DE19723334A1 - Drucksensor - Google Patents
DrucksensorInfo
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
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Description
Die Erfindung betrifft einen Drucksensor mit den im
Oberbegriff des Anspruchs 1 genannten Merkmalen.
Drucksensoren der gattungsgemäßen Art sind bekannt.
Diese besitzen einen plättchenartigen Grundkörper, in
den von einer Seite mittels Verfahren der Herstellung
von Strukturen in Bulkmikromechanik eine Vertiefung
eingebracht wird. Die Vertiefung wird so weit voran
getrieben, daß an der entgegengesetzten Seite der
Vertiefung eine dünne Membran verbleibt, die die Ver
tiefung quasi überspannt. Der Grundkörper besteht üb
licherweise aus Silizium, so daß die Vertiefung mit
tels eines Ätzprozesses erzielt werden kann. Hierbei
ergeben sich entlang der 111-Kristallebene des Sili
ziums schräge Kanten, so daß eine trichterförmige Er
weiterung der Vertiefung - aus Richtung der Membran
betrachtet - erfolgt.
An der der Membran abgewandten Seite des Grundkörpers
wird die Ausnehmung von einem Randbereich umschlos
sen, der der späteren druckdichten Befestigung des
Drucksensors an einem Sensorelement dient. Die ge
samte Größe des Drucksensors wird demnach durch den
die Ausnehmung umgebenden Rand, die Größe der Membran
und die trichterförmige Erweiterung der Ausnehmung
bestimmt. Für eine zuverlässige Funktion des Druck
sensors während seines bestimmungsgemäßen Einsatzes
sind bestimmte Mindestgrößen für die Membran und den
die Ausnehmung umgebenden Randbereich vorgegeben, die
mittels der bekannten Herstellungstechniken eingehal
ten werden. Nachteilig bei den bekannten Drucksen
soren ist, daß die trichterförmige Erweiterung der
Ausnehmung zu einer zusätzlichen Vergrößerung des
Drucksensors führt, die an sich funktionell nicht
notwendig ist.
Der erfindungsgemäße Drucksensor mit den im Anspruch
1 genannten Merkmalen bietet demgegenüber den Vor
teil, daß seine Baugröße trotz Einhaltung der Min
destmaße für die Membran und den die Ausnehmung um
gebenden Randbereich minimiert werden kann. Dadurch,
daß die Ausnehmung durch anisotropes Atzen des Grund
körpers über eine definierte Ätzkante erfolgt, so daß
sich die Vertiefung in Richtung der Membran zunächst
über eine Größe der Membran erweitert und dann die
Größe der Membran annimmt, ist es vorteilhaft mög
lich, die effektive, auf die Grundfläche des Grund
körpers projizierte Länge der Erweiterung der Ver
tiefung zu minimieren. Hierdurch ergibt sich insge
samt eine Verkürzung der Baulänge (Kantenlänge) des
Grundkörpers, so daß der Drucksensor insgesamt klei
ner ausgebildet werden kann. Neben den hiermit ver
bundenen Material- und Gewichtseinsparungen sowie
Kostenvorteilen, ergeben sich verbesserte Einsatzbe
dingungen bei einer Notwendigkeit des Einsatzes be
sonders kleiner Drucksensoren.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben
sich aus den in den Unteransprüchen genannten Merk
malen.
Die Erfindung wird nachfolgend in einem Ausführungs
beispiel anhand der zugehörigen Zeichnungen näher er
läutert. Es zeigen:
Fig. 1 bis Fig. 3 Verfahrensschritte zur Herstellung
des erfindungsgemäßen Drucksensors
und
Fig. 4 und 5 den erfindungsgemäßen Drucksensor
aufweisende Sensorelemente.
In Fig. 1 ist ein Grundkörper 10 gezeigt, der als
Ausgangsobjekt für die Herstellung eines nachfolgend
mit 12 bezeichneten Drucksensors dient. Der Grundkör
per 10 besteht aus einem quaderförmigen Silizium
plättchen mit bestimmten Kantenlängen in der Breite,
in der Tiefe und in der Höhe. Bei der nachfolgenden
Beschreibung wird davon ausgegangen, daß die Herstel
lung des Drucksensors 12 mittels eines Grundkörpers 10
erfolgt. Die kristallographische Ausrichtung ist
die 100-Richtung, das heißt, ein Vector senkrecht zur
Oberfläche ist parallel zu der 100-Richtung.
Nach weiteren Ausführungsbeispielen kann die Herstel
lung der Drucksensoren 10 auch in einer Nutzenferti
gung erfolgen, das heißt, nach Strukturierung der
Drucksensoren 10 wird ein großer Wafer zu den einzel
nen Drucksensoren vereinzelt.
