DE19813523C2 - CVD-Reaktor und dessen Verwendung - Google Patents

Abstract

Beschrieben wird ein CVD-Reaktor mit DOLLAR A - einem Reaktorgehäuse mit einem Deckel, DOLLAR A - einem in dem Reaktorgehäuse angeordneten geheizten Susceptor (Waferträger), auf dem wenigstens ein Wafer angeordnet werden kann, DOLLAR A - einem zentralen Fluideinlaß, durch den insbesondere temperierte CVD-Medien etc. in den Reaktor eintreten, und DOLLAR A - einem Fluidauslaß, der am Umfang des Reaktorgehäuses angeordnet ist und durch den die eingelassenen Medien austreten. DOLLAR A Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, daß der Fluidauslaß in etwa die Form einer Scheibe mit einer Vielzahl von Auslaßöffnungen für die CVD-Medien etc. hat und zwischen Susceptor (Waferträger) und Reaktordeckel derart angeordnet ist, daß der Fluidauslaß durch Strahlung vom Susceptor (Waferträger) beheizt wird und sich damit auf eine Temperatur zwischen der Temperatur des Susceptors (Waferträgers) und dem Reaktordeckel einstellt, durch die die CVD-Medien etc. temperiert eintreten.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen CVD-Reaktor gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1, sowie dessen Verwendung.

CVD-Reaktoren sind allgemein bekannt und werden beispielsweise von der Aixtron AG, Aachen, DE hergestellt und vertrieben. Auf diese bekann­ ten CVD-Reaktoren wird zur in Erläuterung aller hier nicht näher beschrie­ benen Begriffe ausdrücklich verwiesen.

Die bekannten CVD-Reaktoren weisen ein Reaktorgehäuse mit einem Deckel auf, in dem ein geheizter Susceptor (Waferträger) vorgesehen ist, auf dem wenigstens ein Wafer angeordnet werden kann. Als Einlaß für CVD-Gase oder Flüssigkeiten ist in der Regel ein zentraler Fluideinlaß vorgesehen. Der Fluidauslaß ist dann meistens am Umfang des Reaktor­ gehäuses angeordnet.

Als Fluideinlaß werden entweder zentrale Gaseinlaßdüsen (Gasinlet- Nozzles), die die Gase vom Zentrum des Reaktors radial über die Wafer ausströmen lassen, oder sog. Brauseköpfe (Showerheads) im bzw. am Reaktordeckel verwendet, die direkt oberhalb des Wafers angeordnet sind, und aus sehr vielen kleinen Löchern das Gas in Form einer Dusche vertikal nach unten auf die Wafer sprühen. Derartige Reaktoren werden beispiels­ weise von der Fa. Thomas Swan, GB vertrieben.

Einen ähnlichen Aufbau offenbart die DE 43 30 266 gemäß der eine Ein­ zel-Wafer- Reaktionskammer eine Wafer-Erwärmerstufe zum Halten eines Wafers nach unten und zum Erwärmen des Wafers aufweist. Weiter befin­ det sich gegenüber der Wafer-Erwärmstufe ein Gaseinlaßdüsen aufwei­ sender Gasversorgungskopf, wodurch ein Bereich mit konstantem Abstand zum Zuleiten von Reaktionsgas entsteht. Über den Gasversorgungskopf werden Gase über dem Wafer ausgeströmt. Ein Abgasauslaß existiert ebenfalls.

Nun gibt es Materialien, für die es von Vorteil ist, wenn die Gase temperiert in den Reaktor eingelassen werden. Dies kann man dadurch erreichen, daß die Gase vorgewärmt werden, oder daß der Einlaß geheizt wird.

Für als Brausekopf (Showerhead) ausgebildete Fluideinlässe ist es be­ kannt, den Brausekopf (Showerhead) mit komplizierten Wasserkanälen zur Thermostatisierung auszurüsten. Diese Ausgestaltung hat nicht nur den Nachteil, daß sie aufwendig und damit teuer ist, sondern auch den Nach­ teil, daß der Einsatz von Wasserkanälen in CVD-Reaktoren immer ein ge­ wisses Risiko darstellt. Beispielsweise kann im Falle eines Lecks das Kühlwasser in den Reaktor-Innenraum austreten und mit dem oder den CVD-Gasen explosionsartig reagieren. Ein weiterer Nachteil ist die mit der Wassererwärmung einhergehende Temperaturinhomogenität im Brause­ kopf (Showerhead).

