DE19654975C2

DE19654975C2 - Gerät und Verfahren zur Oberflächenbehandlung

Info

Publication number: DE19654975C2
Application number: DE1996154975
Authority: DE
Inventors: Hiroshi Haji
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp
Priority date: 1995-07-28
Filing date: 1996-07-18
Publication date: 2002-07-25
Anticipated expiration: 2016-07-19

Description

Die Erfindung betrifft ein Oberflächenbehandlungsgerät zum Ausführen einer Oberflächenbehandlung von Elektroden eines Ge genstandes, wie etwa einer Platte oder eines elektronischen Bau teils.

Im Hinblick auf Konstruktionen von elektronischen Ausrü stungsteilen mit geringer Größe wurde Techniken zum Anbringen elektronischer Teile auf einer mit einem eine hohe Dichte aufweisenden Schaltungsmuster versehenen Leiterbahnplatte Auf merksamkeit geschenkt. Bei einer dieser Techniken wird ein freiliegender Halbleiterchip direkt auf der Platte angebracht oder angeordnet und dann wird dieser Halbleiterchip mit dün nen, elektrisch leitfähigen Drähten (mit einem Durchmesser von etwa 25 µm) elektrisch mit den Elektroden der Platte verbunden und dann werden der Halbleiterchip und die Drähte zum Ab dichten mit einem Kunststoff beschichtet.

In vielen Fällen ist der zu diesem Zweck verwendete Draht aus Gold hergestellt und im Hinblick auf die Herstellung einer Verbindung mit dem Golddraht sind die Elektroden der Platte ebenfalls mit Gold beschichtet. Das Schaltungmuster ist über licherweise aus Kupfer hergestellt und weil keine direkte Ver bindung zwischen dem Gold und dem Kupfer hergestellt werden kann, sind eine oder mehrere (Grenzmetallschichten genannte) Metallschichten auf den Kupferelektroden gebildet und dann wird die Oberfläche dieser Schicht mit Gold beschichtet oder galvanisiert. Als Grenzschichtmetall wird häufig Nickel ver wendet.

Bislang wurde angenommen, daß die Dicke des Goldbeschich tungsfilms einen großen Einfluß auf die Festigkeit der Verbin dung des Drahtes ausübt und es wurde davon ausgegangen, daß keine zufriedenstellende Verbindung des Drahtes hergestellt werden kann, wenn der Goldbeschichtungsfilm nicht mindestens eine Dicke von etwa 0,3 µm aufweist.

Es ist ein Galvanisierungsverfahren und ein stromloses Reduktionsgalvanisierungsverfahren bekannt, mit denen dicke Goldbeschichtungsfilme gebildet werden können. Beide Verfahren sind jedoch dahingehend mit einem Problem behaftet, daß die Kosten damit hoch sind, weil zur Ausführung des Beschich tungsverfahrens viel Zeit benötigt wird.

Angesichts dieses Problems hat der Erfinder dieser Erfin dung zuvor eine Anmeldung eingereicht, die ein Verfahren be trifft, mit dem eine hinreichend feste Kontaktierung eines Drahtes hergestellt werden kann, selbst wenn die Dicke eines Beschichtungsfilms gering ist (ungeprüfte japanische Patentver öffentlichung Nr. 7-106363). Mit dieser Technik kann der Draht mit einem eine Dicke von 0.05 µm aufweisenden Beschichtungsfilm kontaktiert werden und daher wird ein herausragender Vorteil da hingehend erhalten, daß die Kosten für die Goldbeschichtung in hohem Maße verringert werden können.

Bei dieser Technik wird (1) mit einem Oberflächenbehand lungsgerät eine Nickelverbindung von den Oberflächen der Elek troden einer Platte entfernt und dann (2) mit einem Drahtkontak tierungsgerät eine Drahtkontaktierung der einzelnen Drähte mit den Elektroden hergestellt.

Diese beiden Schritte müssen mit einer hohen Produktivität ausgeführt werden, damit der oben erläuterte Kostenverringe rungseffekt erzielt wird. Zur Zeit gibt es jedoch keine Möglich keit, dieser Anforderung zu genügen. Es gibt insbesondere kein Oberflächenbehandlungsgerät mit kompakten Abmessungen, das in eine Produktionslinie eingebaut werden kann und das verhindert einen verbreiteten Einsatz des neuen Verfahrens. Daher richtet sich diese Erfindung auf die Bereitstellung eines optimalen Sy stems für dieses neue Verfahren.

Aus der US 43 41 582 ist ein Plasmabehandlungsgerät für Wafer bekannt, bei dem die zu behandelnden Wafer mit Hilfe eines Schwenkarms über ein und denselben Transportweg in eine Behand lungskammer transportiert und wieder daraus entfernt werden. Auch die in dieser Schrift beschriebene Vorrichtung ist nicht zum Einbau in eine Produktionslinie geeignet. Gleiches gilt für die in "Vakuum 27/1977", Nr. 3, Seiten 151 bis 153 angegebene Durchlaufbeschichtungseinrichtung, bei der zu beschichtende Sub strate über eine Beschickungs- und Entnahmeschleuse in eine Hauptbehandlungskammer transportiert bzw. wieder daraus entfernt werden. Aus der US 42 78 528 ist eine Vorrichtung zum Beschich ten gewebeartiger Bänder bekannt, in der die zu beschichtenden Bänder über eine erste Gasschleuse in einem Behandlungsraum transportiert und nach der Behandlung über eine zweite Gas schleuse wieder aus dem Behandlungsraum abgezogen werden. Der Einsatz dieser Vorrichtung ist jedoch mit einem hohen konstruk tiven Aufbau verbunden, weil für jede der Gasschleusen eine ge eignete Pumpe bereitgestellt werden muß.

Eine Aufgabe der Erfindung besteht in der Bereitstellung eines Oberflächenbehandlungsgerätes mit kompakten Abmessungen, welches eine hohe Leistungsfähigkeit bei der Bearbeitung auf weist, einen einfach Aufbau besitzt und zur Kostenverringerung beitragen kann sowie in der Angabe eines damit ausführbaren Oberflächenbehandlungsverfahrens.

Nachstehend wird die Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnung, auf die hinsichtlich aller erfindungswesentlichen und in der Beschreibung nicht weiter herausgestellten Einzelheiten verwiesen wird, erläutert. In die Zeichnung zeigt:

Fig. 1 eine perspektivische Ansicht, in der eine Gesamtanordnung einer Ausführungsform eines ein erfindungsgemäßes Plasmareinigungsgerät aufweisenden Drahtkontaktierungsgerätes dargestellt ist,

Fig. 2 und 3 perspektivische Ansichten einer Ein- und Ausrückeinrichtung der Ausführungsform nach Fig. 1,

Fig. 4 und 5 perspektivische Ansichten, in denen eine Stütze in der Ausführungsform gemäß Fig. 1 dargestellt ist,

Fig. 6 eine explosionsartige, perspektivische Ansicht eines von seiner Unterseite betrachteten Deckels der Ausführungsform nach Fig. 1,

Fig. 7 eine von seiner Unterseite betrachtete perspektivische Ansicht des Deckels,

Fig. 8 eine explosionsartige, perspektivische Ansicht einer Basis der Ausführungsform nach Fig. 1,

Fig. 9 eine Draufsicht der Basis der Ausführungsform nach Fig. 1,

Fig. 10 und 11 Schnittansichten einer Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Plasmareinigungsgerätes,

Fig. 12 eine Elektroden und dazugehörige Teile der Ausführungsform nach Fig. 1 darstellende perspektivische Ansicht,

Fig. 13 eine längs der Linie XIII-XIII in Fig. 2 genommene Schnittansicht,

Fig. 14 eine einen Transportweg der Ausführungsform nach Fig. 1 darstellende, schematische Drauf sicht und

Fig. 15A-15C Transportfunktionen der Ausführungsform nach Fig. 1 darstellende, schematische Draufsicht.