An einer Unterseite 14 des Grundkörpers 10 wird eine
wannenförmige Hilfsvertiefung 16 eingebracht (Fig.
2). Die Hilfsvertiefung 16 kann beispielsweise mit
tels eines Trockenätzprozesses anisotrop eingeätzt
werden. Hierzu wird die Unterseite 14 mit einer Mas
kierung versehen. Die Maskierung kann beispielsweise
eine dielektrische Schicht aus einem Oxid, einem
Nitrid oder einer Kombination hiervon sein. Anschlie
ßend kann die dielektrische Schicht mit einem Photo
lack strukturiert werden, so daß die dielektrische
Schicht im Bereich der späteren Hilfsvertiefung ent
fernt werden kann. Durch die sich hierdurch ergebende
Maskenöffnung wird die Hilfsvertiefung 16 anisotrop
eingeätzt. Hierbei ergibt sich die Hilfsvertiefung 16
mit einer Tiefe d3 und zur Unterseite 14 senkrechten
oder nahezu senkrechten Seitenwänden. Durch das Ein
bringen der Hilfsvertiefung 16 entsteht eine um
laufende, definierte Kante 18. Für die weitere Struk
turierung des Grundkörpers 10 kann die dielektrische
Schicht auf der Unterseite 14 verbleiben, so daß
diese gleichzeitig einen Schutz der Oberfläche wäh
rend des nachfolgenden anisotropen Naßätzschrittes
bildet. Die auf der dielektrischen Schicht aufge
brachte Photolackschicht wird vor dem nachfolgenden
Naßätzschritt entfernt.
Der Grundkörper 10 wird anschließend von der Unter
seite 14 einem anisotropen Naßätzschritt unterworfen.
Durch den Naßätzschritt, der beispielsweise mit einer
Laugenlösung (KOH, TMAH) durchgeführt wird, wird die
Oberfläche des aus Silizium bestehenden Grundkörpers
10 angegriffen und abgetragen. Hierbei stellen sich
die bekannten anisotropen Ätzratenverhältnisse im
Silizium ein (zum Beispiel: 111/100-Rate ≈ 1 : 20 bis
1 : 100). Hierdurch bilden sich unter einem bestimmten
Winkel schräg verlaufende Ätzflächen (111-Ebenen)
aus. Gemäß dem in Fig. 3 gezeigten Querschnitt durch
den Grundkörper 10 erfolgt der anisotrope Naßätz
angriff so lange, bis eine die entstehende Ausnehmung
20 überspannende Membran 22 mit einer Dicke d2 ver
bleibt. Infolge der vorab eingebrachten Ätzver
tiefungen 16 erhält die Ausnehmung 20 in bezug auf
die umlaufende Kante 18 einen Hinterschnitt 28. Ent
sprechend der mittels der Hilfsvertiefung 16 einge
stellten Tiefe d3 ergibt sich der Verlauf der Ebenen
24 und 26 mit der Tiefe d4. Die Größe des Hinter
schnitts 28 ist gegeben durch die Größe d4, die wie
derum zirka 1/2 so groß ist wie d3, (in den Fig. 2
und 3 erfolgte keine maßstäbliche Wiedergabe).
Durch die Ausbildung des Hinterschnitts 28 der Aus
nehmung 20 ergibt sich, daß die Ausnehmung 20 ein
relativ großes Volumen aufweist, das als Referenz
volumen für einen auf die Membran 22 einwirkenden
Druck dient. Gleichzeitig ist die der Membran 22 ab
gewandte Öffnung 30 nur geringfügig größer als die
Membran 22, so daß ein die Öffnung 30 umgebender
Randbereich 32 an der Unterseite 14 relativ groß aus
gebildet sein kann.
In der Fig. 3a ist der Drucksensor 12 gemäß Fig. 3
nochmals dargestellt, wobei hier auf die Größenver
hältnisse detaillierter eingegangen werden soll.
Aus Gründen der Übersichtlichkeit sind in Fig. 3a
die einzelnen Bezugszeichen weggelassen.
Die Kantenlänge l des Drucksensors 12 ergibt sich
nach der Formel:
l = a + b' + c + b' + a.
Da der Drucksensor 12 symmetrisch aufgebaut ist, sind
die Strecken jeweils nur einmal in Fig. 3a eingetra
gen. Zusammengefaßt gilt für die Länge:
l = 2a + 2b' + c.
