DE19833257C1

DE19833257C1 - Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe

Info

Publication number: DE19833257C1
Application number: DE1998133257
Authority: DE
Inventors: Guido Wenski; Bernd Passer; Gerhard Heier
Original assignee: Wacker Siltronic AG
Current assignee: Siltronic AG
Priority date: 1998-07-23
Filing date: 1998-07-23
Publication date: 1999-09-30
Anticipated expiration: 2018-07-24

Abstract

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit einer Rückseite und einer schleierfrei polierten Vorderseite, umfassend Schleifen der Halbleiterscheibe zur Verringerung der Dicke der Halbleiterscheibe, naßchemisches Behandeln der Halbleiterscheibe zur Entfernung geschädigter Kristallbereiche, Abtragspolieren der Halbleiterscheibe zur Minimierung von beim naßchemischen Behandeln erzeugter Oberflächenrauhigkeit und Schleierfreipolieren der Halbleiterscheibe. Das Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß das naßchemische Behandeln der Halbleiterscheibe folgende Teilschritte umfaßt: DOLLAR A (a) Eintauchen der Halbleiterscheibe in eine wäßrige Flußsäurelösung und Herausbringen der Halbleiterscheibe aus der Flußsäurelösung in einen Ozon enthaltenden Gasraum; DOLLAR A (b) Ätzen der Halbleiterscheibe in einer sauren Ätzlösung; DOLLAR A (c) Spülen der Halbleiterscheibe in Reinstwasser; und DOLLAR A (d) Eintauchen der Halbleiterscheibe in eine wäßrige Flußsäurelösung und Herausbringen der Halbleiterscheibe aus der Flußsäurelösung in einen Ozon enthaltenden Gasraum.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit hinsichtlich Geometriedaten, Anzahl der Lichtstreuzentren auf der Scheibenvorderseite und Metallkonta mination im Kristallgitter verbesserten Eigenschaften.

Eine Halbleiterscheibe für die Verwendung in der Halbleiter industrie, insbesondere zur Fabrikation von elektronischen Bauelementen mit Linienbreiten gleich oder kleiner 0,18 µm, muß eine Vielzahl besonderer Eigenschaften aufweisen. Ein wichtiger Parameter ist die lokale Ebenheit SFQR (site front-surface referenced least squares/range = Bereich der positiven und negativen Abweichung von einer über Fehlerquadratminimierung definierten Vorderseite für eine Bauelementefläche definierter Dimension); die Größe SFQR_max gibt den höchsten SFQR-Wert für alle Bauelementeflächen auf einer bestimmten Scheibe an. Eine allgemein anerkannte Faustregel besagt, daß der SFQR_max-Wert einer Scheibe gleich oder kleiner der auf dieser Scheibe mög lichen Linienbreite von darauf herzustellbaren Halbleiterbau elementen sein muß. Eine Überschreitung dieses Wertes führt zu Fokussierungsproblemen des Steppers und damit zum Verlust des betreffenden Bauelementes. Eine weitere Größe von hoher Bedeu tung ist die Anzahl von Lichtstreuzentren (LLS, localized light scatterers) auf der Scheibenseite, in der Regel der Scheiben vorderseite, auf der die Halbleiter-Bauelemente erstellt werden sollen. Hierbei kann zwischen kristallinhärenten Defekten, deren Anzahl im wesentlichen durch den Kristallisationsprozeß und die Formgebungsschritte bestimmt wird, und Partikeln unter schieden werden, welche in den Prozeßschritten Endreinigung und Trocknung nicht von der Scheibenoberfläche entfernt oder gar auf diese aufgebracht werden. In einer gewissen Anzahl und Größe können LLS zum elektrischen Kurzschluß von Schaltkreisen und damit zum Verlust von Bauelementen führen. Ebenfalls essentiell ist die Begrenzung von Metallkontamination auf der Scheibenoberfläche und im Kristallgitter. Metallkontamination wirkt sich vor allem über die Störung der physikalischen und elektrischen Eigenschaften der Scheibe negativ auf den Bauele mente-Produktionsprozeß aus und kann ebenfalls zum Totalausfall von Schaltkreisen führen.

Bekannt für diesen Zweck sind alkalische (EP 798 405 A2) und saure (EP 628 992 A2) Ätzverfahren.

Eine konventionelle Prozeßsequenz zur Herstellung einer Halb leiterscheibe lautet: Kantenverrunden, Läppen, Ätzen, Polieren und Reinigen der von einem Kristall gesägten Halbleiterscheibe. Nach dem Kantenverrunden und Läppen folgt ein naßchemischer Ätzschritt zur weitgehenden Entfernung der oberflächennahen gestörten Kristallschichten (Damage) auf Fläche und Kante. Bekannt für diesen Zweck sind alkalische (EP 798 405 A2) und saure (EP 628 992 A2) Ätzverfahren. Das Polieren wird in der Regel als zwei- oder dreistufiger Einsei tenprozeß ausgeführt, wobei der jeweils letzte Schritt die end gültige schleierfreie Oberfläche erzeugt. Es schließt sich eine Reinigung an, die im allgemeinen als Badreinigung nach dem sogenannten RCA-Verfahren unter Verwendung einer Sequenz von alkalischen, sauren und Reinstwasserbädern ausgeführt wird.

Weiterentwickelte Endreinigungsverfahren setzen aufgrund der hohen Oxidationskraft von Ozon Kombinationen aus wäßriger Fluß säurelösung (HF) und Ozon ein, wodurch die Scheibenoberfläche insbesondere von Kupfer und von organischen Verunreinigungen befreit wird, siehe beispielsweise EP 701 275 A2; eine Tensidzugabe zur Flußsäure bewirkt eine Partikelreduktion. Das direkte Einblasen von Ozon in wäßrige HF-Lösung ist beispiels weise in der US 5,567,244 beschrieben. Letztendlich kann die HF/Ozon-Technologie gemäß der DE 195 31 031 A1 auch zur Trock nung gereinigter Siliciumscheiben eingesetzt werden, indem diese trocken und hydrophob aus der Flußsäurelösung entnommen und anschließend in einem Ozon-haltigen Gasraum hydrophiliert werden.

Naßchemisches Ätzen einer Halbleiterscheibe, meist ausgeführt als Batchverfahren unter gleichzeitiger Behandlung einer Viel zahl von Scheiben, stellt ein kostengünstiges Verfahren zur Entfernung des in den mechanischen Bearbeitungsschritten er zeugten Damage dar.

