DE19829281C1 - Hohlzylinder mit verminderter Wärmestrahlung zum Haltern eines Substrats und Verwendung des Hohlzylinders - Google Patents
Hohlzylinder mit verminderter Wärmestrahlung zum Haltern eines Substrats und Verwendung des HohlzylindersInfo
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Abstract
Die Erfindung betrifft eine Substrathalterung in Form eines Hohlzylinders, der vor allem in Beschichtungsanlagen mit Heizplatte eingesetzt werden kann. Zur Reduzierung vom Temperaturinhomogenitäten im Substrat verfügt der Hohlzylinder über Löcher und Aussparungen. Dadurch verkleinert sich die Oberfläche des Hohlzylinders, die nach außen Wärme abstrahlt.
Description
In herkömmlichen Beschichtungsanlagen zur Beschichtung von
Substraten (beispielsweise durch Sputtern) werden Vorrichtun
gen zum Haltern der Substrate benutzt. Diese Vorrichtungen
dienen beispielsweise dem Transport der Substrate in eine Be
schichtungsanlage. Vor allem aber werden die Substrate mit
Hilfe dieser Vorrichtungen beim Beschichten fixiert.
Aus US 4 592 308 geht beispielsweise eine Vorrichtung hervor,
bei der ein kreisförmiges Substrat zwischen zwei Hohlzylin
dern gehaltert wird. Die Hohlzylinder sind eine Substrathal
terung und ein Halterungsring mit jeweils einem etwa einem
Durchmesser des Substrats entsprechenden Innendurchmesser.
Nach einem Einlegen des Substrats zwischen Substrathalterung
und Halterungsring werden Substrathalterung und Halterungs
ring in einen reibschlüssigen Kontakt miteinander gebracht.
Dies gelingt beispielsweise durch ein Verdrehen des Halte
rungsrings gegenüber der Substrathalterung um eine gemeinsame
Achse, wobei für den reibschlüssigen Kontakt in der Substrat
halterung und dem Halterungsring entsprechende Nuten und Aus
sparungen vorgesehen sind. Die Substrathalterung und der Hal
terungsring sind so gestaltet, daß das Substrat während der
Beschichtung lose gehaltert wird. Dadurch wird gewährleistet,
daß das Substrat trotz im Vergleich zur Substrathalterung
bzw. zum Halterungsring unterschiedlichen thermischen Ausdeh
nung keiner mechanischen Spannung ausgesetzt ist. Die Sub
strathalterung und der Halterungsring bestehen beispielsweise
aus hochreinem Molybdän.
Ebenso geht aus US 5 589 003 eine Vorrichtung zum Haltern von
Substraten hervor. Diese Vorrichtung besteht aus einem runden
Zylinder. Über eine gesamte Stirnseite des Zylinders ertreckt
sich eine Trägeroberfläche für das Substrat. Die Trägerober
fläche besteht beispielsweise aus Aluminium.
Unter Umständen muß das Substrat für die Beschichtung bei
spielsweise in einer Sputteranlage beheizt werden. Dies hängt
unter anderem von dem Beschichtungsmaterial ab. Zur Tempera
turregulierung wird das Substrat, das z. B. in einem Substrat
haltering fixiert ist, mit Hilfe einer Heizplatte temperiert.
Die Wärmeübertragung von der Heizplatte auf das Substrat er
folgt beispielsweise durch Wärmestrahlung.
Eine homogene Temperatur des Substrats ist unter Umständen
für die Qualität der Beschichtung von entscheidender Bedeu
tung. D. h. während des Beschichtens sollte nach Möglichkeit
kein Temperaturgradient im Substrat auftreten.
In erster Näherung hängt die Homogenität der Substrattempera
tur von der Homogenität der Oberflächentemperatur der Heiz
platte ab. In der Praxis zeigt sich jedoch, daß trotz homoge
ner Oberflächentemperatur keine homogene Substrattemperatur
erreicht werden kann. Vermutlich wirkt die Mantelfläche des
Substrathalterings als Strahlungsquelle. Auf diesem Weg geht
Wärmestrahlung ins Volumen der Sputterkammer verloren. Da
durch ist im Randbereich des Substrats die Substrattemperatur
abgesenkt. Die dabei auftretenden Temperaturdifferenzen sind
oft nicht tolerabel.
