JPH1114481A - 圧力センサ - Google Patents
圧力センサInfo
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- JPH1114481A JPH1114481A JP15623698A JP15623698A JPH1114481A JP H1114481 A JPH1114481 A JP H1114481A JP 15623698 A JP15623698 A JP 15623698A JP 15623698 A JP15623698 A JP 15623698A JP H1114481 A JPH1114481 A JP H1114481A
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- notch
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- diaphragm
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 圧力センサであって、圧力センサの基礎
部材が切欠き上に配置されたダイヤフラムを有してお
り、ダイヤフラムが基礎部材の切欠きを後方の構造化に
よって形成される形式のものにおいて、切欠き２０がア
ンダーカット部２８を有している。 【効果】ダイヤフラム及び、切欠きを取り囲む縁部領域
の最小寸法を維持して、圧力センサの構成寸法を最小限
にできる。
部材が切欠き上に配置されたダイヤフラムを有してお
り、ダイヤフラムが基礎部材の切欠きを後方の構造化に
よって形成される形式のものにおいて、切欠き２０がア
ンダーカット部２８を有している。 【効果】ダイヤフラム及び、切欠きを取り囲む縁部領域
の最小寸法を維持して、圧力センサの構成寸法を最小限
にできる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧力センサであっ
て、圧力センサの基礎部材が切欠き上に配置されたダイ
ヤフラムを有しており、ダイヤフラムが基礎部材の切欠
きの後方の構造化によって形成されている形式のものに
関する。
て、圧力センサの基礎部材が切欠き上に配置されたダイ
ヤフラムを有しており、ダイヤフラムが基礎部材の切欠
きの後方の構造化によって形成されている形式のものに
関する。
【０００２】
【従来の技術】前記形式の圧力センサは、公知である。
該圧力センサはプレート状の基礎部材を有しており、基
礎部材内に片側からバルクマイクロ機構にける構造化に
よって凹部(Vertiefung)が形成される。凹部は、凹部の
反対側に、いわば凹部上に張設された薄いダイヤフラム
を残す程度に前進させられる。基礎部材は通常は珪素か
ら成っており、従って、凹部はエッチングプロセスによ
って得られる。この場合、珪素の１１１結晶面に沿って
斜めの縁部が生じ、その結果、ダイヤフラムの方向から
見て、凹部の漏斗状の拡張が行われる。
該圧力センサはプレート状の基礎部材を有しており、基
礎部材内に片側からバルクマイクロ機構にける構造化に
よって凹部(Vertiefung)が形成される。凹部は、凹部の
反対側に、いわば凹部上に張設された薄いダイヤフラム
を残す程度に前進させられる。基礎部材は通常は珪素か
ら成っており、従って、凹部はエッチングプロセスによ
って得られる。この場合、珪素の１１１結晶面に沿って
斜めの縁部が生じ、その結果、ダイヤフラムの方向から
見て、凹部の漏斗状の拡張が行われる。
【０００３】切欠き(Ausnehmung)は基礎部材のダイヤフ
ラムと逆の側で縁部領域によって取り囲まれおり、縁部
領域はセンサエレメントへの圧力センサの後の圧密な取
り付けのために役立つ。従って、圧力センサの全体の大
きさは、切欠きを取り囲む縁部、ダイヤフラムの大き
さ、及び切欠きの漏斗状の拡張部によって規定される。
所定の使用中の圧力センサの確実な機能にとって、、ダ
イヤフラム及び切欠きを取り囲む縁部領域に対する所定
の最小寸法を規定してあり、該最小寸法が公知の製造技
術によって維持される。公知の圧力センサにおける欠点
