DE19711965C2 - Vorrichtung zur niederinduktiven Anbindung eines abschaltbaren Thyristors an seine Ansteuereinrichtung - Google Patents

Vorrichtung zur niederinduktiven Anbindung eines abschaltbaren Thyristors an seine Ansteuereinrichtung

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Description

Die Erfindung bezieht sich jeweils auf eine Vorrichtung zur niederinduktiven Anbindung eines abschaltbaren Thyristors an seine Ansteuereinrichtung gemäß Oberbegriff eines der Ansprü­ che 1 bis 5.
Eine Vorrichtung gemäß Oberbegriff des Anspruchs 1 ist aus der Veröffentlichung mit dem Titel "Serienschaltung von GTO- Thyristoren für Frequenzumrichter hoher Leistung", abgedruckt in der DE-Zeitschrift "ABB Technik", 1996, Heft 5, Seiten 14-20 bekannt und die Ausgestaltung eines zugehörigen Thyristors ist in der EP 0 588 026 A2 näher beschrieben.
Um die Leistung von GTO-Stromrichtern zu erhöhen, gibt es mehrere Möglichkeiten, von denen die Reihenschaltung mehrerer abschaltbarer Thyristoren, auch als Gate-Turn-Off-Thyristoren (GTO-Thyristoren) bezeichnet, hinsichtlich der Anlagen- wie auch der Betriebskosten die größten Vorteile aufweist. Grund­ sätzlich läßt sich die Zwischenkreisspannung eines GTO-Strom­ richters entsprechend der Zahl der in Serie geschalteten GTO- Thyristoren erhöhen. Allerdings muß der gleichmäßigen Span­ nungsaufteilung zwischen den Spannungshalbleitern besondere Aufmerksamkeit geschenkt werden. Die Serienschaltung der GTO- Thyristoren stellt sehr hohe Anforderungen an die zeitliche Genauigkeit der Schaltvorgänge. Verlangt wird, daß alle in Serie geschalteten GTO-Thyristoren, beispielsweise innerhalb von etwa 200 nsec schalten. Dazu wurde eine harte Ansteuerung entwickelt. Mittels harter GTO-Ansteuerung weist der Gate­ strom eines GTO-Thyristors eine wesentlich höhere Steilheit (bis zu 3000 A/µsec) und Amplitude auf als bei konventionel­ len Ansteuerungen (30 A/µsec). Um eine derartige Stromsteil­ heit erzeugen zu können, mußte die Induktivität der Ansteuer­ einheit um etwa einen Faktor 100 vermindert werden, was zu einem völlig neuen Aufbau führte. GTO-Thyristoren und Ansteu­ ereinheit bilden eine komplette konstruktive Einheit.
Um zu dieser in Bild 5 der genannten Veröffentlichung gezeig­ te konstruktiven Einheit zu gelangen, mußte einerseits der GTO-Thyristor und andererseits die Ansteuereinrichtung verän­ dert werden. Der GTO-Thyristor erhielt als Gatezuführung ei­ nen kreisringförmigen Gateflansch. Bei der Ansteuereinrich­ tung wurde die Leiterplatte, die die Elektronik der Ansteuer­ schaltung aufnimmt derart verlängert, daß diese als Anschlüs­ se für den GTO-Thyristor benutzt werden konnten. Dazu ist diese Leiterplatte zur Aufnahme des GTO-Thyristors mit einer korrespondierenden Bohrung versehen. Außerdem wird ein Katho­ dengegenstück und ein Distanzstück aus Metall benötigt. Das kreisringförmige Distanzstück umschließt die korrespondieren­ de Bohrung und ist mit der einen Seite der Leiterplatte ver­ lötet. Ferner ist dem Bild 5 der genannten Veröffentlichung zu entnehmen, daß der Gateflansch mit einem kreisringförmigen Ring abgedeckt ist, der auf der zweiten Seite dieser Leiter­ platte ebenfalls aufgelötet ist. Mittels des Kathodengegen­ stücks, des Distanzstücks und des Rings ist der GTO-Thyristor mit seinen beiden Steueranschlüssen (Gateflansch, Kathode) mit den beiden Seiten der Leiterplatte elektrisch leitend verbunden, wobei das Kathodengegenstück mit dem kreisringför­ migen Distanzstück lösbar miteinander verbunden ist. Dadurch fließt der Gatestrom direkt von den Steuertransistoren der Ansteuerschaltung über die Platine zum Gateanschluß des GTO- Thyristors. Durch diese Vorrichtung zur niederinduktiven An­ bindung eines abschaltbaren Thyristors an seine Steuerein­ richtung ist eine Stromsteilheit des Gatestroms von 3000 A/µsec erreicht worden.