Nachstehend wird eine bevorzugte Ausführungsform der Erfin dung unter Bezugnahme auf die Zeichnung erläutert.

Fig. 1 ist eine eine Gesamtanordnung einer bevorzugten Aus führungsform eines ein erfindungsgemäßes Plasmareinigungsgerät aufweisendes Drahtkontaktierungsgerätes, darstellende perspekti vische Ansicht.

Gemäß Fig. 1 weist ein Grundgehäuse 8 eine im wesentlichen horizontale Oberseite auf, und ein aufrecht stehender Bereich 8a erstreckt sich von einem rückwärtigen Bereich des Grundgehäuses 8 nach oben. Auf einer Vorderseite des aufrecht stehenden Be reichs 8a ist ein Monitor 8b angebracht und mit Hilfe diese Mo nitors 8b kann ein Benutzer einen Betriebszustand des Plasmareinigungsgerätes erfassen.

Auf der Oberseite des Grundgehäuses 8 ist eine Basis 12 an gebracht und ein Transportweg L erstreckt sich geradlinig und in Fig. 1 diagonal von links nach rechts über eine Oberseite der Basis 12. An der in Transportrichtung vorderen Seite des Trans portweges L ist ein Zuführmagazin 9 vorgesehen, in dem ein Sta pel Platten 6, die einer Oberflächenbehandlung unterzogen werden sollen, gehalten und gelagert werden. An der in Transportrich tung hinteren Abtransportseite des Transportweges L ist ein Lagermagazin 10 vorgesehen, in dem die ober flächenbehandelten Platten 6 aufgenommen werden. Bei dieser Ausführungsform sind auf der Oberseite der Platten 6 Elektro den gebildet, die mit einem stromlosen Substitutionsgalvani sierungsverfahren mit Gold beschichtet worden sind.

Die einer Oberflächenbehandlung zu unterziehenden Platten 6 werden mit einem Vorschubzylinder 11 vom Zuführmagazin 9 in den Transportweg L gedrückt oder dem Transportweg L zugeführt.

Ein an seiner Unterseite mit einer Ausnehmung versehener Deckel 13 ist oberhalb der Basis 12 abgestützt und so beweg bar, daß er in Kontakt mit der Basis 12 gelangen kann bzw. von der Basis 12 gelöst bzw. abgehoben werden kann.

Die Basis 12 und der Deckel sind so aufgebaut, daß die Ausnehmung im Deckel 13 einen abgeschlossenen Raum auf dem Transportweg L bestimmt, wenn der Deckel 13 die den Transport weg L aufweisende Basis 12 berührt, wie nachstehend im einzel nen erläutert wird. Genauer gesagt, wirken die Basis 12 und der Deckel 13 zur Ausbildung dieses abgeschlossenen Raumes zu sammen.

Zwischen der Basis 12 und dem Lagermagazin 10 und bezüg lich des Transportweges L in Richtung auf die Rückseite des Gerätes versetzt angeordnet ist ein Drahtkontaktierungsmecha nismus 14 vorgesehen. Mit dem Drahtkontaktierungsmechanismus 14 wird die oberflächenbenandelte und diesem Mechanismus längs des Tranportweges L von dessen Vorderseite zugeführte Platte 6 eingespannt und eine elektrische Verbindung der Elektroden dieser Platte 6 mit einem Halbleiterchip (nicht dargestellt) unter Verwendung von Drähten herbeigeführt.

Bei dieser Ausführungsform wird innerhalb des vom Deckel 13 und der Basis 12 bestimmten abgeschlossenen Raums eine Plasmareinigung (welche ein Beispiel einer Oberflächenbehandlung darstellt) der Platte 6 ausgeführt, um auf der Platte abgeschie dene Materie oder eine Nickelverbindung von den mit Gold be schichteten Elektroden und andere Teile von der Platte 6 zu ent fernen, so daß die Drähte einfach mit diesen Elektroden verbun den werden können. Dann werden die Drähte mit dem benachbarten Drahtkontaktierungsmechanismus 14 mit der der Plasmareinigung unterzogenen Platte verbunden und anschließend wird die Platte 6 im Lagermagazin 10 abgelegt.

Ein erster Arm 15 weist einen sich zum Transportweg L er streckenden hinteren Endbereich auf und ein zweiter Arm 16 ist in einem vorgegebenen Abstand vom ersten Arm 15 längs des Trans portweges L in Transportrichtung hinter dem ersten Arm 15 ange ordnet, wobei der zweite Arm 16 sich parallel zum ersten Arm 15 erstreckt.

Auf dem vorderen Randbereich der Oberseite des Grundgehäu ses 8 ist eine längliche Abdeckung 17 vorgesehen, die sich parallel zum Transportweg L erstreckt. Innerhalb der Abdeckung 17 ist ein (nachstehend im einzelnen erläuterter) Armbewegungsmechanismus angebracht, mit dem der erste Arm 15 und der zweite Arm 16 parallel zum Transportweg L bewegbar sind, während der erste Arm 15 und der zweite Arm 16 in einem Zustand gehalten werden, in dem die Arme 15 und 16 sich parallel zuein ander und in dem vorgegebenen Abstand voneinander erstrecken. Auf dem Transportweg L wird die Platte mit dem ersten Arm 15 und dem zweiten Arm 16 transportiert.

Auf der Basis 12 sind zur Bildung des Transportweges L zwei Führungen 18 angebracht, mit deren Hilfe die Platte 6 von einer vor dem Drahtkontaktierungsmechanismus 14 angeordneten Position zum Lagermagazin 10 transportiert werden können.

Unter Bezugnahme auf die Fig. 2-5 wird ein Ein- und Ausrückmechanismus zum Bewegen des Deckels 13 nach oben und nach unten und zum Bewegen des Deckels 13 zwischen einem hori zontalen Zustand und einem vertikalen Zustand erläutert.

Im folgenden werden die Stellungen des Deckels 13 defi niert. Wenn die Unterseite des Deckels 13 sich wie in den Fig. 2 und 3 dargestellt in einer Horizontalebene erstreckt, ist der Deckel 13 in einem horizontalen Zustand angeordnet. Wenn die Unterseite des Deckels 13 sich in einer Vertikalebene er streckt, wie in Fig. 5 dargestellt, ist der Deckel 13 in einem vertikalen Zustand angeordnet.

Wenn die Unterseite des Deckels 13 in einem engen Kontakt mit der Basis 12 gehalten wird, ist der Deckel 13 in einer ab gesenkten Stellung bzw. in einem abgesenkten Zustand angeord net. Wenn die Unterseite des Deckels 13 sich in einem Abstand von der Basis 12 befindet, so daß zwischen dem Deckel 13 und der Basis 12 ein Freiraum gebildet ist, ist der Deckel 13 in einer abgehobenen Position bzw. in einem abgehobenen Zustand angeordnet.

Wenn der Deckel 13 im horizontalen Zustand und auch im abgesenkten Zustand angeordnet ist, wird dieser Zustand bei spielsweise als "horizontaler, abgesenkter Zustand" bezeich net.

