DE19852321A1 - Optische Strahlungsmeß-Vorrichtung - Google Patents
Optische Strahlungsmeß-VorrichtungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine optische Vorrichtung mit we
nigstens einem Strahlungsdetektor zum Messen einer von
wenigstens zwei Strahlungsquellen emittierten elektroma
gnetischen Strahlung.
Vorrichtungen dieser Art sind beispielsweise in Zusammen
hang mit Schnellheizöfen für die thermische Behandlung
von Halbleitersubstraten zur Fertigung von Halbleiter
chips bekannt. Um die Parameter und Eigenschaften, bei
spielsweise die Temperatur, die Emissivität, die Reflek
tivität, die Transmissivität und/oder die Eigenschaften
oder Dicke einer während der thermischen Behandlung auf
zubringenden Schicht auf das Halbleitersubstrat messen zu
können, wird die von dem Halbleitersubstrat kommende
Strahlung sowie die Strahlung gemessen, die von den zur
Aufheizung des Halbleitersubstrats vorgesehenen Strah
lungsquellen emittiert werden. Durch einen Vergleich der
beiden gemessenen Strahlungswerte ist es möglich, zwi
schen der vom Halbleitersubstrat emittierten und reflek
tierten Strahlung zu unterscheiden.
Vorrichtungen und Verfahren dieser Art sind beispielsweise aus der
US 5 490 728 bekannt, bei denen Lichtleitungen verwendet
werden, um die jeweilige Strahlung und insbesondere auch
die von den Strahlungsquellen abgegebene Strahlung zu
Strahlungsdetektoren zu führen. Die Eintrittsöffnungen
dieser Lichtleiter weisen jedoch einen großen und unde
finierten Öffnungswinkel auf, so daß auch relativ viel
Hintergrundstrahlung aufgenommen wird und auf den Strah
lungsdetektor fällt. Dadurch sagen die Meßwerte hinsicht
lich der eigentlichen, von den Strahlungsquellen kommen
den Strahlung - wenn überhaupt - nur wenig aus und sind
nicht spezifisch.
Darüber hinaus ist aus der DE 93 12 231 eine Vorrichtung
zum Messen von UV-Strahlung bekannt, bei der eine Photo
diode zum Messen von einer Strahlungsquelle emittierten
UV-Strahlung in einem zylindrischen Gehäuse mit einer
Öffnung vorgesehen ist. Die Öffnung ist teilweise durch
eine Meßblende, die einen Strahlungskanal bildet ver
schlossen.
Ferner sei auf die DE 31 29 065 verwiesen, welche ein
Gerät zur photoelektrischen Überwachung eines Strömungs
mediums aufweist, bei dem eine Lichtquelle und ein der
Lichtquelle gegenüberliegender Direktlichtempfänger vor
gesehen ist, der in einem Empfängerbus mit einem Licht
leitkanal angeordnet ist. Aus der DE 39 08 627 ist
darüber hinaus ein Multielement-Infrarotdetektor bekannt,
bei dem vor jedem Detektorelement ein Lichtleiter in der
Form von in einer Kanalplatte ausgebildeten lichtleiten
den Kanälen angeordnet ist, deren Abmessungen eine Dämp
fung von Radarstrahlung bewirken. Vor der Kanalplatte ist
darüber hinaus eine Blendenplatte angeordnet, welche mit
den lichtleitenden Kanälen fluchtende Blendenöffnungen
mit nicht reflektierenden Innenflächen aufweist. Aus der
FR 2 707 005 ist schließlich eine halbkreisförmige Foto
detektoranordnung gezeigt, bei der in einem halbkreisför
migen Trägerkörper Lichtleitkanäle angeordnet sind, an
deren Ende jeweils ein Fotodetektor vorgesehen ist.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine op
tische Strahlenmeßvorrichtung zu schaffen, die mit ein
fachen Mitteln eine wesentlich genauere Bestimmung der
von den Strahlungsquellen emittierten elektromagnetischen
Strahlung ermöglicht.
Ausgehend von einer optischen Strahlenmeßvorrichtung der
eingangs genannten Art wird diese Aufgabe erfindungsgemäß
durch separate in einem Kanalkörper ausgebildete Strah
lungskanäle für den Strahlungsweg zwischen den Strah
lungsquellen und dem für die Strahlungsquellen gemeinsa
men Strahlungsdetektor gelöst. Die Strahlungskanäle sind
dadurch sehr genau auf die Strahlungsquelle ausrichtbar,
so daß keine oder nur ein unwesentlicher Anteil an Hin
tergrundstrahlung, die das Meßergebnis verfälschen würde,
auf den Strahlungsdetektor auftrifft. Dadurch lassen sich
die Parameter, Eigenschaften und Intensitäten der von den
Strahlungsquellen emittierten elektromagnetischen Strah
lung wesentlich genauer und zuverlässiger bestimmen.
