DE19723729A1 - In-situ Bestimmung optischer Schichtkonstanten beim Plasma und Ionenstrahl-unterstützten Ätzen und Beschichten - Google Patents

In-situ Bestimmung optischer Schichtkonstanten beim Plasma und Ionenstrahl-unterstützten Ätzen und Beschichten

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Description

Beschrieben werden ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Bestimmung des Brechungsindex und der Absorptionskonstanten von Materialien die mit Hilfe von Plasmen oder Ionenstrahlen oder anderen elektromagnetische Strahlung emittierende Medien abgeschiedenen oder abgetragenen werden. Das Verfahren bzw. die Vorrichtung beruht darauf, daß das vom Plasma (Ionenstrahl) emittierte und von der Waferoberfläche reflektierte Licht während des Prozesses auf mehreren Wellenlängen gleichzeitig nachgewiesen wird. Aus der Wellenlängenabhängigkeit der aufgrund von Interferenzen entstehenden Modulationsfrequenz kann auf das Wellenlängenverhalten des Brechungsindex geschlossen werden. Aus dem wellenlängenabhängigen Modulationsgrad läßt sich die Absorptionskonstante als Funktion der Wellenlänge ermitteln. Weiter läßt sich die absolute Dicke der bearbeiteten Materialien bestimmen.
Beschreibung
Plasma oder ionenstrahlunterstützte Bearbeitungsvorgänge werden sowohl zum Abtragen von Material als auch zum Auftragen von Material bzw. Beschichten von Halbleiter-, Metall-, Glas-, oder Kunstoffsubstraten verwendet. Die vorstehend genannten Materialien werden im folgenden unter dem Begriff Wafer zusammengefaßt.
Bearbeitungsvorgänge bei denen Material abgetragen wird können beispielsweise "reaktives Ionenätzen" (RIE), Ionenstrahlätzen IBE oder reaktives Ionenstrahlätzen RIBE sein. Vorgänge bei denen Schichten aufgetragen werden sind zum Beispiel, plasmaunterstütztes Beschichten PECVD oder Ionenstrahl-unterstütztes Beschichten.
Eine Kontrolle der Schichteigenschaften ist bei diesen Verfahren von großem Interesse. Insbesondere bei Beschichtungsvorgängen optischer Materialien ist es sehr wichtig die Eigenschaften des aufgetragenen Materials zu messen. Von besonderem Vorteil ist es dabei, wenn die Messung in-situ, d. h. während des Prozesses, erfolgt. Im Falle ungenügender Qualität der Schichten können dann die Prozeßparameter sofort variiert werden. Auf diese Weise ist es möglich sehr schnell einen optimierten Prozeß zu entwickeln. Auf der anderen Seite läßt sich in industriellen Fertigungsverfahren auf diese Weise eine sehr effektive Qualitätskontrolle erzielen.
Gegenwärtig werden zur Bestimmung von Schichteigenschaften wie des Brechungsindex n oder der Absorptionskonstanten α ellipsometrische Verfahren verwendet. Hierbei wird der Wafer mit polarisiertem Licht bestrahlt und das reflektierte Licht hinsichtlich seines Polarisationszustandes vermessen. Mit Hilfe einers relativ komplexen Auswerteverfahrens lassen sich dann die genannten Größen ermitteln.
Obwohl mit Hilfe von Ellipsometern oft sehr genaue Schichtdaten erzielbar sind, sind dem Einsatz in der Praxis jedoch Grenzen gesetzt. Um eine in-situ-Kontrolle zu ermöglichen müssen Lichtsender und Lichtdetektor so an der Beschichtungsanlage angebracht werden, daß Einstrahl und Detektionsrichtung gegenüberliegend unter einem Winkel von etwa 70° bezogen auf die Wafernormale angebracht werden. Das heißt es werden zwei entsprechend genau zueinander justierte Sichtfenster benötigt. Dies ist insbesondere an Fertigungsanlagen oft aus geometrischen Gründen nicht möglich, so daß eine ellipsometrischer Analyse in der Regel erst im Anschluß an den Prozeß erfolgen kann.