Gemäß der DE 43 30 266 wird das Gas über einen Gasversorgungskopf und dessen Gaseinlaßdüsen in dem Bereich mit konstantem Abstand über einen Wafer geleitet. Auch hier wird im Einlaßbereich die Temperatur der Gase durch einen Kühlwasserpfad und ein Wärmeerhaltungselement be­ einflußt. Dabei wird die Temperatur der Innenwand eines Raumelements, welches an die Gaseinlaßbereiche angrenzt, auf einer konstanten Tempe­ ratur gehalten. Hier gelten ebenso die vorstehend angeführten Nachteile für Wasserkanäle.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen CVD-Reaktor mit einem als Brausekopf (Showerhead) oder Gaseinlaßdüsen ausgebildeten Flui­ deinlaß derart weiterzubilden, daß der Fluideinlaß und damit die einzulas­ senden Fluide, also Gase und/oder Flüssigkeiten in einfacher Weise und insbesondere unter Verzicht auf Wasserkanäle etc. temperiert werden können.

Eine erfindungsgemäße Lösung dieser Aufgabe ist im Patentanspruch 1 angegeben. Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Ansprü­ che 2 folgende. In den Ansprüchen 31 und 32 sind Verfahren unter Ver­ wendung eines erfindungsgemäß angegebenen Reaktors beansprucht.

Erfindungsgemäß wird ein CVD-Reaktor mit den im Oberbegriff des Pa­ tentanspruchs 1 aufgeführten Merkmalen derart weitergebildet,

• - daß die Fluideinlaßeinheit einen vom Reaktordeckel beabstandeten Hohlkörper aufweist, dessen Unterseite, in der die Öffnungen vorge­ sehen sind, im wesentlichen durch Wärmestrahlung vom Susceptor (Waferträger) erwärmt wird,
• - daß eine Spülgaseinlaßvorrichtung vorgesehen ist, die in den Zwi­ schenraum zwischen der Oberseite des Hohlkörpers und dem Reak­ tordeckel ein Spülgas derart einleitet, daß die Oberseite Wärme im wesentlichen durch Wärmeleitung in dem Gas an die Umgebung ab­ gibt, und
• - daß die Wärmezu- und ableit-Bedingungen zum bzw. vom Hohlkörper derart eingestellt sind, daß sich die Unterseite ohne Zufuhr eines Temperiermediums von außen auf eine wählbare Temperatur, durch die die CVD-Medien temperiert werden, einstellt, und daß zwischen der Oberseite und der Unterseite des Hohlkörpers ein positiver Tem­ peraturgradient besteht.

Unter CVD-Medien werden im Rahmen der vorliegenden Beschreibung CVD- und insbesondere MOCVD-Gase, Flüssigkeiten, Lösungen oder Gemische der vorstehenden Stoffe - im folgenden auch allgemein mit dem Oberbegriff "Fluid" bezeichnet - verstanden.

Erfindungsgemäß wird ein bekannter CVD-Reaktor also dadurch weiterge­ bildet, daß die Fluideinlaßeinheit eine Einheit aufweist, die in etwa die Form einer Hohlscheibe mit einer Vielzahl von Auslaßöffnungen für die CVD-Medien etc. - also eines an sich bekannten Brausekopfs (Shower­ head) - hat, und zwischen Susceptor (Waferträger) und Reaktordeckel derart angeordnet ist, daß die Unterseite der Fluideinlaßeinheit durch Strahlung vom Susceptor (Waferträger) beheizt wird, und sich damit auf eine Temperatur zwischen der Temperatur des Susceptors (Waferträgers) und dem Reaktordeckel einstellt, so daß die CVD-Medien etc. beim Pas­ sieren der Fluideinlaßeinheit temperiert werden. Da an der Oberseite der Fluideinlaßeinheit eine (einstellbare) Wärmesenke vorgesehen ist, stellt sich in Axialrichtung über die Fluideinlaßeinheit ein bestimmter Tempera­ turgradient ein.

