische Vorbehand­ lungen sind insbesondere das Ausbilden von Gräben, Bohrungen und Ver­ tiefungen bei dem Waferträger.

Der erfindungsgemäß hergestellte Waferträger weist aufgrund des neuen und erfinderischen Herstellungsverfahrens optimale Eigenschaften auf, welche für ein Hochtemperatur-CVD-Verfahren unter Verwendung aggres­ siver Gase von Vorteil sind:
So kann sich der erfindungsgemäße Waferträger durch eine Temperatur­ homogenität von ΔT<1°C über eine Strecke des Waferträgers von ca. 120 mm auszeichnen. Dies ist das Ergebnis einer speziellen erfindungsge­ mäßen Formgebung wie insbesondere der Anbringung von Gräben auf dem Waferträger. D. h. der erfindungsgemäße Waferträger wird entspre­ chend auch mechanisch vorbehandelt, damit bei einem CVD-Verfahren insbesondere möglichst homogene Wafer erzeugt werden können.

Ebenfalls sind eine homogene elektrische Leitfähigkeit des verwendeten C- Blocks des Waferträgers sowie das Absorptionsverhalten der sich erge­ benden erfindungsgemäßen Beschichtung gegenüber Wärmestrahlung wichtige Parameter.

Eine erfindungsgemäße Prozeßführung ermöglicht bei einer Deposition den Aufbau einer Nukleationsschicht bzw. Haftungsschicht, wodurch sich eine geschlossene Beschichtung ohne Risse bei gleichmäßiger Dicke ergibt.

Für eine geschlossene Beschichtung ist es insbesondere vorteilhaft, wenn der Waferträger durch die mechanische Vorbehandlungen zudem entspre­ chend abgerundete Kanten aufweist.

Es können erfindungsgemäß weitere Arten mechanischer Vorbehandlun­ gen ausgeführt werden.

Dazu gehört zum Beispiel Oberflächenglätten zur Verbesserung der Ei­ genschaften der sich umwandelnden Waferträgeroberfläche insbesondere hinsichtlich der Angriffsfläche für die Beschichtungskomponenten.

Es können ebenfalls durch homogenes Aufrauhen (z. B. durch Sandstrah­ len) die Hafteigenschaften von z. B. PBN auf Graphit erheblich verbessert werden.

Weiterhin ist die Ausführung von zusätzlichen Vorbehandlungen möglich, die nicht mechanisch sein müssen.

Dazu gehört insbesondere das Entfetten des Waferträgers vor dem Erhit­ zen und Umwandeln bzw. Beschichten. Damit werden störende Schichten vom Waferträger entfernt.

Eine andere mögliche zusätzliche Vorbehandlung, die insbesondere vor dem Erhitzen des Waferträgers ausgeführt werden kann, ist es das Graphit des Waferträgers mittels Chemical Vapor Infiltration zu imprägnieren. Da­ bei wird mittels einem Lösungsmittel die Dichte des Graphits erhöht. Da­ durch erhöht sich die Leitfähigkeit des Waferträgers und bei diesem ver­ bessert sich die Hochfrequenz-Ankopplung bei seiner Anwendung in einem Hochtemperatur-CVD-Verfahren, d. h. die Wärmewirkung verbessert sich.

Die Prozeßführung kann langsam erfolgen, so daß das Herstellungsverfah­ ren für den erfindungsgemäßen Wafer vorteilhaft leicht zu handhaben ist.

Dabei erfolgt die Prozeßführung in Zeiträumen, die sich daraus ergeben, bis sich eine zusammenhängende Schicht gebildet hat, die eine ausrei­ chende mechanische Festigkeit aufweist. Die Zeiträume liegen insbeson­ dere im Minutenbereich.

Die Prozeßtemperaturen zur Herstellung des erfindungsgemäßen Wafer­ träges liegen bevorzugt in einem Bereich von 1000°C bis 2200°C. Der Temperaturbereich liegt also ausreichend und damit vorteilhaft über dem Temperaturbereich in dem ein CVD-Verfahren unter Verwendung des er­ findungsgemäßen Waferträgers erfolgt. Die Verfahrenstemperatur darf nicht zu groß sein damit sich die Gase nicht zerlegen. Ebenso ist die ther­ mische Ausdehnung des Waferträgers begrenzt.

