DE19750845C1 - Herstellung von Interkalaten durch Kathodenzerstäubung oder Feldverdampfung sowie hergestellte Erzeugnisse - Google Patents
Herstellung von Interkalaten durch Kathodenzerstäubung oder Feldverdampfung sowie hergestellte ErzeugnisseInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung
von Interkalaten sowie verfahrensgemäß hergestellte
Erzeugnisse.
Als Interkalate werden Einlagerungsverbindungen be
zeichnet, die durch Einlagern geeigneter Atome, Ionen
oder Moleküle (die im folgenden Gastsubstanzen genannt
werden) in Wirtssubstanzen entstehen. Eine solche Ein
lagerungsverbindung wird dann auch Interkalationsver
bindung genannt. Bei den Wirtssubstanzen handelt es
sich üblicherweise um Schichtstrukturen, die in zwei
Dimensionen kovalente oder metallische Bindungen auf
weisen und in der dritten Dimension über van der Waals-
Wechselwirkungen gebunden sind.
Beispiele für Wirtssubstanzen sind der Graphit oder die
Übergangsmetall-Dichalkogenide. Geeignete Gastsubstan
zen sind Alkali-Metalle (Li, Na, K, Rb), Metallchloride
(z. B. MnCl2, FeCl3, SbCl5) oder Metallfluorid-Ionen
(z. B. PF6 -, AsF6 -, SbF6 -).
Als Wirtssubstanzen kommen grundsätzlich alle Materia
lien mit schichtförmigem Aufbau in Betracht. Schicht
förmig bedeutet dabei, daß der Kristallaufbau senkrecht
zur kovalent gebundenen Schicht nur durch van der Waals-
Bindungen realisiert ist. Konventionelle Einlage
rungsverbindungen, etwa in Form der Carbide, können
aber auch dadurch gegeben sein, daß atomare Gastsub
stanzen in oktaedrische oder tetraedrische Lücken des
kristallinen Aufbaus der Wirtssubstanz eingebaut sind.
Aus der Druckschrift "Intercalated Graphite, Mat. Res.
Soc. Symp. Proc., Vol. 20, S. 221 ff. Herausgeber: M.
S. und G. Dresselhaus, J. E. Fischer, M. J. Morau,
Elsevier Science Publishing (1983)" ist bekannt, Einla
gerungsverbindungen durch Flüssig- oder Gasphaseninter
kalation zu erzeugen. Dabei wird der Wirtssubstanz eine
ausreichende Konzentration der Gastsubstanz angeboten,
so daß bei geeigneter Temperatur eine Diffusion der
Gastsubstanzen zwischen die durch van der Waals-
Kräfte gebundenen kristallinen Ebenen der Wirtssubstanz
erfolgt. Der Diffusionsvorgang beginnt bevorzugt an den
Rändern der Wirtssubstanz, an denen geeignete Diffu
sionskanäle exponiert werden.
Ferner ist aus der Druckschrift US 4,542,009 ein
Verfahren zur Herstellung eines Interkalates durch
Ionenimplantation und Temperung sowie eine
Wirtssubstanz mit zumindest einer Interkalationszone
bekannt. Bei der Ionenimplantation werden Energien von
typischerweise 150-200 KeV benötigt.
Die Atome, Ionen oder Moleküle (Gastsubstanzen) bilden
bei ausreichender Menge Domänen, die zu einer Modula
tion der kristallinen Eigenschaften der Wirtssubstanz
führen können.
Die Stapelfolge von Gitterschichten einer Wirtssubstanz
und Schichten einer Gastsubstanz gibt die Stufe der In
terkalation an. So besteht ein Interkalat dritter Stufe
aus sich abwechselnden drei Lagen der Wirtssubstanz und
einer Lage der Gastsubstanz.