Die Erfindung geht dabei von dem Grundgedanken aus, den komplizierten Aufbau bekannter Reaktoren, bei denen die Thermostatisierung des Re­ aktordeckels und des Gaseinlasses in Form eines mit Flüssigkeit durch­ strömten Brausekopfs (Showerhead) und dafür erforderlicher separter Hei­ zaggregate erfolgt, dadurch zu vereinfachen, daß man den Brausekopf (Showerhead) vom Reaktordeckel getrennt als separates Bauteil ausführt. Da der Susceptor (Waferträger) ohnehin durch eine Infrarot-Heizung, eine Widerstandsheizung oder eine Hochfrequenzheizung auf eine Temperatur zwischen typischerweise ca. RT°C und 1200°C (RT steht für Raumtempe­ ratur) aufgeheizt wird, und somit eine beträchtliche Wärmemenge über Strahlung an seine Umgebung abgibt, wird die Fluideinlaßeinheit aufge­ heizt. Durch die erfindungsgemäßen Maßnahmen wird die Temperatur, auf die die Fluideinlaßeinheit aufgeheizt wird, kontrolliert eingestellt.

Bevorzugt bringt man einen aus einem gut wärmeleitfähigem Metall gefer­ tigten dünnen Brausekopf (Showerhead) in dem Reaktor unterhalb des Reaktordeckels sowie gegebenenfalls unterhalb einer thermostatisierten Decke (ceiling) an.

Dieser Aufbau hat eine Reihe von Vorteilen:

Der Brausekopf (Showerhead) wird direkt durch Strahlung von unten vom Susceptor (Waferträger) beheizt. Insbesondere kann der Abstand zwi­ schen Susceptor (Waferträger) und Hohlkörper zur Einstellung der Tempe­ ratur der Unterseite des Hohlkörpers einstellbar sein. Hierzu kann eine Halteeinheit für den Hohlkörper mit einem Gewinde vorgesehen sein.

Die Wärmezu- bzw. abfuhr zum bzw. vom Hohlkörper wird durch die Tem­ peratur des Susceptors (Waferträgers), des nun frei justierbaren Abstands zum Susceptor (Waferträger), und die Leitfähigkeit des Gases im Reaktor (Wahl des Trägergases, beispielsweise Stickstoff oder Wasserstoff oder ein Gemisch dieser Gase und Totaldruck) bestimmt. Eine bisher nötige Beistellung eines zusätzlichen Heizaggregates zur Beheizung und Tempe­ rierung des Brausekopfs (Showerhead) entfällt.

Die Wärmeabfuhr nach oben von der Oberseite des Brausekopfs (Shower­ head) weg wird dadurch bestimmt, welches Spülgas oberhalb des Brause­ kopfs (Showerhead) und der Quarz-Decke (quarz ceiling) und welches Spülgas zwischen Quarz-Decke (quarz ceiling) und Metall-Reaktor-Deckel benutzt wird.

Hierbei kann insbesondere die von Frijlink et al. vorgeschlagene thermo­ statisierte Decke (ceiling) zur Anwendung kommen. Insofern wird durch die Anwendung von zwei Spülgasgemischen die absolute Temperatur und der Temperatur-Gradient des Brausekopfs (Showerhead) im Reaktor sehr prä­ zise regel- bzw. einstellbar.

Vor allem wird der bei den meisten Anwendungen gewünschte positive Temperatur-Gradient vom Brausekopf (Showerhead) zum Susceptor (Wa­ ferträger) automatisch gewährleistet. Der Temperatur-Gradient kann zu­ sätzlich durch eine weitere Ausgestaltung kontrolliert beeinflußt werden, indem lokal Wärmeabschirmbleche und eine Mehrlagen-Ausführung des Brausekopfs (Showerhead) mit Materialien eingeführt werden, die unter­ schiedliche Reflexions- und Absorptions-Koeffizienten aufweisen.