Obwohl die Sauerätzverfahren weiterentwickelt wurden, bleiben auf der Oberfläche von geläppten oder geschliffenen Scheiben noch Partikel, die beispielsweise aus Abrieb und Läpp- oder Schleifkörnern bestehen. Diese Partikel, die durch den isotro pen Angriff einer sauren Ätzlösung nicht unmittelbar abgelöst werden, führen zu einer Maskierung der Scheibenoberfläche und damit zum Auftreten von Erhebungen und nicht abgeätztem Rest damage, was beim Polieren zu Geometriefehlern, Fortpflanzung des Restdamages, Kratzer- und LLS-Bildung sowie Rauhigkeits unterschieden mit den Folgeerscheinungen Gleitungen, Versetzun gen, Verlust von Halbleiterbauelementen und im schlimmsten Fall Scheibenbruch bei thermischen Prozessen führen kann.

Bekannte Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe können die Anforderungen, die für die Weiterverarbeitung zu Halbleiterbauelementen mit Linienbreiten gleich oder kleiner 0,18 µm eingefordert werden (Geometriedaten, Anzahl der Licht streuzentren (LLS) auf der Scheibenvorderseite und Metallkon tamination im Kristallgitter) in ihrer Gesamtheit derzeit nicht erfüllen. Die vorliegende Erfindung schafft hier Abhilfe.

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit einer Rückseite und einer schleier frei polierten Vorderseite, umfassend Schleifen der Halbleiter scheibe, naßchemisches Behandeln der Halbleiterscheibe zur Entfernung geschädigter Kristallbereiche, Abtragspolieren der Halbleiterscheibe zur Minimierung von beim naßchemischen Behandeln erzeugter Oberflächenrauhigkeit und Schleierfreipo lieren der Halbleiterscheibe, wobei das Verfahren dadurch gekennzeichnet ist, daß das naßchemische Behandeln der Halb leiterscheibe folgende Teilschritte umfaßt:

a) Eintauchen der Halbleiterscheibe in eine wäßrige Flußsäure lösung und Herausbringen der Halbleiterscheibe aus der Flußsäu relösung in einen Ozon enthaltenden Gasraum;
b) Ätzen der Halbleiterscheibe in einer sauren Ätzlösung;
c) Spülen der Halbleiterscheibe in Reinstwasser; und
d) Eintauchen der Halbleiterscheibe in eine wäßrige Flußsäure lösung und Herausbringen der Halbleiterscheibe aus der Flußsäu relösung in einen Ozon enthaltenden Gasraum.

Ausgangsprodukt des Verfahrens ist eine Halbleiterscheibe, die auf bekannte Weise von einem Kristall abgetrennt wurde, bei spielsweise von einem abgelängten und rundgeschliffenen Einkri stall aus Silicium, und deren Kante verrundet wurde. Falls dies gewünscht wird, kann der Kristall mit einem oder mehreren Orientierungsmerkmalen zur Identifizierung der Kristallachsen versehen werden, beispielweise einem Notch und/oder einem Flat. Die Kante der Halbleiterscheibe wird mittels einer geeig net profilierten Schleifscheibe verrundet. Metallfreie Kunst harz-gebundene Kantenverrundungsscheiben, insbesondere solche mit eingebetteten Diamanten, sind besonders bevorzugt. Die Scheibenkanten weisen je nach Ausführungsform des Schleif schrittes ein Damage von 3 bis 20 µm auf.

Endprodukt des Verfahrens ist eine Halbleiterscheibe mit hin sichtlich Geometriedaten, Anzahl der Lichtstreuzentren (LLS) auf der Scheibenvorderseite und Metallkontamination im Kri stallgitter verbesserten Eigenschaften.

Das Verfahren kann prinzipiell zur Herstellung eines scheiben förmigen Körpers eingesetzt werden, der aus einem Material besteht, welches mit den eingesetzten mechanischen und chemi schen Methoden bearbeitet werden kann. Derartige Materialien, deren Weiterverarbeitung vorwiegend in der Halbleiterindustrie stattfindet, jedoch nicht auf diese beschränkt ist, sind zum Beispiel Silicium, Silicium/Germanium, Siliciumdioxid, Silici umnitrid, Galliumarsenid und weitere sogenannte III-V-Halblei ter. Silicium in einkristalliner Form, beispielsweise kristal lisiert durch einen Czochralski- oder einen Zonenziehprozeß, ist bevorzugt. Silicium mit einer Kristallorientierung (100), (110) oder (111) ist besonders bevorzugt.

Das Verfahren eignet sich besonders zur Herstellung von Silici umscheiben mit Durchmessern von insbesondere 200 mm, 300 mm, 400 mm, 450 mm und 675 mm und Dicken von wenigen 100 µm bis einigen cm, bevorzugt von 500 µm bis 1200 µm. Die Halbleiter scheiben können entweder direkt als Ausgangsmaterial für die Herstellung von Halbleiterbauelementen eingesetzt werden oder nach Aufbringen von Schichten wie Rückseitenversiegelungen oder einer epitaktischen Beschichtung der Scheibenvorderseite mit Silicium oder geeigneten weiteren Halbleitermaterialien oder aber nach Konditionierung durch eine Wärmebehandlung beispiels weise unter Wasserstoff- oder Argonatmosphäre ihrem Bestim mungszweck zugeführt werden. Neben der Herstellung von Scheiben aus einem homogenen Material kann die Erfindung natürlich auch zur Herstellung von mehrschichtig aufgebauten Halbleitersub straten wie SOI-Scheiben (silicon-on-insulator) und sogenannten bonded wafers eingesetzt werden.

Im folgenden wird die Erfindung am Beispiel der Herstellung einer Halbleiterscheibe aus Silicium näher erläutert.