Der Deckel 13 wird von einem (nachstehend erläuterten) Abstützmechanismus derart abgestützt, daß der Deckel 13 in drei Zuständen angeordnet werden kann, das heißt dem horizon talen, abgesenkten Zustand, dem horizontalen, abgehobenen Zu stand und dem vertikalen, abgehobenen Zustand. In Fig. 2 ist der Deckel 13 in seinem horizontalen, abgesenkten Zustand dar gestellt und Fig. 3 zeigt den Deckel 13 in seinem horizonta len, abgehobenen Zustand.

Gemäß Fig. 2 weist ein Rahmen 20 einen feststehend an dem Grundgehäuse 8 angebrachten horizontalen Bereich 20a sowie ein Paar aufrecht stehender Bereiche 20b und 20c, die sich jeweils von einander entgegengesetzten Enden des horizontalen Bereichs 20a in vertikaler Richtung nach oben erstrecken, auf.

Zwei Führungen 21 und 22, von denen jede einen L-förmigen Querschnitt aufweist, sind auf einem oberen Endbereich des aufrecht stehenden Bereichs 20b bzw. des aufrecht stehenden Bereichs 20c angeordnet, wobei die hinteren Enden der Führun gen 21 und 22 nach außen gerichtet sind, d. h. voneinander weg weisen.

Ein den Ein- und Ausrückmechanismus bildender Zylinder 23 ist derart feststehend auf einem zentralen Bereich des hori zontalen Bereichs 20a angebracht, daß eine Stange 23a des Zy linders 23 nach oben gerichtet ist. Ein oberes Ende der Stange 23a ist mit einem zentralen Bereich eines horizontalen Be reichs 24a eines U-förmigen Querträgers 24 verbunden.

Aufrecht stehende Bereiche 24b und 24c, die sich von ein ander entgegengesetzten Enden des horizontalen Bereichs 24a des U-förmigen Querträgers 24 nach oben erstrecken, stehen in einem Gleiteingriff mit der Führung 21 bzw. der Führung 22, um eine Gleitbewegung nach oben und unten zu ermöglichen. An obe ren Endbereichen der aufrecht stehenden Bereiche 24b und 24c sind jeweils Zapfen 26 angebracht und von jedem dieser Zapfen 26 wird je eine Stütze 25 derart abgestützt, daß sie durch eine Schwenkbewegung in einen vertikalen Zustand überführt werden kann.

Wie der vergrößerten Darstellung gemäß Fig. 4 zu entneh men ist, ist die Stütze 25 an zwei Stellen um jeweils 90° ab gewinkelt, so daß sie eine allgemeine Z-Form annimmt. Die Stütze 25 weist einen ersten Abschnitt 25a und einen sich unter einem rechten Winkel bezüglich des ersten Abschnitts 25a erstreckenden zweiten Abschnitt 25b auf, wobei der erste Ab schnitt 25a und der zweite Abschnitt 25b dieselbe Länge auf weisen. Der Bereich der Stütze 25, an dem sich die Mittelli nien des ersten Abschnitts 25a und des zweiten Abschnitts 25b schneiden ist an dem U-förmigen Querträger 24 schwenkbar abge stützt.

Die Stütze 25 weist ferner einen dritten Abschnitt 25c, der länger ist als der zweite Abschnitt 25b und sich unter ei nem rechten Winkel von der dem ersten Abschnitt 25a abgewand ten Seite des zweiten Abschnitts 25b erstreckt, auf.

Der erste Abschnitt 25a wird in Dickenrichtung von einem ersten Sicherungsloch 27 durchsetzt und der zweite Abschnitt 25b wird in Dickenrichtung von einem zweiten Sicherungsloch 28 durchsetzt, wobei beide Sicherungslöcher den gleichen Abstand von der Achse des Zapfens 26 aufweisen.

An einem hinteren Endbereich des dritten Abschnitts 25c jeder Stütze 25 ist ein Zapfen 29 angebracht, mit dem eine Seitenfläche 13a des Deckels 13 abgestützt wird, so daß der Deckel 13 eine Schwenkbewegung um die Zapfen 29 in mit einer Doppelpfeil N2 bezeichneten Richtungen ausführen kann.

Wie in Fig. 4 dargestellt, werden die aufrechtstehenden Bereiche 24b und 24c des U-förmigen Querträgers 24 jeweils von einem Einführungsloch 24d durchsetzt. Wenn der dritte Ab schnitt 25c horizontal ausgerichtet ist, fluchtet das Einfüh rungsloch 24d mit dem zweiten Sicherungloch 28 und wenn der dritte Abschnitt 25c vertikal ausgerichtet ist, fluchtet das Einführungsloch 24d mit dem ersten Sicherungsloch 27.

Wenn die beiden zweiten Sicherungslöcher 28 mit dem je weils zugehörigen Einführungsloch 24d fluchten, wie in Fig. 4 dargestellt, und ein Stift 30 durch diese miteinander fluchtenden Löcher 28 und 24d geführt wird, kann daher der dritte Abschnitt 25c im horizontalen Zustand gehalten werden, um dadurch die Stütze 25 an einer Drehung zu hindern, so daß der an den Stützen 25 angebrachte Deckel ebenfalls im horizontalen Zustand gehalten wird.

Wenn die beiden dritten Abschnitte 25c jeweils im verti kalen Zustand ausgerichtet sind, fluchten andererseits die beiden ersten den jeweiligen ersten Abschnitt 25a durchsetzend ausgebildeten Sicherungslöcher 27 mit dem zugehörigen Einfüh rungslöchern 24d, wie in Fig. 5 dargestellt.

In diesem Zustand wird der Stift 30 durch die miteinander ausgerichteten ersten Sicherungslöcher 27 und Einführungslö cher 24d geführt, so daß die beiden dritten Abschnitte 25c so wie der Deckel 13 im vertikalen, aufrecht stehenden Zustand gehalten werden können.

Wenn der Deckel 13 in den vertikalen Zustand überführt worden ist, ist die in der Unterseite des Deckels 13 gebilde ten Ausnehmung 16 in horizontaler Richtung offen bzw. zugäng lich. Daher können innerhalb des Deckels 13 angebrachte Teile einfach ausgetauscht oder gereinigt werden. Wenn der Deckel 13 im aufrechtstehenden Zustand angeordnet ist, ist oberhalb der Basis 12 viel Platz vorhanden und daher können ähnliche Wartungsarbeiten auch für die Basis 12 und die auf der Basis 12 angebrachten Teile ausgeführt werden.

Demgemäß kann der Deckel 13 in dem Oberflächenbehand lungsgerät gemäß dieser Ausführungsform in den vertikalen Zustand überführt werden, so daß zwischen dem Deckel 13 und der Basis 12 viel Platz zur Verfügung steht und daher kann die Wartung recht einfach ausgeführt werden.

Als nächstes wird die Bewegung des Deckels 13 von seinem horizontalen abgesenkten Zustand zu seinem horizontalen abge hobenen Zustand unter Bezugnahme auf die Fig. 2 und 3 erläu tert.

Wenn der Deckel 13 sich in seinem in Fig. 2 dargestell ten, horizontalen abgesenkten Zustand befindet, befindet sich die Stange 23a in einem eingefahrenen Zustand und durch die zweiten Sicherungslöcher 28 und die Einführungslöcher 24d ist jeweils ein Stift 30 geführt und der Deckel 13 wird in seinem horizontalen Zustand gehalten und die Unterseite des Deckels 13 wird in engem Kontakt mit der Basis 12 gehalten.

