Die vorliegende Erfindung betrifft einen Halbleiterschalt
kreis mit einer integrierten Selbsttestschaltung.The present invention relates to a semiconductor switch
circuit with an integrated self-test circuit.
Häufig werden Halbleiterschaltkreise nach deren Herstellung
auf einen Wafer, noch vor Umhüllen mit einem Gehäuse, einen
sogenannten Burn-In unterzogen. Dabei werden die Halbleiter
schaltkreise für eine gegebene Zeit einer Temperatur ausge
setzt, die in der Regel höher ist als die vom Hersteller vor
gegebene maximale Lagertemperatur. Sinn dieser Prozedur ist
es, daß der Halbleiterschaltkreis vorzeitig altert, und daß
dadurch alterungsbedingte Ausfälle nicht erst beim Kunden
auftreten, sondern bereits beim Hersteller und daß gegebenen
falls vorhandene Zulässigkeitsprobleme möglichst frühzeitig
erkannt werden. Deshalb werden die Halbleiterschaltkreise
während der Burn-In-Phase auch ständig auf Funktionsfähigkeit
getestet. Während früher dazu notwendige Testschaltungen
schaltkreisextern angeordnet waren (z. B. auf sogenannten
Burn-In-Boards, auf denen die Halbleiterschaltkreise während
der Burn-In-Prozedur aufgebracht sind), werden diese Test
schaltungen heutzutage als sogenannte Selbsttestschaltungen
in den Halbleiterschaltkreis mit integriert, weshalb die Flä
che eines solchen Halbleiterschaltkreises naturgemäß größer
ist als die Fläche eines funktionidentischen Halbleiter
schaltkreises ohne Selbsttestschaltung.Semiconductor circuits are often used after their manufacture
on a wafer, before encasing it with a package, one
so-called burn-in. The semiconductors
circuits for a given time of a temperature
sets, which is usually higher than that of the manufacturer
given maximum storage temperature. The purpose of this procedure is
it that the semiconductor circuit ages prematurely, and that
therefore age-related failures not only at the customer
occur, but already given by the manufacturer and that
if existing admissibility problems as early as possible
be recognized. That is why the semiconductor circuits
functionality during the burn-in phase
tested. While test circuits previously required for this
were arranged outside the circuit (e.g. on so-called
Burn-in boards on which the semiconductor circuits during
the burn-in procedure), these will be test
circuits nowadays as so-called self-test circuits
integrated in the semiconductor circuit, which is why the Flä
surface of such a semiconductor circuit is naturally larger
is the area of a functionally identical semiconductor
circuit without self-test circuit.
Ziel aller Halbleiterschaltkreishersteller ist es seit jeher,
mit einer möglichst geringen Fläche für einen Halbleiter
schaltkreis auszukommen, denn je geringer die benötigte Flä
che ist, desto billiger ist der Schaltkreis herstellbar (die
absoluten Herstellungskosten sind lediglich abhängig von der
Größe eines Wafers, auf dem die Schaltkreise herzustellen
sind, nicht jedoch von der Anzahl der herzustellenden Schalt
kreise pro Wafer, so daß die Herstellungskosten je Halblei
terschaltkreis umso niedriger ausfallen, je mehr Halbleiter
schaltkreise auf einem Wafer gegebener Größe Platz finden,
oder, anders ausgedrückt: je geringer die Fläche des Halblei
terschaltkreises ist).The goal of all semiconductor circuit manufacturers has always been
with the smallest possible area for a semiconductor
circuit, because the smaller the required area
che, the cheaper it is to manufacture the circuit (the
absolute manufacturing costs are only dependent on the
Size of a wafer on which to manufacture the circuits
are, but not on the number of switching to be produced
circles per wafer, so that the manufacturing costs per half lead
circuit, the lower the number of semiconductors
circuits on a given size wafer,
or in other words: the smaller the area of the semi-lead
circuit is).
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen gattungsge
mäßen Halbleiterschaltkreis mit einer möglichst geringen Flä
che zu schaffen.The object of the present invention is a genus
semiconductor circuit with the smallest possible area
to create.