Eine gesägte und kantenverrundete Halbleiterscheibe, die je nach Durchmesser und Art des Sägeprozesses ein Damage bis in eine Tiefe im Bereich von 10 bis 40 µm aufweist, wird zur Ver besserung der Geometrie und teilweisem Abtrag der zerstörten Kristallschichten einem Schleifschritt unterzogen. Eine bevor zugte Ausführungsform für das erfindungsgemäße Verfahren ist die Methode des Rotationsschleifens, wie sie beispielsweise in der EP 272 531 A1 beschrieben ist. Hierbei wird sinnvollerweise zunächst eine Seite der Scheibe geschliffen, die Scheibe gewen det und anschließend die andere Seite geschliffen. Bevorzugt zur Anwendung kommen dabei Diamant-haltige Schleifscheiben, besonders bevorzugt Kunstharz-gebundene Schleifscheiben mit Diamanten. Die eingebetteten Diamantsplitter besitzen eine Körnung von bevorzugt 400 bis 3000 Mesh, besonders bevorzugt 600 bis 2000 Mesh.

Es ist jedoch auch möglich, nur eine Scheibenseite zu schlei fen.

Gemäß einer weiteren, bevorzugten Ausführungsform werden beide Scheibenseiten nacheinander zunächst mit einer Schleifscheibe der Körnung 400 bis 1000 Mesh und anschließend beide Scheiben seiten nacheinander mit einer Schleifscheibe der Körnung 1500 bis 2500 Mesh geschliffen.

Eine weitere bevorzugte Ausführungsform des Schleifschrittes ist das Doppelseitenschleifen, wie es beispielsweise in der EP 755 751 A1 beschrieben ist. Anstelle des sequentiellen Schlei fens der beiden Scheibenseiten werden in diesem Falle beide Scheibenseiten gleichzeitig geschliffen. Statt der Schleif scheiben können hierbei auch Schleifkörper, sogenannte Pellets, mit gleicher Zusammensetzung eingesetzt werden. Der Silicium abtrag pro Scheibenseite beträgt beim Schleifschritt bevorzugt 10 bis 100 µm, besonders bevorzugt 20 bis 60 µm. Die geschlif fenen Scheiben weisen je nach Ausführungsform des Schleif schrittes ein Damage von 1 bis 10 µm auf.

Zur Entfernung des in den mechanischen Vorprozessen zwangs läufig erzeugten Damage von Scheibenobenfläche und -kante ein schließlich der gegebenenfalls vorhandenen Verunreinigungen, beispielsweise in diesen gestörten Gitterbereichen gebundene (gegetterte) Metallverunreinigungen, folgt eine naßchemische Behandlung der Halbleiterscheibe mit einem Ätzschritt nach dem Sauerätzprinzip, die in vier Teilschritten ausgeführt wird, wobei keine weitere Vorbehandlung der kantenverrundeten, geschliffenen Scheiben notwendig ist:

Die vier Teilschritte können in separaten Anlagen ausgeführt werden. Ebenfalls möglich ist, sie in ein und demselben Pro zeßbecken auszuführen. Bevorzugt ist, die vier Teilschritte unmittelbar nacheinander in vier Prozeßkammern einer modular aufgebauten Ätzanlage auszuführen. Dies ist zum einen kosten günstig durch die Möglichkeit des Einsatzes einer kompakt aufgebauten Anlage von Vorteil, die in einer besonders bevor zugten Ausführungsform des Prozesses automatisiert betrieben wird und dadurch bei relativ niedrigem Bedienpersonalaufwand einen hohen Durchsatz ermöglicht. Zum anderen wird die Halb leiterscheibe unmittelbar nach dem Reinigungs- und Hydrophi lierungsschritt (a) in die Ätzlösung überführt, was einen homogenen Ätzabtrag im Schritt (b) ermöglicht, unmittelbar nach dem eigentlichen Ätzprozeß in Schritt (c) mit Reinstwasser gespült, was ein lokales unkontrolliertes Nachätzen verhindert, und unmittelbar nach dem Spülen im Schritt (d) getrocknet, was eine Rekontamination beispielsweise durch Fleckenbildung ver hindert.

Die Halbleiterscheibe wird bevorzugt im Paket mit anderen Halb leiterscheiben durch die Schritte (a) bis (d) geführt, wobei zur Handhabung der Halbleiterscheiben vorzugsweise Scheibenma gazine eingesetzt werden, die aus gegenüber den eingesetzten Chemikalien inerten Kunststoffen gefertigt sind, beispielsweise aus fluorierten Kohlenwasserstoffen, insbesondere PVDF (Polyvi nyldifluorid). Bäder, Rohrleitungen, Pumpen etc. sind sinnvol lerweise ebenfalls aus gegenüber den eingesetzten Chemikalien inerten Kunststoffen gefertigt.

Die Stationen, in denen die Teilschritte (a) und (d) durchge führt werden, sind gemäß einer bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens im wesentlichen baugleich ausgeführt. Es besteht die Möglichkeit, ein Ozon-haltiges Gas in den Gasraum über der Flußsäure zu leiten. Das Ozon haltige Gas kann jedoch auch in die Flußsäure, entweder im Prozeßbecken oder in einem Vorlage tank, aus welchem die Ozon haltige Flußsäure in das Prozeß becken gepumpt wird, eingeblasen werden, wobei sich der Gasraum über der Flußsäure im Prozeßbecken durch Ausdiffusion teilweise mit Ozon füllt.

Die in den Teilschritten (a) und (d) zum Einsatz kommende wäß rige Flußsäurelösung enthält bevorzugt 0,001 bis 50 Gew.-% HF, besonders bevorzugt 0,05 bis 2 Gew.-% HF und weist bevorzugt eine Temperatur von 20 bis 80°C auf, wobei eine Temperatur von 40 bis 60°C besonders bevorzugt ist. Zur Erhöhung der Parti kelreinigungswirkung kann die Flußsäurelösung in beiden oder in einem der beiden Bäder, in denen die Prozeßschritte (a) und (d) ausgeführt werden, ein Tensid oder ein Tensidgemisch in einer Konzentration von 0,0001 bis 1 Gew.-% enthalten, wobei das Tensid aus der Gruppe der Verbindungen nicht-ionische, kationi sche oder anionische Tenside stammen kann. Die Zugabe weiterer Zusatzstoffe ist möglich. Das eingeblasene Ozon haltige Gasge misch enthält bevorzugt Ozon in einer Konzentration von 1 mg/m³ bis 1 g/m³ und wird bei Verwendung eines üblicherweise 100 bis 1000 l Flußsäure fassenden Bades mit einer Geschwindigkeit von bevorzugt 1 l/min bis 100 l/min eingeblasen. Das Ozon haltige Gasgemisch kann neben Ozon ein anderes Gas oder mehrere andere Gase enthalten, die entweder inert, wie Stickstoff, Argon oder Kohlendioxid, oder reaktiv sind, wie Sauerstoff, Fluorwasser stoff oder Chlorwasserstoff.