In dem horizontalen abgesenkten Zustand des Deckels 13 wird vom Deckel 13 und der Basis 12 der abgeschlossene Raum gebildet und wenn die Oberflächenbehandlung in diesem abge schlossenen Raum bewirkt werden soll, wird dieser abgeschlos sene Raum bei einem unterhalb des Atmosphärendruckes liegenden Druck gehalten. Daher kann der Deckel 13 in zufriedenstellen der Weise in engem Kontakt mit der Basis 12 gehalten werden, selbst wenn der Deckel 13 nicht mit einer vom Zylinder 23 zu erzeugenden extrem hohen Kraft gegen die Basis 12 gedrückt wird.

Zum Überführen des Deckels 13 in den horizontalen abgeho benen Zustand wird der Zylinder 23 zum Ausfahren der Stange 23a betätigt. Als Ergebnis davon bewegt sich der U-förmige Querträger 24 nach oben, während er von den Führungen 21 und 22 geführt wird und entsprechend dieser Aufwärtsbewegung bewe gen sich auch die Stützen 25 nach oben, wobei ihre dritten Ab schnitte 25c im horizontalen Zustand gehalten werden. Als Er gebnis davon wird der Deckel 13 von der Basis 12 weg nach oben bewegt, während er im horizontalen Zustand gehalten wird. Da her wird zwischen dem Deckel 13 und der Basis 12 ein Freiraum gebildet, wie in Fig. 3 dargestellt, so daß der erste Arm 15 und der zweite Arm 16, mit denen die Platte 6 zugeführt wird, diesen Freiraum durchlaufen können, wie mit einem Pfeil N1 angedeutet.

Nachstehend wird der Aufbau des Deckels 13 unter Bezug nahme auf die Fig. 6 und 7 im einzelnen erläutert. Fig. 6 ist eine von unten betrachtete perspektivische Ansicht des Deckels des erfindungsgemäßen Gerätes.

Der Deckel 13 weist einen im wesentlichen rechteckigen Deckelkörper 13b auf, in dessen Innerem eine Ausnehmung 60 ge bildet ist. Der Deckelkörper 13b weist eine erste Ausnehmung 13c und eine zweite Ausnehmung 13d, welche kleiner ist als die erste Ausnehmung 13c und sich ausgehend von einer Seite der ersten Ausnehmung 13c erstreckt, auf. In der ersten Ausnehmung 13c kann die Platte 6 vollständig aufgenommen werden und in dieser ersten Ausnehmung 13c wird die Plasmareinigung (Oberflächenbehandlung) der Platte 6 ausgeführt. Die erste Ausnehmung 13c wird nachstehend als "Behandlungskammer" be zeichnet und die zweite Ausnehmung 13d wird nachstehend als "Absaugkammer" bezeichnet.

Zur Beobachtung des Innenraums der Behandlungskammer 13c von außen ist ein Fenster 13e vorgesehen und eine obere Wand der Behandlungskammer 13c wird von vier Gewindelöchern 13f durchsetzt.

An einer Innenfläche einer Begrenzungswand des die Behandlungskammer 13c und die Absaugkammer 13d bestimmenden Deckelkörpers 13b ist eine Mehrzahl von Innenabdeckungen 31 festgelegt. Die der Behandlungskammer 13c und der Absaugkammer 13d zugewandten Innenseiten S der Innenabdeckungen 31 sind aufgerauht, d. h. sie weisen eine Anzahl feiner Grübchen und Vorsprünge auf und daher ist das Oberflächengebiet der einzel nen Innenabdeckungen 31 erhöht.

Während die Platte 6 einer Plasmareinigung in der Behand lungskammer 13c unterzogen wird, wird die von der Platte 6 ab getrente teilchenförmige Materie gestreut. Diese teilchenför mige Materie kann auf den aufgerauhten Oberflächen S abge schieden werden, um dadurch zu verhindern, daß die von der Platte 6 abgetrente teilchenförmige Materie erneut auf der Platte 6 abgeschieden wird. Die Innenabdeckungen 31 sind mit Schrauben od. dgl. (nicht dargestellt) lösbar an den inneren Begrenzungsflächen der Ausnehmung 60 festgelegt.

Eine zum Erzeugen des Plasmas dienende obere Elektrode 32 ist mit durch einzelne Schraubenlöcher 32a der Elektrode 32 in die einzelnen Gewindelöcher 13f eingeschraubten Schrauben 33 feststehend an der oberen Wand der Behandlungskammer 13c fest gelegt. Die obere Elektrode 32 ist elektrisch geerdet.

Als nächstes werden die Basis 12 und die dazugehörigen Teile unter Bezugnahme auf die Fig. 8 und 9 erläutert. Fig. 8 ist eine explosionsartige, perspektivische Ansicht der erfin dungsgemäßen Basis.

Wie in Fig. 8 dargestellt, weist die Basis 12 eine dicke Platte auf, welche etwas größere Abmessungen besitzt als der in Fig. 7 dargestellte Deckel 13. In einem zentralen Bereich der Basis 12 ist eine rechteckige Öffnung 12a gebildet und in diese Öffnung 12a ist eine untere Elektrode 34 eingepaßt, an die eine Hochfrequenzspannung angelegt wird. Mit einem Kabel 35 wird eine Hochfrequenz-Leistungsquelle elektrisch mit der unteren Elektrode 34 verbunden.

Der der Behandlungskammer 13c des Deckels 13 zugewandte Bereich der Basis 12 bildet ein Behandlungsgebiet A, in dem die Plasmareinigung der Platte 6 ausgeführt wird. Der dem Be handlungsgebiet A benachbarte und der Absaugkammer 13D zuge wandte Bereich der Basis 12 bildet ein Absauggebiet B.

In einem Randbereich der Basis 12 ist eine Nut 12e gebil det, mit der der untere Rand des Deckels 13 in Kontakt gelan gen kann. In die Nut 12e ist ein als Dichtelement dienender O- Ring 39 eingepaßt, der in Breitenrichtung der Nut 12e in einem zentralen Bereich der Nut 12e angeordnet ist. Wenn der Deckel 13 sich in engem Kontakt mit dem O-Ring 39 befindet, wird mit der Behandlungskammer 13c und der Absaugkammer 13d ein abge schlossener Raum K (vgl. Fig. 11) auf der Basis 12 gebildet.

Wie in Fig. 11 dargestellt, ist die Oberseite des O-Rings 39 in einer etwas geringerem Höhe angeordnet als die Ober seite der Basis 12.

Mit dieser Anordnung können sich der erste Arm 15 und der zweite Arm 16 ohne Kontakt mit dem O-Ring 39 ungestört bewe gen, wenn die Platte 6 in den durch die Doppelpfeile N2 be zeichneten Richtungen über die Basis 12 bewegt wird. Daher können sich die Platte 6 und der erste Arm 15 sowie der zweite Arm 16 ohne Kontakt mit dem O-Ring 39 bewegen und daher wird eine Beschädigung des O-Rings 39 verhindert und die Dichtig keit des abgeschlossenen Raums K kann bei einem hohen Wert ge halten werden, wodurch eine Verschlechterung der Qualität des Vakuums verhindert wird.

Gemäß Fig. 8 ist in einem Eckbereich des Behandlungsge bietes A ein Gaszufuhranschluß 12b zum Zuführen von Argongas (Betriebsgas) von einer Gasbombe (s. unten) in das Behand lungsgebiet A (d. h. die Behandlungskammer 13c) gebildet.

