DE19815436A1 - Ionenmobilitätsspektrometer - Google Patents
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Abstract
Das Ionenmobilitätsspektrometer (IMS) weist zur Bildung eines Ionisations- und/oder Driftbereiches zwei gegenüberliegende, durch mindestens ein Abstandsstück verbundene Wandelemente (1, 2) mit parallel zueinander angeordneten, planaren, gasführenden Wandflächen mit gegenüberliegenden Leiterstrukturen (4) zur Erzeugung eines Driftfeldes (E-Feld) auf. Das Verhältnis von Abstand (d) der gasführenden Wandflächen zur felderzeugenden Breite (b) der Leiterstruktur (4) senkrecht zur Driftrichtung (x) ist kleiner als ·1·/2, vorteilhafterweise ·1·/3 bis ·1·/10.
Description
Die Erfindung betrifft ein Ionenmobilitätsspektrometer (IMS) mit einem Ioni
sationsbereich zum Ionisieren eines zu analysierenden Substanzgemisches und
Bildung eines gasförmigen Ionengemisches, mindestens einem an den Ionisa
tionsbereich angrenzenden Ionentor, das zwischen einem Sperr- und einem
Durchlaßzustand elektrisch umschaltbar ist, einem an das Ionentor angrenzen
den Driftbereich mit einem längs einer Driftstrecke verlaufenden elektrischen
Driftfeld und einem Ionenkollektor, welcher mit einer Elektronik zum Nach
weis von auftreffenden Ionen verbunden ist.
Aus der DE 41 34 212 A1 ist ein miniaturisiertes IMS bekannt, wobei sich
dessen Miniaturisierung aus einer monolithischen Integration der Ionenquelle,
der Driftstrecke, der Kollektorelektroden sowie der notwendigen Elektronik
auf der Basis eines Halbleitermaterials ergibt. Eine konkrete Ausführung eines
derartigen Gerätes, welche insbesondere mit den Mitteln der Halbleitertech
nologie rationell durchführbar wäre, ist jedoch aus dieser Schrift nicht be
kannt.
In der älteren Anmeldung DE 196 50 612 wird ein IMS beschrieben, bei dem
insbesondere das Ionentor, die Driftkammer und der Ionenkollektor aus Teil
stücken aufgebaut ist, welche aus gängigem Halbleitermaterial herausge
schnitten werden können. Insbesondere das Ionentor ist dabei noch als senk
recht zur Driftrichtung stehendes Gitter ausgebildet, welches auch in Halb
leitertechnik noch vergleichsweise aufwendig hergestellt werden muß. Auch
die Verbindung von Ionisations- und Driftkammer über das Ionentor ist mit
erheblichem mechanischen Fertigungsaufwand verbunden.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein miniaturisierbares IMS zu
schaffen, welches noch einfacher als bisher aufgebaut und herstellbar ist. Die
Lösung dieser Aufgabe gelingt durch ein IMS mit den Merkmalen des Patent
anspruches 1.
Das neukonzipierte IMS geht von der Erkenntnis aus, daß sich die bisherige
dreidimensionale Gasführung im Ionisations- und Driftbereich auf eine im
wesentlichen zweidimensionale Ausführung reduzieren läßt. Bei genügend
kleinem Abstand zweier paralleler, gasbegrenzender Wandflächen ist dann
noch nicht einmal ein seitlicher Abschluß notwendig, so daß für die Verbin
dung der Wandelemente ein oder mehrere simple Abstandstücke ausreichen,
gegen welche die Wandelemente über Klammern und dergleichen angepreßt
werden. Aufgrund der planaren Anordnung gelingt es auch, das Ionentor
durch planare Leiterstrukturen auf den Wandelementen zu realisieren, was
eine ganz erhebliche Verminderung des Fertigungsaufwandes bedeutet, zumal
keine gesonderten Kammern für die Ionisationsbildung und die Driftstrecke
mehr erforderlich sind. In gleicher Weise kann auch der Ionenkollektor her
gestellt sein, was eine zusätzliche Vereinfachung bedeutet.
Aufgrund der planaren Ausführung von Wandelementen und Leiterstrukturen
kann zur Kontaktierung der Leiterbahnen auf sogenannte Leitgummikontakte
zurückgegriffen werden, welche aus der LCD-Technik bekannt sind und dort
für eine problemlose Kontaktierung einer großen Anzahl von nebeneinander
liegenden Kontaktflächen zur Anwendung kommen.
Die Erfindung wird im folgenden anhand des in der Figur schematisch darge
stellten Ausführungsbeispieles näher beschrieben.