Innerhalb eines Druckbereichs von 10 mbar bis 1 bar lassen sich vorteilhaft die Eigenschaften des erfindungsgemäßen Waferträgers optimieren. Die Geschwindigkeit mit der Moleküle in den Waferträger diffundieren hängt von dem Prozeßdruck ab. Bei hohem Druck erfolgt eine langsame Diffusion bei kleinem eine schnelle.

Durch die Wahl der Beschichtungskomponenten können bevorzugte Schichten und damit entsprechende Kennzeichen der Waferträgerschutz­ schicht erzielt werden. Die Beschichtung soll gegen die im CVD-Verfahren verwendeten aggressiven Gase resistent sein. Die unerwünschte Deposition auf dem Waferträger wird reduziert.

Die Formgebung des Waferträgers kann vorteilhaft der Art der Beschich­ tung angepaßt werden. Unterschiedliche Materialien weisen unterschiedli­ che thermische Ausdehnungskoeffizienten auf. Somit sind die Ausdehnun­ gen unterschiedlich und mechanische Spannungen entstehen. Durch An­ passung insbesondere durch die Formgebung des Waferträgers an die Beschichtung können mechanische Spannungen und damit verbundene Inhomogenitäten kompensiert werden.

Der erfindungsgemäße Waferträger hat eine Widerstandsfestigkeit gegen Zerstörung durch reaktive und ätzende Gase und hohe Temperaturen, so daß die gewünschten Eigenschaften der Wafer nicht beeinträchtigt werden.

Ungewünschte Gase und Stoffe dringen insbesondere bei Verwendung des Waferträgers bei einem CVD-Verfahren nicht in den Waferträger ein und können damit nicht gespeichert werden.

Weiterhin wird eine schnelle Veränderung der Temperaturverteilung er­ möglicht, wenn die Temperatur des Waferträgers verändert werden soll. Dies wird dadurch verwirklicht, daß die Beschichtung des erfindungsge­ mäßen Waferträgers insbesondere eine geringe Emissivität aufweist.

Der Waferträger ist zudem dadurch gekennzeichnet, daß die gesamte Oberfläche, d. h. auch alle funktionalen Gräben, Bohrungen, Kanten usw. gegen die aggressive Atmosphäre und gegen die hohen Temperaturen widerstandsfähig ist.

Der thermische Ausdehnungskoeffizient des gesamten Waferträgers (Aus­ gangsmaterial und Schicht) ist nahezu gleich, so daß bei Temperaturände­ rungen bzw. bei Temperaturverteilungen innerhalb des Waferträgers keine mechanischen Spannungen auftreten.

Ebenfalls zeichnet sich die erfindungsgemäße Beschichtung dadurch aus, daß keine Eindiffusion des reaktiven Gases erfolgt.

Weiterhin ist diese Beschichtung chemisch inert.

Es erfolgt erfindungsgemäß eine mikroskopisch glatte Auftragung der Be­ schichtung auf den Waferträger.

Durch das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren der Beschichtung des Waferträgers entstehen keine Risse oder mikroskopische Rißbildungen.

Somit ist die Beschichtung unempfindlich gegen Temperaturveränderun­ gen.

Durch das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren ergibt sich vorteilhaft eine zusammenhängende Beschichtung auch an Ecken und Kanten sowie an funktionalen Gräben und Bohrungen sowie an abgerundeten Kanten.

Wird der erfindungsgemäße Wafer in einem CVD-Verfahren oder System verwendet, werden die oben angeführten Nachteile des Standes der Tech­ nik überwunden.

Vorteilhaft wird bei einer Verwendung des erfindungsgemäßen Waferträ­ gers in CVD-Verfahren die Qualität der herzustellenden Wafer wesentlich verbessert.

Weitere Unteransprüche bezeichnen vorteilhafte Ausgestaltungen hinsicht­ lich von Verwendungen des erfindungsgemäßen Waferträgers insbesonde­ re in CVD-Verfahren.