Die Länge a entspricht dem Randbereich 32 um die
Öffnung 30 und gibt die zur Verfügung stehende Ver
bindungsfläche des Drucksensors 12 mit einem Träger
34 (Fig. 4) zu einem Sensorelement 36 vor. Da die
Verbindung zwischen dem Drucksensor 12 und dem Träger
34 druckdicht ausgeführt sein muß, beträgt die Länge
a typisch 300-400 µm. Die Länge c entspricht der Grö
ße der Membran 22 und ist durch den Nenndruckbereich
des Drucksensors 12 festgelegt. Bei einer Dicke der
Membran 22 d2 von 18 µm beträgt die Membrangröße für
einen 1 bar-Drucksensor 12 zum Beispiel c = 1000 µm.
Es ist also klar, daß die Mindestgrößen für die Länge
a und die Länge c durch den Einsatz des Drucksensors
12 vorgegeben sind. Weiter geht die Länge b' in die
Gesamtkantenlänge l des Drucksensors 12 ein.
Zur Verdeutlichung gegenüber dem Stand der Technik
ist in der rechten Seite der Abb. 3a die Ebene
24 in Richtung der Unterseite 14 in einer gestrichel
ten Linie verlängert dargestellt. Beim Stand der
Technik, also ohne den Hinterschnitt 28, wäre die
Öffnung 30 nicht durch die Kante 18 bestimmt, sondern
durch den Schnittpunkt der Ebene 24 mit der Unter
seite 14 des Drucksensors 12. Hierdurch wäre die
Länge b, die der in die Unterseite 14 projizierten
Ebene 24 entspricht, größer als die Länge b' bei
einer Ausnehmung 20 mit Hinterschnitt 28 (linke Dar
stellung Fig. 3a). Durch diese vergrößerte Länge b
verschiebt sich die Länge a' um den entsprechenden
Betrag b-b' nach außen. Da für die Länge a bezie
hungsweise a' eine Mindestlänge von beispielsweise
größer 300 µm erforderlich ist, ist die Kantenlänge l
entsprechend größer. Mit der größeren Kantenlänge l
baut auch gleichzeitig der Drucksensor 12 entspre
chend größer.
Nachfolgend soll der Flächengewinn durch die Aus
bildung des Hinterschnitts 28 für den Drucksensor 12
verdeutlicht werden. Der erfindungsgemäße Drucksensor 12
besitzt die Kantenlänge l und der Drucksensor ge
mäß dem Stand der Technik die Kantenlänge l'.
Da gilt:
l' = 2a' + 2b + c und l = 2a + 2b' + c, wobei a' = a ist,
folgt:
Δl = l'-l = 2(b-b').
Für b' gilt:
b'= b-2f, wobei
ist.
Es wird ohne weiteres deutlich, daß durch eine Ver
ringerung der Länge b zu der Länge b' und gleich
bleibender Länge a und c sich die Kantenlänge l' zu
der Kantenlänge l verringert. Da für die Fläche des
Drucksensors 12 gilt: F = l.l beziehungsweise beim
Stand der Technik: F' = l'.l', fällt die Fläche des
Drucksensors 12 bei Hinterschnitt 28 entsprechend ge
ringer aus. Somit wird insgesamt weniger Grundfläche
eines Wafers zur Strukturierung des Drucksensors 12
benötigt. Der Drucksensor 12 selber weist hierdurch
eine reduzierte Baugröße auf.
Anhand Fig. 4 wird die Komplettierung eines Sensor
elementes 36 mit dem Drucksensor 12 verdeutlicht. Der
Drucksensor 12 ist auf einem Träger 34 aufgebracht,
wobei aufgrund der verringerten Kantenlänge l des
Drucksensors 12 der Träger 34 ebenfalls entsprechend
reduziert werden kann. Insgesamt wird damit der benö
tigte Einbauraum für den Drucksensor 36 verringert.
Der Träger 34 kann beispielsweise eine Durchgangs
öffnung 38 aufweisen, die eine Verbindung zu der von
der Membran 22 überspannten Ausnehmung 20 herstellt,
so daß eine Relativdruckmessung mit dem Drucksensor
12 möglich ist. Ohne die Verbindung 38 wäre die Aus
nehmung 20 ein abgeschlossener Hohlraum, der eine
Absolutdruckmessung mit dem Drucksensor 12 gestattet.
In Fig. 4 ist angedeutet, daß der Drucksensor 12 im
Bereich der Membran 22 Piezowiderstände 40 aufweist,
die bei einer mechanischen Auslenkung der Membran 22
ihren Widerstand ändern. Diese Widerstandsänderung
der Piezowiderstände 40 kann über hier angedeutete
Anschlußpads 42 und innerhalb des Drucksensors 12
strukturierte Leiterbahnen 44 abgegriffen und ausge
wertet werden. Die Strukturierung der Piezowider
stände 40, der Anschlußpads 42 und der Leiterbahnen
44 kann entweder vor der Herstellung der Ausnehmung
20 oder danach erfolgen.