Das in der oberen Hälfte der Figur dargestellte IMS weist im wesentlichen zwei
planparallele Platten 1 und 2 aus z. B. Glas, Keramik oder Halbleitermaterial
auf, welche im wesentlichen deckungsgleich mit einem Abstand d übereinan
der angeordnet sind. Der Abstand d wird durch nicht näher dargestellte Ab
standsstücke, die in Form von Klötzchen oder Streifen zwischen den Platten 1
und 2 eingeklemmt sind, eingestellt. Die Platten bilden, gegebenenfalls unter
Berücksichtigung der randbegrenzenden Abstandstücke oder weiter unten be
schriebenen Kontaktelemente 3, einen gasführenden Kanal der Breite b, wel
che mindestens das doppelte des Abstandes d, vorteilhafterweise das 5- bis
10fache davon beträgt. Die Platten 1 und 2 weisen auf ihrer jeweiligen Innen
seite Leiterstrukturen 4 auf, welche u. a. zur Erzeugung eines elektrischen
Feldes E in Längsrichtung (x-Richtung) im Innenraum zwischen den beiden
Platten 1 und 2 dienen. Diese Leiterstruktur besteht aus streifenförmigen Lei
tern senkrecht zur x-Richtung, welche entweder über eine nicht dargestellte
dünne Widerstandsschicht oder über Einzelwiderstände elektrisch miteinander
verbunden sind. Die Leiterstreifen können auch abwechselnd mit einem Ende
mit dem linken Nachbarstreifen und mit dem anderen Ende mit dem rechten
Nachbarstreifen zu einem durchgehenden, mäanderförmigen Leiter verbunden
sein. In der Figur sind zur Darstellung unterschiedlicher Bereiche die Leiter
streifen unterschiedlich dick und mit unterschiedlichen Abständen dargestellt.
Dies kann zweckmäßig sein, ist jedoch nicht zwingend erforderlich. Im ein
fachsten Fall genügt eine konstante Breite sowie ein konstanter Abstand der
Leiterstreifen von ca. 200 µm. Die einzelnen Leiterstreifen werden über einen
kammartig gegliederten Leitgummistreifen 3 an einer Seite kontaktiert, so
daß daran gegebenenfalls die unterschiedlichen Potentiale Φ zur Erzeugung
des Driftfeldes, zur Steuerung des Ionentores sowie für den Ionenkollektor
angelegt werden können.
Der linke Teil des von den Platten eingeschlossenen Raumes dient zur Zufuhr
des Driftgases sowie des Probenmaterials und als Ionisationsbereich. Eine ein
fache und effiziente Ionisierung kann beispielsweise durch eine radioaktive Ni
63-Quelle, welche entweder an den seitlichen Rändern oder im Strömungs
bereich mit einer Erstreckung in x-Richtung angeordnet ist, erzielt werden.
Aufgrund der planaren Anordnung ergibt sich eine wesentliche Vereinfachung
für die Realisierung eines Ionentores. Hierzu werden ein Teil der Leiterstrei
fen in dem als Ionentor bezeichneten Bereich der Leiterstruktur 4 elektrisch
von den übrigen Leiterstreifen isoliert. Während der in der unteren Hälfte der
Figur dargestellte Potentialverlauf an den Leiterstreifen bei offenem Ionentor
mit vorgebbarem Gradienten von links nach rechts abfällt, kann zur Schlie
ßung des Ionentores an den dafür vorgesehenen Leiterstreifen die Kontinuität
des Potentialverlaufs deltaförmig unterbrochen werden, so daß die im Ionisa
tionsbereich gebildeten Ionen die Potentialbarriere nicht passieren können.
Ebenso wie das Ionentor, so läßt sich auch der Ionenkollektor durch auf die
Innenwände der Platten 1 und 2 aufgebrachte Leiterschichten realisieren.
Aufgrund der oben beschriebenen Bauweise bilden der Ionisationsbereich, das
Ionentor, der Driftbereich und der Ionenkollektor einen durchgehenden Kanal,
der strömungsmäßig nicht gestört ist und einfach über die Stirnflächen mit
entsprechenden Quellen für das Drift- bzw. Probengas verbunden werden
kann.
Die planare Ausführung hat weiterhin den Vorteil, daß auf den Deckflächen
der Platten 1 und 2 weitere Komponenten angeordnet werden können. So ist
es z. B. möglich, auf die Deckflächen eine Leiterschleife 5 für eine elektrische
Heizung des Ionisations- und Driftbereiches aufzubringen. Eine derartige Hei
zung hat den Vorteil, daß im Ionisationsbereich die Reaktionskinetik bei der
Bildung von Ionen verbessert werden kann; im Driftbereich wirkt die Heizung
sogenannten Vergiftungen durch an den Wänden anlagernde Ionen entgegen.
Die obengenannten Bauteile und Strukturen lassen sich mittels einfacher Stan
dardprozesse der Mikrosystemtechnologie mit großer Präzision und einer
Vielzahl von Variationsmöglichkeiten herstellen. Dies ermöglicht auch eine
Fertigung in großen Stückzahlen zu günstigem Preis.
Ein wesentlicher Vorteil der planaren Ausführung besteht auch darin, daß die
Feldführung und -formung, insbesondere im Driftbereich erheblich erleichtert
wird. So können auf den ebenen Innenflächen der Platten 1 und 2 anstelle der
geraden Leiterstreifen auch entsprechend gekrümmte Leiterstreifen aufge
bracht werden, um damit die aus der Elektronenoptik bekannten Effekte, z. B.
eine Fokussierung des Ionenstromes, zu erreichen. Auf diese Weise läßt sich
auch das Abdriften von Ionen aus den eventuell offenen Seitenbereichen ver
hindern.