Mit dem im folgenden beschriebene Verfahren und Vorrichtung lassen sich erfindungsgemäß n und α ohne Zuhilfenahme externer Lichtquellen bestimmen:
Die o. g. Daten werden aus der Analyse des Intensitätsverhaltens des vom Plasma (Ionenstrahl) emittierten und an der Oberfläche reflektierten Plasmalichtes gewonnen, d. h. es wird nur ein optischer Zugang benötigt. . Der Detektionswinkel ist dabei in einem weiten Bereich von etwa 0° bis etwa 80° variabel.
Das Prinzip des erfindungsgemäßen Verfahrens ist in Abb. 1 skizziert:
Positioniert man einen Detektor an einem Beschichtungs- oder Ätzplasma dergestalt, daß dessen Sichtlinie in einem Winkel ß zur Oberflächennormale positioniert ist, so ist - wie in Ref. 1 beschrieben - das mit Hilfe eines wellenselektiven Elementes (Interferenzfilter, Prisma, Gitter, etc.) monochromatisierte Licht mit einer Frequenz moduliert, aus der sich die Rate (d. h. die Geschwindigkeit) des Materialauftrags bzw. des Materialabtrags bestimmen läßt. Verändert sich die Dicke einer dem Plasma (Ionenstrahl) ausgesetzten Schicht mit Brechungsindex n (Brechungsindizes der angrenzenden Medien n' und n'' ergibt sich die Rate R nach folgender Formel
R = (λ/2T) (n2-sin2β)-0.5 (1)
mit λ = Wellenlänge, T-1 = Frequenz des modulierten Signals, β = Beobachtungswinkel.
Zur Beschreibung dieses Verfahrens s. "F. Heinrich, Deutsches Patent Nr. 39 10 49 (1990)"
Bestimmung des wellenlängenabhängigen Brechungsindex
Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen den wellenlängenabhängigen Brechungsindex (Dispersion) aus der in Abb. 1 gezeigten prinzipiellen Anordnung zu bestimmen:
Dazu wird das vom Plasma emittierte Licht nicht nur auf einer Wellenlänge, sondern auf mehreren Wellenlängen gleichzeitig nachgewiesen.
Ein möglicher Meßaufbau ist in Abb. 2 gezeigt:
Das Plasmalicht wird mit Hilfe eines Lichtleitfaserbündels, dem optional eine Optik (zur Abbildung oder Reduktion des Detektionswinkelbereichs) vorgeschaltet werden kann unter einem Winkel von β = 0° nachgewiesen. Auf der Detektorseite wird das Faserbündel in mehrere Teilbündel (Anzahl z) aufgesplittet. Das aus den Teilbündeln austretende Licht wird mit Hilfe von optischen Filtern (z. B. Interferenzfiltern, Gitterspektrografen, Prismenspektrografen oder anderen welenselektiven Elementen) monochromatisiert und in getrennten Detektoren (z. B. Photomultipliern, Photodioden, CCD-Zeilen oder anderen Lichtdetektoren) gleichzeitig oder in schneller zeitlicher Folge (quasigleichzeitig) nachgewiesen.
Damit erhält man eine Anzahl von z unter verschiedenen Wellenlängen aufgenommenen Interferenzsignalen. Ist der im Sichtfeld des Faserbündels befindliche Oberflächenbereich hinreichend klein, kann die Auf- bzw. Abtragsrate als konstant angesehen werden und man erhält
R = λ1/(2n1T1) = λ2/(2n2T2) = . . . = λZ/(2nZTZ) (2)
Damit läßt sich bei Bestimmung von T bzw. 1/T das Verhältnis n1 : n2 : n3 : . . . nz nachweisen und damit die relative Dispersionsbeziehung nrel(λ). Das gilt analog auch wenn unter einem bekannten Winkel β ungleich 0° nachgewiesen wird (s. Formel (1)).
Ein Ausführungsbeispiel ist in den Abb. 3a)-b) dargestellt. Die in Abb. 3a) dargestellten Meßkurven wurden während des Abtragens (Ätzen) einer poly- Si-Schicht über einem oxidierten Siliziumsubstrat aufgezeichnet. Die Messungen wurden mit einem Meßaufbau wie in Abb. 2 gezeigt, wobei die Wellenlängenselektion mit Hilfe von 4 Interferenzfiltern mit Transmissionsmaxima bei Wellenlängen von 390, 420, 450 und 520 nm durchgeführt wurde (Bandbreite transmittierten Strahlung etwa 10 nm). Als Lichtdetektoren dienten hier 4 unabhängige Photomultiplier.