Erfindungsgemäß ist dazu vorgesehen, eine Selbsttestschaltung
so anzuordnen, daß sie unterhalb eines Anschlußpads des Halb
leiterschaltkreises liegt, welches zum Betrieb der Selbttest
schaltung vorgesehen ist (das Anschlußpad wird während des
Burn-In-Vorganges mittels einer Prüfspitze elektrisch kontak
tiert).According to the invention there is provided a self-test circuit
to be arranged so that it is below a connecting pad of the half
circuit, which is used to operate the self-test
circuit is provided (the connection pad is during the
Burn-in process electrically by means of a test probe
animals).
Ein erfindungsgemäßer Halbleiterschaltkreis ist in der Zeich
nung, stark schematisiert und ausschnittsweise, dargestellt:A semiconductor circuit according to the invention is in the drawing
tion, highly schematic and excerpted, shown:
Ein Halbleiterkörper S enthält die für die Funktion des Halb
leiterschaltkreises typischen elektrischen Schaltungen (nicht
dargestellt) sowie eine Selbsttestschaltung BIST. Diese ist
unterhalb eines der Selbsttestschaltung BIST zugeordneten An
schlußpads P angeordnet (es können gegebenenfalls auch mehre
re Anschlußpads P sein) und mit diesem elektrisch verbunden,
beispielsweise mittels eines sogenannten Kontaktloches (nicht
dargestellt). Die Selbsttestschaltung BIST ist weiterhin, wie
allgemein üblich, mit wenigstens einem Teil der für die Funk
tion des Halbleiterschaltkreises typischen elektronischen
Schaltungen elektrisch verbunden (ebenfalls nicht darge
stellt). Dadurch, daß die Selbsttestschaltung BIST unterhalb
des Anschlußpads P angeordnet ist, wird dieser (bislang nicht
genutzte) Platz des Chips des Halbleiterschaltkreises sinn
voll ausgenutzt und die notwendige Gesamtfläche des Chips
läßt sich entsprechend verringern.
A semiconductor body S contains the half function
conductor circuit typical electrical circuits (not
shown) and a self-test circuit BIST. This is
below an assigned to the self-test circuit BIST
final pads P arranged (if necessary, several
re connecting pads P) and electrically connected to it,
for example by means of a so-called contact hole (not
shown). The BIST self-test circuit is still like
common practice, with at least part of that for radio
tion of the semiconductor circuit typical electronic
Circuits electrically connected (also not shown
represents). Because the BIST self-test circuit is below
the connection pad P is arranged, this (so far not
used) space of the chip of the semiconductor circuit sense
fully utilized and the necessary total area of the chip
can be reduced accordingly.
Sollte Gefahr bestehen, daß beim nachfolgenden Bonden von
weiteren Anschlußflächen des Halbleiterschaltkreises die
Selbsttestschaltung BIST (die dann ja nicht mehr benötigt
wird, da das Bonden erst nach dem Burn-IN-Vorgang erfolgt)
beschädigt wird (was als solches ohne Belang ist, denn die
Selbsttestschaltung wird nach dem Burn-IN-Vorgang ja nicht
mehr benötigt) mit der Folge, daß durch diese Beschädigung
die weiteren elektronischen Schaltungen des Halbleiterschalt
kreises, die dessen elektronische Funktion bestimmen, ungün
stig beeinflußt werden könnten, so können an der Schnittstel
le Selbsttestschaltung BIST - weitere elektronische Schaltun
gen als Schalter fungierende Elemente vorgesehen werden, die
während der Burn-In-Prozedur die Selbsttestschaltung BIST mit
den weiteren elektronischen Schaltungen verbinden und die an
sonsten die Selbsttestschaltung BIST von den weiteren elek
tronischen Schaltungen abkoppeln.If there is a risk that the subsequent bonding of
further pads of the semiconductor circuit
BIST self-test circuit (which is then no longer required
because the bonding takes place after the burn-in process)
is damaged (which as such is irrelevant, because the
Self-test switching is not after the Burn-IN process
more needed) with the result that this damage
the other electronic circuits of the semiconductor switch
circle, which determine its electronic function, unun
could be influenced, so at the interface
BIST self-test circuit - further electronic circuit
elements acting as switches are provided, which
during the burn-in procedure the BIST self-test circuit
connect the other electronic circuits and the on
otherwise the self-test circuit BIST of the other elec
Disconnect tronic circuits.