として、切欠きの漏斗状の拡張部が圧力センサの付加的
な拡大をもたらし、このような拡大はそれ自体機能的に
は不必要である。
ラムと逆の側で縁部領域によって取り囲まれおり、縁部
領域はセンサエレメントへの圧力センサの後の圧密な取
り付けのために役立つ。従って、圧力センサの全体の大
きさは、切欠きを取り囲む縁部、ダイヤフラムの大き
さ、及び切欠きの漏斗状の拡張部によって規定される。
所定の使用中の圧力センサの確実な機能にとって、、ダ
イヤフラム及び切欠きを取り囲む縁部領域に対する所定
の最小寸法を規定してあり、該最小寸法が公知の製造技
術によって維持される。公知の圧力センサにおける欠点
として、切欠きの漏斗状の拡張部が圧力センサの付加的
な拡大をもたらし、このような拡大はそれ自体機能的に
は不必要である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、従来
技術における欠点を取り除くことである。
技術における欠点を取り除くことである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明の構成では、切欠きがアンダーカット部を有し
ている。
に本発明の構成では、切欠きがアンダーカット部を有し
ている。
【０００６】
【発明の効果】本発明に基づく構成により、公知技術に
対して利点として、圧力センサの構成寸法が、ダイヤフ
ラム及び切欠きを取り囲む縁部領域に対する最小寸法を
維持するにもかかわらず、最小限にされる。切欠きが規
定されたエッチングエッジ(Aetzkante)を介して基礎部
材の異方性エッチングによって形成され、従って、凹部
がダイヤフラムに向かってまずダイヤフラム大きさを越
えて拡張され、次いでダイヤフラム大きさを取るように
なり、その結果、凹部の拡張部分の、基礎部材の底面に
投影した長さが最小限にされる。これによって、全体的
に基礎部材の構成寸法（辺寸法）が小さくでき、その結
果、圧力センサが全体的に小さく形成され得る。これに
伴う材料及び重量の節減並びにコスト的な利点のほか
に、特に小型の圧力センサの使用に必要な条件の改善が
達成される。
対して利点として、圧力センサの構成寸法が、ダイヤフ
ラム及び切欠きを取り囲む縁部領域に対する最小寸法を
維持するにもかかわらず、最小限にされる。切欠きが規
定されたエッチングエッジ(Aetzkante)を介して基礎部
材の異方性エッチングによって形成され、従って、凹部
がダイヤフラムに向かってまずダイヤフラム大きさを越
えて拡張され、次いでダイヤフラム大きさを取るように
なり、その結果、凹部の拡張部分の、基礎部材の底面に
投影した長さが最小限にされる。これによって、全体的
に基礎部材の構成寸法（辺寸法）が小さくでき、その結
果、圧力センサが全体的に小さく形成され得る。これに
伴う材料及び重量の節減並びにコスト的な利点のほか
に、特に小型の圧力センサの使用に必要な条件の改善が
達成される。
【０００７】本発明の有利な構成が請求項２以下に記載
してある。
してある。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１に示す基礎部材１０は、圧力
センサ１２の製造のための素材として用いられる。基礎
部材１０は幅(Breite)、深さ(Tiefe)及び高さ(Hoehe)に
おける所定の寸法の直方体の珪素プレート片から成って
いる。
センサ１２の製造のための素材として用いられる。基礎
部材１０は幅(Breite)、深さ(Tiefe)及び高さ(Hoehe)に
おける所定の寸法の直方体の珪素プレート片から成って
いる。
【０００９】以下においては、圧力センサ１２の製造を
１つの基礎部材１０によって行うことについて説明す
る。結晶方位は１００方向であり、即ち、表面に対して
垂直なベクトルは１００方向に対して平行である。
１つの基礎部材１０によって行うことについて説明す
る。結晶方位は１００方向であり、即ち、表面に対して
垂直なベクトルは１００方向に対して平行である。
【００１０】別の実施例では、圧力センサ１０の製造を
シート成形によって行ってよく、即ち、大きなウエハー