Durch diese harte Ansteuerung wird die Reaktionszeit eines abschaltbaren Thyristors und dessen Streuung auf etwa ein Zehntel des Wertes mit konventioneller Ansteuerung reduziert. Dadurch ist die Serienschaltung von GTO-Thyristoren ohne Se­ lektion der Halbleiterbauelemente und ohne Anpassung oder Re­ gelung der Ansteuereinrichtungen machbar.
Mittels der beschriebenen Vorrichtung werden nur der ab­ schaltbare Thyristor und seine Ansteuereinrichtung niederin­ duktiv miteinander verbunden, wobei ein kathoden- und anoden­ seitiger Kühlkörper nicht mit eingebunden ist. Außerdem ist diese Vorrichtung aufwendig.
Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, eine Vorrich­ tung zur niederinduktiven Anbindung eines abschaltbaren Thy­ ristors an seine Ansteuereinrichtung anzugeben, die einer­ seits wenigstens einen Kühlkörper des abschaltbaren Thyri­ stors mit einbindet und andererseits sich die Montage erheb­ lich vereinfacht.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß jeweils gelöst mit den Merkmalen des Anspruchs 1, 2, 3, 4 bzw. 5.
Dadurch, daß Gewindestangen kreisförmig in einem kathodensei­ tigen Kühlkörper geschraubt sind, dienen die Gewindestangen nicht nur für die Verspannung der Leiterplatte mit dem Gate­ flansch mittels der einzelnen Elemente der Vorrichtung, son­ dern bilden gleichzeitig eine Montagehilfe für die einzelnen Bauelemente dieser niederinduktiven Anbindung. Außerdem ist der abschaltbare Thyristor zum Kühlkörper zentriert. Nachdem alle Bauelemente für eine niederinduktive Anbindung des ab­ schaltbaren Thyristors an seine Ansteuereinrichtung miteinan­ der verspannt sind, braucht nur noch der anodenseitige Kühl­ körper achssymmetrisch zum abschaltbaren Thyristor auf die Anode gelegt werden und diese Anordnung mittels einer Spann­ vorrichtung verspannt werden. Durch diese erste Ausgestaltung verringert sich der Aufwand für die Montage erheblich.
Bei der Variante nach Anspruch 2 werden beide Kühlkörper eines abschaltbaren Thyristors in die Vorrichtung zur niederinduk­ tiven Anbindung eines abschaltbaren Thyristors an seine An­ steuereinrichtung mit eingebunden. D. h., erst wenn der Stapel von Bauelementen (Kühlkörper, Elemente der Vorrichtung, ab­ schaltbarer Thyristor) mittels einer Spannvorrichtung ver­ spannt sind, ist die niederinduktive Anbindung des abschalt­ baren Thyristors an seine Ansteuereinrichtung erfolgt. Damit der Gateflansch des abschaltbaren Thyristors mit der einen Seite der Leiterplatte verspannt werden kann, sind einerseits ein Kathodengegenstück und ein kreisringförmiges Distanzstück und andererseits ein kreisringförmiges Isolierstück mit einer in einer stirnseitigen Ausnehmung angeordneten Feder vorgese­ hen. Beim Verspannen der gesamten Anordnung wird ein Teil der Spannkraft mittels der Feder, die in der kreisringförmigen Ausnehmung des Isolierkörpers angeordnet ist, auf den Ga­ teflansch übertragen.