Gemäß einer besonders vorteilhaften Ausführungsform der
Erfindung weist der Strahlungskanal eine Querschnittsform
auf, die der Form der Strahlungsquelle entspricht. Durch
die Form des Kanalquerschnitts und deren Abmessungen ist
eine genaue Anpassung des Strahlungskanals an die Strah
lungsquelle möglich, so daß unabhängig von der Form der
Strahlungsquelle die Hintergrundstrahlung zuverlässig
ausblendbar ist.
Besonders vorteilhaft ist es, wenn der Strahlungskanal
eine Querschnittsform aufweist, die auch bei einer Ab
weichung der Strahlungsquelle aus der Soll-Lage einen
Strahlungsdurchgang zum Strahlungsdetektor gestattet.
Durch eine derartige Ausformung des Kanals wird er
reicht, daß sich mechanische Änderungen oder Lageabweich
ungen der Strahlungsquelle, beispielsweise einer Lampen
wendel, die etwa durch Schwingungen, Dejustage oder De
formationen, etwa während des Aufheizvorgangs, auftreten,
nicht in Signaländerungen niederschlagen, die andernfalls
das Meßergebnis und die Auswertung nachteilig beeinflus
sen könnten.
Besonders vorteilhaft ist es, wenn der Strahlungskanal
bzw. wenigstens eine Wand des Strahlungskanals struktu
riert ist, beispielsweise eine wellige, geriffelte oder
ungleichmäßige Wandstruktur aufweist. Dadurch wird Strah
lung, die nicht parallel zur Strahlungskanalachse ein
fällt, die also nicht von der Strahlungsquelle herrührt,
auch nicht durch Reflexion auf den Strahlendetektor ge
führt, sondern absorbiert. Die strukturierte Kanalwand
trägt daher zusätzlich dazu bei, daß unerwünschte und un
definierte Hintergrundstrahlung und Streulicht nicht auf
den Strahlendetektor fällt und die Meßergebnisse ver
fälscht.
Sehr vorteilhaft ist weiterhin eine Ausführungsform der
Erfindung, gemäß der der Strahlungskanal wenigstens eine
die Querschnittsfläche des Strahlungskanals veränderbare
Einrichtung aufweist. Durch Veränderung der Querschnitts
fläche des Kanals kann die Intensität, mit der die von
einer Strahlungsquelle abgegebene Strahlung auf den
Strahlungsdetektor fällt, eingestellt werden, was insbe
sondere dann von Vorteil ist, wenn gemäß einer weiteren
Ausführungsform der Erfindung bei Vorhandensein mehrerer
Strahlungsquellen das Verhältnis der auf den Strahlende
tektor auftreffenden Strahlung der jeweiligen Lampen un
tereinander durch Ändern der Querschnittsfläche des je
weiligen Kanals einstellbar ist. Eine besonders einfache
Einrichtung zur Änderung der Querschnittsfläche des Ka
nals und damit der auf den Strahlungsdetektor fallenden
Strahlungsintensität ist eine Schraube, die quer zur
Strahlungsrichtung in den Strahlungskanal einschraubbar
ist. Aber auch eine veränderbare Blende ist anwendbar.
Bei einigen Schnellheizsystemen für die thermische Be
handlung von Halbleitersubstraten wird Kühlluft zwischen
die Strahlungsquellen eingeblasen, um bestimmte Elemente,
wie zum Beispiel eine Reaktionskammer, zu kühlen. Diese
Kühlluft bewirkt jedoch, daß zwischen den Strahlungskanä
len und den einzelnen Strahlungsquellen Strömungsturbu
lenzen auftreten, die zu Intensitätsschwankungen führen.
Um diese Intensitätsschwankungen zu vermeiden, erstreckt
sich der Kanalkörper mit dem bzw. den Strahlungskanäle(n)
bis zu der bzw. den Strahlungsquelle(n).