上への圧力センサ１０の構造化の後に、該ウエハーが個
別の圧力センサに分割される。
シート成形によって行ってよく、即ち、大きなウエハー
上への圧力センサ１０の構造化の後に、該ウエハーが個
別の圧力センサに分割される。
【００１１】基礎部材１０の下面１４に、槽状の補助凹
部(Hilfsvertiefung)１６が設けられる（図２）。補助
凹部１６は、例えばドライエッチングプロセスによって
異方性にエッチング成形されてよい。このために下面１
４にマスキングが設けられる。マスキングは、例えば酸
化物、窒化物若しくはこれらの混合物から成る誘電膜で
あってよい。次いで、誘電膜がフォトラックを用いて構
造化(strukturieren)され、その結果、誘電膜が後の補
助凹部の領域で除去される。これによって形成されたマ
スク開口を介して、補助凹部１６が異方性にエッチング
される。この場合、深さｄ３及び、下面１４に対して垂
直、若しくはほぼ垂直な側壁を有する補助凹部１６が生
じる。補助凹部１６の形成によって、規定された環状の
エッジ(Kante)１８が生じる。基礎部材１０の引き続く
構造化にとって、誘電膜は下面１４に残されていてよ
く、これによって誘電膜は後続の異方性ウェットエッチ
ング工程に際して表面の保護を行う。誘電膜上に施され
たフォトラック膜は、後続のウェットエッチング工程の
前に除去される。
部(Hilfsvertiefung)１６が設けられる（図２）。補助
凹部１６は、例えばドライエッチングプロセスによって
異方性にエッチング成形されてよい。このために下面１
４にマスキングが設けられる。マスキングは、例えば酸
化物、窒化物若しくはこれらの混合物から成る誘電膜で
あってよい。次いで、誘電膜がフォトラックを用いて構
造化(strukturieren)され、その結果、誘電膜が後の補
助凹部の領域で除去される。これによって形成されたマ
スク開口を介して、補助凹部１６が異方性にエッチング
される。この場合、深さｄ３及び、下面１４に対して垂
直、若しくはほぼ垂直な側壁を有する補助凹部１６が生
じる。補助凹部１６の形成によって、規定された環状の
エッジ(Kante)１８が生じる。基礎部材１０の引き続く
構造化にとって、誘電膜は下面１４に残されていてよ
く、これによって誘電膜は後続の異方性ウェットエッチ
ング工程に際して表面の保護を行う。誘電膜上に施され
たフォトラック膜は、後続のウェットエッチング工程の
前に除去される。
【００１２】次いで、基礎部材１０に下面１４から異方
性ウェットエッチング工程が行われる。例えばアルカリ
溶液（ＫＯＨ、ＴＭＡＨ）を用いて行われるウェットエ
ッチング工程により、珪素から成る基礎部材１０の表面
が腐食されて除去される。この場合、珪素内に周知の異
方性エッチングレート比（例えば１１１／１００レート
は約１：２０〜１：１００）が生じる。これによって、
所定の角度で傾斜して延びるエッチング面（１１１平
面）が形成される。基礎部材１０の図３に示す断面図か
ら明らかなように、異方性ウェットエッチング工程は、
形成される切欠き２０上に張設されるダイヤフラム２２
が厚さｄ２で残されるように行われる。あらかじめ設け
られた補助凹部１６に基づき、切欠き２０に環状のエッ
ジ(Kante)１８に関連してアンダーカット部(Hinterschn
itt)２８が形成される。補助凹部１６によって規定され
た深さｄ３に対応して、深さ(Tiefe)ｄ４の平面２６及
び２４が得られる。アンダーカット部２８の寸法は寸法
(Groesse)ｄ４によって規定され、寸法ｄ３は寸法ｄ４
の約半分である（図２と図３とは正確な縮尺で示してあ
るものではない）。
性ウェットエッチング工程が行われる。例えばアルカリ
溶液（ＫＯＨ、ＴＭＡＨ）を用いて行われるウェットエ
ッチング工程により、珪素から成る基礎部材１０の表面
が腐食されて除去される。この場合、珪素内に周知の異
方性エッチングレート比（例えば１１１／１００レート
は約１：２０〜１：１００）が生じる。これによって、
所定の角度で傾斜して延びるエッチング面（１１１平
面）が形成される。基礎部材１０の図３に示す断面図か
ら明らかなように、異方性ウェットエッチング工程は、