Ansonsten ist der Reaktor konventionell aufgebaut: Insbesondere kann der Reaktor ein runder Reaktor - ähnlich dem bekannten Planetenreaktor - mit zentralem Gaseinlaß und außen herumliegenden Gasauslaß (Exhaust) sein. Der Gasauslaß (Exhaust) kann insbesondere der von Frijlink et al. vorgeschlagene Tunnel sein. Die Decke des Reaktors kann ebenfalls wie die von Frijlink vorgeschlagene Decke (ceiling) ausgeführt und damit ther­ mostatisierbar sein.

Der Susceptor (Waferträger) ist entweder ein Planetensusceptor (Plane­ tenwaferträger) mit doppelter Rotation oder nur eine große einfache Schei­ be, die aber auch auf Gas-Foil-Rotation (d. h. Drehung der Wafer auf einem Gaspolster; Patent der Anmelderin Fa. Aixtron) oder aber mechanisch ro­ tiert. In letzterem Fall kann man dann jeweils nur einen Wafer, aber dafür größere Wafer zentral auflegen. Alternativ oder zusätzlich ist es möglich, die Fluideinlaßvorrichtung um ihre axiale Achse zu drehen.

Für die Schichtherstellung von Mehrkomponenten-Stoffsystemen werden z. B. β-Diketonate oder andere Metallorganischen Lösungen verwandt, deren Mischung nun einerseits direkt im Brausekopf (Showerhead) durch­ geführt werden kann, durch konstruktive Einrichtung eines oder mehrerer Einlässe in den Brausekopf (Showerhead), mit gleicher oder unterschiedli­ cher Temperatur. Andererseits kann der Brausekopf (Showerhead) auch derart ausgebildet sein, daß verschiedene Gase separat im Brausekopf (Showerhead) geführt werden, und eine Durchmischung erst bei Austritt aus dem Brausekopf (Showerhead) in den Reaktorraum erfolgt, um para­ sitäre Vorreaktionen zu vermeiden.

Das Risiko, zusätzliches Kühlwasser in der Nähe des Gaseinlasses zur Thermostatisierung zu benutzen, entfällt. Der Brausekopf (Showerhead) ist wesentlich einfacher justierbar und austauschbar. Der Reaktor wird sehr flexibel, da die verschiedensten Brauseköpfe (Showerheads) sehr schnell eingesetzt und ausgetauscht werden können, für unterschiedliche Wafer­ größen, ohne größere Veränderung des Reaktors, Demontage oder Öff­ nung von Medienleitungen. Der Reaktor ist thermisch von allen Seiten be­ stimmt, und alle Wände sind geheizt, so daß minimale Ablagerungen ent­ stehen.

Ein weiterer Vorteil ist, daß jeder vorhandene Planetenreaktor sehr einfach umrüstbar ist, da die Fluideinlaßeinheit voll kompatibel zu herkömmlichen Einlässen ist.

Der erfindungsgemäße Reaktor kann für alle Arten von CVD-Prozessen benutzt werden, also z. B. zum Aufbringen bzw. Bearbeiten von III-V, II-VI, IV-IV Materialien, ferner von ein- und mehrkomponentigen Oxiden, Perowskiten, wie z. B. Barium- und Strontium-Titanat (ST bzw. BT), Bari­ um-Strontium-Titanat (BST), Strontium- und Barium-Zirkonat-Titanate, Strontium-Wismut-Tantalat (SBT), Blei-Zirkonat-Titanat (PZT), sowie von mit Akzeptor- oder/und Donator-Dotierungen versehenen oben aufgeführ­ ten Materialsystemen.

Ein weiterer Vorteil ist, daß die Brauseköpfe (Showerheads) sehr leicht austauschbar sind. Damit ist es möglich, je nach verwendeter Waferform Brauseköpfe (Showerheads) einzusetzen, deren Loch- bzw. Auslaßanord­ nung der Anordnung und Form der darunter angeordneten Wafern ent­ spricht, so daß eine sehr homogene und dennoch sparsame Bearbeitung bzw. Beschichtung der Wafer möglich ist.

Darüberhinaus kann der erfindungsgemäß ausgebildete Reaktor auch mit Ätz- bzw. Reinigungsfluiden betrieben werden, um ggf. entstehende Abla­ gerungen bzw. Kondensate schnellsten wieder zu entfernen (self cleaning). In dieser Bauart wird der Reaktor mit einem Brausekopf (Showerhead) aus einem Material ausgerüstet, das gegenüber dem Ätzgas resistiv ist.