Der aus den Interferenzkurven ermittelte relative Brechungsindexverlauf ist in Abb. 3b dargestellt wobei der Brechungsindex bei 520 nm willkürlich auf 1 gesetzt wurde.
Aus den in Abb. 3b dargestellten relativen Brechungsindizes lassen sich die absoluten Werte n(λ) ermitteln, wenn der absolute Wert von n für eine Wellenlänge bekannt ist z. B. aus einer nachträglichen ellipsometrischen Bestimmung.
Eine Bestimmung des absoluten Wertes von n ist auch möglich, wenn beim Ätzen die Anfangsdicke bzw. beim Beschichten die erreichte Dicke und die Prozeßzeit bekannt sind. In dem in Abb. 3a) gezeigten Beispiel läßt sich die Prozeßzeit aus den Emissionssignalen ermitteln, nämlich durch die Zeit zwischen Plasmastart ts und der Zeit to bei der die Oxidschicht erreicht ist.
Die Rate läßt sich ermitteln aus
R = d/(to - ts) (3)
Aus einer Kombination von Gl. (2) und (3) ergeben sich die absoluten Brechungsindizes.
Eine Besonderheit bei sehr großen Beobachtungswinkeln besteht darin, das aufgrund von Polarisationseffekten der Grundschwingung (charakterisiert durch T-1) eine höhere harmonische Schwingung überlagert ist. Wird dieser - bei "Angell et al., Appl. Phys. Lett. 58 (3), 240 (1991)'' beschriebene Effekt berücksichtigt, läßt sich in analoger Weise wie oben beschrieben auch hier der wellenlängenabhängige Brechungsindex ermitteln.
Das Verfahren läßt sich in analoger Weise auch auf Vielfachschichtaufbauten übertragen.
Bestimmung der wellenlängenabhängigen Absorption
Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen den wellenlängenabhängigen Absorptionskoeffizienten aus der in Abb. 1 gezeigten prinzipiellen Anordnung zu bestimmen:
Wie man an den Messungen in Abb. 3a) sieht, nimmt die Modulationsamplitude im Verlaufe des Prozesses zu, ein Effekt, der bei den kürzeren Wellenlängen besonders ausgeprägt ist. Dies liegt daran, das die poly-Si Schicht ein wellenlängenabhängiges Absorptionsverhalten zeigt: Für die Gesamtreflektivität einer Einfachschicht gelten die Frenelschen Formeln (wobei hier der Einfachheit halber Polarisationseffekte und Mehrfachreflektionen vernachlässigt wurden)
R = (r1 2 + r2 2 + 2r1r2cosx)(1 + r1 2r2 2 + 2r1r2cosx)-1 (4)
mit r1 = (n - n')(n + n')-1 und r2 (α = 0) = (n'' - n)(n + n')-1
und x = 4πnd/λ
Mit Absorption ist r2 gedämpft entsprechend
r2 = r2 (α = 0) e-αd (5)
(Diese Beziehungen sind in einschlägigen Optiklehrbüchern zu finden.)
Durch Vergleich von (4) und (5) ergibt sich, daß für α ungleich 0 der Modulationsgrad mit abnehmender Schichtdicke zunehmen muß, wie es auch an den Messungen in Abb. 3a) beobachtet wird wobei offensichtlich die Stärke der Dämpfung, d. h. α, mit abnehmender Wellenlänge zunimmt. Durch einen Vergleich der Meßkurven mit den Beziehungen (4) und (5) - z. B. durch ein Fitverfahren oder unter Zuhilfenahme einer Fourieranalyse - läßt sich somit erfindungsgemäß α (λ) bestimmen. Für eine relative Bestimmung des Kurvenverlaufes α (λ) spielt dabei die Beobachtungsgeometrie keine Rolle.