形成される切欠き２０上に張設されるダイヤフラム２２
が厚さｄ２で残されるように行われる。あらかじめ設け
られた補助凹部１６に基づき、切欠き２０に環状のエッ
ジ(Kante)１８に関連してアンダーカット部(Hinterschn
itt)２８が形成される。補助凹部１６によって規定され
た深さｄ３に対応して、深さ(Tiefe)ｄ４の平面２６及
び２４が得られる。アンダーカット部２８の寸法は寸法
(Groesse)ｄ４によって規定され、寸法ｄ３は寸法ｄ４
の約半分である（図２と図３とは正確な縮尺で示してあ
るものではない）。
【００１３】切欠き２０にアンダーカット部２８を設け
ることにより、切欠き２０が比較的大きな容積を有し、
該容積がダイヤフラム２２に作用する圧力に対する基準
容積として用いられる。ダイヤフラム２２と逆の側の開
口部３０がダイヤフラム２２よりわずかにしか大きくな
っておらず、従って、下面１４の開口部３０を取り囲む
縁部領域３２が比較的大きく形成され得る。
ることにより、切欠き２０が比較的大きな容積を有し、
該容積がダイヤフラム２２に作用する圧力に対する基準
容積として用いられる。ダイヤフラム２２と逆の側の開
口部３０がダイヤフラム２２よりわずかにしか大きくな
っておらず、従って、下面１４の開口部３０を取り囲む
縁部領域３２が比較的大きく形成され得る。
【００１４】図３に示す圧力センサ１２を図３のａに再
度示してあり、この場合、寸法符号が記入してある。
度示してあり、この場合、寸法符号が記入してある。
【００１５】図３のａには、図面を見易くするために、
個別の構成部分の符号は省略してある。圧力センサ１２
の辺寸法ｌは次式より求められる： ｌ＝ａ＋ｂ′＋ｃ＋ｂ′＋ａ 圧力センサ１２は対称的に構成されており、従って、寸
法は長さは図３のａには片側にだけ記入してある。前記
辺寸法にとって、前記式はまとめて： ｌ＝２ａ＋２ｂ′＋ｃ となる。
個別の構成部分の符号は省略してある。圧力センサ１２
の辺寸法ｌは次式より求められる： ｌ＝ａ＋ｂ′＋ｃ＋ｂ′＋ａ 圧力センサ１２は対称的に構成されており、従って、寸
法は長さは図３のａには片側にだけ記入してある。前記
辺寸法にとって、前記式はまとめて： ｌ＝２ａ＋２ｂ′＋ｃ となる。
【００１６】寸法ａは、開口部３０の回りの縁部領域３
２に対応し、センサエレメント３６（図４）に形成する
ための圧力センサ１２と支持体３４との結合面を規定し
ている。圧力センサ１２と支持体３４との結合は圧密に
行われねばならないので、寸法ａは標準的には３００〜
４００μｍである。寸法ｃはダイヤフラム２２の大きさ
に対応し、圧力センサ１２の定格圧力範囲(Nenndruckbe
reich)によって規定されている。ダイヤフラム２２の１
８μｍの厚さｄ２において、１バール・圧力センサ(1 b
ar-Drucksensor)１２に対するダイヤフラム寸法は、例
えばｃ＝１０００μｍである。
２に対応し、センサエレメント３６（図４）に形成する
ための圧力センサ１２と支持体３４との結合面を規定し
ている。圧力センサ１２と支持体３４との結合は圧密に
行われねばならないので、寸法ａは標準的には３００〜
４００μｍである。寸法ｃはダイヤフラム２２の大きさ
に対応し、圧力センサ１２の定格圧力範囲(Nenndruckbe
reich)によって規定されている。ダイヤフラム２２の１
８μｍの厚さｄ２において、１バール・圧力センサ(1 b
ar-Drucksensor)１２に対するダイヤフラム寸法は、例
えばｃ＝１０００μｍである。
【００１７】明らかなように、寸法ａ及び寸法ｃに対す
る最小寸法は圧力センサ１２の使用条件によって規定さ
れる。さらに、寸法ｂ′は圧力センサ１２の辺寸法(Kan
tenlaenge)ｌに含まれる。
る最小寸法は圧力センサ１２の使用条件によって規定さ
れる。さらに、寸法ｂ′は圧力センサ１２の辺寸法(Kan
tenlaenge)ｌに含まれる。
【００１８】従来技術との相違を明瞭にするために、図
３のａの右側に、平面２４が下面１４の方向に破線で延
長して示してある。即ち、アンダーカット部２８を有さ
ない従来技術においては、開口部３０はエッジ１８によ