Weiterhin kann der Reaktor mit einem normalen Gasversorgungssystem betrieben werden, oder aber auch mit einem Quellenverteilungssystem (Liquid-Delivery-System) oder Aerosol-System, das die Gase schon tem­ periert zuführt (sog. LDS-System).

Die Rotationsgeschwindigkeit ist im Falle von doppelter Rotation (Plane­ tenrotation) relativ langsam und liegt typischerweise zwischen 10 und 200 Umdrehungen pro Minute (rpm).

Falls nur ein Wafer zentral eingesetzt wird, können verschiedenste Rota­ tionen zwischen 5 und 1500 Umdrehungen pro Minute (rpm) benutzt wer­ den.

Die Erfindung wird nachstehend ohne Beschränkung des allgemeinen Er­ findungsgedankens anhand eines Ausführungsbeispielen unter Bezug­ nahme auf die Zeichnung exemplarisch beschrieben, deren

einzige Figur einen schematisierten Querschnitt durch eine erfindungsgemäße Vorrichtung zeigt.

Der in der Figur im Querschnitt dargestellte CVD-Reaktor weist ein Reak­ torgefäß 1 mit einem Reaktordeckel 2 auf. Das Reaktorgefäß 1 und der Deckel 2 sind bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel wassergekühlt, so daß sie sich immer in etwa auf Raumtemperatur befinden. Im Reaktorge­ fäß 1, das insbesondere eine zylindrische Form haben kann, ist ein Gas­ auslaß 21 in an sich bekannter Weise vorgesehen.

Im Innenraum des Reaktorgefäßes 1 ist ferner ein Susceptor (Waferträger) 3 für Wafer 4 angeordnet, die mittels eines CVD-Prozesses bearbeitet bzw. beschichtet werden sollen. Der Susceptor (Waferträger) 3 wird mittels einer Heizeinrichtung 5, die eine Infrarot-Heizung, eine Widerstandsheizung oder eine Hochfrequenzheizung sein kann, auf eine Temperatur zwischen ca. RT°C und 1200°C (RT steht für Raumtemperatur) aufgeheizt.

Oberhalb des Susceptors (Waferträgers) 3 ist eine Fluideinlaßeinheit 6 an­ geordnet, die bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel die Form einer Hohl­ scheibe hat. In der Unterseite 6' der Einheit 6 sind eine Vielzahl von Lö­ chern (in der Figur schematisch dargestellt) vor gesehen, deren Anordnung der Form der Wafer 4 angepaßt sein kann. Der Abstand zwischen Flui­ deinlaßeinheit 6 und Susceptor (Waferträger) 3 ist beispielsweise über ein Gewinde einstellbar.

In den Innenraum der Hohlscheibe 6 münden Leitungen 71 bis 73, durch die Gase und insbesondere CVD-Gase von einer nicht dargestellten, im übrigen jedoch bekannten Gasversorgungseinheit - die gegebenenfalls eine Vortemperiereinrichtung aufweist - in den Innenraum der Hohlscheibe 6 strömen. Die Gase treten dann aus dem Innenraum durch die (nicht dar­ gestellten) Löcher aus und beaufschlagen homogen die Wafer 4.

Zwischen der Hohlscheibe 6 und der Unterseite des Reaktordeckels 2 ist ein Wärmeschild 8, auch als Decke (ceiling) bezeichnet, vorgesehen. Der Wärmeschild 8 ist eine Platte aus einem wärmeresistenten und inerten Material, bei dem gezeigten Ausführungsbeispiels besteht die Platte aus Quarz.