Dieses Problem wird heute so gelöst, daß aufwendige Heizplat
ten verwendet werden, die aus mehreren ringförmigen Heizzonen
bestehen. Die Heizzonen weisen zum Ausgleich von Temperatur
differenzen des Substrats unterschiedliche Wärmestrahlungs
leistungen auf. Dazu müssen diese Heizzonen getrennt ange
steuert werden.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Vorrichtung mit verminder
ter Wärmestrahlung zum Haltern eines Substrats anzugeben.
Diese Aufgabe wird von den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.
Besondere Ausgestaltungen sind den Unteransprüchen 2 bis 8 zu
entnehmen.
Nach Anspruch 1 wird ein Hohlzylinder zum Haltern eines Sub
strats angegeben, wobei der Hohlzylinder eine Wandung und die
Wandung mindestens eine Einrichtung zur Verminderung der Wär
mestrahlung nach außen aufweist.
Ein erfindungsgemäßer Hohlzylinder, der als Substrathalterung
dient, ist beispielsweise als flacher Zylinder geformt, des
sen Radius deutlich größer ist, als seine Höhe. Die Grundflä
che des Zylinders kann dabei kreisrund sein. Andere Formen
wie beispielsweise eine ellipsoide, rechteckige oder quadra
tische Form sind ebenfalls denkbar. Der Hohlzylinder kann
über Ränder verfügen. Diese Ränder sind ringförmig um den Zy
linder in Form von Erhebungen angebracht. Die Wandung des Zy
linders ist durch die Ränder verdickt. Dadurch entstehen Auf
lageflächen, die beispielsweise für die Halterung oder den
Transport des Hohlzylinders mit Hilfe eines Manipulators nö
tig sind. Die Ränder können aber auch nur der Stabilisierung
der Substrathalterung dienen.
Der grundlegende Gedanke der Erfindung liegt darin, die
Strahlungsleistung einer Substrathalterung nach außen zu mi
nimieren. Dies wird in erster Linie dadurch erreicht, daß die
Fläche der Substrathalterung minimiert wird, von der aus Wär
me in das Volumen einer Sputterkammer abgestrahlt wird.
In einer besonderen Ausgestaltung weist die Substrathalterung
Löcher in der Wandung auf. Die Form der Löcher ist vorzugs
weise kreisrund. Die Löcher können aber auch anders gestaltet
sein (z. B. oval, eckig). Durch diese Maßnahme wird die Ober
fläche des Hohlzylinders verringert, die Wärme in das Volumen
z. B. einer Sputterkammer abstrahlt. Dafür sind insbesondere
kleine Löcher geeignet. Je kleiner ein Loch ist, desto gerin
ger ist die Wahrscheinlichkeit dafür, daß über die Innenflä
che des Lochs Wärmeabstrahlung in das Volumen erfolgt. Bei
einer gegebenen Verkleinerung der Oberfläche des Zylinders
ist es also günstiger, viele kleine Löcher über die Oberflä
che zu verteilen als wenige große.
Um im Substrat eine möglichst homogene Temperatur zu erzie
len, sind die Löcher gleichmäßig über die Substrathalterung
verteilt. Diese Verteilung betrifft beispielsweise die Anord
nung der Löcher in Ebenen, die sich parallel zu einem gehal
terten, flächigen Substrat befinden. Die Löcher in der Wan
dung sind insbesondere regelmäßig mit definierten Abständen
zueinander angeordnet. Sie können aber auch statistisch über
die Wandung des Hohlzylinders verteilt sein. Die Zahl der Lö
cher, deren Gestalt und Größe sind dabei so bemessen, daß die
Wärmeabstrahlung des Hohlzylinders möglichst klein ist und
gleichzeitig eine ausreichende Stabilität des Hohlzylinders
gewährleistet ist.
Eine Verringerung der abstrahlenden Oberfläche einer
Substrathalterung gelingt insbesondere auch dadurch, daß die
Einrichtung zur Verminderung der Wärmestrahlung eine Vertie
fung ist. Vertiefungen kommen insbesondere für die oben be
schriebenen Ränder eines Hohlzylinders in Frage.
Die Vertiefungen durchziehen einen Rand vorzugsweise vertikal
zur Höhe des Hohlzylinders. Durch diese Vertiefungen wird die
Dicke der Wandung und damit die nach oben und unten Wärme ab
strahlende Fläche des Rands vermindert. Die Form der Vertie
fungen kann beispielsweise rechteckig sein. Die Vertiefungen
sind wie die Löcher der Wandung vorzugsweise gleichmäßig ver
teilt.