Das verwendete Ozon kann beispielsweise mit Hilfe eines Ozonge nerators gemäß der DE 197 52 769 A1 bereitgestellt werden. Es hat sich als sinnvoll erwiesen, die Halbleiterscheiben bei den Teilschritten (a) und (d) sowohl in der Flußsäurelösung als auch in der Ozonhaltigen Gasatmosphäre für einen Zeitraum von jeweils 0,1 bis 5 min zu belassen, wobei eine Verweilzeit von jeweils 0,5 bis 2 min besonders bevorzugt ist. Bei Ausführung des Trocknungsschrittes (d) ist es sinnvoll, aber nicht not wendig, die Scheibenpakete durch eine geeignete Vorrichtung, beispielsweise eine Hebevorrichtung mit einer kammartigen Scheibenhalterung, vom Ätzmagazin zu trennen und letzteres zur Aufnahme des nächsten zu ätzenden Scheibenpaketes zu Schritt (a) zurückzuführen.

Der saure Ätzschritt (b) wird bevorzugt wie in DE 43 16 096 C1 und US 5,340,437 beschrieben nach dem Strömungsätzprinzip unter Rotation der Scheiben während des Ätzvorganges und Einperlung eines inerten oder reaktiven Gases ausgeführt; die Einperlung eines Gases wie Stickstoff oder Kohlendioxid ist dabei beson ders bevorzugt. Besonders bevorzugt ist ebenfalls die Verwen dung eines bei einer Temperatur von 15 bis 40°C betriebenen Gemisches aus Salpetersäure und Flußsäure in Konzentrationen und einem Konzentrationsverhältnis, die eine mittlere Ätzge schwindigkeit von 3 bis 30 µm/min unter bestmöglichem Erhalt der Scheibengeometrie erlauben, beispielsweise 60 bis 95 Gew.-% konzentrierter Salpetersäure (70 Gew.-%ig in wäßriger Lösung) und 5 bis 30 Gew.-% konzentrierte Flußsäure (50 Gew.-%ig in wäßriger Lösung). Zur Stabilisierung der Gasblasen ist die Zugabe eines gegenüber der Ätzmischung stabilen Tensids in geringen Konzentrationen, die im einzelnen von der Natur des zugesetzten Tensides abhängen, von Vorteil. Beispiele für ge eignete Tenside sind Phosphorsäure, Ammoniumlaurylsulfat und fluorierte oberflächenaktive Stoffe wie Perfluoralkylsulfonate. Die Zugabe geringer Anteile an weiteren Stoffen aus den Verbin dungsklassen organische Säure und Salze, beispielsweise Essig säure, Oxalsäure und Zitronensäure, anorganische Säuren, Salze und Oxide, beispielsweise Salzsäure, Kaliumdichromat, Kalium permanganat und Chrom-VI-oxid, sowie elementare Halogene, bei spielsweise Brom und Iod, ist möglich.

Nach Beendigung des Ätzvorganges werden die Scheiben zur Ver meidung einer lokal uneinheitlichen Nachätzung möglichst rasch, das heißt innerhalb von 1 bis 3 s, in ein mit Reinstwasser gefülltes Bad, bevorzugt eine Quickdump-Spüle, umgesetzt und intensiv mit Reinstwasser gespült und dadurch von anhaftenden Bestandteilen der Ätzmischung befreit. Wird dieser Schritt in der bevorzugten Quickdump-Spüle ausgeführt, wird der Badinhalt in einer besonders bevorzugten Arbeitsweise insgesamt zweimal schlagartig abgelassen und das Bad unter gleichzeitigem Be sprühen der Scheiben mit Wasser und Einblasen von Stickstoffgas innerhalb von 20 bis 60 s wieder mit Reinstwasser aufgefüllt. Abschließend werden die Scheiben in den HF/Ozon-Trockner (d) überführt und entsprechend den Ausführungen weiter oben prozes siert. Es liegen trockene, hydrophile Siliciumscheiben unter Erhalt der im Schleifprozeß erzeugten guten Geometriewerte mit defektarmen Oberflächen, einheitlicher Rauhigkeit und sehr niedrigen Metallkontaminationen auf der Oberfläche und im Kri stallgitter vor.

Beim Sauerätzschritt einschließlich der erfindungsgemäßen Vor- und Nachbehandlung ist zwecks Vermeidung von Partikel- und Metallkontamination die Verwendung hochreiner Chemikalien, die beispielsweise für die Verwendung in der Gigabit-Halbleiter technologie qualifiziert sind, bevorzugt. Ebenfalls bevorzugt ist die Verwendung von Reinstwasser, das mit Wasseraufberei tungsanlagen nach dem Stand der Technik unter Verwendung von Mischbett-Ionenaustauschern, Umkehrosmose, Elektrodeionisation und 0,02-µm-Ultrafiltration hergestellt wurde.

Nach der naßchemischen Behandlung wird die Halbleiterscheibe einem Abtragspolierschritt unterzogen, bei welchem mindestens die Vorderseite unter Abtrag von bevorzugt 5 bis 50 µm Silicium poliert wird. Falls gewünscht wird, daß die Scheiben eine polierte Rückseite besitzen sollen, wie dies zwecks Vermeidung von Querkontamination mit an der Rückseite anhaftenden Partikel bei modernen Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelemen ten vielfach der Fall ist, kann prinzipiell auf zwei verschie dene Vorgehenswiesen zurückgegriffen werden. Zum einen kann ein Rückseitenpolierschritt analog dem weiter unten beschriebenen Endpolierschritt (dem Schleierfreipolieren) durchgeführt wer den. Dieser Rückseitenpolierschritt wird sinnvollerweise vor dem Endpolierschritt der Scheibenvorderseite durchgeführt. Es kann jedoch auch ein Doppelseitenpolierschritt durchgeführt werden, in welchem bevorzugt 5 bis 50 µm Material pro Scheiben seite, besonders bevorzugt 10 bis 20 µm Material abgetragen wird. Ein geeignetes Verfahren zur Doppelseitenpolitur ist beispielsweise in der EP 776 030 A2 veröffentlicht. Im Rahmen der Erfindung ist die Anwendung eines Doppelseitenpolierschrit tes gegenüber einem Einseiten-Abtragspolierschritt der Schei benvorderseite oder einer sequentiellen Politur von Scheiben vorder- und Scheibenrückseite bevorzugt. Besonders bevorzugt ist ein Doppelseitenpolierschritt unter Verwendung eines Poliertuches auf Polyurethanbasis mit eingearbeiteten Polyethy lenfasern mit einer bevorzugten Härte von 40 bis 120 (Shore A) und einer besonders bevorzugten Härte von 60 bis 90 (Shore A) in Gegenwart eines Poliersols mit einem pH-Wert von bevorzugt 9 bis 12, besonders bevorzugt 10 bis 11, aus bevorzugt 1 bis 10 Gew.-%, besonders bevorzugt 1 bis 5 Gew.-% SiO₂ in Wasser, wobei der Polierdruck bevorzugt 0,1 bis 0,5 bar, besonders bevorzugt 0,15 bis 0,3 bar beträgt.