An den beiden Enden des Behandlungsgebietes A der Basis 12 ist jeweils eine Folge von Gewindelöchern 12c gebildet, die in einer sich senkrecht zum Transportweg L erstreckenden Rich tung angeordnet sind. Unter diesen Gewindelöchern werden die jenigen ausgewählt, welche der Breite der Platte 6 entsprechen und zum Führen der Platte 6 dienende Führungen 40 und 41 werden mit jeweils in die ausgewählten Gewindelöcher 12c einge schraubten Schrauben 42 feststehend an der Basis 12 festge legt. Die Führungen 40 und 41 wirken mit dem vor dem Drahtkontaktierungsmechanismus 14 angeordenten Führungen 18 zur Bildung eines einzigen Transportweg L zusammen. Wenn Plat ten 6 mit einer sich davon unterscheidenden Breite verwendet werden, werden die dieser Breite entsprechenden Gewindelöcher 12c ausgewählt. Jede der Führungen 40 und 41 ist aus einem elektrisch isolierenden Material, wie etwa aus einer Keramik hergestellt.

In einem zentralen Bereich des Absauggebietes B der Basis 12 ist ein Absauganschluß 12d gebildet und durch den Absaugan schluß 12d wird die Luft innerhalb der Behandlungskammer 13c und der Absaugkammer 13d abgegeben, um den Druck innerhalb des abgeschlossenen Raums K zu verringern und durch den Absaugan schluß 12d wird ferner Luft in die Behandlungskammer 13c und die Absaugkammer 13d eingeführt, um den abgeschlossenen Raum K auf Atmosphärendruck zu bringen. Der Absauganschluß 12d ist mit einem elektrisch geerdeten Metallnetz 38 abgedeckt. Wenn während einer Plasmaerzeugung elektrisch geladene Teilchen den Absauganschluß 12d durchlaufen, wird die elektrische Ladung mit dem Metallnetzt 38 von diesen Teilchen entfernt. Die Un terseite der unteren Elektrode 34 ist thermisch mit Kühlrippen 36 verbunden und die während des Ätzens erzeugte Wärme wird nach außen abgestrahlt.

Bei herkömmlichen Oberflächenbehandlungsgeräten ist ein der unteren Elektrode 34 entsprechendes Bauteil innerhalb ei nes Raumes mit verringertem Druck angebracht und es war schwierig, die Wärme dieses Bauteils nach außen abzustrahlen und daher wurde dieses Bauteil mit einem Wasserkühlverfahren gekühlt.

Bei einer derartigen herkömmlichen Anordnung wurden Rohre zum Zirkulieren des Betriebswassers, eine Pumpe zum Zuführen des Wassers, ein Wärmetauscher usw. benötigt und daher wurde die Gesamtgröße des Gerätes erhöht. Bei dieser Ausführungsform liegt der untere Bereich der unteren Elektrode 34 jedoch nach außen frei und die Kühlung kann unter Verwendung der Kühlrip pen 36 mit dem Luftkühlungsverfahren bewirkt werden und daher kann die Kühlung mit einer kompakten Bauweise wirksam ausge führt werden.

Gemäß Fig. 8 weist die untere Elektrode 34 einen an ihrem unteren Bereich gebildeten äußeren Flansch 34a auf. Zwischen der Unterseite der Basis 12 und dem Flansch 34a ist eine die selbe Form wie der Flansch 34a aufweisende, isolierende Platte 37 angeordnet und die Basis 12 und der Flansch 34a werden mit Hilfe von Schraubbolzen 34 aneinander befestigt. Mit der iso lierenden Platte 37 werden die Basis 12 und die untere Elek trode 34 elektrisch voneinander isoliert.

Fig. 10 ist eine Schnittansicht einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Oberflächenbehandlungsgerätes. In Fig. 10 ist der Deckel 13 in seinem horizontalen, abgehobenen Zustand gehalten, wobei zwischen dem Deckel 13 und der Basis 12 ein Freiraum gebildet ist, und die Platte 6 wird mit dem ersten Arm 15 zugeführt.

Nachstehend wird der Bewegungsmechanismus zum Bewegung des ersten Arms 15 und des zweiten Arms 16 unter Bezugnahme auf Fig. 10 erläutert.

Innerhalb der in Fig. 1 dargestellten Abdeckung 17 ist eine sich parallel zum Transportweg L erstreckende, längliche, lineare Führung 44 vorgesehen. Ein feststehend an einem be wegbaren Rahmen 46 angeordnetes Gleitelement 45 befindet sich in einem Gleiteingriff mit der linearen Führung 44 und der bewegbare Rahmen 46 ist parallel zum Transportweg L bewegbar (d. h.: in einer sich senkrecht zur Papierebene der Fig. 10 erstreckenden Richtung).

Ein unteres Ende des bewegbaren Rahmens 46 ist feststehend an einem sich parallel zum Transportweg L erstreckenden Syn chronriemen 49 festgelegt und über eine Riemenscheibe 48 wird eine Antriebskraft eines Motors 47 auf den Synchronriemen 49 übertragen.

An einem oberen Endbereich des bewegbaren Rahmens 46 ist ein Zapfen 50 angebracht und der erste Arm 15 wird an seinem proximalen Ende schwenkbar von diesem Zapfen 50 abgestützt, wo bei der erste Arm 15 einen nach unten gerichteten, hakenförmi gen, hinteren (distalen) Endbereich aufweist. Auf dem bewegbaren Rahmen 46 ist ein Zylinder 51 feststehend angebracht und eine Stange 52 dieses Zylinders 51 ist an den proximalen Endbereich des ersten Arms 15 gekoppelt.

Daher kann der erste Arm 15 durch einen Antrieb mit dem Mo tor 47 hin und hergehend parallel zum Transportweg L bewegt wer den und wenn der Zylinder 51 zum Ausfahren und Einfahren der Stange 52 angesteuert wird, wird der erste Arm 15 zwischen einer (in Fig. 10 mit der strichpunktierten Linie angedeuteten) nicht betriebsbereiten Position, in der der erste Arm 15 sich nicht in Eingriff mit der Platte 6 befindet, und einer (durch eine durch gezogene Linie) angedeutete betriebsbereiten Position, in der sich der erste Arm 15 in Eingriff mit dem Ende der Platte 6 be findet, bewegt.

Wenn der Motor 47 in einem Zustand, in dem sich der erste Arm 15 in Eingriff mit der Platte 6 befindet, betrieben wird, wird die Platte 6 zugeführt oder längs des Transportweges L be wegt. Der Zweite Arm 16 ist ebenfalls in der vorstehend für den ersten Arm 15 erläuterten Weise feststehend am Synchronriemen 49 festgelegt. Daher werden der erste Arm 15 und der zweite Arm 16 gleichzeitig in horizontaler Richtung bewegt, wenn der Motor 17 betätigt wird. Wenngleich der erste Arm 15 und der zweite Arm 16 bei dieser Ausführungsform mit einem beiden Armen gemeinsamen Synchronriemen 49 derart verbunden sind, daß die beiden Arme 15 und 16 einen vorgegebenen Abstand voneinander aufweisen, können der erste Arm 15 und der zweite Arm 16 auch unabhängig voneinander mit jeweils getrennt von einander angeordneten Bewegungsmechanismen parallel zum Tran portweg L bewegt werden.

Gemäß Fig. 10 wird ein Gebläse 53 zur Zuführung von Luft oder zur Belüftung der Kühlrippen 36 verwendet. Bei dieser Ausführungsform wird der Luftstrom mit dem Gebläse 53 von dem Drahtkontaktierungsmechanismus 6 in Richtung auf das Zuführma gazin 9 gerichtet und mit dieser Anordnung wird der Drahtkontaktierungsmechanismus 14 nicht von der vom Gebläse 53 abgeblasenen Luft beeinflußt.