Bei der Variante nach Anspruch 3 ist der kathodenseitige Kühlkörper mit einer zur Kathodenfläche des abschaltbaren Thyristors korrespondierenden Ausnehmungen versehen. Bei dieser vorteilhaften Ausführungsform wird das Kathodengegenstück und das kreisringförmige Distanzstück nicht mehr benötigt. Durch die im Kühlkörper vorhandene Aus­ nehmung wird der abschaltbare Thyristor zum Kühlkörper und damit zur Achse der Einleitung der Spannkraft zentriert. Au­ ßerdem vereinfacht sich die Montage.
Bei der erfindungsgemäßen Vor­ richtung nach Anspruch 4 weist der abschaltbare Thyristor einen kreisringför­ migen, segmentierten Kathodenflansch als Steuerkathodenzufüh­ rung auf. Die Leiterplatte der Ansteuereinrichtung wird bei dieser Ausführungsform von den Steuerflanschen des abschalt­ baren Thyristors umgriffen. Zwischen dem Kathodenflansch und dem kathodenseitigen Kühlkörper wird nur noch das kreisring­ förmige Distanzstück benötigt. Durch das Weglassen des Katho­ dengegenstücks verschwindet auch ein sogenannter trockener Übergang.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen dieser Ausführungsformen sind den Unteransprüchen 6 bis 8 zu entnehmen.
Zur weiteren Erläuterung der Erfindung wird auf die Zeichnung Bezug genommen, in der mehrere Ausführungsformen der erfin­ dungsgemäßen Vorrichtung schematisch veranschaulicht sind.
Fig. 1 zeigt eine erste Ausführungsform der erfindungs­ gemäßen Vorrichtung, in
Fig. 2 ist eine zweite Aus­ führungsform der Vorrichtung nach der Erfindung veranschaulicht, in
Fig. 3 eine dritte Ausfüh­ rungsform dargestellt und in
Fig. 4 eine vierte Ausführungsform der Vorrichtung nach der Erfindung dargestellt ist.
In der Fig. 1 ist mit 2 ein kathodenseitiger Kühlkörper, mit 4 ein anodenseitiger Kühlkörper und mit 6 ein abschaltbarer Thyristor bezeichnet. Dieser abschaltbare Thyristor 6, auch als GTO-Thyristor bezeichnet, weist eine Anode 8 und eine Ka­ thode 10 auf. Außerdem ist dieser GTO-Thyristor mit einem Gateflansch 12 versehen. In den kathodenseitigen Kühlkörper 2 sind mehrere Gewindestangen 14 geschraubt, die kreisringför­ mig angeordnet sind. Zwischen dem abschaltbaren Thyristor 6 und dem kathodenseitigen Kühlkörper 2 ist ein Kathodengegen­ stück 16 angeordnet. Auf diesem Kathodengegenstück 16 ist ein kreisringförmiges Distanzstück 18 angeordnet. Auf diesem Di­ stanzstück 18 ist eine Leiterplatte 20 einer nicht näher dar­ gestellten Ansteuereinrichtung gesteckt. Diese Leiterplatte 20 weist eine zum abschaltbaren Thyristor 6 korrespondierende Bohrung 22 auf. Außerdem weist diese Vorrichtung zur nieder­ induktiven Anbindung des GTO-Thyristors 6 an seine Ansteuer­ einrichtung noch ein kreisringförmiges Druckelement 24 aus Isoliermaterial und mehrere Spannmuttern 26 auf, mit denen der Gateflansch 12 des GTO-Thyristors 6 und die Leiterplatte 20 einer Ansteuereinrichtung mittels der Bauelemente 2, 14, 16, 18, 24 und 26 miteinander elektrisch leitend verbunden wird.