Die Erfindung wird nachstehend ohne Beschränkung des allgemeinen Er­ findungsgedankens anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung exemplarisch beschrieben, auf die im übrigen hinsicht­ lich der Offenbarung aller im Text nicht näher erläuterten erfindungsgemä­ ßen Einzelheiten ausdrücklich verwiesen wird. Es zeigen:

Fig. 1 eine Darstellung des erfindungsgemäßen Waferträgers.

Dabei bezeichnet das Bezugszeichen 1 den Grundkörper des Waferträ­ gers. Das Bezugszeichen 2 bezeichnet funktionale Gräben und Vertiefun­ gen für die gas foil rotation. 3 bezeichnet weitere funktionale Strukturen wie beispielsweise Flächen, bei denen die Satelliten größer als die Wafer sind. Das Bezugszeichen 4 bezeichnet Satelliten für die Wafer. Das Bezugszei­ chen 5 bezeichnet funktionale Bohrungen. 6 entsprechend abgerundete Kanten.

Claims (28)

1. Verfahren zur Herstellung eines Waferträgers mit einer Schutzschicht, gekennzeichnet durch die Schritte:

• - spezielles mechanisches Vorbehandeln insbesondere zur Verbesse­ rung des aus C-Graphit oder Ähnlichem bestehenden Waferträgers insbesondere hinsichtlich der Homogenität von mit diesem in einem CVD-Prozeß zu erzeugender Wafer,
• - Reinigen beispielsweise mit Ethanol,
• - Erhitzen des gereinigten Waferträgers auf Temperaturen insbesonde­ re von 1000°C bis 2200°C, wobei der Druckbereich des Verfahrens insbesondere bei 10 mbar bis 1 bar liegt,
• - Einbringen von Beschichtungskomponenten entweder zum
• - Umwandeln der Waferträgeroberfläche zu der Schutzschicht durch ei­ ne Reaktion der Beschichtungskomponenten mit dem Waferträgerma­ terial oder zur
• - Deposition zugeführter Beschichtungskomponenten zu der Schutz­ schicht, wobei durch unterschiedliche Gas- und Prozeßführung bei der Deposition zunächst eine Nukleationsschicht und danach die eigentli­ che Schutzschicht ausgebildet wird.

2. Verfahren zur Herstellung eines Waferträgers, gekennzeichnet durch den Schritt:

• - spezielles mechanisches Vorbehandeln insbesondere zur Verbesse­ rung des aus C-Graphit oder Ähnlichem bestehenden Waferträgers insbesondere hinsichtlich der Homogenität von mit diesem in einem CVD-Prozeß zu erzeugender Wafer.

3. Verfahren zur Herstellung eines aus C-Graphit oder Ähnlichem beste­ henden Waferträgers mit einer Schutzschicht, gekennzeichnet durch die Schritte:

• - Erhitzen des gereinigten Waferträgers auf Temperaturen insbesonde­ re von 1000°C bis 2200°C, wobei der Druckbereich des Verfahrens insbesondere bei 10 mbar bis 1 bar liegt,
• - Einbringen von Beschichtungskomponenten entweder zum
• - Umwandeln der Waferträgeroberfläche zu der Schutzschicht durch ei­ ne Reaktion der Beschichtungskomponenten mit dem Waferträgerma­ terial oder zur
• - Deposition zugeführter Beschichtungskomponenten zu der Schutz­ schicht, wobei durch unterschiedliche Gas- und Prozeßführung bei der Deposition zunächst eine Nukleationsschicht und danach die eigentli­ che Schutzschicht ausgebildet wird.