Wenn der Deckel 13 in den horizontalen, abgesenkten Zu stand überführt wird, gelangt der untere Rand des Deckels 13 in engen Kontakt mit dem O-Ring 39 in der Nut 12e, so daß mit der Behandlungskammer 13c und der Absaugkammer 13d der abge schlossene Raum K gebildet wird, wie in Fig. 11 dargestellt. In der Behandlungskammer 13c ist die elektrisch geerdete obere Elektrode 32 der zur Beaufschlagung mit einer Hochfre quenzspannung vorgesehenen unteren Elektrode 34 zugewandt und die von den Führungen 40 und 41 abgestützte Platte 6 ist zwi schen den beiden Elektroden 32 und 34 angeordnet. Die Absaug kammer 13d steht über das Metallnetz 38 mit dem Absauganschluß 12d in Verbindung.

Die Elektroden des Oberflächenbehandlungsgerätes gemäß dieser Ausführungsform sowie der zugehörige Aufbau werden nachstehend unter Bezugnahme auf Fig. 12 erläutert.

Wie vorstehend unter Bezugnahme auf die Fig. 6 bis 9 erläutert, ist die elektrisch geerdete, obere Elektrode 32 bei dem Oberflächenbehandlungsgerät gemäß dieser Ausführungsform an dem Deckel 13 angebracht und die zur Beaufschlagung mit ei ner Hochfrequenzspannung vorgesehene, untere Elektrode 34 ist an der dem Deckel 13 zugewandten Basis 12 angebracht.

Wie in Fig. 12 dargestellt, ist ein Bereich 61 zur Be reitstellung einer hochfrequenten Spannung über das Kabel 35 mit der unteren Elektrode 34 verbunden. Der Bereich 61 zur Be reitstellung einer hochfrequenten Spannung weist eine Hochfre quenz-Leistungsquelle 62 zum Erzeugen einer Hochfrequenzspan nung sowie eine Abstimmeinrichtung 63 zum Abstimmen der mit der Hochfrequenz-Leistungsquelle 62 erzeugten hochfrequenten Spannung und zum Abgeben dieser Spannung an die untere Elek trode 34 über das Kabel 35 auf.

Wenn die Platte 6 zwischen dem Deckel 13 und der Basis 12 angeordnet ist und der Deckel 13 in der horizontalen abgesenk ten Position gehalten wird, so daß die obere Elektrode 32 sich in einem vorgegebenen Abstand von der unteren Elektrode 34 be findet, kann daher in diesem Zustand innerhalb des abge schlossenen Raums K ein Plasma erzeugt werden, wenn der Be reich 61 zur Bereitstellung einer hochfrequenten Spannung be trieben wird.

Wenn der Bereich 61 zur Bereitstellung einer hochfrequen ten Spannung betrieben wird, wird die untere Elektrode 34 er wärmt und daher wird zu dieser Zeit das Gebläse 63 zum Kühlen der thermisch mit der unteren Elektrode verbundenen Kühlrippen 36 betätigt, um dadurch zu verhindern, daß die Temperatur der unteren Elektrode 34 auf einen zu hohen Wert ansteigt.

Unter Bezugnahme auf die Fig. 12 und 13 wird ein Gaszu führbereich 64 zum Zuführen von Argongas in den abgeschlossenen Raum K über den in der Basis 12 gebildeten Gaszuführan schluß 12b sowie ein Drucksteuerbereich 68 zum Messen und Steuern des Drucks innerhalb des abgeschlossenen Raums K über den im Absauggebiet B gebildeten Absauganschluß 12d erläutert.

Der Gaszuführbereich 64 weist eine Gasbombe (Druckflasche) 65 zum Speichern von als Betriebsgas dienenden Argongas, einen Gas-Steuerbereich 66 zum Steuern der Flußrate, des Drucks und dgl. des von der Gasbombe 65 abgegebenen Argon gases und eine zum Verbinden des Gassteuerbereichs 66 mit dem Gaszuführanschluß 12b dienende Abgabeleitung 67 auf.

Wenn der Gaszuführbereich 64 betätigt wird, wird das Ar gongas mit einer gesteuerten Flußrate usw. über den Gaszuführ anschluß 12b in den abgeschlossenen Raum K eingeleitet. Der Gaszuführanschluß 12b ist in einem vom Gasabsauganschluß 12d entfernten Bereich des Behandlungsgebietes A vorgesehen und der Gasabsauganschluß 12d ist in dem dem Behandlungsgebiet A benachbarten Absauggebiet B vorgesehen. Daher wird sicherge stellt, daß das Argongas das Behandlungsgebiet A durchläuft, bevor es den Absauganschluß 12d erreicht und auf diese Weise wird das Argongas in hinreichender Weise über das Behandlungs gebiet A verteilt, so daß Konzentrationsschwankungen des Ar gongases bei einem geringen Wert gehalten werden können.

Wie nachstehend im einzelnen erläutert wird, liegt das an dem Absauganschluß 12d abgegebene Argon nicht nur in Form von Gas vor. Wenn das Argongas dem Behandlungsgebiet A zugeführt wird, befindet sich der abgeschlossene Raum K in einem Zustand mit verringertem Druck in der Nähe eines Vakuums und an die untere Elektrode 34 wird eine Hochfrequenzspannung angelegt. Daher wird aus dem Argongas ein Plasma gebildet, welches be züglich der Platte 6 eine Ätzwirkung (Plasmareinigung) ausübt. Wenngleich bei dieser Ausführungsform das Argongas zum Herstellen des Plasmas verwendet wird, kann auch irgendein anderes dafür geeignetes Gas eingesetzt werden.

Der Drucksteuerbereich 68 weist die folgenden vier Leitun gen oder Systeme auf.

Das erste System ist ein Vakuumsystem. Genauer gesagt, ist ein Ansauganschluß einer Vakuumpumpe 19 über eine Vakuumleitung 69 bzw. ein Vakuumrohr 69 mit dem Absauganschluß 12d verbunden. Zwischen den einander entgegengesetzten Enden des Vakuumrohres 69 ist ein Vakuumventil 70 vorgesehen. Daher wird der Druck in nerhalb des abgeschlossenen Raums K zum Erhalt eines Vakuums deutlich verringert, wenn die Vakuumpumpe 69 betrieben wird und das Vakuumventil 70 geöffnet ist.

Das zweite System ist ein Atmosphäreneinleitungssystem. Ge nauer gesagt ist ein Atmosphäreneinlaßrohr 71 mit dem Absaugan schluß 12d verbunden und das Atmosphäreneinlaßrohr 71 führt über ein Atmosphäreneinlaßventil 72 zu einem Atmosphäreneinlaßan schluß 73. Daher wird in dem abgeschlossenen Raum K der Atmosphärendruck wiederhergestellt, wenn das Atmosphäreneinlaß ventil 72 zum Einleiten der Atmosphäre oder Umgebungsluft über den Atmosphäreneinlaßanschluß 73 und das Atmosphäreneinlaßrohr 71 zum Einleiten der umgebenden Atmosphäre oder Umgebungsluft in den bei dem von dem oben erläuterten Vakuumsystem erzeugten Va kuum gehaltenen abgeschlossenen Raum K geöffnet wird.

Das dritte System ist ein System für einen Druckschalter 74. Wenn in dem abgeschlossenen Raum K der Atmosphärendruck mit dem Atmosphäreneinlaßsystem wiederhergestellt worden ist, wird mit dem Druckschalter 74 bestimmt, ob der Atmosphärendruck im abgeschlossenen Raum K tatsächlich wieder hergestellt ist oder nicht. Das vierte System ist ein System für ein Vakuummeßgerät 75. Mit dem Vakuummeßgerät 75 wird der Vakuumdruck innerhalb des abgeschlossenen Raums K gemessen, wenn der Druck innerhalb des abgeschlossenen Raums K mit dem Vakuumsystem verringert wird. Die Bereitstellung des Vakkumschalters 74 kann unterbleiben.