Anschließend wird die Scheibenvorderseite schleierfrei poliert, beispielsweise mit einem weichen Poliertuch unter Zuhilfenahme eines alkalischen Poliersols; zum Erhalt der bis zu diesem Schritt erzeugten guten Scheibengeometrie liegt der Silicium abtrag von der Scheibe dabei relativ niedrig, bevorzugt 0,05 bis 1,5 µm, besonders bevorzugt 0,1 bis 0,7 µm. In der Litera tur wird dieser Schritt oft als CMP-Politur (chemo-mechanical polishing) bezeichnet. Eine bevorzugte Ausführungsform des Schleierfreipolierschrittes ist die Verwendung eines Polier tuches auf Polyurethanbasis mit einem Poliersol mit einem pH- Wert von 9 bis 10 aus 1 bis 5 Gew.-% SiO₂ in Wasser, wobei der Polierdruck 0,1 bis 0,3 bar ist. Dem erfindungsgemäßen Ver fahren folgt in der Regel eine Reinigung nach dem Stand der Technik, die entweder als Batchprozeß unter gleichzeitiger Reinigung einer Vielzahl von Scheiben in Bädern oder mit einem Sprühverfahren oder als Einzelscheibenprozeß ausgeführt werden kann. Im Rahmen der Erfindung bevorzugt ist eine Badreinigung von Scheibenpaketen nach dem sogenannten RCA-Verfahren unter Verwendung einer Sequenz von alkalischen, sauren und Reinst wasserbädern, gefolgt von einer Scheibentrocknung mit einem handelsüblichen Batchtrocknungssystem, beispielsweise einem Schleudertrockner, Heißwassertrockner, Isopropanoltrockner oder Marangonitrockner. Besonders bevorzugt ist eine RCA-Reinigung mit der Badfolge wäßrige Flußsäure, Reinstwasser, Tetramethyl ammoniumhydroxid/Wasserstoffperoxid/Reinstwasser, Reinstwasser, Salzsäure, Reinstwasser, wobei die in den Reinigungsbädern vorhandenen Chemikalien in geringer Konzentration vorliegen, beispielsweise unterhalb jeweils 5 Gew.-%, gefolgt von einer Isopropanoltrocknung.

Auch bei einer derartigen Endreinigung ist die Verwendung hoch reiner Chemikalien und von Reinstwasser bevorzugt. Die naßche mische Behandlung gemäß der Erfindung wie auch die Endreinigung und die Trocknung der Halbleiterscheibe werden vorzugsweise in einem Reinraum durchgeführt, bevorzugt in einem Reinraum der Klasse 100 und besser, besonders bevorzugt in einem Reinraum der Klasse 10 und besser.

Zur weiteren Verbesserung der Scheibengeometrie, beispielsweise für den Fall, daß auf der Halbleiterscheibe Halbleiterbauele mente mit Linienbreiten kleiner oder gleich 0,13 µm hergestellt werden sollen, kann sinnvollerweise zwischen dem Abtragspolie ren und dem Schleierfreipolieren ein Geometrie-Korrekturschritt durch lokalen Siliciumabtrag mit Unterstützung eines Plasmas ausgeführt werden. Dazu wird die Halbleiterscheibe nach Durch lauf der Bearbeitungsschritte bis einschließlich Abtrags polieren hinsichtlich ihrer Geometrie charakterisiert, was beispielsweise mit einem nach einem optischen oder kapazitiven Meßprinzip arbeitenden Meßinstrument geschehen kann. Die Ver wendung eines optischen Meßinstrumentes beispielsweise nach dem Prinzip der Lasertriangulation sowie der Durchlicht-, Schräg licht- oder Differentialinterferometrie ist bevorzugt, da in diesem Fall exaktere Meßergebnisse und damit eine effektivere Geometriekorrektur zu erwarten sind. Aufgrund der Meßdatenbasis wird die von einem bestimmten Flächeninkrement der Halbleiter scheibe abzutragende Siliciummenge errechnet. Bei diesem Lokal ätzverfahren werden in einem Plasma, welches eine Temperatur von 5.000 bis 10.000°C besitzt, reaktive Teilchen, beispiels weise Radikale oder Ionen, erzeugt, die mit der Oberfläche des zu ätzenden Substrates reagieren und diese abtragen. Bevorzugt ist ein Verfahren, bei welchem der Ätzabtrag durch im Plasma erzeugte Neutralteilchen, beispielsweise Halogenradikale wie Fluor*, Chlor* oder Brom*, erfolgt. Besonders bevorzugt ist dabei ein Verfahren, bei welchem der Ätzabtrag durch im Plasma erzeugte Fluorradikale erfolgt, was zu sehr geringer Oberflä chenschädigung und zu sehr gutem Geometrieerhalt der Halblei terscheibe führt. Fluorradikale werden dabei aus fluorhaltigen Verbindungen wie beispielsweise CF₄, NF₃ oder SF₆ erzeugt; auch Gemische aus verschiedenen fluorhaltigen Verbindungen können problemlos eingesetzt werden. Die Verwendung von SF₆ ist be sonders bevorzugt. Zur Erzielung einer exakten lokalen Geome triekorrektur wird unter Aufwendung von relativ geringeren Energiemengen gearbeitet wird, die zu Abtragsraten bevorzugt von 0,1 bis 1,0 mm³/s, besonders bevorzugt 0,2 bis 0,6 mm³/s führen. Eine besonders bevorzugte Ausführungsvariante des Plasma-Lokalätzens ist das sogenannte PACE-Verfahren (plasma assisted chemical etching), wie es beispielsweise in den Paten ten US 4,668,366, US 5,254,830, US 5,290,382 und US 5,336,355 beschrieben ist. Der PACE-Prozeß kann natürlich prinzipiell auf beide Scheibenseiten angewendet werden, wobei dies gegenüber der einseitigen Anwendung keine weiteren Vorteile hinsichtlich der Geometrie bringt. Eine einseitige Anwendung entweder auf der Scheibenvorder- oder der Scheibenrückseite ist daher bevor zugt. Der Materialabtrag liegt dabei bevorzugt bei 0,5 bis 5 µm, besonders bevorzugt 0,5 bis 3 µm. Da die Silicium-Ätzrate beim PACE-Prozeß deutlich höher als die SiO₂-Ätzrate ist, kann es zur Erhöhung des Durchsatzes und zur Verringerung von Pro zeßvariationen sinnvoll sein, die einzuebnenden Scheiben vor dem PACE-Prozeß zum Beispiel durch Eintauchen in eine verdünnte wäßrige Flußsäurelösung von einer eventuell vorhandenen Ober flächenoxidschicht zu befreien. Die Scheiben können jedoch auch vor dem Plasma-Lokalätzschritt gezielt hydrophiliert werden, was in gewissen Fällen ebenfalls von Vorteil sein kann. Der PACE-Prozeß hinterläßt nahezu keine Störung der äußeren Kri stallschichten, und es werden GBIR-Werte (globale Ebenheit; früher als TTV bezeichnet) gleich oder kleiner 0,3 µm und SFQR_max-Werte gleich oder kleiner 0,13 µm gemessen.