Es ist evident, daß Interkalationsverbindungen gegen
über sowohl der reinen Wirts- als auch der reinen Gast
substanz modifizierte physikalische und chemische Ei
genschaften aufweisen. So erfolgt beispielsweise häufig
ein Ladungstransfer zwischen Gast- und Wirtssubstanz,
welcher zum Beispiel eine metallische Leitfähigkeit
oder sogar eine Supraleitfähigkeit des resultierenden
Interkalats zur Folge haben kann.
Die anwendungsbezogene Interkalatforschung konzentriert
sich dabei gezielt auf voltaische Einsatzgebiete
(Batterien) sowie die heterogene Katalyse. Für die Ein
beziehung von Interkalationsverfahren in Mikrostruktu
rierungsprozesse ist die Erzeugung räumlich begrenzter
Interkalationszonen von zunehmender Bedeutung. Mittels
bisher verwendeter Verfahren lassen sich Interkalate
mit lateraler Ausdehnung im Mikrometer- oder sub-Mikro
meterbereich nicht herstellen. Der sub-Mikrometerbe
reich liegt unterhalb von einem Mikrometer.
Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung eines Verfah
rens zur definierten Herstellung von lokal begrenzten
Interkalaten (Interkalationszonen). Aufgabe der Erfin
dung ist ferner die Bereitstellung neuartiger Interka
lationszonen.
Die Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen
des ersten Anspruchs sowie durch einen Gegenstand mit
den Merkmalen des Nebenanspruchs gelöst.
Anspruchsgemäß werden atomare, molekulare oder ionische
Gastsubstanzen direkt in die Wirtssubstanz injiziert.
Die Atome, Moleküle oder Ionen müssen dann eine genü
gend große kinetische Energie aufweisen. Eine genügend
große kinetische Energie im Sinne des Anspruchs be
wirkt, daß an der Oberfläche der Wirtssubstanz atomare
Defekte induziert werden, in die dann Gastsubstanzen
diffundieren können. Durch Vorgabe der kinetischen
Energie der auf die Wirtssubstanz auftreffenden Gast
substanzen sowie durch die Beschußzeit kann die atomare
Konzentration der interkalierten Gastsubstanzen sowie
die vertikale Ausdehnung der Interkalationszone gezielt
gesteuert werden.
Die Injektion bzw. der Beschuß erfolgt durch
Kathodenzerstäubung oder Feldverdampfung aus einer über
der Wirtssubstanzoberfläche befindlichen Elektrode.
Gleichwirkend ist der direkte Ionenbeschuß. Die
kinetischen Energien liegen stets wesentlich unterhalb
von 10 KeV.
Das anspruchsgemäße Verfahren beruht im Unterschied zum
Stand der Technik vorteilhaft auf rein physikalischen
Prozessen. So ist es nun möglich, Interkalate lokal zu
begrenzen und an einem vorgegebenen Ort lokal zu syn
thetisieren. Im Unterschied zum vorliegenden Verfahren
läßt sich die Tiefe einer Interkalationszone, das heißt
die vertikale Ausdehnung bei einem chemischen Prozeß
nicht steuern. Auch ist beim anspruchsgemäßen
physikalischen Verfahren im Gegensatz zum chemischen
weder ein Erhitzen der Probe noch das Einwirken von zum
Teil toxischen Substanzen erforderlich.
Im folgenden werden verschiedene Ausgestaltungen des
anspruchsgemäßen Verfahrens angegeben, die in bezug auf
die technische Vorgehensweise unterschiedlich, aber in
bezug auf die zugrunde liegenden physikalischen Mecha
nismen identisch sind.
Durch Aufbringen einer geeigneten Maske (entweder durch
direktes Auflegen oder durch lithographische Struktu
rierung mit anschließenden Ätzprozessen) werden zu
nächst diejenigen Bereiche einer in Form eines Substra
tes vorliegenden Wirtssubstanz lateral definiert, in
denen räumlich begrenzte Interkalationszonen induziert
werden sollen. Durch Kathodenzerstäubung (Sputtern) ei
nes Targets, welches die Gastsubstanzen beinhaltet,
oder durch direkten Ionenbeschuß werden die
Gastsubstanzen (Atome, Ionen oder Moleküle) mit einer
kinetischen Energie von mindestens einigen
Elektronenvolt versehen und prallen auf die
vorstrukturierte Wirtssubstanz.