って規定されず、平面２４と圧力センサ１２の下面１４
との交点によって規定される。これによって、下面１４
に投影された平面２４に対応する寸法ｂが、アンダーカ
ット部２８を有する切欠き２０における寸法ｂ′（図３
のａの左側）よりも大きくなっている。このように拡大
された寸法ｂにより、寸法ａ′が相応の値ｂ−ｂ′にわ
たって外側へずらされる。寸法ａ若しくは寸法ａ′にと
って、例えば３００μｍ以上の最小寸法が必要であり、
従って、辺寸法ｌが相応に大きくなる。辺寸法ｌの増大
に伴って、圧力センサ１２が同じく相応に大きく形成さ
れる。
３のａの右側に、平面２４が下面１４の方向に破線で延
長して示してある。即ち、アンダーカット部２８を有さ
ない従来技術においては、開口部３０はエッジ１８によ
って規定されず、平面２４と圧力センサ１２の下面１４
との交点によって規定される。これによって、下面１４
に投影された平面２４に対応する寸法ｂが、アンダーカ
ット部２８を有する切欠き２０における寸法ｂ′（図３
のａの左側）よりも大きくなっている。このように拡大
された寸法ｂにより、寸法ａ′が相応の値ｂ−ｂ′にわ
たって外側へずらされる。寸法ａ若しくは寸法ａ′にと
って、例えば３００μｍ以上の最小寸法が必要であり、
従って、辺寸法ｌが相応に大きくなる。辺寸法ｌの増大
に伴って、圧力センサ１２が同じく相応に大きく形成さ
れる。
【００１９】次ぎに、圧力センサ１２にアンダーカット
部２８を形成することによって得られる面に対する利点
を述べる。本発明に基づく圧力センサ１２は辺寸法ｌを
有し、従来技術に基づく圧力センサは辺寸法ｌ′を有し
ている： ｌ′＝２ａ′＋２ｂ＋ｃ ｌ＝２ａ＋２ｂ′＋ｃ、この場合、ａ′＝ａ 従って、 Δｌ＝１′−１＝２（ｂ−ｂ′） ｂ′に対して次の式が当てはまり、ｂ′＝ｂ−２ｆ、こ
の場合、
部２８を形成することによって得られる面に対する利点
を述べる。本発明に基づく圧力センサ１２は辺寸法ｌを
有し、従来技術に基づく圧力センサは辺寸法ｌ′を有し
ている： ｌ′＝２ａ′＋２ｂ＋ｃ ｌ＝２ａ＋２ｂ′＋ｃ、この場合、ａ′＝ａ 従って、 Δｌ＝１′−１＝２（ｂ−ｂ′） ｂ′に対して次の式が当てはまり、ｂ′＝ｂ−２ｆ、こ
の場合、
【００２０】
【数１】
【００２１】明らかなように、寸法ｂ対寸法ｂ′の減少
により、かつ寸法ａ及び寸法ｃの変わらないことによ
り、寸法ｌ′対寸法ｌが減少している。圧力センサ１２
の面にとって、Ｆ＝ｌ・ｌ、若しくは従来技術において
Ｆ′＝ｌ′・ｌ′が当てはまり、圧力センサ１２の面は
アンダーカット部２８によって相応に減少している。従
って、圧力センサ１２の構造化のために必要なウエハー
の面積が全体的に減少される。これによって、圧力セン
サ１２自体の構成寸法が減少される。
により、かつ寸法ａ及び寸法ｃの変わらないことによ
り、寸法ｌ′対寸法ｌが減少している。圧力センサ１２
の面にとって、Ｆ＝ｌ・ｌ、若しくは従来技術において
Ｆ′＝ｌ′・ｌ′が当てはまり、圧力センサ１２の面は
アンダーカット部２８によって相応に減少している。従
って、圧力センサ１２の構造化のために必要なウエハー
の面積が全体的に減少される。これによって、圧力セン
サ１２自体の構成寸法が減少される。
【００２２】図４に、センサエレメント３６に圧力セン
サ１２を組み込んだ完成状態が示してある。圧力センサ
１２は支持体３４上に取り付けられており、圧力センサ
１２の辺寸法ｌの減少に基づき、支持体３４も同じく相
応に減少させられる。これにより、圧力センサ３６のた
めに必要な構成スペースが全体的に減少される。支持体
３４は、例えば貫通開口３８を有していてよく、貫通口
３８はダイヤフラム２２の張設によって形成された切欠
き２０への接続部を形成しており、従って、圧力センサ
１２による相対圧力測定が可能である。貫通開口３８な
しには、切欠き２０は閉じた中空室を成し、中空室が圧
力センサ１２による絶対圧力測定を可能にする。
サ１２を組み込んだ完成状態が示してある。圧力センサ
１２は支持体３４上に取り付けられており、圧力センサ
１２の辺寸法ｌの減少に基づき、支持体３４も同じく相
応に減少させられる。これにより、圧力センサ３６のた