In der Fig. 5 ist eine weitere Ausführungsvariante
eines Sensorelementes 36 gezeigt. Hier ist der Träger
34 von einem dünnen Glas mit einer Dicke von bei
spielsweise 1 mm gebildet. Die Ausnehmung 20 bildet
somit einen abgeschlossenen Hohlraum, der eine Druck
messung von auf die Membran 22 von - in der Darstel
lung - oben einwirkende Drücke gestattet. Auch hier
läßt sich durch die gefundene Bauform des Drucksen
sors 12 eine Flächenreduzierung erreichen.
Claims (7)
1. Drucksensor mit einem Grundkörper, der eine über
einer Ausnehmung angeordnete Membran aufweist, wobei
die Membran durch rückwärtiges Strukturieren der Aus
nehmung in dem Grundkörper erhalten wird, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Ausnehmung (20) einen Hinter
schnitt (28) aufweist.
2. Drucksensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß die Ausnehmung (20) durch anisotropes Ätzen
des Grundkörpers (10) über eine definierte Ätzkante
(18) erfolgt.
3. Drucksensor nach einem der vorhergehenden Ansprü
che, dadurch gekennzeichnet, daß die Ätzkante (18)
die maximale Öffnungsweite (30) der Ausnehmung (20)
an der der Membran (22) abgewandten Seite (14) des
Grundkörpers (10) vorgibt.
4. Drucksensor nach einem der vorhergehenden Ansprü
che, dadurch gekennzeichnet, daß die Ätzflanke (18)
mittels einer Hilfsvertiefung (16) in den Grundkörper
(10) definiert wird.
5. Drucksensor nach Anspruch 4, dadurch gekennzeich
net, daß die Hilfsvertiefung (16) durch ein
anisotropes Ätzverfahren, das annähernd senkrecht zur
Waferoberfläche (14) verlaufende Ätzflanken erzeugt,
erhalten wird.
6. Drucksensor nach Anspruch 4, dadurch gekennzeich
net, daß das Ätzverfahren ein Trockenätzverfahren
ist.
7. Drucksensor nach einem der vorhergehenden Ansprü
che, dadurch gekennzeichnet, daß über eine Tiefe (d3)
der Hilfsvertiefung (16) die Größe des Hinterschnitts
(28) eingestellt wird.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1997123334 DE19723334A1 (de) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | Drucksensor |
JP15623698A JPH1114481A (ja) | 1997-06-04 | 1998-06-04 | 圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1997123334 DE19723334A1 (de) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | Drucksensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19723334A1 true DE19723334A1 (de) | 1998-12-10 |
Family
ID=7831327
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1997123334 Withdrawn DE19723334A1 (de) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | Drucksensor |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1114481A (de) |
DE (1) | DE19723334A1 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102017122264A1 (de) | 2017-09-26 | 2019-03-28 | CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH | Drucksensorchip und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE102018105869A1 (de) * | 2018-03-14 | 2019-09-19 | Endress+Hauser SE+Co. KG | Verfahren zum Herstellen eines halbleiterbasierten Drucksensors mit einer aus einem Substrat geätzten Messmembran |
DE102018105868A1 (de) * | 2018-03-14 | 2019-09-19 | Endress+Hauser SE+Co. KG | Verfahren zum Herstellen eines halbleiterbasierten Drucksensors |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015141107A (ja) * | 2014-01-29 | 2015-08-03 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、物理量センサーの製造方法、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 |
-
1997
- 1997-06-04 DE DE1997123334 patent/DE19723334A1/de not_active Withdrawn
-
1998
- 1998-06-04 JP JP15623698A patent/JPH1114481A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102017122264A1 (de) | 2017-09-26 | 2019-03-28 | CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH | Drucksensorchip und Verfahren zu seiner Herstellung |
WO2019063404A1 (de) | 2017-09-26 | 2019-04-04 | CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH | Drucksensorchip und verfahren zu seiner herstellung |
DE102018105869A1 (de) * | 2018-03-14 | 2019-09-19 | Endress+Hauser SE+Co. KG | Verfahren zum Herstellen eines halbleiterbasierten Drucksensors mit einer aus einem Substrat geätzten Messmembran |
DE102018105868A1 (de) * | 2018-03-14 | 2019-09-19 | Endress+Hauser SE+Co. KG | Verfahren zum Herstellen eines halbleiterbasierten Drucksensors |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1114481A (ja) | 1999-01-22 |
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Legal Events
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8141 | Disposal/no request for examination |