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform kann der Strah
lungskanal durch wenigstens ein lichtdurchlässiges, den
Strahlungskanal verlängerndes Zwischenelement zwischen
wenigstens einer Austrittsöffnung eines Strahlungskanals
und einer zugeordneten Strahlungsquelle, verlängert wer
den, ohne daß der Kanalkörper bis kurz vor die Strah
lungsquelle herangeführt werden muß. Vorteilhafterweise
ist hierzu ein mehrere Strahlungskanäle verlängerndes,
gemeinsames Zwischenelement vorgesehen. Gemäß einer be
vorzugten Ausführungsform der Erfindung, wird als Verlän
gerung ein Quarz- oder Saphirstab verwendet, bei dem Re
flexionen an den Innenwänden möglichst unterdrückt wer
den, damit nur das direkt von der Strahlungsquelle kom
mende Licht auf den Detektor fällt.
Gemäß einer besonders vorteilhaften Ausführungsform der
Erfindung sind - wie bereits erwähnt - mehrere Strah
lungsquellen nebeneinander angeordnet, und der Kanalkör
per weist für jede Strahlungsquelle einen separaten, zum
gemeinsamen Strahlungsdetektor hin verlaufenden Strah
lungskanal auf. Die Strahlungen der einzelnen Strahlungs
quellen werden dabei unter Ausschaltung von Hintergrund
strahlung und gegenseitiger Beeinflussung zuverlässig und
sicher auf den gemeinsamen Strahlungsdetektor geführt,
wodurch die Meßgenauigkeit erhöht werden kann. Wenn die
Strahlungsquellen beispielsweise Einzellampen sind, die
in einer Reihe nebeneinander in Form einer Lampenbank an
geordnet sind, wie dies beispielsweise bei Schnellheiz
vorrichtungen zur thermischen Behandlung von Halbleiter
substraten der Fall ist, sind die Kanäle zwischen den
Lampen und der gemeinsamen Strahlenquelle fächerartig im
Kanalkörper ausgebildet.
Da die Lampen im wesentlichen in einer Reihe angeordnet
sind, ist gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfin
dung zwischen den dem Strahlungsdetektor zugewandten En
den der Strahlungskanäle und dem Strahlungsdetektor eine
Zylinderlinse angeordnet, die die fächerförmig auf den
Strahlungsdetektor zulaufende Strahlung der einzelnen
Strahlungsquellen auf den Strahlungsdetektor fokussiert.
Die erfindungsgemäße Strahlenmeßvorrichtung ist mit gro
ßem Vorteil in Zusammenhang mit einem Schnellheizofen für
die thermische Behandlung von Halbleitersubstraten ein
setzbar.
Die Erfindung wird nachstehend anhand eines bevorzugten
Ausführungsbeispiels bei Einsatz der Strahlenmeßvorrich
tung in Zusammenhang mit einer Schnellheizofen für die
thermische Behandlung von Halbleitersubstraten unter Be
zugnahme auf die Figuren erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 einen Längsschnitt durch einen Schnellheizofen
unter Verwendung der erfindungsgemäßen Strah
lenmeßvorrichtung in schematischer Darstellung,
Fig. 2 eine Querschnitt entlang der in Fig. 1 einge
zeichneten Schnittlinie II-II,
Fig. 3 eine Querschnittsdarstellung des in Fig. 1 und
2 dargestellten Strahlungskanal-Körpers in ver
größerter schematischer Querschnittsdarstel
lung,
Fig. 4 eine Schnittdarstellung entlang der in Fig. 3
eingezeichneten Schnittlinie IV-IV,
Fig. 5 eine Darstellung des Strahlungskanal-Körpers in
teilweiser Schnittdarstellung und in Blickrich
tung auf die den Lampen zugewandte schmale Sei
te des Strahlungskanal-Körpers und
Fig. 6 eine vergrößerte Teildarstellung des Strah
lungskanal-Körpers zur Erläuterung der Ausrich
tung und Anordnung der Strahlungskanäle be
züglich einer Lampe,
Fig. 7 eine vergrößerte Teildarstellung des Bereichs
zwischen einer Austrittsöffnung eines Strah
lungskanals und einer Strahlungsquelle, zur Er
läuterung eines weiteren Ausführungsbeispiels
der Erfindung.
Der in Fig. 1 und 2 dargestellte Schnellheizofen weist
ein Gehäuse 1 auf, an dessen oberer und unterer Innenwand
jeweils eine aus mehreren Einzellampen oder Einzellampen
röhren 2, 3 bestehende Lampenbank 4, 5 angebracht ist,
die einen Halbleiterwafer 6 aufheizen, der in einer Reak
tionskammer 7 zwischen den Lampenbänken 4, 5 im Gehäuse 1
angeordnet ist.