Sollen die Absolutwerte von α (λ) bestimmt werden, ist zu berücksichtigen, daß die gemessene Intensität I auch Anteile enthält, die direkt in den Detektor fallen, d. h. ohne vorherige Reflektion am Wafer. Für parallelen Lichteinfall gilt z. B. I = Io(1+R) wobei Io die Intensität bei R = 0, d. h. ohne reflektierende Schicht angibt.
Sinngemäß läßt sich dies Verfahren auch für Vielfachschichtaufbauten oder für große Beobachtungswinkel, bei denen Polarisationseffekte eine Rolle spielen anwenden.
Normierung der Plasmaintensität
Bei den in Abb. 3a) gezeigten Meßkurven war die Gesamtintensität des Plasmas über den gesamten Prozeß näherungsweise konstant. Dies ist nicht immer der Fall. In einigen Fällen ändert sich aufgrund von chemischen Vorgängen im Plasma, wie z. B. Beschichtung der Kammerwände, die abgestrahlte Intensität des Plasmas. Diese Drift in den Plasmaintensitäten ist den Meßkurven überlagert. Hier kann es von Vorteil sein diese Drift der Plasmaemission mitzumessen und die Kurven darauf zu normieren.
Es wird daher vorgeschlagen in diesem Fall einen gegenüber Abb. 1 u. 2 modifizierten Meßaufbau zu verwenden, dergestalt, daß - zusätzlich zu dem gezeigten Ensemble von z Lichtdetektoren die in einem Sichtwinkel aufgestellt wird, der Plasma und Waferoberfläche umfaßt - eine weiterer set von Detektoren verwendet wird, der nur die Plasmaemission aufzeichnet. Das heißt diese Detektoren haben keine Sicht auf die Waferoberfläche. Ein möglicher Meßaufbau ist in Abb. 4 gezeigt. Durch eine Normierung der Intensitäten können so störende Plasmadrifts herausgerechnet werden. Vergleiche Abb. 5. In Abb. 5 wurde dieser Effekt an einem Polysiliziumprozeß an einer Plasmaätzanlage demonstriert.
Der Meßaufbau ähnelt dem in Abb. 4 gezeigten Aufbau. Hier wurden aber nur zwei Lichtdetektoren verwendet, die beide mit demselben Wellenlängenfilter ausgestattet sind. Die mit 1 bezeichnete Kurve wurde unter einem Blickwinkel von 90° zur Waferoberfläche aufgezeichnet (wafer nicht im Blickfeld). Man sieht, daß die Plasmaemission nach dem Einschalten (Zeitpunkt ts = Prozeßstart) zunächst stark schwankt und dann in eine kontinuierliche Drift übergeht. Kurz vor Ende des Schichtabtrags (Zeitpunkt to) kommt es zu einem starken Einbruch der Intensitäten und einem Wiederanstieg nach to. Die mit 2 bezeichnete Kurve wurde unter 0° Sichtwinkel zur Wafernormalen aufgezeichnet (Wafer im Blickfeld). Die in 1 demonstrierte Intensitätsschankung des Plasmalichtes ist natürlich den Interferenzkurven 2 überlagert, was eine Auswertung dieser Kurven insbesondere am Prozeßstart und in der Nähe des Prozeßendes erschwert. Durch eine Normierung von Kurve 2 auf Kurve 1, d. h. punktweise Division der Intensitäten, läßt sich diese Schwankung weitgehend herausrechnen. Zur Demonstration dieses Effekts ist die normierte Kurve 3 gezeigt. Kurve 3 ist für eine Auswertung der Schichtparameter wesentlich besser geeignet als Kurve 2 allein.
Bestimmung der absoluten Schichtdicke
Mit diesem Aufbau läßt sich auch die Ätzratenbestimmung bzw. die Bestimmung der Beschichtungsraten verbessern.
Insbesondere erlaubt es die in Abb. 4 gezeigte Anordnung zu jedem Zeitpunkt des Prozesses die absolute Schichtdicke zu messen, was sich mit Hilfe des in "F. Heinrich, Deutsches Patent Nr. 39 10 49 (1990)'' beschriebenen Verfahrens nicht realisieren läßt.