Wie in der eine längs der Linie XIII-XIII in Fig. 2 ge nommene Schnittansicht darstellenden Fig. 13 gezeigt, sind die oben angegebenen vier Systeme jeweils mit einem ersten 76a, einem zweiten 76b, einem dritten 76c bzw. einem vierten An schluß 76d verbunden, welche in einer Verbindungseinheit 76 gebildet sind, wobei die vier Anschlüsse 76a bis 76d nach un ten offen sind. In der Verbindungseinheit 76 sind die vier An schlüsse 76a bis 76d mit einem gemeinsamen Anschluß 76e ver bunden, der nach oben offen ist, und der gemeinsame Anschluß 76e ist direkt mit dem Absauganschluß 12d in der Basis 12 ver bunden.

Als nächstes wird die Funktion erläutert, bei der sich der Deckel 13 im horizontalen, abgehobenen Zustand befindet, die Platte 14 in dem Freiraum zwischen dem Deckel 13 und der Basis 12 eingeführt wird und dann die Plasmareinigung für diese Platte 6 ausgeführt wird.

Wenn die Platte in den zwischen dem Deckel 13 der Basis 12 gebildeten Freiraum eingeführt wird, wird die Platte 6 zunächst im Verlauf des Transportweges L von den Führungen 40 und 41, welche einen Teil des Transportweges L bilden, abge stützt. Weil der Deckel 13 sich noch im abgehobenen Zustand befindet, befindet sich die Umgebung der Platte 6 noch bei At mosphärendruck.

Dann wird der Zylinder 23 betätigt, um den unteren Rand des Deckels 13 in Kontakt mit dem O-Ring 39 zu bringen, wie in Fig. 11 dargestellt, wodurch mit dem Deckel 13 und der Basis 12 der abgeschlossene Raum K gebildet wird. Dann wird zum Verringern des Drucks innerhalb des abgeschlossenen Raums K die Vakuumpumpe 19 betrieben und das Vakuumventil 70 geöffnet. Zu dieser Zeit wird der Vakuumdruck innerhalb des abgeschlossenen Raums K mit dem Vakuummeßgerät 75 überwacht.

Wenn der Druck innerhalb des abgeschlossenen Raums K hin reichend verringert worden ist, wird der Gaszuführbereich 64 zum Einleiten von Argongas in die Behandlungskammer 13c des abgeschlossenen Raums K über den Gaszuführanschluß 12b betä tigt. Dann wird der Bereich 61 zum Anlegen einer hochfrequen ten Spannung betätigt, um eine hochfrequente Spannung an die untere Elektrode 34 anzulegen, wodurch in der Behandlungkammer 13c ein Plasma erzeugt wird. Die Reinigung wird mit geladenen Teilchen in diesem Plasma bewirkt.

Zu dieser Zeit können die geladenen Teilchen in Richtung auf den Absauganschluß 12d gestreut werden. Die elektrische Ladung der geladenen Teilchen wird jedoch beseitigt, weil am Absauganschluß 12d das geerdete Metallnetz 38 vorgesehen ist, wenn diese geladenen Teilchen auf dem Metallnetz 38 abgeschie den werden und daher erreichen die geladenen Teilchen nicht das Vakuumsystem und die daran anschließenden Teile. Dieser Zustand wird für eine bestimmte Zeitdauer aufrecht erhalten. Diese Zeitdauer ist zum Erhalt einer hinreichenden Reinigung notwendig und vorgegeben.

Nach Ablauf dieser Zeitdauer wird das Anlegen der hochfrequenten Spannung unterbrochen und auch die Zufuhr von Argongas vom Gaszuführbereich 64 wird unterbrochen. Das Vaku umventil 70 wird geschlossen. Dann wird das Atmosphärenein leitventil 72 geöffnet, um die umgebende Atmosphäre (Umgebungsluft) durch den Atmosphäreneinleitanschluß 73 in den abgeschlossenen Raum K einzuleiten. Als Ergebnis davon steigt der Druck innerhalb des abgeschlossenen Raums K an und zu die ser Zeit wird mit dem Druckschalter 74 beurteilt, ob der Druck innerhalb des abgeschlossenen Raums K den Atmosphärendruck wieder erreicht hat oder nicht.

Dann wird das Atmosphäreneinleitventil 72 geschlossen und der Zylinder 23 zur Bewegung des Deckels 13 in den horizonta len, abgehobenen Zustand betätigt, wenn innerhalb des abge schlossenen Raums K der Atmosphärendruck wiederhergestellt ist. Dann wird die oberflächenbehandelte Platte 6 aus dem Freiraum zwischen dem Deckel 13 und der Basis 12 herausbewegt und die nächste der Oberflächenbehandlung zu unterziehende Platte 6 in den Freiraum zwischen dem Deckel 13 und der Basis 12 transportiert.

Als nächstes wird unter Bezugnahme auf die Fig. 14 und 15 der Transport der Platte 6 in dem Oberflächenbehandlungsgerät gemäß dieser Ausführungsform erläutert. Fig. 14 ist eine den Transportweg in dieser Ausführungsform der Erfindung darstel lende Draufsicht.

Wie vorstehend erläutert, werden die Platten 6 hauptsäch lich mit dem ersten Arm 15 und dem zweiten Arm 16, welche die Transporteinrichtung bilden, transportiert. Der erste Arm 15 und der zweite Arm 16 sind an einem einzigen Synchronriemen 49 festgelegt und in einem vorgegebenen Abstand t voneinander an geordnet, sowie zusammen in der sich parallel zum Tranportwe ges L erstreckenden Richtung bewegbar.

Ferner sind Zylinder 51 (vgl. Fig. 10) zum Bewegen des ersten Arms 15 bzw. des zweiten Arms 16 nach oben und nach un ten vorgesehen und daher können der erste Arm 15 und der zweite Arm 16 unabhängig voneinander nach oben und nach unten bewegt wer den.

In der folgenden Erläuterung ist in der von der Abtrans portseite ausgehenden Reihenfolge die erste Platte 6X einer Oberflächenbehandlung unterzogen worden und wird mit dem Drahtkontaktierungsmechanismus 14 einer Drahtkontaktierung un terzogen und die zweite Platte 6Y wird in dem abgeschlossenen Raum K einer Oberflächenbehandlung unterzogen, während die dritte Platte 6Z noch keiner Oberflächenbehandlung unterzogen worden ist und noch im Zuführmagazin 9 aufgenommen ist.

Bei der in Fig. 14 dargestellten Positionsbeziehung wird der Deckel in den horizontalen abgehobenen Zustand überführt, wenn die Drahtkontaktierung der ersten Platte 6X und die Ober flächenbehandlung der zweiten Platte 6Y abgeschlossen sind.

Dann wird der zweite Arm 16 an die erste Platte 6X ange legt und der erste Arm 16 wird an die zweite Platte 6Y ange legt, wie in Fig. 15A dargestellt, und der Motor 47 wird zum Zuführen der ersten Platte 6X in das Lagermagazin 10 (in Rich tung des Pfeils M1) und auch zum Bewegen der zweiten Platte 6Y in die Position vor dem Drahtkontaktierungsmechanismus 14 (in Richtung des Pfeils M1) betätigt. Gleichzeitig wird der Vor schubzylinder 11 zum Zuführen der dritten Platte 6Z vom Zu führmagazin 9 in Richtung auf den Freiraum zwischen dem Deckel 13 und der Basis 12 betätigt.