Vorteilhafterweise besteht die Reaktionskammer 7 im we
sentlichen aus einem für die Lampenstrahlung im wesentli
chen transparenten Material, das auch hinsichtlich der
Meßwellenlängen oder der Meßwellenlängenspektren der Py
rometer oder der verwendeten Strahlungsdetektoren trans
parent ist. Mit Quarzgläser und/oder Saphir, die einen
über das Lampenspektrum gemittelten Absorptionskoeffizi
enten von etwa 0.1 1/cm bis 0.001 1/cm haben, lassen sich
geeignete Reaktionskammern für Schnellheizsysteme aufbau
en, bei denen die Dicke der Reaktionskammerwand zwischen
1 mm und mehreren Zentimetern, z. B. 5 cm betragen kann. Je
nach Reaktionskammerwanddicke kann die Materialauswahl
hinsichtlich des Absorptionskoeffizienten erfolgen.
Kammerwanddicken im Zentimeterbereich sind insbesondere
dann erforderlich, wenn in der Reaktionskammer 7 ein Un
terdruck (bis hin zum Ultra-Hochvakuum) oder ein Über
druck erzeugt werden soll. Beträgt beispielsweise der Re
aktionskammerdurchmesser etwa 300 mm, so erhält man mit
einer Quarzglasdicke von ca. 12 mm bis 20 mm eine hinrei
chende mechanische Stabilität der Kammer 7, so daß diese
evakuiert werden kann. Die Reaktionskammerwanddicke wird
entsprechend dem Wandmaterial, der Kammergröße und der
Druckbelastungen dimensioniert.
Als Lampen werden bevorzugt Halogenlampen verwendet, de
ren Filament wenigstens teilweise eine Wendelstruktur
aufweisen. Durch eine wenigstens teilweise Wendelstruktur
läßt sich vorteilhaft ein bestimmtes vordefiniertes geo
metrisches und spektrales Abstrahlprofil der Lampe errei
chen. Hierbei kann das Filament der Lampe z. B. abwech
selnd gewendelte und ungewendelte Filamentabschnitte um
fassen. Das Abstrahlprofil (sowohl das geometrische als
auch das spektrale) ist in diesem Falle im wesentlichen
durch den Abstand benachbarter gewendelter Filamentab
schnitte bestimmt. Eine weitere Möglichkeit das Lampenab
strahlprofil zu definieren besteht z. B. darin, daß die
Dichte der Filamentstruktur (z. B. der Wendeldichte)
entlang des Filaments variiert wird.
Soll das Lampenprofil steuerbar sein, so lassen sich vor
teilhaft Lampen, vorzugsweise Stablampen, mit mehreren
einzelansteuerbaren Filamenten einsetzen. Lampen mit
steuerbarem Lampenprofil sind insbesondere in Schnellhei
zanlagen zur Wärmebehandlung großflächiger Substrate, wie
z. B. 300 mm-Halbleiterwafer, vorteilhaft, da sich mit
diesen Lampen und einer geeigneten Lampenansteuervorrich
tung ein sehr homogenes Temperaturprofil entlang der Sub
stratoberfläche erzielen läßt. Durch die Superposition
der Einzelabstrahlprofile der Filamente ergibt sich ein
in weiten Bereichen einstellbares Gesamtabstrahlprofil
der Lampe. Im einfachsten Falle umfaßt z. B. eine Halo
genlampe zwei Filamente, z. B. jeweils mit Wendelstruktur
oder wenigstens teilweise gewendelter Struktur, wobei die
Wendeldichte und/oder der Abstand der gewendelten Fila
mentabschnitte des ersten Filaments vom ersten Ende zum
zweiten Ende der Lampe zunimmt, und die Wendeldichte
und/oder der Abstand der gewendelten Filamentabschnitte
des zweiten Filaments entsprechend umgekehrt vom ersten
zum zweiten Ende der Lampe abnimmt. Das Gesamtabstrahl
profil kann somit durch die Wahl der Stromstärke in den
beiden Filamenten in weiten Bereichen variiert werden.
Eine weitere Ausgestaltungsmöglichkeit einer Lampe mit
steuerbarem Abstrahlprofil besteht darin, daß das Fila
ment der Lampe wenigstens drei elektrische Anschlüsse um
faßt, wobei jeweils zwischen den Anschlüssen unterschied
liche Betriebsspannungen angelegt werden. Dadurch läßt
sich abschnittsweise die Filamenttemperatur, und damit
die Abstrahlcharakteristik der Lampe, entlang des Fila
ments steuern.
Alternativ zu den bisher beschriebenen Lampen lassen sich
auch Plasma- oder Bogenlampen einsetzen, wobei auch hier
das Abstrahlprofil einstellbar ist. So läßt sich bei
spielsweise das Lampenspektrum über die Stromdichte vom
UV-Bereich bis hin zum nahen Infrarot einstellen.