Es wird daher erfindungsgemäß vorgeschlagen, die in Abb. 4 gezeigte Anordnung - oder eine wirkungsgleiche Anordnung von zwei unabhängigen (vorzugsweise gleichartigen) Sets von Lichtdetektoren wobei ein Set Plasma und Wafer (detektierte Intensität I2(λ)) und der andere Set nur das Plasma im Blickfeld hat (Intensität I1(λ)) - auch zur absoluten Schichtdickenbestimmung heranzuziehen. In diesem Fall ist es von Vorteil, wenn die Intensitäten einen Wellenlängenbereich lückenlos (kontinuierlich) oder quasikontinuierlich nachgewiesen werden. Das normierte durch punktweise Division ermittelte Spektrum
I3(λ) = I2(λ)/I1(λ) (6)
weist dann entsprechend der momentanen Schichtdicke eine charakteristische Modulation auf, die - da alle Plasmaschwankungen herausnormiert wurden - nach den Standard-Verfahren der Weißlichtinterferometrie (Reflektometrie) - ausgewertet werden kann. Der Vorteil des hier vorgeschlagenen Verfahrens gegenüber herkömmlicher Weißlichtinterferometrie besteht darin, daß keine externe Lichtquelle erforderlich ist. Darüberhinaus steht in der Regel mit dem Plasma ein wesentlich größerer Spektralbereich zur Verfügung, der vom tiefen UV bis ins IR reicht. Dazu ist bei herkömmlichen Verfahren der Einsatz mehrerer Lichtquellen mit unterschiedlicher Strahlungscharakteristik erforderlich.
Technisch kann das Verfahren zur absoluten Schichtdickenbestimmung z. B. realisiert werden, das die Spektren I2(λ) und I1(λ) mit Hilfe eines Spektrographen (z. B. Gitterspektrograph) mit nachgeschaltetem Diodenarrays, CCD-Arrays, Vielkanalphotomultipliern, oder Arrays aus anderen lichtempfindlichen Elementen nachgewiesen werden.
Die Raten R des Schichtdickenauf- oder Abtrags lassen sich dann mit gegenüber Gl. 1 wesentlich verbesserter zeitlicher Auflösung bestimmen. Für die Rate R ergibt sich einfach
R = (d1-d2)(T1-T2) (7)
wobei d1 und d2 die zu den Zeitpunkten T1 bzw. T2 ermittelten Dicken bezeichnen wobei die Zeitdifferenz von zwei aufeinanderfolgenden Meßpunkten im wesentlichen von der Geschwindigkeit der Datenaufnahme bestimmt ist.
Die absolute Schichtdicke läßt sich bei verringerter Genauigkeit und Zeitauflösung auch anhand eines Satzes von diskontinuierlichen Interferenzkurven analog zu den in Abb. 3a) aufgenommenen Kurven ermitteln. Dies kann durch Ermittlung der relativen Phasenlagen bei unterschiedlichen Wellenlängen - z. B. mit Hilfe einer Fourieranalyse - erfolgen. Eine Normierung ist auch in diesem Falle von Vorteil.
Es sollte abschließend noch einmal betont werden, daß alle hier beschriebenen erfindungsgemäßen Verfahren sich sowohl beim Auftragen als auch beim Abtragen von Schichten einsetzen lassen, sofern lichtemittierende Medien wie z. B. Plasmen oder Ionenstrahlen zur Prozeßführung verwendet werden. Der Begriff Licht wurde hier in einer sehr verallgemeinernden Weise verwendet. Er bedeutet keineswegs eine Beschränkung auf den sichtbaren Spektralbereich sondern umfaßt durchaus auch den tiefen ultravioletten (UV) und infraroten Bereich (IR). Eine Ausweitung der beschriebenen Verfahren auf weitere Bereiche des elektromagnetischen Spektrums ist in Einzelfällen durchaus möglich.
Die oben beschriebenen Verfahren funktionieren in analoger Weise, wenn die vom Wafer selbst abgestrahlte elektromagnetische Strahlung auf die oben beschriebene Weise gemessen und ausgewertet wird.