Bei der Montage werden zunächst die Gewindestangen 14 in die vorgesehenen Gewindebohrungen des kathodenseitigen Kühlkör­ pers 2 geschraubt. Diese Gewindestangen 14, von denen bei­ spielsweise sechs bis achtzehn in einem Kreis angeordnet sind, bilden außerdem eine Montagehilfe. Auf diesem kathoden­ seitigen Kühlkörper 2 wird das Kathodengegenstück 16 gelegt, wobei die Gewindestangen 14 durch Bohrungen des Kathodenge­ genstücks 16 ragen. Diese Bohrungen sind ebenfalls auf einem Kreis im Randbereich des kreisförmigen Kathodengegenstück 16 angeordnet. Als nächstes wird das kreisringförmige Distanz­ stück 18 auf dem Kathodengegenstück 16 angeordnet, wobei auch dieses Distanzstück 18 zu den Gewindestangen 14 korrespondie­ rende Bohrungen aufweist. Vorteilhafterweise kann das kreis­ förmige Kathodengegenstück 16 und das kreisringförmige Di­ stanzstück 18 eine Baueinheit bilden, wie in Fig. 1 darge­ stellt. Nun wird die Leiterplatte 20 auf das Distanzstück 18 plaziert und danach der GTO-Thyristor in die Bohrung 22 der Leiterplatte 20 eingesetzt, wobei der Gateflansch 12 auf der einen Flachseite 28 der Leiterplatte 20 liegt und die Kathode des GTO-Thyristors 6 sich auf dem Kathodengegenstück 16 ab­ stützt. Auf diesen kreisringförmigen Gateflansch 12 wird das kreisringförmige Druckelement 24 gelegt. Durch die in den ka­ thodenseitigen Kühlkörper 2 geschraubten Gewindestangen 14 sind die einzelnen Bauelemente 16, 18, 20, 6 und 24 zueinander räumlich fixiert und gemeinsam zum Kühlkörper zentriert. Mit­ tels der Spannmuttern 26, wobei zwischen Druckelement 24 und Spannmuttern 26 jeweils ein Sicherungsring angeordnet sein kann, werden der Gateflansch 12 und die Leiterplatte 20 mit­ tels der Bauelemente 2, 16, 18 und 24 verspannt. Danach wird der anodenseitige Kühlkörper 4 auf die Anode 8 des GTO- Thyristors 6 gelegt und die Gesamtanordnung mittels einer Spannvorrichtung verspannt. Dadurch sind die Steueranschlüsse Gateflansch 12 und Kathodengegenstück 16 mit den Flachseiten 28 und 30 der Leiterplatte 20 elektrisch leitend verbunden.
In der Fig. 2 ist eine zweite Aus­ führungsform dargestellt. Bei dieser zweiten Ausführungsform wird keine Schraubverbindung verwendet, wodurch weder der Ga­ teflansch 12, die Leiterplatte 20, noch die Elemente der Vor­ richtung gebohrt werden müssen. Dadurch werden zusätzliche Nachbearbeitungen (Bohren) der einzelnen Elemente eingespart und die kreisringförmigen Bereiche für eine niederinduktive Anbindung des GTO-Thyristors 6 an seine Ansteuereinrichtung nicht geschwächt. Anstelle der Verschraubung wird hier die Spannkraft des Spannverbandes ausgenutzt. Dazu ist ein kreis­ ringförmiges Isolierstück 32 vorgesehen, das mit einer stirn­ seitigen Ausnehmung 34 versehen ist. In dieser kreisringför­ migen Ausnehmung 34 ist eine Feder 36 angeordnet. Als Feder 36 kann beispielsweise ein mäanderförmiger Blechstreifen vor­ gesehen sein. Diese Feder 36 ist derart in der kreisringför­ migen Ausnehmung 34 angeordnet, daß diese Feder 36 wenigstens zur Hälfte herausragt. Die Abmessungen des Isolierstücks 32 und der Feder 36 sind so bemessen, daß im verspannten Zustand der Abstand Gateflansch 12 und anodenseitiger Kühlkörper aus­ gefüllt ist und ein Teil der Spannkraft auf den Gateflansch 12 einwirkt. Auch bei dieser zweiten Ausführungsform kann das kreisförmige Kathodengegenstück 16 und das kreisringförmige Distanzstück 18 eine Baueinheit, wie dargestellt, bilden. Da mittels einer Spannvorrichtung nicht nur der Stapel Kühlkör­ per 2 und 4, GTO-Thyristor 6 und Kathodengegenstück 16 ver­ spannt werden muß, sondern auch auf die Feder eine Kraft ein­ wirken muß, ohne daß eine vorgeschriebene Spannkraft für den Stapel unterschritten wird, muß die Spannkraft um die Feder­ kraft erhöht werden. Im verspannten Zustand des Stapels wirkt die Federkraft kreisringförmig mittels des Isolierstücks 32 auf den Gateflansch 12, der kreisringförmig auf die Flachsei­ te 28 der Leiterplatte 20 gepreßt wird. Dadurch ist der GTO- Thyristor 6 mittels seines Gateflansches 12 und mittels sei­ ner Kathode 10, Kathodengegenstück 16 und Distanzstück 18 mit den Flachseiten 28 und 30 der Leiterplatte 20 einer Ansteuer­ einrichtung elektrisch leitend verbunden.