Falls notwendig, kann an einer beliebigen Stelle des erfin dungsgemäßen Verfahrens ein Wärmebehandlungsschritt der Halb leiterscheibe eingeführt werden, beispielsweise um thermische Donatoren zu vernichten oder um eine Störung von oberflächen nahen Kristallschichten auszuheilen. Dabei kann es bei spielsweise zur Vermeidung einer Gitterkontamination durch Metallatome sinnvoll sein, die Halbleiterscheibe vor dem Wärmebehandlungsschritt einer naßchemischen Reinigung nach dem Stand der Technik zu unterziehen. Bevorzugt wird die Wärmebe handlung nach Teilschritt (d) der naßchemischen Behandlung oder nach dem Plasma-Lokalätzschritt in einem Temperaturbereich von 400°C bis 800°C durchgeführt. Ebenfalls gewünscht sein könn ten eine Laserbeschriftung zur Scheibenidentifizierung oder ein Kantenpolierschritt, die sich an geeigneter Stelle, zum Bei spiel vor oder nach dem Schleifen im Falle der Lasermarkierung sowie vor oder nach dem Abtragspoliturschritt im Falle des Kan tenpolierens einfügen lassen. Eine Reihe weiterer, für bestimm te Produkte erforderliche Prozeßschritte wie beispielsweise die Aufbringung von Rückseitenbeschichtungen aus Polysilicium, Siliciumoxid oder Siliciumnitrid oder die Aufbringung einer Epitaxieschicht aus Silicium oder weiteren halbleitenden Mate rialien auf die Vorderseite der Siliciumscheibe läßt sich eben falls nach dem Fachmann bekannten Verfahren an den geeigneten Stellen in den Prozeßfluß einbauen. Es kann darüber hinaus auch zweckmäßig sein, die Halbleiterscheibe vor oder nach einzelnen Prozeßschritten einer weiteren Batch- oder Einzelscheibenreini gung nach dem Stand der Technik zu unterziehen.

Eine erfindungsgemäß hergestellte Halbleiterscheibe aus Silici um erfüllt die Anforderungen für die Herstellung von Halblei terbauelementen mit Linienbreiten von 0,18 µm. Bei Anwendung eines Plasmaätzschrittes zur lokalen Geometriekorrektur, bei spielsweise nach dem PACE-Verfahren, zwischen der Abtragspo litur und der Schleierfreipolitur können sogar die strengen Anforderungen erfüllt werden, die an Siliciumscheiben als Ausgangsmaterial für die 0,13 µm-Halbleitertechnologie gestellt werden. Das erfindungsgemäße Verfahren hat sich als optimale Lösung zur Herstellung von Siliciumscheiben mit den geschil derten Merkmalen erwiesen.

Hinsichtlich der weiteren üblicherweise zur Scheibencharakte risierung herangezogenen, dem Fachmann wohlbekannten Parameter wie Rauhigkeit, Haze, Partikel- und Metallkontaminationen der Scheibenoberfläche, Magic-Mirror-Defekte usw., die weniger von der gesamten Prozeßkette als vielmehr von der Ausführung der Polier- und Reinigungsschritte bestimmt werden, weisen erfin dungsgemäß hergestellte Halbleiterscheiben keine Nachteile ge genüber den nach dem Stand der Technik hergestellten Scheiben auf. Das vorgeschlagene Verfahren ist auch wirtschaftlich kon kurrenzfähig.

Alle im folgenden aufgeführten Vergleichsbeispiele und Beispie le betreffen die Herstellung von Siliciumscheiben mit einem Durchmesser von (300 ± 0,2) mm, einer Dicke von (775 ± 25) µm, einer schleierfrei polierten Vorderseite und einer polierten Rückseite, einem Sauerstoffgehalt von (6 ± 1) . 10¹⁷ Atomen/cm³ und einer Bor-Dotierung, die zu einem Widerstand im Bereich von 10 bis 20 Ω.cm führt. Die dazu benötigten Kristalle werden nach dem Stand der Technik gezogen, abgelängt, rundgeschliffen, auf einer handelsüblichen Drahtsäge in Scheiben zersägt und kanten verrundet. Die Beispiele sind exemplarisch für die Erfindung, schränken deren Umfang jedoch in keiner Weise ein.