Hier erfolgt die Interkalation entsprechend dem
beschriebenen Mechanismus.
Der entscheidende Unterschied zur konventionellen
Ionenimplantation besteht darin, daß die benötigten ki
netischen Energien vergleichsweise gering sind und daß
nicht zwangsläufig Ionen benötigt werden, sondern auch
Atome und Moleküle zur Erzeugung von Interkalaten ver
wendet werden können. Ionenimplantationen erfordern
sehr viel höhere Energien von üblicherweise 10-200 KeV.
Die kinetische Energie, mit der die Atome, Ionen oder
Moleküle auf die Wirtssubstanz geschossen werden, muß
einen unteren Schwellwert überschreiten. Andernfalls
gelingt es nicht, die Gastsubstanz in das Gitter der
Wirtssubstanz zu bringen. Die bisher durchgeführten
Messungen ergaben einen unteren Schwellwert von ca.
5 eV.
Die Größe der kinetischen Energie bestimmt maßgeblich
die vertikale Ausdehnung der hergestellten Interkala
tionszone.
Bei einem ausreichenden Angebot an Gastsubstanzen ent
steht eine lokale Deposition auf der Oberfläche der
Wirtssubstanz, die direkt als elektrischer Kontakt zur
Interkalationszone verwendet oder bei Bedarf durch ein
geeignetes Verfahren (z. B. Ätzen) auch entfernt werden
kann.
In einem komplementären Ansatz kann die Deposition der
Gastsubstanzen auch durch Feldverdampfung aus einer in
geringem Abstand über der Wirtssubstanzoberfläche be
findlichen, positionierbaren (parallel und/ oder senk
recht zur Oberfläche beweglichen) Elektrode erfolgen.
Der Abstand zwischen Elektrode und Substrat beträgt da
bei bevorzugt nur einige Nanometer und zwar insbeson
dere nur ca. 1 nm. Dann kann der Abstand reproduzierbar
mit Hilfe des Tunneleffektes (Tunnelmikroskop) einge
stellt sowie bei einer lateralen Positionierung der
Elektrode (parallel zur Oberfläche der Wirtssubstanz)
konstant gehalten werden, um so zu reproduzierbaren Er
gebnissen zu gelangen. Die zwischen Substrat und Elek
trode angelegte Spannung beträgt bevorzugt einige Volt
(typischerweise 5-10 V) und läßt sich in Form von Pul
sen zeitlich variieren. Das zeitliche Variieren ermög
licht die Herstellung verschiedener, räumlich getrenn
ter Interkalationszonen in einer Wirtssubstanz in einem
Arbeitsgang. Besitzt die Elektrode zudem einen hinrei
chend scharfen Apexbereich, so führt die Feldverdamp
fung zu einem lokalen Auftreffen der Bausteine der
Gastspezies lokal unter der Elektrode, und es kommt
aufgrund der oben beschriebenen Mechanismen zur
Ausbildung einer lokalen (d. h. scharf begrenzten)
Interkalationszone. Unter Apexbereich wird das Ende
einer spitzenförmigen Elektrode und zwar der
Krümmungsradius verstanden.
Durch geeignetes, zweidimensionales Bewegen der Elek
trode über der Wirtssubstanz lassen sich so Interkala
tionszonen mit beliebigen Mustern "schreiben". Die lo
kale vertikale Ausdehnung der Zone wird wiederum durch
die Beschußenergie und -zeit gesteuert. Es werden dann
an der Oberfläche der Wirtssubstanz unterhalb der Elek
trode lokale Depositionen erzeugt, die sich gegebenen
falls als elektrische Kontakte nutzen lassen.