Bei einer dritten Ausführungsform der Vorrichtung zur niederinduktiven Anbindung eines ab­ schaltbaren Thyristors 6 mit seiner Ansteuereinrichtung gemäß Fig. 3 ist anstelle des kreisförmigen Kathodengegenstücks 16 und des kreisringförmigen Distanzstücks 18 ein kathodenseiti­ ger Kühlkörper 2 mit einer Ausnehmung 38 vorgesehen. Diese kreisförmige Ausnehmung 38 ist derart bemessen, daß die Ka­ thode 10 des GTO-Thyristors 6 zum Teil aufgenommen wird. Da­ durch ist der GTO-Thyristor 6 zur Wirklinie der Spannkraft wieder ohne zusätzliche Maßnahmen zentriert. Zur Erhöhung der Kriech­ strecken des Isolierstücks 32 sind dessen Mantelflächen 40 und 42 mit Rippen 44 versehen. Durch diese Erhöhung der Kriechstrecke verbessert sich die Spannungsfestigkeit dieser Anordnung.
Die Fig. 4 zeigt eine vierte Ausgestaltung, wobei ein GTO-Thyristor 6 vorgesehen ist, der neben dem Gateflansch 12 noch einen kreisringförmi­ gen, segmentierten Kathodenflansch 46 als Kathodenzuführung aufweist. Dadurch wird ein Kathodengegenstück 16 nicht mehr benötigt. Zwischen Kathodenflansch 46 und dem kathodenseiti­ gen Kühlkörper 2 ist nur noch das kreisringförmige Distanz­ stück 18 angeordnet. Die Segmentierung dieses Kathodenflan­ sches 46 erhält man durch radiale Schlitze. Vor der Montage sind die einzelnen Segmente des Kathodenflansches 46 vom Ga­ teflansch 12 weggebogen. Dadurch kann der GTO-Thyristor 6 mit dem Kathodenteil durch die Bohrung 22 der Leiterplatte 20 ge­ steckt werden. Danach werden die Segmente des Kathodenflan­ sches 46 zur Flachseite 30 der Leiterplatte 20 gebogen. Da­ durch wird die Leiterplatte 20 von den Steuerflanschen 12 und 46 des GTO-Thyristors 6 umgriffen.
Durch die Ausführungsformen der er­ findungsgemäßen Vorrichtung zur niederinduktiven Anbindung eines abschaltbaren Thyristors 6 an seine Ansteuereinrichtung gemäß den Fig. 2 bis 4 braucht die Leiterplatte 20 im Bereich der Bohrung 22 nicht mehr bearbeitet werden.