Aus Fig. 2 ist ersichtlich, daß ein Wafer-Pyrometer 8,
das auf der Unterseite des Gehäuses 1 angeordnet ist,
über eine kleine Öffnung 9, die vorzugsweise, jedoch
nicht notwendigerweise, im Zentrum des zu behandelnden Wa
fers 6 in einer Gehäusewandung ausgebildet ist, elektro
magnetische Strahlung mißt, die vom Wafer 6 emittiert und
reflektiert wird. Es ist jedoch auch möglich, mehrere,
parallel zur Lampenachse angeordnete Wafer-Pyrometer zu
verwenden.
Vorrichtungen der zuvor beschriebenen Art sind beispiels
weise aus der US 5 490 728 bekannt. Darüberhinaus ist ei
ne derartige Vorrichtung in der nicht vorveröffentlichten
DE 197 37 802 A und in der dasselbe Anmeldungsdatum auf
weisenden DE 197 54 386.3 derselben Anmelderin beschrie
ben, auf die zur Vermeidung von Wiederholungen Bezug ge
nommen und die insofern zum Inhalt der vorliegenden An
meldung gemacht werden.
Auf der Unterseite des Schnellheizofens ist eine erfin
dungsgemäße optische Strahlungsmeßvorrichtung angeordnet,
die ein Pyrometer 10 und einen Kanalkörper 11 umfaßt, in
denen Strahlungskanäle 12 ausgebildet oder eingefräßt
sind, wie dies im nachfolgenden anhand der Fig. 3 bis 5
noch im einzelnen erläutert werden wird.
Der Kanalkörper 11 weist entsprechend der Fig. 1 bis 5 im
Längsschnitt eine Fächerform auf, die im Querschnitt
scheiben- oder plattenförmig ist. Der Kanalkörper 11 ist
in eine entsprechende Ausnehmung 13 in der oberen oder
unteren Gehäusewand eingesetzt und mit dem Gehäuse 1 ver
schraubt. An der der Lampenbank 5 abgewandten Seite des
Kanalkörpers 11 ist eine Linsenoptik 14, vorzugsweise ei
ne Zylinderlinse so angeordnet, daß deren Brennpunkt sich
an oder in der Nähe einer Stelle befindet, an der sich
die Achsen der Strahlungskanäle 13 schneiden, so daß die
auf die Linsenoptik 14 fallende Strahlung in das Pyrome
ter 10 gelangt.
Wie am besten aus Fig. 1 zu ersehen ist, sind die Strah
lungskanäle 12 im Kanalkörper 11 so ausgebildet oder aus
gerichtet, daß die jeweilige Wendel 15 der einzelnen Lam
pen 3 auf der verlängerten Längsachse 16 der jeweiligen
Strahlungskanäle 12 liegen. Das Pyrometer 10 bzw. dessen
Linsenoptik 14 "sieht" daher genau auf die jeweilige Lam
penwendel 15, wodurch Hintergrundstrahlung, die nicht von
der Lampenwendel 15 kommt, - wenn überhaupt - nur einen
vernachlässigbar geringen Anteil am gesamten auf das Py
rometer 10 fallenden Lichtes ausmacht.
Der Kanalkörper 11 ist in Fig. 3 nochmals vergrößert dar
gestellt. Daraus ist zu entnehmen, daß die Wände der
Strahlungskanäle 12 strukturiert, beispielsweise mit
kleinen Auswölbungen versehen sind, die verhindern, daß
Streustrahlung auf das Pyrometer 10 gelangt. Die Strah
lungskanäle 12 mit entsprechender Strukturierung sind im
Kanalkörper 11 durch Fräßen gebildet.
In der Nähe der dem Pyrometer 10 zugewandten Enden der
Strahlungskanäle 12 befinden sich jeweils Schrauben 16,
die in die Strahlungskanäle 12 mehr oder weniger weit
einschraubbar sind und dadurch den Durchmesser der Strah
lungskanäle 12 verändern, so daß die Intensität der durch
den jeweiligen Strahlungskanal 12 hindurch gelangenden
Strahlung veränderbar oder einstellbar ist. Dadurch ist
es möglich, im wesentlichen jedes gewünschte Verhältnis
zwischen den Strahlungsintensitäten der einzelnen Lampen
3, die auf das Pyrometer 10 fallen, einzustellen.