4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß an dem Waferträger durch das spezielle mechanische Vorbehandeln funktionale Gräben, Bohrungen und Ver­ tiefungen ausgebildet werden, welche nach Beendigung des Verfah­ rens vollständig beschichtet sind.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 4 dadurch gekennzeichnet, daß an dem Waferträger durch das mecha­ nische Vorbehandeln zudem entsprechend abgerundete Kanten aus­ gebildet werden.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß weitere Arten des mechanischen Vor­ behandelns z. B. Oberflächenglätten oder gezieltes Aufrauhen zum Verbessern der Hafteigenschaften ausgeführt werden.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß es mit zusätzlichen Vorbehandlungen wie beispielsweise Entfetten oder Imprägnieren insbesondere durch Chemical Vapor Infiltration ausgeführt wird.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1, 3 bis 7, gekennzeichnet durch eine langsame Prozeßführung.

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1, 3 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die langsame Prozeßführung in Zeiträu­ men erfolgt bis sich eine zusammenhängende Schicht ergibt, die eine ausreichende mechanische Festigkeit hat, wobei die Zeiträume insbe­ sondere im Minutenbereich liegen.

10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1, 3 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschichtungskomponenten insbe­ sondere durch Ta, Si, Zr oder Nb sowie B und N gebildet werden.

11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1, 3 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht insbesondere aus TaC, NbC, ZrC, SiC, SiSiC oder entsprechend thermisch umgewan­ delten C bzw. glassy carbon, oder BN bzw. pyroloytisches BN gebildet wird.

12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1, 3 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Formgebung des Waferträgers der Art der Beschichtung angepaßt wird.

13. Waferträger nach einem der Ansprüche 1 bis 12.

14. Verwendung eines Waferträgers nach Anspruch 13 in einem Planetary Reaktor® oder in einer Satellitenanordnung.

15. Verwendung eines Waferträgers nach Anspruch 13 in einem horizon­ talen Reaktor der AIX 200.

16. Verwendung eines Waferträgers nach Anspruch 13 in einem Hochtem­ peratur-CVD-Reaktor.

17. Verwendung eines Waferträgers nach einem der Ansprüche 14 bis 16 in einem Verfahren mit Gas Foil Rotation® unter Verwendung aggressi­ ver Gase.

18. Verwendung eines Waferträgers nach einem der Ansprüche 14 bis 17, in einem Verfahren zum Herstellen von allen binären, ternären, quater­ nären oder anders komplexen III-V-Halbleitern wie beispielsweise GaAs, InP, GaN, SiC, GaAsN und ähnlichen Materialien unter Verwen­ dung aggressiver Gase.

19. Verwendung eines Waferträgers nach einem der Ansprüche 14 bis 18 bei einem Hochtemperatur-CVD-Verfahren unter Verwendung aggres­ siver Gase.

20. Verwendung eines Waferträgers nach einem der Ansprüche 17 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß der Waferträger Hilfseinrichtungen für die Prozeßkontrolle aufweist.

21. Verwendung eines Waferträgers nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die Hilfseinrichtungen für die Prozeß­ kontrolle Bewegungssensoren für die Waferdrehung aufweisen.

22. Verwendung eines Waferträgers nach Anspruch 20 oder 21, dadurch gekennzeichnet, daß die Hilfseinrichtungen für die Prozeß­ kontrolle zudem Temperaturmeßeinrichtungen aufweisen.

23. Verwendung eines Waferträgers nach einem der Ansprüche 17 bis 22, dadurch gekennzeichnet, daß die Erhitzung des Waferträgers durch eine Widerstandsheizung, eine Hochfrequenzheizung oder durch Wär­ mestrahlung erfolgt.

24. Verwendung eines Waferträgers nach einem der Ansprüche 17 bis 23, dadurch gekennzeichnet, daß parasitäre Prozeßablagerungen auf dem Waferträger durch Behandlung bei hohen Temperaturen entfernt werden.

25. Verwendung eines Waferträgers nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß die hohen Temperaturen größer als normale Abscheidetemperaturen von ca. 600°C sind.

26. Verfahren nach Anspruch 17 bis 25, dadurch gekennzeichnet, daß zudem parasitäre Prozeßablagerungen auf dem Waferträger durch Ätzprozesse entfernt werden.

27. Verfahren nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, daß als aggressive Gase insbesondere HCl oder Ammoniak verwendet wird.

28. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 27, dadurch gekennzeichnet, daß es ein MOVPE-Verfahren ist.