Claims (8)

1. Vorrichtung zur niederinduktiven Anbindung eines abschalt­ baren Thyristors (6) an seine Ansteuereinrichtung, wobei der abschaltbare Thyristor (6) einen kreisringförmigen Gate­ flansch (12) als Gatezuführung und seine Ansteuereinrichtung eine Leiterplatte (20) aufweist, wobei die Leiterplatte (20) mit einer zum abschaltbaren Thyristor (6) korrespondierenden Bohrung (22) versehen ist und wobei die Vorrichtung ein Ka­ thodengegenstück (16) und ein kreisringförmiges Distanzstück (18) aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß diese Vorrichtung außerdem ein kreisringförmiges Druck­ element (24) aus isolierendem Material, mehrere Gewindestan­ gen (14) und mehrere Spannmuttern (26) aufweist, wobei diese Gewindestangen (14) kreisförmig in einem kathodenseitigen Kühlkörper (2) geschraubt sind und das Kathodengegenstück (16), das kreisringförmige Distanzstück (18), die Leiterplat­ te (20), den Gateflansch (12) und das Druckelement (24) auf­ nehmen und wobei mittels Spannmuttern (26) der Gateflansch (12) mit einer Flachseite (28) und der abschaltbare Thyristor (6) kathodenseitig mit der anderen Flachseite (30) der Lei­ terplatte (20) verbunden sind (Fig. 1).
2. Vorrichtung zur niederinduktiven Anbindung eines abschalt­ baren Thyristors (6) an seine Ansteuereinrichtung, wobei der abschaltbare Thyristor (6) einen kreisringförmigen Gate­ flansch (12) als Gatezuführung und seine Ansteuereinrichtung eine Leiterplatte (20) aufweist, wobei die Leiterplatte (20) mit einer zum abschaltbaren Thyristor (6) korrespondierenden Bohrung (22) versehen ist und wobei diese Vorrichtung ein Ka­ thodengegenstück (16) und ein kreisringförmiger Distanzstück (18) aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß diese Vorrichtung außerdem ein kreisringförmiges Isolier­ stück (32) mit einer stirnseitig verlaufenden Ausnehmung (34), eine Feder (36), die in der Ausnehmung (34) angeordnet ist, und einen kathoden- und anodenseitigen Kühlkörper (2, 4) aufweist, wobei nacheinander auf dem kathodenseitigen Kühl­ körper (2) das Kathodengegenstück (16), das Distanzstück (18), die Leiterplatte (20), der abschaltbare Thyristor (6), das Isolierstück (32) mit der Feder (36) und der anodenseiti­ ge Kühlkörper (2) gestapelt und miteinander verspannt sind (Fig. 2).
3. Vorrichtung zur niederinduktiven Anbindung eines abschalt­ baren Thyristors (6) an seine Ansteuereinrichtung, wobei der abschaltbare Thyristor (6) einen kreisringförmigen Gate­ flansch (12) als Gatezuführung und seine Ansteuereinrichtung eine Leiterplatte (20) aufweist, wobei die Leiterplatte (20) mit einer zum abschaltbaren Thyristor (6) korrespondierenden Bohrung (22) versehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß diese Vorrichtung außerdem ein kreisringförmiger Isolier­ stück (32) mit einer stirnseitig verlaufenden Ausnehmung (34), eine Feder (36), die in der Ausnehmung (34) angeordnet ist, und einen kathoden- und anodenseitigen Kühlkörper (2, 4) aufweist, wobei dieser kathodenseitige Kühlkörper (2) mit ei­ ner zum abschaltbaren Thyristor (6) korrespondierenden Ausneh­ mung (38) versehen ist und wobei nacheinander auf dem katho­ denseitigen Kühlkörper (2) die Leiterplatte (20), der ab­ schaltbare Thyristor (6), das Isolierstück (32) mit der Feder (36) und der anodenseitige Kühlkörper (2) gestapelt und mit­ einander verspannt sind (Fig. 3).