Claims (14)

1. Verfahren zur Bestimmung des wellenlängigen Brechungsindexes, der Absorptioncharakteristik , der absoluten Dicke und der Aufwachs- oder Abtragsrate während des Aufwachsens oder Abtragens einer Schicht auf einem Substrat, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bestimmung der obigen optischen Eigenschaften die Lichtintensität des zur Bearbeitung benutzten Mediums nach Wellenlängen selektiert wird und auf mehreren Wellenlängen gleichzeitig oder in rascher zeitlicher Folge (quasigleichzeitig) detektiert wird, wobei zumindest bei einer der Wellenlängen Sichtkontakt zum Wafer besteht, so daß ein Teil der detektierten Intensität an der Schicht und dem darunterliegenden Substrat aufgrund von Interferenzerscheinungen moduliert ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei dem lichtemittierenden Medium um ein Plasma oder einen Ionenstrahl handelt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, daß die Modulationsfrequenz mit Hilfe eines adequaten Verfahrens auf mehreren Wellenlängen ermittelt wird - wobei vorausgesetzt wird, daß die Rate R für alle Wellenlängen gleich ist - und daraus der wellenlängenabhängige Brechungsindexverlauf ermittelt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, daß die mit Blick auf den Wafer aufgezeichneten Emissionsintensitäten auf die vom emittierenden Medium abgestrahlte Lichtintensität normiert werden, wobei die zur Normierung herangezogene Intensität so gemessen wurde, daß ein gewisser Bereich des Plasmas auf der Sichtlinie des Detektors liegt, nicht aber der Wafer.
5. Verfahren nach Anspruch 4 dadurch gekennzeichnet, daß die Modulationsfrequenz der normierten Emissionsintensitäten mit Hilfe eines adequaten Verfahrens auf mehreren Wellenlängen ermittelt wird und daraus der wellenlängenabhängige Brechungsindexverlauf ermittelt wird.
6. Verfahren nach 4 dadurch gekennzeichnet, daß aus der Frequenz der normierten Emissionsintensität die Rate des Schichtauf- oder Abtrags bestimmt wird sofern der Brechungsindex bekannt ist.
7. Verfahren nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, daß zur Bestimmung der wellenlängenabhängigen Absorption der Modulationsgrad der Emissionsintensitäten ausgewertet wird.
8. Verfahren nach Anspruch 4 dadurch gekennzeichnet, daß zur Bestimmung der wellenlängenabhängigen Absorption der Modulationsgrad der normierten Emissionsintensitäten ausgewertet wird.
9. Verfahren nach Anspruch 4 dadurch gekennzeichnet, daß zur Bestimmung der absoluten momentanten Dicke der bearbeiteten Schicht ein kontinuierliches bzw. quasikontinuierliches normiertes Spektrum von Lichtintensitäten des zur Bearbeitung benutzten Mediums aufgezeichnet wird und nach bekannten Verfahren der Weißlichtinterferometrie bzw. Reflektometrie ausgewertet wird.
10. Verfahren nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, daß die Phasenbeziehung der bei unterschiedlichen diskreten Wellenlängen ausgewerteten Interferenzsignale bestimmt wird und daraus die absolute Schichtdicke bestimmt wird.
11. Verfahren nach Anspruch 4 dadurch gekennzeichnet, daß die Phasenbeziehung der bei unterschiedlichen diskreten Wellenlängen ausgewerteten normierten Interferenzsignale bestimmt wird und daraus die absolute Schichtdicke bestimmt wird.
12. Verfahren nach den Ansprüchen 9-11 dadurch gekennzeichnet, das aus den ermittelten absoluten Schichtdicken und den zugehörigen Zeitpunkten die Rate des Schichtauf- bzw. Abtrags ermittelt wird.
13. Meßanordnung nach Anspruch 1 dadurch ausgezeichnet, daß zur Wellenlängenselektion Interferenzfilter mit nachgeschalteten Lichtdetektoren, wie Photomultipliern, Dioden, CCD-Arrays oder anderen Lichtdetektoren verwendet werden, wobei die Lichtleitung vom Prozeßmedium zum Photomultiplier über, auf der Detektorseite in Teilbündel aufgespaltene, Lichtleitfaserbündel erfolgt.
14. Meßanordnung nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, daß zur Wellenlängenselektion ein Gitter- oder Prismenspektrograph verwendet wird und zur Detektion eine Anordnung von Lichtdetektoren, wie Mehrkanalphotomultiplier, Dioden-, oder CCD-Arrays oder andere lichtempfindliche Detektoren verwendet werden.
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