めに必要な構成スペースが全体的に減少される。支持体
３４は、例えば貫通開口３８を有していてよく、貫通口
３８はダイヤフラム２２の張設によって形成された切欠
き２０への接続部を形成しており、従って、圧力センサ
１２による相対圧力測定が可能である。貫通開口３８な
しには、切欠き２０は閉じた中空室を成し、中空室が圧
力センサ１２による絶対圧力測定を可能にする。
【００２３】図４に示してあるように、圧力センサ１２
はダイヤフラム２２の領域にピエゾ抵抗４０を有してお
り、ピエゾ抵抗がダイヤフラム２２が機械的な変位に際
して抵抗を変化させる。ピエゾ抵抗４０の抵抗変化は、
略示した接続パッド４２及び、圧力センサ１２内に構造
化された導体路４４を介して検出されて、評価され得
る。ピエゾ抵抗４０、接続パッド４２及び導体路４４の
構造化は、切欠き２０の形成の前、若しくは後に行われ
てよい。
はダイヤフラム２２の領域にピエゾ抵抗４０を有してお
り、ピエゾ抵抗がダイヤフラム２２が機械的な変位に際
して抵抗を変化させる。ピエゾ抵抗４０の抵抗変化は、
略示した接続パッド４２及び、圧力センサ１２内に構造
化された導体路４４を介して検出されて、評価され得
る。ピエゾ抵抗４０、接続パッド４２及び導体路４４の
構造化は、切欠き２０の形成の前、若しくは後に行われ
てよい。
【００２４】図５に、センサエレメント３６の別の実施
例を示してある。この場合、支持体３４が例えば１ｍｍ
の厚さの薄いガラスによって形成されている。これによ
って切欠き２０が閉じた中空室を形成し、中空室がダイ
ヤフラム２２に図面で上側から作用する圧力の測定を可
能にする。この場合にも、圧力センサ１２の本発明に基
づく構成によって面の減少が達成されている。
例を示してある。この場合、支持体３４が例えば１ｍｍ
の厚さの薄いガラスによって形成されている。これによ
って切欠き２０が閉じた中空室を形成し、中空室がダイ
ヤフラム２２に図面で上側から作用する圧力の測定を可
能にする。この場合にも、圧力センサ１２の本発明に基
づく構成によって面の減少が達成されている。
【図１】本発明に基づく圧力センサの製造過程を示す図
【図２】本発明に基づく圧力センサの次の製造過程を示
す図
す図
【図３】本発明に基づく圧力センサの次の製造過程を示
す図
す図
【図４】本発明に基づく圧力センサを有するセンサエレ
メントを示す図
メントを示す図
【図５】本発明に基づく圧力センサを有する別のセンサ
エレメントを示す図
エレメントを示す図
１０ 基礎部材、 １４ ウェーハ表面、 １６
補助凹部、 ２０切欠き、 ２２ ダイヤフラム、
２８ アンダーカット部、 ３０ 開口幅
補助凹部、 ２０切欠き、 ２２ ダイヤフラム、
２８ アンダーカット部、 ３０ 開口幅
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ホルスト ミュンツェル ドイツ連邦共和国 ロイトリンゲン グル オバッハシュトラーセ 60
Claims (7)
- 【請求項１】 圧力センサであって、圧力センサの基礎
部材が切欠き上に配置されたダイヤフラムを有してお
り、ダイヤフラムが基礎部材の切欠きの後方の構造化に
よって形成される形式のものにおいて、切欠き（２０）
がアンダーカット部（２８）を有していることを特徴と
する圧力センサ。 - 【請求項２】 切欠き（２０）が、規定されたエッチン
グエッジ（１８）を介して基礎部材（１０）の異方性エ
ッチングによって形成されている請求項１記載の圧力セ
ンサ。 - 【請求項３】 エッチングエッジ（１８）が、基礎部材
（１０）のダイヤフラム（２２）と逆の側（１４）の切
欠き（２０）の最大の開口幅（３０）を規定している請
求項１又は２記載の圧力センサ。 - 【請求項４】 エッチングエッジ（１８）が基礎部材
（１０）内の補助凹部（１６）によって規定されている
請求項１から３までのいずれか１項記載の圧力センサ。 - 【請求項５】 補助凹部（１６）が、ウェーハ表面（１
４）に対してほぼ垂直に延びるエッチングエッジを生ぜ
しめる異方性エッチング法によって形成されている請求