Vergleichsbeispiel 1

Es wird wie in einer gemäß EP 798 405 A2 bevorzugten Ausfüh rungsform vorgegangen: Die kantenverrundeten Scheiben werden auf einer Rotationsschleifmaschine mit einer Kunstharz-gebunde nen Schleifscheibe mit Diamanten der Körnung 600 Mesh geschlif fen, wobei nacheinander von der Scheibenvorder- und -rückseite je 30 µm Silicium abgetragen werden. Die Scheiben werden noch in der Schleifmaschine durch Absprühen mit Reinstwasser von groben Verunreinigungen befreit und mittels Einzelscheiben schleudern getrocknet. Es folgt ohne weitere Vorbehandlung ein alkalischer Ätzschritt von aus je 13 Scheiben bestehenden Scheibenpaketen bei (120 ± 3)°C in einer 50 Gew.-%igen wäßrigen Kaliumhydroxidlösung unter Abtrag von je 10 µm Silicium pro Scheibenseite, wobei der Scheibenabstand (Zentrumsebene) je weils 10 mm beträgt, gefolgt von einer zweimaligen Reinstwas serbehandlung in einer Quickdump-Spüle. Nach Trocknung in einem handelsüblicher Heißwassertrockner werden die Scheiben zwecks Zerstörung der thermischen Sauerstoffdonatoren einzeln einer Wärmebehandlung nach dem RTA-Verfahren (rapid themal annealing) in einer am Markt erhältlichen Heizkammer unterzogen, wobei sich an einen schnellen Aufheizschritt (100°C/s) ein Temper schritt mit einer Dauer von 20 s bei 750°C anschließt. Ein Doppelseitenpolierschritt wird mit einem Polyurethan-Poliertuch der Härte 70 (Shore A) unter Verwendung eines Poliersols mit einem SiO₂-Feststoffgehalt von 4 Gew.-% und einem pH-Wert von 11 unter einem Anpreßdruck von 0,3 bar durchgeführt, wobei gleichzeitig je 20 µm Silicium pro Scheibenseite abgetragen werden. Abschließend wird eine Endpolitur der Scheibenvorder seite zur Gewährleistung einer schleierfreien Oberfläche mit einem weichen Polyurethan-Poliertuch und einem Poliersol mit einem SiO₂-Feststoffgehalt von 2 Gew.-% und einem pH-Wert von 10 mit einem Anpreßdruck von 0,2 bar unter Abtrag von 0,5 µm Silicium sowie eine Endreinigung nach dem RCA-Verfahren, ge folgt von einer Trocknung unter Zuhilfenahme von Isopropanol, durchgeführt.

Vergleichsbeispiel 2

Es wird vorgegangen wie in Vergleichsbeispiel 1 beschrieben mit der Ausnahme, daß sauer anstatt alkalisch geätzt wird: Der Sau erätzschritt erfolgt gemäß der in DE 43 16 096 sowie US 5,340, 437 beschriebenen Vorgehensweise nach dem Strömungsätzverfahren in einer Mischung aus 90 Gew.-% konzentrierter Salpetersäure (70 Gew.-% in wäßriger Lösung), 10 Gew.-% konzentrierter Fluß säure (50 Gew.-% in wäßriger Lösung) und 0,1 Gew.-% Ammonium laurylsulfat, wobei die Ätzmischung auf (20 ± 1)°C temperiert und mit Stickstoffgas durchströmt wird und unter Rotieren der Scheiben pro Scheibenseite erneut gleichzeitig je 10 µm Sili cium abgetragen werden und die Scheiben anschließend gemäß Vergleichsbeispiel 1 mit Reinstwasser behandelt und getrocknet werden. Es werden jeweils 26 Scheiben unter Zuhilfenahme eines Magazins aus PVDF geätzt, wobei der Scheibenabstand (Zentrums ebene) jeweils 10 mm beträgt. Dem Ätzschritt ist wiederum kei nerlei Vorbehandlung vorgeschaltet.

Beispiel 1

Es wird vorgegangen wie in Vergleichsbeispiel 2 beschrieben mit der Ausnahme, daß das Sauerätzen in folgenden vier Schritten ausgeführt wird, die von den Scheibenpaketen nacheinander in einer kompakt gebauten vierstufiger Ätzanlage durchlaufen wer den:

1. Das Scheibenpaket wird in eine wäßrige Ozon haltige Fluß säurelösung, hergestellt durch kontinuierliches Einblasen von 12 l/h eines 100 mg/m³ Ozon enthaltenden Ozon/Luft-Gemisches in 220 l einer 0,5 Gew.-%igen Flußsäurelösung, bei einer Tempera tur von (50 ± 1)°C eingetaucht, dort für 1 min belassen, an schließend mit einer Geschwindigkeit von 1 cm/s trocken und hydrophob aus der Lösung entnommen und durch 1-minütige Kontak tierung mit dem im Gasraum über der Flußsäurelösung befindli chen, aus der Lösung ausgetretenen Ozon hydrophiliert.
2. Der Sauerätzschritt wird wie in Vergleichsbeispiel 2 be schrieben ausgeführt.
3. Das Scheibenpaket wird mit einer Umsetzzeitt < 2 s in eine mit Reinstwasser gefüllte Quickdump-Spüle überführt, die an schließend je zweimal innerhalb von 6 s entleert und innerhalb von 35 s mit Reinstwasser aufgefüllt wird.
4. Schritt (1) wird in einem separaten Prozeßmodul zur Trock nung der Scheiben wiederholt.

Beispiel 2

Es wird einschließlich der oben beschriebenen Ätzabfolge Fluß säure/Ozon-Behandlung, Sauerätzen, Quickdump-Spülen, Flußsäure/ Ozon-Behandlung vorgegangen wie in Beispiel 1 beschrieben mit der Ausnahme, daß zwischen dem Doppelseitenpolierschritt und dem Endpolierschritt ein Plasma-Ätzschritt mit lokaler Geome triekorrektur nach dem PACE-Verfahren unter Vakuum mit SF₆ als Reaktionsgas und Elektronenanregung durchgeführt wird, wobei im Mittel 2 µm Silicium abgetragen werden.