4. Vorrichtung zur niederinduktiven Anbindung eines abschalt­ baren Thyristors (6) an seine Ansteuereinrichtung, wobei der abschaltbare Thyristor (6) einen kreisringförmigen Gate­ flansch (12) als Gatezuführung und seine Ansteuereinrichtung eine Leiterplatte (20) aufweist, wobei die Leiterplatte (20) mit einer zum abschaltbaren Thyristor (6) korrespondierenden Bohrung (22) versehen ist und wobei diese Vorrichtung ein kreisringförmiges Distanzstück (18) aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß diese Vorrichtung außerdem ein kreisringförmiges Isolier­ stück (32) mit einer stirnseitig verlaufenden Ausnehmung (34), eine Feder (36), die in der Ausnehmung (34) angeordnet ist, und einen kathoden- und anodenseitigen Kühlkörper (2, 4) aufweist, wobei dieser abschaltbare Thyristor (6) einen kreisringförmigen, segmentierten Kathodenflansch (46) als Steuerkathodenzuführung aufweist und wobei nacheinander auf dem kathodenseitigen Kühlkörper (2) das Distanzstück (18), der abschaltbare Thyristor (6) mit dem segmentierten Katho­ denflansch (46) und der zwischen den Steueranschlüssen des abschaltbaren Thyristors (6) angeordneten Leiterplatte (20), das Isolierstück (32) mit der Feder (36) und der anodenseiti­ ge Kühlkörper (2) gestapelt und miteinander verspannt sind (Fig. 4).
5. Vorrichtung zur niederinduktiven Anbindung eines abschalt­ baren Thyristors (6) an seine Ansteuereinrichtung, wobei der abschaltbare Thyristor (6) einen kreisringförmigen Gate­ flansch (12) als Gatezuführung und seine Ansteuereinrichtung eine Leiterplatte (20) aufweist, wobei die Leiterplatte (20) mit einer zum abschaltbaren Thyristor (6) korrespondierenden Bohrung (22) versehen ist und wobei die Vorrichtung ein kreisringförmiges Distanzstück (18) aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß diese Vorrichtung außerdem ein kreisringförmiges Druck­ element (24) aus isolierendem Material, mehrere Gewindestan­ gen (14) und mehrere Spannmuttern (26) aufweist, wobei diese Gewindestangen (14) kreisförmig in einem kathodenseitigen Kühlkörper (2) geschraubt sind und das kreisringförmige Di­ stanzstück (18), die Leiterplatte (20), den Gateflansch (12) und das Druckelement (24) aufnehmen und wobei mittels Spann­ muttern (26) der Gateflansch (12) und der abschaltbare Thyri­ stor (6) kathodenseitig mit der Leiterplatte (20) verbunden sind.
6. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 3, bei der das kreisring­ förmige Distanzstück (18) und das Kathodengegenstück (16) ei­ ne Baueinheit bilden.
7. Vorrichtung nach Anspruch 2, 3 oder 4, bei der die Mantel­ flächen (40, 42) des kreisringförmigen Isolierstückes (32) mit Rippen (44) versehen sind.
8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2, 3 oder 4, bei der als Feder (36) ein mäanderförmiges Band vorgesehen ist.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0588026A2 (de) * 1992-08-15 1994-03-23 Abb Research Ltd. Abschaltbares Hochleistungs-Halbleiterbauelement

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1614977A1 (de) * 1967-06-12 1971-05-27 Halbleiterwerk Frankfurt Oder Halbleiterbauelement mit einem in einem Gehaeuse eingeschlossenen Halbleiterelement
FR2614469B1 (fr) * 1987-04-24 1989-07-21 Inrets Dispositif de refroidissement, en particulier pour semi-conducteur de puissance
JPH04352457A (ja) * 1991-05-30 1992-12-07 Mitsubishi Electric Corp 圧接型半導体装置及びその製造方法
US5168425A (en) * 1991-10-16 1992-12-01 General Electric Company Mounting arrangements for high voltage/high power semiconductors
DE19505387A1 (de) * 1995-02-17 1996-08-22 Abb Management Ag Druckkontaktgehäuse für Halbleiterbauelemente
JP3291977B2 (ja) * 1995-05-31 2002-06-17 三菱電機株式会社 圧接型半導体素子及びその製造方法並びに圧接型半導体装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0588026A2 (de) * 1992-08-15 1994-03-23 Abb Research Ltd. Abschaltbares Hochleistungs-Halbleiterbauelement

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
STEIMER, P., GRÜNING, H., WERNINGER, J., DÄHLER, P., LINHOFER, G., BOECK, R.: Serienschaltung von GTO-Thyristoren für Frequenzumrichter hoher Leistung, in: ABB Technik, 5, 1996, S. 14-20 *

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