Ferner ist eine Spülgaseinlaßvorrichtung vorgesehen, die über Leitungen 91 und 92 mit dem Reaktor verbunden ist. Die Leitung 91 mündet in dem Zwischenraum zwischen Wärmeschild 8 und Oberseite der Hohlscheibe 6, die Leitung 92 mündet in dem Zwischenraum zwischen Reaktordeckel 2 und Wärmeschild 8. Die Spülgaseinlaßvorrichtung ist derart ausgebildet, daß die Zusammensetzung und/oder der Durchsatz des bzw. der in den bzw. die Zwischenräume oberhalb der Oberseite des Hohlkörpers einge­ leiteten Gase zur Einstellung der Wärmeableitbedingungen änderbar ist. Die Wärmezu- und ableit-Bedingungen zum bzw. vom Hohlkörper 6 kön­ nen derart eingestellt, daß sich die Unterseite ohne Zufuhr eines Tempe­ riermediums von außen auf eine wählbare Temperatur, durch die die CVD- Medien temperiert werden, einstellt, und daß zwischen der Oberseite und der Unterseite des Hohlkörpers ein positiver Temperaturgradient besteht. Hierdurch wird ein Zusetzen der Löcher vermieden Darüberhinaus besteht ein positiver Temperaturgradient zum Susceptor (Waferträger).

Claims (32)

1. CVD-Reaktor mit

• 1. einem Reaktorgehäuse mit einem Gehäusedeckel,
• 2. einem in dem Reaktorgehäuse angeordneten geheizten Susceptor (Waferträger) für einen der mehrere Wafer,
• 3. einer Fluideinlaßeinheit mit einer Vielzahl von dem oder den Wafern zugewandten Öffnungen, durch die insbesondere temperierte CVD- Medien in den Reaktor eintreten, und
• 4. einem Fluidauslaß, der am Umfang des Reaktorgehäuses angeordnet ist, und durch den die eingelassenen Medien wieder austreten,

dadurch gekennzeichnet,

• 1. daß die Fluideinlaßeinheit einen vom Reaktordeckel beabstandeten Hohlkörper aufweist, dessen Unterseite, in der die Öffnungen vorge­ sehen sind, im wesentlichen durch Wärmestrahlung und/oder durch Wärmeleitung vom Susceptor (Waferträger) erwärmt wird,
• 2. daß eine Spülgaseinlaßvorrichtung vorgesehen ist, die in den Zwi­ schenraum zwischen der Oberseite des Hohlkörpers und dem Reak­ tordeckel ein Spülgas derart einleitet, daß die Oberseite Wärme im wesentlichen durch Wärmeleitung in dem Gas an die Umgebung ab­ gibt, und
• 3. daß die Wärmezu- und ableit-Bedingungen zum bzw. vom Hohlkörper derart eingestellt sind, daß sich die Unterseite ohne Zufuhr eines Temperiermediums von außen auf eine wählbare Temperatur, durch die die CVD-Medien temperiert werden, einstellt, und daß zwischen der Oberseite und der Unterseite des Hohlkörpers ein positiver Tem­ peraturgradient besteht.

2. Reaktor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen Susceptor (Waferträger) und Hohlkörper zur Einstellung der Temperatur der Unterseite des Hohlkörpers einstellbar ist.

3. Reaktor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zur Abstandseinstellung eine Halte einheit für den Hohlkörper mit einem Gewinde vorgesehen ist.

4. Reaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Reaktordeckel thermostatisiert ist.

5. Reaktor nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Reaktordeckel eine Kühlung mit­ tels eines flüssigen Mediums, wie Wasser aufweist.

6. Reaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen Reaktordeckel und der Oberseite des Hohlkörpers ein Wärmeschild vorgesehen ist.

7. Reaktor nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Wärmeschild eine Platte aus ei­ nem wärmeresistenten und inerten Material, wie Quarz ist.

8. Reaktor nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Spülgaseinlaßvorrichtung einen ersten Gasauslaß in dem Zwischenraum zwischen Reaktordeckel und Wärmeschild und einen zweiten Gasauslaß in dem Zwischenraum zwischen Wärmeschild und Oberseite des Hohlkörpers aufweist.

9. Reaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Spülgaseinlaßvorrichtung derart ausgebildet ist, daß die Zusammensetzung und/oder der Durchsatz des bzw. der in den bzw. die Zwischenräume oberhalb der Oberseite des Hohlkörpers eingeleiteten Gase zur Einstellung der Wärmeableit­ bedingungen änderbar ist.