Geometriewerte der hergestellten Scheiben

Je 15 nach den oben aufgeführten Vergleichsbeispielen und Bei spielen hergestellte 300-mm-Siliciumscheiben werden mit einem handelsüblichen nach dem kapazitiven Prinzip arbeitenden Meß instrument hinsichtlich ihrer Geometrie charakterisiert, wobei 3 mm Randausschluß und eine Halbleiterbauelementgröße von 25 mm × 25 mm zugrunde gelegt werden. Die nachfolgende Tabelle gibt den arithmetischen Durchschnitt und die Standardabweichung Sigma für den globalen Ebenheitswert GBIR (früher als TTV be zeichnet) und den lokalen Ebenheitswert SFQR_max an:

Lichtstreuzentren auf den hergestellten Scheiben

Die Vorderseiten der nach den oben aufgeführten Vergleichsbei spielen und Beispielen hergestellten 300-mm-Siliciumscheiben werden mit einem Laserausgestatteten handelsüblichen Meßgerät hinsichtlich Lichtstreuzentren (LLS, localized light scatter ers) charakterisiert. Es werden im Dunkelfeldmodus/Nahwinkel detektionskanal (DFN, dark field narrow) folgende Werte für die Anzahl der Streulichtzentren < 0,12 µm LSE pro Scheibe gemes sen:

Beispiel	LLS < 0,12 µm
Vergleich 1	822 ± 126
Vergleich 2	493 ± 81
Beispiel 1	92 ± 14
Beispiel 2	102 ± 19

Nickelkontamination der hergestellten Scheiben

Zur Bestimmung des Nickelgehaltes im Kristallgitter der oben aufgeführten 300-mm-Siliciumscheiben wird folgendes Verfahren durchgeführt: Zunächst werden die Scheiben, wie beispielsweise beschrieben auf Seite 150 der Monographie von K. Graff, "Metal Impurities in Silicon-Device Fabrication", Springer-Verlag, Berlin/Heidelberg/New York 1995, ISBN 3-540-58317-3, der für einen Hazetest geeigneten thermischen Behandlung unterzogen, die zu einer Präzipitation der Nickelverunreinigung auf der Scheibenoberfläche führt (10minütiges Erhitzen bei 1050°C ge folgt von schnellem Abkühlen durch Ausfahren der Scheiben aus dem Temperofen). Mittels Röntgenfluoreszenzmessung unter Total reflexionsbedingungen (TXRF, total X-ray reflection fluores cence analysis) werden die nachfolgend ausgelisteten Nickel- Oberflächenwerte gemessen, die sich in erster Näherung durch Division durch die halbe Scheibendicke (Präzipitation auf Vorder- und Rückseite) in die ursprünglich vorhandene Nickel konzentration im Kristallgitter unter Annahme vollständiger Präzipitation im der TXRF-Messung zugänglichen Oberflächen bereich umrechnen lassen:

Claims

1. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit einer Rückseite und einer schleierfrei polierten Vorderseite, umfas send Schleifen der Halbleiterscheibe zur Verringerung der Dicke der Halbleiterscheibe, naßchemisches Behandeln der Halblei terscheibe zur Entfernung geschädigter Kristallbereiche, Ab tragspolieren der Halbleiterscheibe zur Minimierung von beim naßchemischen Behandeln erzeugter Oberflächenrauhigkeit und Schleierfreipolieren der Halbleiterscheibe, dadurch gekenn zeichnet, daß das naßchemische Behandeln der Halbleiterscheibe folgende Teilschritte umfaßt:

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß beim Schleifen die Vorder- und Rückseite der Halbleiterscheibe nach einander geschliffen werden.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß beim Schleifen die Vorder- und Rückseite der Halbleiterscheibe gleichzeitig geschliffen werden.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekenn zeichnet, daß die Halbleiterscheibe während der Teilschritte (a) und (d) in eine wäßrige Flußsäurelösung eingetaucht wird, die eine HF-Konzentration von 0,001 bis 50 Gew.-% besitzt.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekenn zeichnet, daß die Halbleiterscheibe während der Teilschritte (a) und (d) in eine wäßrige Flußsäurelösung eingetaucht wird, die eine Temperatur von 20°C bis 80°C aufweist.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekenn zeichnet, daß die Halbleiterscheibe während mindestens einem der Teilschritte (a) und (d) in eine wäßrige Flußsäurelösung eingetaucht wird, die ein Tensid in einer Konzentration von 0,0001 bis 1 Gew.-% enthält.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekenn zeichnet, daß während mindestens einem der Teilschritte (a) und (d) ein Ozon-haltiges Gasgemisch direkt in den Gasraum einge leitet wird und die Halbleiterscheibe in den Gasraum einge bracht wird.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekenn zeichnet, daß während mindestens einem der Teilschritte (a) und (d) ein Ozon-haltiges Gasgemisch in die Flußsäurelösung einge leitet wird und durch Ausdiffusion in den Gasraum gelangt und die Halbleiterscheibe in den Gasraum eingebracht wird.

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekenn zeichnet, daß die Halbleiterscheibe während einer Verweilzeit von jeweils 0,1 bis 5 min in der wäßrigen Flußsäurelösung und im Ozon-haltigen Gasraum bleibt.

10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekenn zeichnet, daß die Halbleiterscheibe während des Teilschrittes (b) in einer sauren Ätzlösung geätzt wird, die im wesentlichen aus einer Mischung wäßriger Lösungen von Salpetersäure und Flußsäure in Wasser besteht.

11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterscheibe während des Teil schrittes (b) in einer sauren Ätzlösung geätzt wird, die eine Temperatur von 15 bis 40°C aufweist.

12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch ge kennzeichnet, daß beim Abtragspolieren der Halbleiterscheibe nur die Vorderseite der Halbleiterscheibe poliert wird und 5 bis 50 µm Material von der Vorderseite entfernt werden.

13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch ge kennzeichnet, daß beim Abtragspolieren der Halbleiterscheibe die Vorderseite und die Rückseite der Halbleiterscheibe gleich zeitig poliert werden und 5 bis 50 µm Material von jeder der beiden Seiten entfernt werden.

14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch ge kennzeichnet, daß zwischen dem Abtragspolieren und dem Schlei erfreipolieren ein Geometriekorrekturschritt durch Plasma unterstütztes Ätzen mit lokaler Auflösung durchgeführt wird.

15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterscheibe nach dem lokal auflösenden Plasma-unterstütz ten Ätzen wärmebehandelt wird.

16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch ge kennzeichnet, daß die Halbleiterscheibe nach Teilschritt (d) der naßchemischen Behandlung wärmebehandelt wird.