Am besten ist es, wenn die Auflagefläche der Ränder auf ein
Minimum reduziert ist. Die Ränder sollten horizontal zum
Hohlzylinder möglichst dünn gestalten sein. Die Vertiefungen
können dabei solche Ausmaße annehmen, daß nur mehr wenige von
einander getrennte Erhebungen übrig bleiben. Diese Erhebungen
übernehmen die Funktion der Ränder. Sie bieten die Auflage
flächen, die für den Transport und/oder die Halterung des
Hohlzylinders nötig sind. Mit einer geeigneten Vorrichtung
für die Halterung des Hohlzylinders können eine sichere Hal
terung und ein sicherer Transport realisiert werden.
Die Vertiefungen sind nicht nur auf die Ränder beschränkt,
sondern können den ganzen Hohlzylinder durchziehen. Die An
zahl, Form und Größe der Vertiefungen muß genauso wie bei den
Löchern im Hinblick auf eine möglichst effektive Verkleine
rung der ins Volumen abstrahlenden Oberfläche gestaltet wer
den. Dies muß allerdings unter Berücksichtigung der Stabili
tät des Hohlzylinders erfolgen.
Die Strahlungsleistung von Wärme ins Volumen läßt sich nicht
nur durch strukturelle Maßnahmen beeinflussen. Das Material,
aus dem der Hohlzylinder besteht und die Beschaffenheit der
Oberfläche des Hohlzylinders spielen auch eine wichtige Rol
le. Vorzugsweise besteht der Hohlzylinder aus einem Edel
stahl. Zudem ist zur Verminderung der Strahlungsleistung nach
außen die Oberfläche des Hohlzylinders poliert, die nach au
ßen gerichtet ist.
Mit Hilfe der vorgenommenen Maßnahmen erhält man einen
Hohlzylinder mit verminderter Wärmestrahlung nach außen. Der
erfindungsgemäße Hohlzylinder, der zum Haltern eines
Substrats gedacht ist, kann insbesondere in einer Vorrichtung
zur Beschichtung des Substrats verwendet werden. Vor allem
solche Beschichtungsverfahren kommen in Betracht, bei denen
eine exakte und homogene Temperierung des Substrats notwendig
ist. Durch Verkleinerung der abstrahlenden Flächen erreicht
ein größerer Wärmestrom den Randbereich des Substrats, die
Substrattemperatur steigt an und die Temperaturdifferenzen
zwischen Rand- und Innenbereich des Substrats werden gerin
ger.
Anhand eines Ausführungsbeispiels und der dazugehörigen Figu
ren wird im folgenden ein erfindungsgemäßer Hohlzylinder vor
gestellt. Die Figuren stellen keine maßstabsgetreuen Abbil
dungen der bezeichneten Gegenstände dar.
Fig. 1 zeigt einen erfindungsgemäßen Hohlzylinder in Seiten
ansicht.
Fig. 2 zeigt einen erfindungsgemäßen Hohlzylinder in Auf
sicht.
Fig. 3 zeigt eine besondere Ausgestaltung eines erfindungs
gemäßen Hohlzylinders in Aufsicht.
Fig. 4 zeigt im Querschnitt die Anordnung eines Hohlzylin
ders mit Substrat in einer Sputteranlage.
Gegenstand ist ein kreisförmiger, flacher Hohlzylinder 1 mit
einer Wandung 3. Im Innenraum 7 des Hohlzylinders kann ein
Substrat 2 angeordnet werden. Das Substrat 2 kommt dabei auf
einem Vorsprung 8 zum liegen, wobei nur ein minimaler Rand
des Substrats auf dem Vorsprung des Hohlzylinders aufliegt
(siehe Fig. 4). Der Innendurchmesser di des Hohlzylinders
ist beispielsweise so bemessen, daß ein Substrat mit einem
Durchmesser von ca. 152 mm gehaltert werden kann.
Der Hohlzylinder besteht vorzugsweise aus Edelstahl. Die
Oberfläche 10, von der aus Wärmestrahlung nach außen gelangt
ist vorzugsweise poliert. Andere Metalle bzw. Metallegierun
gen sind ebenfalls denkbar. Die Wandung 3 des Hohlzylinders
hat beispielsweise eine Dicke von 1 mm. Der Hohlzylinder ver
fügt über zwei Ränder 91 und 92, die ringförmig um den
Hohlzylinder angeordnet sind. Inklusive dieser Ränder beträgt
die Dicke der Wandung an diesen Stellen des Hohlzylinder bei
spielsweise 3 bis 4 mm. Um möglichst kleine Auflageflächen 12
zu erhalten, sind geringe Dicken der Wandung besonders vor
teilhaft.