項４記載の圧力センサ。 - 【請求項６】 エッチング法がドライエッチング法であ
る請求項４記載の圧力センサ。 - 【請求項７】 補助凹部（１６）の深さ（ｄ３）によっ
てアンダーカット部（２８）の大きさが規定されている
請求項１から６までのいずれか１項記載の圧力センサ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1997123334 DE19723334A1 (de) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | Drucksensor |
| DE19723334.1 | 1997-06-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1114481A true JPH1114481A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=7831327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15623698A Pending JPH1114481A (ja) | 1997-06-04 | 1998-06-04 | 圧力センサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1114481A (ja) |
| DE (1) | DE19723334A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015141107A (ja) * | 2014-01-29 | 2015-08-03 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、物理量センサーの製造方法、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102017122264A1 (de) | 2017-09-26 | 2019-03-28 | CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH | Drucksensorchip und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE102018105868A1 (de) * | 2018-03-14 | 2019-09-19 | Endress+Hauser SE+Co. KG | Verfahren zum Herstellen eines halbleiterbasierten Drucksensors |
| DE102018105869A1 (de) * | 2018-03-14 | 2019-09-19 | Endress+Hauser SE+Co. KG | Verfahren zum Herstellen eines halbleiterbasierten Drucksensors mit einer aus einem Substrat geätzten Messmembran |
-
1997
- 1997-06-04 DE DE1997123334 patent/DE19723334A1/de not_active Withdrawn
-
1998
- 1998-06-04 JP JP15623698A patent/JPH1114481A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015141107A (ja) * | 2014-01-29 | 2015-08-03 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、物理量センサーの製造方法、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19723334A1 (de) | 1998-12-10 |
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