Vorausgesetzt, daß die Lampen jeweils dieselbe Strah
lungsintensität aufweisen, gelangt über die der Mittel
achse 17 des Kanalkörpers 11 am nächsten liegenden Strah
lungskanäle 12 mehr Strahlungsintensität auf das Pyro
meter 10 als über die weiter außen liegenden Strahlungs
kanäle 12. Um dies auszugleichen, kann der Kanalquer
schnitt der weiter innen liegenden Strahlungskanäle 12
durch weiteres Einschrauben der Schrauben 16 verkleinert
und dadurch die unterschiedliche, auf das Pyrometer 10
fallende Strahlungsintensität ausgeglichen werden. Auch
ist jedes beliebige Verhältnis der Strahlungsintensitäten
zueinander auf diese Weise einstellbar.
Wie am Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 6 schematisch dar
gestellt ist, sind die Durchmesser oder Querschnitte der
Strahlungskanäle 12 in optimaler Weise an die Form der
Lampen 3 oder deren Wendeln 15 angepaßt, was dazu bei
trägt, die Hintergrund- oder Streustahlung, die auf die
Pyrometer 10 fällt, weiter zu verringern. Die Ausrichtung
des Kanals 12 im Kanalkörper 11 bzw. das Kanalfenster im
Kanalkörper 11 ist hinsichtlich der Abmessungen gemäß
Fig. 6 so gewählt, daß die Wendel auch dann noch inner
halb des Kanalfensters 18 liegen, wenn die Wendel 15 vi
briert oder schwingt, oder beispielsweise während des
Aufheizvorgangs deformiert wird. Dadurch wird sicherge
stellt, daß die Lichtintensität, die auf das Lampenpyro
meter 10 fällt, durch Schwingungen, Vibrationen oder De
formationen der Wendel 15 nicht verändert und die Messun
gen und Meßgenauigkeiten nicht beeinträchtigt werden.
Im allgemeinen sind die Strahlungsquellen und/oder die
Strahlungskanäle bevorzugt so angeordnet, daß das Lampen
pyrometersignal von einem Lampen- oder Filamentabschnitt
resultiert, der frei von Filamenthaltevorrichtungen oder
anderen, den Strahlungsfluß oder die Temperatur des durch
die Strahlungskanäle beobachteten Filament- oder Lampen
abschnitts beeinträchtigenden Mitteln ist.
Während das Lampenpyrometer 10 Linsenoptiken 14 mit Zy
linderlinsen aufweist, kann das Waferpyrometer 8 mit ei
ner Rundlinse 9, einer Zylinderlinse oder anderen linsen
artigen Mitteln (z. B. Zonenplatten, Fressnellinsen) ver
sehen sein, wobei die Mittel entsprechend der Strahlungs
geometrie der Lampen angepaßt sein können. Es ist z. B.
vorteilhaft bei einer Lampenbank aus parallelen Stablam
pen eine Zylinderlinse mit parallel zu den Lampen ausge
richteter Zylinderachse zu verwenden. Im allgemeinen wird
somit ein möglichst großer Raumbereich und damit z. B.
eine hemisphärische Reflexion des Wafers 6 möglichst un
eingeschränkt vermessen.
Fig. 7 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der vor
liegenden Erfindung, bei dem ein den Strahlungskanal 12
verlängerndes Zwischenelement 20, wie zum Beispiel ein
Quarz- oder Saphirstab zwischen die Austrittsöffnung des
Strahlungskanals 12 und die Lampe 3 eingesetzt ist. Die
ses Element 20 dient dazu, den Strahlungskanal bis kurz
vor die Lampe zu verlängern, wobei der Abstand zwischen
dem Ende des Elementes und der Lampe nur wenige Millime
ter beträgt. Dadurch wird verhindert, daß Strömungsturbu
lenzen, die zwischen der Austrittsöffnung des jeweiligen
Kanals 12 und der zugeordneten Lampe 3 auftreten können,
Intensitätsschwankungen bei der Messung erzeugen.
Obwohl das Verlängerungselement 20 als Stab dargestellt
ist, ist es auch möglich, ein einziges Quarzelement über
den gesamten Bereich des Fächers zwischen der Gehäusewand
und den Lampen anzuordnen. Auch ist es möglich, den Fä
cher bis kurz vor die Lampen zu verlängern.
Die Erfindung wurde zuvor anhand eines bevorzugten Aus
führungsbeispiels beschrieben. Dem Fachmann sind zahlrei
che Abwandlungen und Ausgestaltungen möglich, ohne daß
dadurch der Erfindungsgedanke verlassen wird. Beispiels
weise ist die Anwendung der erfindungsgemäßen optischen
Strahlungsmeßvorrichtung nicht auf Schnellheizsysteme für
thermische Behandlung von Wafern beschränkt. Je nach den
Anordnungen, Formen und Ausbildungen der Strahlungsquel
len sind auch andere Kanalkörperformen als Fächerformen
möglich. Auch die Ausbildung der Strahlungskanäle 14 ist
nicht auf die in Fig. 3 dargestellten Ausführungsbeispie
le beschränkt.