Claims (11)
1. Ionenmobilitätsspektrometer (IMS) mit
einem Ionisationsbereich zum Ionisieren eines zu analysierenden Substanz gemisches und Bildung eines gasförmigen Ionengemisches,
mindestens einem an den Ionisationsbereich angrenzenden Ionentor, das zwi schen einem Sperr- und einem Durchlaßzustand elektrisch umschaltbar ist,
einem an das Ionentor angrenzenden Driftbereich mit einem elektrischen Driftfeld, welches durch zwei diametral zur Driftstrecke angeordnete Leiter strukturen erzeugt wird, und einem Ionenkollektor, welcher mit einer Elek tronik zum Nachweis von auftreffenden Ionen und/oder Elektronen verbunden ist, dadurch gekennzeichnet,
daß der Ionisations- und/oder Driftbereich zwei gegenüberliegende, durch mindestens ein Abstandsstück verbundene Wandelemente (1, 2) mit parallel zueinander angeordneten, im wesentlichen planaren, das gasförmige Ionen gemisch begrenzende Wandflächen aufweist, und
daß das Verhältnis von Abstand (d) der das gasförmige Ionengemisch be grenzenden Wandflächen zur felderzeugenden Breite (b) der Leiterstruktur (4) senkrecht zur Driftrichtung (x) kleiner als 1/2 ist.
einem Ionisationsbereich zum Ionisieren eines zu analysierenden Substanz gemisches und Bildung eines gasförmigen Ionengemisches,
mindestens einem an den Ionisationsbereich angrenzenden Ionentor, das zwi schen einem Sperr- und einem Durchlaßzustand elektrisch umschaltbar ist,
einem an das Ionentor angrenzenden Driftbereich mit einem elektrischen Driftfeld, welches durch zwei diametral zur Driftstrecke angeordnete Leiter strukturen erzeugt wird, und einem Ionenkollektor, welcher mit einer Elek tronik zum Nachweis von auftreffenden Ionen und/oder Elektronen verbunden ist, dadurch gekennzeichnet,
daß der Ionisations- und/oder Driftbereich zwei gegenüberliegende, durch mindestens ein Abstandsstück verbundene Wandelemente (1, 2) mit parallel zueinander angeordneten, im wesentlichen planaren, das gasförmige Ionen gemisch begrenzende Wandflächen aufweist, und
daß das Verhältnis von Abstand (d) der das gasförmige Ionengemisch be grenzenden Wandflächen zur felderzeugenden Breite (b) der Leiterstruktur (4) senkrecht zur Driftrichtung (x) kleiner als 1/2 ist.
2. IMS nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis aus
Abstand (d) der das gasförmige Ionengemisch begrenzenden Wandflächen zur
felderzeugenden Breite (b) der Leiterstruktur (4) senkrecht zur Driftrichtung
(x) zwischen 1/3 und 1/10 beträgt.
3. IMS nach Anspruch 1 oder 2 dadurch gekennzeichnet, daß zumindest ein
Ionentor und/oder ein Ionenkollektor durch separierte, elektrisch getrennt an
steuerbare Bereiche der Leiterstruktur (4) gebildet wird.
4. IMS nach einem der Ansprüche 1 bis 3 dadurch gekennzeichnet, daß die
Leiterstruktur (4) parallel zueinander und in Driftrichtung (x) nebeneinander
angeordnete Leiterstreifen aufweist.
5. IMS nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterstreifen an
den jeweiligen Enden abwechselnd zu einem mäanderförmigen Leiter ver
bunden sind.
6. IMS nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiter
streifen gekrümmt sind.
7. IMS nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß
zumindest ein Teil der Leiterstreifen voneinander getrennt angeordnet und mit
einer Widerstandsschicht untereinander verbunden sind.
8. IMS nach einem der Ansprüche 1 bis 7 dadurch gekennzeichnet, daß
zumindest ein Wandelement (1, 2) im Ionisations- und/oder Driftbereich eine
elektrisch von der Leiterstruktur (4) isolierte Heizung (5) aufweist.
9. IMS nach einem der Ansprüche 4 bis 8 dadurch gekennzeichnet, daß die
Leiterstreifen der Leiterstruktur (4) und/oder der Heizung (5) an zumindest
jeweils einem Ende mit einem gegliederten Leitgummikontakt (3) versehen
sind.
10. IMS nach einem der Ansprüche 1 bis 9 dadurch gekennzeichnet, daß
sich die Leiterstruktur (4) über den Ionisations- und Driftbereich erstreckt, daß
Mittel zur Erzeugung eines zusätzlichen Driftfeldes in dem Ionisationsbereich
vorgesehen sind und daß weiterhin Mittel zur Erzeugung einer Potentialbarrie
re im Bereich des Ionentores vorgesehen sind.
11. IMS nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß
der Ionisationsbereich ein radioaktives Material aufweist.
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- 1998-04-07 DE DE19815436A patent/DE19815436B4/de not_active Expired - Fee Related
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