Dann werden der erste Arm 15 und der zweite Arm 16 ange hoben und der erste Arm 15 wird zu einer hinter dem hinteren Ende der dritten Platte 6Z liegenden Position (in Richtung des Pfeils M2) bewegt, während der zweite Arm 16 (in Richtung des Pfeils M2) zu einer hinter dem hinteren Ende der zweiten Platte 6Y liegenden Position bewegt wird, wie in Fig. 15B dar gestellt. Dann werden der erste Arm 15 und der zweite Arm 16 abgesenkt und an die dritte Platte 6Z bzw. die zweite Platte 6Y angelegt und die dritte Platte 6Z wird mit dem ersten Arm 15 (in der durch den Pfeil M3 bezeichneten Richtung) in die der Position der zweiten Platte 6Y in Fig. 14 entsprechende Position bewegt, während die zweite Platte 6Y mit dem zweiten Arm 16 (in der durch den Pfeil M3 bezeichneten Richtung) zu der der Position der ersten Platte 6X in Fig. 14 ent sprechenden Position bewegt wird.

Dann werden der erste Arm 15 und der zweite Arm 16 je weils in die in Fig. 14 dargestellten Positionen zurückgeführt und der Deckel 13 wird in den horizontalen, abgesenkten Zu stand überführt. Dann werden die Oberflächenbehandlung der dritten Platte 6Z und die Drahtkontaktierung der zweiten Platte 6Y parallel zueinander ausgeführt. Durch Wiederholen des oben erläuterten Betriebs werden die Platten nacheinander unmittelbar nach einer Oberflächenbehandlung dieser Platten der Drahtkontaktierung unterzogen.

Daher sind das Oberflächenbehandlungsgerät und der Draht kontaktierungsmechanismus in dem Drahtkontaktierungsgerät ge mäß dieser Ausführungsform hintereinander längs des Transport weges L angeordnet und die oberflächenbehandelte Platte 6 wird dem Drahtkontaktierungsmechanismus 14 an der Abtransportseite des Transportweges L zugeführt und im wesentlichen gleichzei tig damit wird dem Oberflächenbehandlungsgerät von der Zuführ seite des Transportweges L die nächste einer Oberflächenbe handlung zu unterziehende Platte 6 zugeführt. Daher können die Oberflächenbehandlung, der Transport und die Drahtkontaktie rung der Platten im wesentlichen ohne Zeitverlust nacheinander ausgeführt werden, so daß die Produktivität im hohen Maße er höht werden kann.

Claims

1. Plasmareinigungsgerät für Schaltungsplatinen (6) mit:
einer einen Transportweg (L) zum Transportieren der Schaltungsplatinen (6) und eine Hochfrequenzelektrode (34) aufweisenden Basis (12),
einem oberhalb der Basis (12) angeordneten Deckel (13), wo bei der Deckel (13) eine in seiner Unterseite gebildete Ausnehmung (60) zum Aufnehmen der auf der Hochfrequenzelek trode angeordneten Schaltungsplatine (6) aufweist und zum Bilden eines die Hochfrequenzelektrode (34) abdeckenden ab geschlossenen Raumes (13c) ausgelegt ist,
einem Ein- und Ausrückmechanismus (23) zum Bewegen des Dec kels (13) zur Herstellung eines Kontaktes mit der Basis (12) und zum Lösen des Deckels von der Basis (12),
einem Transportmechanismus (15, 16) zum Transportieren der Platine längs des Transportweges,
einem Absaugmechanismus (12d, 13d, 69, 70) zum Evakuieren des abgeschlossenen Raums (13c) zum Erhalt eines verringer ten Drucks,
einem Zuführbereich (64) zum Zuführen eines zum Erzeugen eines Plasmas in dem abgeschlossenen Raum (13c) geeigneten Gases und
einer Hochfrequenzleistungsquelle (62) zum Anlegen einer Hochfrequenzspannung an die Hochfrequenzelektrode (34), mit der innerhalb des abgeschlossenen Raumes (13c) ein Plasma erzeugbar ist und die innerhalb des abgeschlossenen Raumes (13c) angeordneten Schaltungsplatine (6) zur Ausführung ei ner Plasmareinigung einer Oberfläche der Schaltungsplatine (6) mit Ionen beaufschlagt werden kann,
bei dem während der Zuführung der Platine (6) auf die Hoch frequenzelektrode (34) oder während des Abtransports der Platine von der Hochfrequenzelektrode (34) der Deckel (13) durch Betätigung des Ein- und Ausrückmechanismus (23) von der Basis (12) abhebbar ist und der Transportmechanismus (15, 16) die Schaltungsplatine (6) nach Ausführung der Plasmareinigung von der Hochfrequenzelektrode (34) zu einem Abtransportbereich des Transportweges befördert und die Schaltungsplatine (6) vor der Behandlung von einem Antrans portbereich des Transportweges auf die Hochfrequenzelek trode (34) befördert.

2. Plasmareinigungsgerät nach Anspruch 1, bei dem der Trans portmechanismus einen Arm (15) aufweist, der in einem Raum zwischen dem Deckel (13) und der Basis (12) bewegbar ist, wenn der Deckel (13) von der Basis (12) abgehoben ist, und mit dem die Platine (6) durch Druck von hinten auf die Hochfrequenzelektrode (34) bewegbar ist, und bei dem der Arm (15) aus einem unteren Bereich des Deckels (13) abzieh bar ist, wenn der Deckel in engen Kontakt mit der Basis (12) gebracht wird.

3. Verfahren zum Durchführen einer Plasmareinigung für eine Schaltungsplatine mit einem Plasmareinigungsgerät nach An spruch 1 oder 2,
wobei das Verfahren aufweist:
einen Schritt, bei dem der Deckel in einem Abstand von der Basis gehalten wird,
einen Schritt, bei dem die Schaltungsplatine vor der Be handlung von einem Antransportbereich des Transportweges mit dem Transportmechanismus auf die Hochfrequenzelektrode befördert wird,
einen Schritt, bei dem auf der Basis ein die Schaltungspla tine und die Hochfrequenzelektrode abdeckender abgeschlos sener Raum gebildet wird, indem der Deckel mit dem Ein- und Ausrückmechanismus in engen Kontakt mit der Basis gebracht wird,
einen Schritt, bei dem der abgeschlossene Raum mit dem Ab saugmechanismus zum Erhalt eines verringerten Drucks evaku iert wird,
einen Schritt, bei dem ein zum Erzeugen eines Plasmas ge eignetes Gas mit dem Gaszuführbereich in den abgeschlosse nen Raum eingeleitet wird,
einen Schritt, bei dem die Hochfrequenzleistungsquelle zum Erzeugen eines Plasmas innerhalb des abgeschlossenen Raums und zur Beaufschlagung der innerhalb des abgeschlossenen Raums angeordneten Schaltungsplatine mit Ionen angesteuert wird, um eine Plasmareinigung einer Oberfläche der Schal tungsplatine auszuführen,
einen Schritt, bei dem die Druckverringerung mit dem Ab saugmechanismus eingestellt wird, um einen inneren Bereich des abgeschlossenen Raums auf Atmosphärendruck zu bringen,
einen Schritt, bei dem der Deckel mit dem Ein- und Ausrück mechanismus von der Basis entfernt wird, und
einen Schritt, bei dem die Schaltungsplatine nach Ausfüh rung der Plasmareinigung von der Hochfrequenzelektrode zu einem Abtransportbereich des Transportweges befördert wird.