Claims (28)
1. Optische Vorrichtung, mit wenigstens einem Strah
lungsdetektor (10) zum Messen einer von wenigstens
zwei Strahlungsquellen (3) emittierten elektromagne
tischen Strahlung, gekennzeichnet durch separate in
einem Kanalkörper (11) ausgebildete Strahlungskanäle
(12) für den Strahlungsweg zwischen den Strahlungs
quellen (3) und dem für die Strahlungsquellen ge
meinsamen Strahlungsdetektor (10).
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Strahlungskanal (12) eine Querschnittsform
aufweist, die der Form der Strahlungsquelle (3) ent
spricht.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Strahlungskanal (12) eine Quer
schnittsform aufweist, die auch bei einer Abweichung
aus der Soll-Lage der Strahlungsquelle (3) einen
Strahlungsdurchgang zum Strahlungsdetektor (10) ge
stattet.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, da
durch gekennzeichnet, daß wenigstens eine Wand des
Strahlungskanals (12) strukturiert ist.
5. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß der Strahlungskanal (12)
wenigstens eine die Querschnittsfläche des Strah
lungskanals (12) veränderbare Einrichtung (16) auf
weist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß die die Querschnittsfläche des Strahlungskanals
(12) veränderbare Einrichtung (16) eine Schraube um
faßt, die quer zur Strahlungsrichtung in den Strah
lungskanal (12) einschraubbar ist.
7. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Strahlungsquel
len (3) nebeneinander angeordnet sind und der Kanal
körper (11) für jede Strahlungsquelle (3) einen se
paraten zum gemeinsamen Strahlungsdetektor (10) hin
gerichteten Strahlungskanal (12) aufweist.
8. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß sich der Kanalkörper
(11) mit dem bzw. den Strahlungskanälen (12) bis zu
der bzw. den Strahlungsquellen (3) erstreckt.
9. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
gekennzeichnet durch wenigstens ein lichtdurchlässi
ges, den Strahlungskanal (12) verlängerndes Zwi
schenelement (20) zwischen wenigstens einer Aus
trittsöffnung eines Strahlungskanals (12) und einer
zugeordneten Strahlungsquelle (3).
10. Vorrichtung nach Anspruch 9, gekennzeichnet durch
ein mehrere Strahlungskanäle (12) verlängerndes, ge
meinsames Zwischenelement.
11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 oder 10, da
durch gekennzeichnet, daß das Zwischenelement (20)
ein Quarz- oder Saphirelement ist.
12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 11, da
durch gekennzeichnet, daß die Strahlungsquellen (3)
Einzellampen sind, die in einer Reihe nebeneinander
als Lampenbank (4, 5) angeordnet sind, und daß die
Strahlungskanäle (12) zwischen den Lampen (3) und
einem gemeinsamen Strahlungsdetektor (10) im Strah
lungskörper (11) fächerartig ausgebildet sind.
13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 12, da
durch gekennzeichnet, daß das Verhältnis der auf den
Strahlungsdetektor (10) auftreffenden Strahlung der
jeweiligen Lampen (3) untereinander durch die die
Querschnittsfläche des jeweiligen Strahlungskanals
(12) veränderbaren Einrichtung (16) einstellbar ist.
14. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den dem Strah
lungsdetektor (10) zugewandten Enden der Strahlungs
kanäle (12) und dem Strahlungsdetektor (10) eine Zy
linderlinse (14) angeordnet ist.
15. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
gekennzeichnet durch die Verwendung in Zusammenhang
mit einem Schnellheizsystem für die thermische Be
handlung von Halbleitersubstraten.
16. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeich
net, daß die thermische Behandlung der Halbleiter
substrate innerhalb einer Reaktionskammer erfolgt,
die im wesentlichen aus einem, für die elektromagne
tische Strahlung der Strahlungsquellen und für das
Spektrum der Meßwellenlängen der Strahlungsdetekto
ren, transparenten Material besteht.
17. Vorrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeich
net, daß das transparente Material Quarzglas
und/oder Saphir umfaßt.
18. Vorrichtung nach Anspruch 17 oder 16, dadurch ge
kennzeichnet, daß Material einen über das Lampen
spektrum gemittelten Absorptionskoeffizienten
zwischen 0.001 1/cm und 0.1 1/cm aufweist.
19. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 16 bis 18, da
durch gekennzeichnet, daß die Wanddicke der Reakti
onskammer zwischen 1 mm und 5 cm beträgt.
20. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 19, da
durch gekennzeichnet, daß die Strahlungsquellen we
nigstens ein Filament mit wenigstens teilweise ge
wendelter Filamentstruktur umfassen.
21. Vorrichtung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeich
net, daß durch die Filamentstruktur der Lampe ein
vordefiniertes geometrisches und spektrales Ab
strahlprofil erzielbar ist.
22. Vorrichtung nach Anspruch 21, dadurch gekennzeich
net, daß das Filament der Strahlungsquelle abwech
selnd gewendelte und ungewendelte Filamentstrukturen
umfaßt.
23. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 21 bis 22, da
durch gekennzeichnet, daß die Strahlungsquelle zwei
einzelansteuerbare Filamente umfaßt.
24. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 20 bis 23, da
durch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Filament
wenigstens drei elektrische Anschlüsse umfaßt.
25. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Strahlungsquelle we
nigstens eine Halogenlampe umfaßt.
26. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 20 bis 25, da
durch gekennzeichnet, daß die Dichte wenigstens einer
Filamentstruktur entlang des Filaments variiert.
27. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 19, da
durch gekennzeichnet, daß die Strahlungsquelle we
nigstens eine Bogenlampe umfaßt.
28. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß durch eine Anordnung der
Strahlungsquelle und des Strahlungskanals relativ
zueinander der Strahlungsdetektor ein Signal ge
neriert, das frei von Einflüssen von Filamenthalte
vorrichtungen oder anderer, den Strahlungsfluß oder
die Strahlungstemperatur der Strahlungsquelle beein
trächtigender Mittel ist.
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---|---|---|---|
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TW087119957A TW403834B (en) | 1997-12-08 | 1998-12-02 | Optical radiation measurement apparatus |
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Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100316445B1 (de) |
DE (1) | DE19852321C2 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7412299B2 (en) | 2002-12-23 | 2008-08-12 | Mattson Thermal Products Gmbh | Process for determining the temperature of a semiconductor wafer in a rapid heating unit |
DE102007058002A1 (de) * | 2007-12-03 | 2009-06-04 | Mattson Thermal Products Gmbh | Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Halbleitersubstraten |
DE10329107B4 (de) * | 2002-12-23 | 2015-05-28 | Mattson Thermal Products Gmbh | Verfahren zum Bestimmung wenigstens einer Zustandsvariablen aus einem Modell eines RTP-Systems |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3129065C1 (de) * | 1981-07-23 | 1982-11-11 | Gustav F. Gerdts GmbH & Co KG, 2800 Bremen | Gerät zur photoelektrischen Überwachung von Strömungsmedium |
DE3908627A1 (de) * | 1989-03-16 | 1990-09-20 | Bodenseewerk Geraetetech | Infrarotdetektor |
US5310260A (en) * | 1990-04-10 | 1994-05-10 | Luxtron Corporation | Non-contact optical techniques for measuring surface conditions |
FR2707005A1 (en) * | 1993-06-22 | 1994-12-30 | Colin Jean Marie | Static photodetection device |
DE9312231U1 (de) * | 1993-08-16 | 1993-10-28 | Adolf-Slaby-Institut, Forschungsgesellschaft für Plasmatechnologie und Mikrostrukturierung mbH, 12459 Berlin | Vorrichtung zum Messen von UV-Strahlung und Einrichtung zum Auswerten der Signale einer solchen Vorrichtung |
-
1998
- 1998-11-12 DE DE19852321A patent/DE19852321C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-08 KR KR1019980053615A patent/KR100316445B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7412299B2 (en) | 2002-12-23 | 2008-08-12 | Mattson Thermal Products Gmbh | Process for determining the temperature of a semiconductor wafer in a rapid heating unit |
DE10329107B4 (de) * | 2002-12-23 | 2015-05-28 | Mattson Thermal Products Gmbh | Verfahren zum Bestimmung wenigstens einer Zustandsvariablen aus einem Modell eines RTP-Systems |
DE102007058002A1 (de) * | 2007-12-03 | 2009-06-04 | Mattson Thermal Products Gmbh | Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Halbleitersubstraten |
DE102007058002B4 (de) * | 2007-12-03 | 2016-03-17 | Mattson Thermal Products Gmbh | Vorrichtung zum thermischen Behandeln von scheibenförmigen Halbleitersubstraten |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19852321C2 (de) | 2000-06-21 |
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KR19990062884A (ko) | 1999-07-26 |
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