10. Reaktor nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Spülgaseinlaßvorrichtung unter­ schiedliche Gase bzw. Gaszusammensetzungen zwischen der Ober­ seite des Hohlkörpers und dem Wärmeschild und dem Wärmeschild und dem Reaktordeckel einleitet.

11. Reaktor nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Spülgaseinlaßvorrichtung ein Gasgemisch aus Gasen mit unterschiedlichen Wärmeleitung, wie aus H₂ und N₂ einleitet.

12. Reaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Hohlkörper aus einem Metall mit guter Wärmeleitfähigkeit oder aus mehreren Lagen verschiedener Metalle mit unterschiedlichen Wärmeleitfähigkeiten, Reflexions- und Absorptionseigenschaften besteht.

13. Reaktor nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Hohlkörper eine geringe Wärme­ kapazität hat.

14. Reaktor nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Hohlkörper eine dünne Scheibe ist.

15. Reaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß der Susceptor (Waferträger) ein Pla­ netensusceptor (Planetenwaferträger)mit doppelter Rotation ist.

16. Reaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß der Susceptor (Waferträger) eine Scheibe ist.

17. Reaktor nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Scheibe mechanisch oder auf einem Gaspolster rotiert.

18. Reaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß der Hohlkörper oder Teile des Hohl­ körpers drehbar ausgebildet ist, und die Scheibe und/oder der Sus­ zeptor nicht gedreht wird.

19. Reaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Fluideinlaßeinheit derart ausgebil­ det ist, daß Gase und/oder Flüssigkeiten, wie insbesondere Metall­ organischen Lösungen im Hohlkörper gemischt werden können.

20. Reaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Fluideinlaßeinheit derart ausgebil­ det ist, daß sie getrennte Öffnungen für unterschiedliche Fluide auf­ weist.

21. Reaktor nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die jeweiligen Öffnungen derart ange­ ordnet sind, daß die Fluide nach ihrem Austritt aus den Öffnungen vermischt werden.

22. Reaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 21, dadurch gekennzeichnet, daß eine zusätzliche Temperiereinrichtung vorgesehen ist, die die Fluide vor ihrem Eintritt in den Hohlkörper (vor-)erwärmt.

23. Reaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 22, dadurch gekennzeichnet, daß die Fluideinlaßeinheit derart ausgebil­ det ist, daß sie gegenüber einem Ätz- bzw. Reinigungsgas resistent ist.

24. Reaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 23, dadurch gekennzeichnet, daß der Reaktor eine kreiszylindrische Form hat.

25. Reaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 24, dadurch gekennzeichnet, daß auch die Seitenwände des Reaktors thermostatisiert sind.

26. Reaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 25, dadurch gekennzeichnet, daß der Druck im Inneren des Reaktors zwischen 0,1 und 1000 mbar beträgt.

27. Reaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 26, dadurch gekennzeichnet, daß die Fluideinlaßeinheit die CVD-Medien mit Drücken zwischen 0,1 und 10 bar einläßt.

28. Reaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 27, dadurch gekennzeichnet, daß eine Infrarot-Heizung, eine Wider­ standsheizung oder eine Hochfrequenzheizung den Susceptor (Wa­ ferträger) beheizt.

29. Reaktor nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizung den Susceptor (Waferträ­ ger) auf eine Temperatur zwischen Raumtemperatur und 1200°C aufheizt.

30. Reaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 29, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich zu dem Wärmeschild zwi­ schen Oberseite des Hohlkörpers und Reaktordeckel weitere Wärme­ schilde vorgesehen sind.

31. Verwendung der Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 30 zur Herstellung dünner Schichten aus III-V, II-VI, IV-IV Materialien, ferner von ein- und mehrkomponentigen Oxiden, Perowskiten, insbesonde­ re Barium- und Strontium-Titanat (ST bzw. BT), Barium-Strontium- Titanat (BST), Strontium- und Barium-Zirkonat-Titanate (BZT), Stron­ tium-Wismut-Tantalat (SBT), Blei-Zirkonat-Titanat (PZT).

32. Verwendung nach Anspruch 31 zur Herstellung dünner dotierter und insbesondere Akzeptor- oder Donator-dotierter Schichten.