Der Erfindungsgemäße Hohlzylinder verfügt über eine Einrich
tung 4 zur Verminderung der Wärmestrahlung 5 nach außen. Ins
besondere verfügt der Zylinder 1 über Löcher 41. Diese Löcher
sind regelmäßig über die Wandung 3 des Hohlzylinders 1 ver
teilt. Die Durchmesser der Löcher betragen beispielsweise 2
bis 8 mm, wobei kleinen Löchern der Vorzug vor großen Löchern
zu geben ist.
Daneben verfügt der Hohlzylinder über Vertiefungen 42. Diese
Vertiefungen müssen nicht wie im vorliegenden Fall auf die
Ränder 91 und/oder 91 beschränkt sein. Sie können auch die
gesamte äußere Oberfläche 10 der Wandung durchdringen.
Fig. 3 zeigt eine besondere Ausgestaltung des erfindungsge
mäßen Hohlzylinders in Aufsicht. Die Vertiefungen 42 nehmen
dabei so große Ausmaße an, daß nur mehr sechs Erhebungen 11
übrig bleiben. Diese Erhebungen reichen aus, um den Hohlzy
linder für einen Transport oder für die Beschichtung des
Substrats sicher zu haltern.
Der erfindungsgemäße Hohlzylinder wird beispielsweise in ei
ner Sputteranlage zur Beschichtung von Substraten eingesetzt.
In Fig. 4 ist schematisch die Anordnung eines Hohlzylinders
1 mit Substrat 2 in einer Sputteranlage gezeigt. Die
Substrathalterung wird samt Substrat beispielsweise mit Hilfe
eines Manipulators aus einer Schleusenkammer in eine Be
schichtungskammer der Sputteranlage befördert. Die Substrat
halterung kommt auf einer Substrathalteplatte 16 zu liegen.
Über der zylindrischen Substrathalterung 1 befindet sich eine
Heizplatte 13, die über Strahlung 14 das Substrat 2 in der
Substrathalterung beheizt. Auf der zur Heizplatte 13 gegen
überliegenden Seite befindet sich das Beschichtungsmaterial
15, das auf dem Substrat aufgetragen wird. Als Substrat kommt
beispielsweise ein Silizium-Wafer in Frage. Das Beschich
tungsmaterial sind beispielsweise keramische Ausgangsmateria
lien, wie Blei- oder Zirkonoxid.
Mit Hilfe eines erfindungsgemäßen Hohlzylinders gelingt es,
einen einfachen Aufbau der Sputteranlage zu realisieren. Im
Gegensatz zu herkömmlichen Verfahren kann hier auf eine auf
wendige Heizplatte mit mehreren Heizelementen verzichtet wer
den. Dadurch sind weniger Vakuumdurchführungen als bisher nö
tig. Dieser Vorteil kommt vor allem bei Beschichtungsanlage
zum Tragen, die mit sich drehenden Substrathalterungen ausge
stattet sind.
Claims (8)
1. Hohlzylinder (1) zum Haltern eines Substrats (2), wobei
der Hohlzylinder
- 1. eine Wandung (3) und
- 2. die Wandung mindestens eine Einrichtung (4) zur Verminde rung der Wärmestrahlung (5) nach außen aufweist.
2. Hohlzylinder nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß die Einrichtung ein Loch (41) ist.
3. Hohlzylinder nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Einrichtung eine Vertiefung (42) ist.
4. Hohlzylinder nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß mehrere Einrichtungen gleichmäßig
über die Wandung (3) verteilt sind.
5. Hohlzylinder nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß der Hohlzylinder kreisförmig ist.
6. Hohlzylinder nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, daß der Hohlzylinder Edelstahl auf
weist.
7. Hohlzylinder nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch
gekennzeichnet, daß der Hohlzylinder eine polierte
Oberfläche (10) aufweist.
8. Verwendung eines Hohlzylinders nach einem der Ansprüche 1
bis 7 in einer Vorrichtung zur Beschichtung des Substrats.
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Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| US4592308A (en) * | 1983-11-10 | 1986-06-03 | Texas Instruments Incorporated | Solderless MBE system |
| US5589003A (en) * | 1996-02-09 | 1996-12-31 | Applied Materials, Inc. | Shielded substrate support for processing chamber |
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1998
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Patent Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| US4592308A (en) * | 1983-11-10 | 1986-06-03 | Texas Instruments Incorporated | Solderless MBE system |
| US5589003A (en) * | 1996-02-09 | 1996-12-31 | Applied Materials, Inc. | Shielded substrate support for processing chamber |
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