Die Anordnung aus beweglicher Elektrode und Wirts
substanz läßt sich in einem Rastertunnelmikroskop oder
einem Rasterkraftmikroskop realisieren. Die Mikroskope
sind verfügbar und weisen geeignete Mechanismen zur
Konstanthaltung des Abstandes zwischen Probe und
Elektrode auf.
Die laterale Begrenzung einer Interkalationszone kann
bei Einsatz eines Sputterschrittes durch die Abmessun
gen einer Maske vorgegeben werden. Bei einem Verfahren,
bei der eine Elektrode stationär oder beweglich im
Rahmen einer Feldverdampfung eingesetzt wird, wird die
laterale Ausdehnung der Interkalationszone durch die
Schärfe der Elektrode (Apexbereich) und durch die Größe
des applizierten elektrischen Feldes vorgegeben.
Die vertikale Ausdehnung einer Interkalationszone hängt
beim Verfahren mit dem Sputterschritt vom Gaspar
tialdruck, von der Sputterenergie und von der Deposi
tionsdauer ab. Bei der Feldverdampfung kann die verti
kale Ausdehnung durch die Pulsdauer und die Größe des
applizierten elektrischen Feldes gesteuert werden.
Laterale Abmessungen von 5 bis 250 nm wurden erzeugt.
Minimale vertikale Abmessungen im Bereich weniger Atom
lagen konnten realisiert werden.
Fig. 1 zeigt die Erzeugung lokaler Interkalationszonen
durch globalen Beschuß einer Wirtssubstanz mit
Gastatomen, -molekülen oder -ionen.
Fig. 2 zeigt die Erzeugung lokaler Interkalationszonen
in Form direkten Schreibens durch Feldver
dampfung aus einer in x-, y- und z-Richtung
beweglichen Elektrode.
Fig. 3 zeigt ein elektronisches Quantenbauelement auf
der Basis einer räumlich begrenzten Interkala
tionszone.
- a) Rastertunnelmikroskopische Aufnahme (376 nm × 376 nm) einer Golddeposition auf einem Gra phitsubstrat. Die Interkalationszone befindet sich unter der als Elektrode benutzten Goldde position (vergleiche Fig. 2).
- b) Die Strom-Spannungs-Kennlinie zwischen Goldelektrode und Graphitsubstrat zeigt ein für eine resonante Tunneldiode charakteristisches Verhalten. Es ist daher möglich, elektronische Bauelemente basierend auf dem resonanten Tun neleffekt maßzuschneidern, hohe Integrations dichten herzustellen und die bislang verfolgte extrem aufwendige Halbleitertechnologie durch ein vergleichsweise kostengünstiges Verfahren zu ersetzen.
Durch das anspruchsgemäße Verfahren wurden elektroni
sche Quantenbauelemente mit lateralen Dimensionen im
sub-Mikrometerbereich hergestellt. Dabei erfolgte die
Interkalation von Gold in den Schichtmaterialien Gra
phit und NbSe2. Die Golddepositionen auf den Oberflä
chen der Wirtssubstanzen (Substrate) wurden jeweils als
externe elektrische Kontakte genutzt, wobei einer der
beiden Kontakte durch die Wirtssubstanz selbst gebildet
wird (siehe Fig. 1 und 2). Entsprechend aufgenommene
Strom-Spannungs-Kennlinien zeigten, daß der elektroni
sche Transport durch die Interkalationszone demjenigen
durch eine resonante Tunneldiode ähnelt. Resonante
Tunneldioden sind elektronische Bauelemente, die auf
dem Tunneleffekt basieren. Resonanzzustände, die durch
das relative Verschieben von Energieniveaus erzeugt
werden, werden ausgenutzt, um Strom-Spannungs-Kenn
linien mit ausgeprägten Strommaxima zu realisieren.)
Die Kennlinien weisen ein stark nichtlineares Verhalten
mit Bereichen negativen differentiellen Widerstands auf
(siehe Fig. 3). Dieses Verhalten ist von größter Be
deutung für eine Reihe von Schlüsselbauelementen der
modernen Halbleiterphysik und wurde bislang insbeson
dere auf der Basis komplexer Halbleiter-Heterostruktu
ren realisiert. Während die Herstellung derartiger
Strukturen außerordentlich komplex und technisch auf
wendig ist, erlaubt die vorliegende Erfindung eine ein
fache und kostengünstige Realisierung.
Unter Schlüsselbauelemente werden solche Verstanden,
die entsprechend der zukünftigen Miniaturisierungskon
zepte im Bereich der digitalen Elektronik Verwendung
finden. Dabei handelt es sich um Dioden und Transisto
ren, in denen der elektronische Tunnelkontakt die phy
sikalische Grundlage ihres Funktionsprinzips darstellt.
Insbesondere ist in diesem Zusammenhang das sogenannte
Einzelelektronentunneln von Bedeutung, welches sich in
idealer Weise auf der Basis der vorliegenden Erfindung
realisieren läßt.
Weitere Anwendungen des vorgeschlagenen Verfahrens sind
in lokalen voltaischen und katalytischen Anwendungen zu
sehen sowie generell in der elektronischen Funktionali
sierung von Materialoberflächen.
Lokale Interkalationszonen modifizieren lokal die elek
tronischen Eigenschaften der Wirtssubstanz. Mit dieser
elektronischen Modifikation geht zwangsläufig eine Mo
difikation der chemischen Eigenschaften einher. Auf
diese Weise können die Interkalationszonen beispiels
weise als sub-mikrometergroße Sensoren (z. B. für Gas,
elektromagnetische Strahlung etc.) fungieren. Sie kön
nen bei Wahl einer geeigneten Kombination aus Gast- und
Wirtssubstanz als Batterien fungieren. Bei geeigneter
Zusammensetzung können Interkalationszonen katalytisch
in bezug auf chemische Prozesse an der Oberfläche der
Wirtssubstanz wirken, während die Wirtssubstanz selber
diese Fähigkeit nicht besitzt.
Claims (5)
1. Verfahren zur Herstellung eines Interkalats, indem
eine Wirtssubstanz mit Atomen, Molekülen oder Ionen,
die als Gastsubstanzen fungieren, mit hinreichend
großer kinetischer Energie mittels Kathodenzerstäu
bung oder Feldverdampfung beschossen wird.
2. Verfahren nach vorhergehendem Anspruch, bei dem vor
dem Beschuß mit Atomen, Molekülen oder Ionen eine
Maske auf der Wirtssubstanz aufgebracht wird, so daß
ein durch die Maske lateral begrenztes Interkalat
entsteht.
3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
bei dem die bei der Feldverdampfung verwendete, über
der Wirtssubstanz befindliche Elektrode parallel zur
Oberfläche der Wirtssubstanz bewegt wird.
4. Wirtssubstanz mit zumindest einer Interkalations
zone, deren Abmessungen im sub-Mikrometerbereich
liegen.
5. Wirtssubstanz nach vorhergehendem Anspruch, bei dem
die lateralen Abmessungen der Interkalationszone un
terhalb von 250 nm liegen.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE1997150845 DE19750845C1 (de) | 1997-11-17 | 1997-11-17 | Herstellung von Interkalaten durch Kathodenzerstäubung oder Feldverdampfung sowie hergestellte Erzeugnisse |
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---|---|
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WO (1) | WO1999025651A1 (de) |
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- 1997-11-17 DE DE1997150845 patent/DE19750845C1/de not_active Expired - Fee Related
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1998
- 1998-11-13 WO PCT/DE1998/003398 patent/WO1999025651A1/de active Application Filing
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Also Published As
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