DE19619686C2 - Halbleiter- oder hybridtechnologiebasierte Meßanordnung mit spezieller Impedanzanordnung - Google Patents
Halbleiter- oder hybridtechnologiebasierte Meßanordnung mit spezieller ImpedanzanordnungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine oben genannte Meßanordnung zum
Messen physikalischer Größen, wie Kraft, Druck oder
Beschleunigung, wobei Impedanzen verwendet werden, die aufgrund
der physikalischen Größen ihren Wert ändern, so daß basierend
z. B. auf einer Meßbrückenschaltung (Wheatestone′sche Brücke)
oder einer Oszillatorschaltung (R-C-Oszillator) elektrische
Signale gewonnen werden können, die den physikalischen Größen
proportional sind.
Aus einem anderen technischen Fachgebiet sind temperatur
kompensierte DMS-Meßbrücken bekannt, die mit einer
Vervierfachung der Dehnmeßstreifen arbeiten (vgl. US 3,290,928,
dort Fig. 1 und Fig. 2 in Verbindung mit Spalte 3, Zeilen 20
bis 45). Obwohl in dieser Schrift gedruckte oder abgeschiedene
(deposited) Brückenschaltungen (vgl. dort Spalte 5, Zeilen 10
bis 15) erwähnt sind, werden sie auf eine biegsame Zwischen
schicht (dort 68, als "pliable insulation sheet" bezeichnet)
aufgebracht, welche dann zum Anbringen auf den der Belastung
unterworfenen Körper angeordnet wird. Es existieren in der
dortigen Fig. 2 unterschiedliche geometrische Orte, auf die die
vervierfachten Impedanzen der dortigen Fig. 1 verteilt werden.
Die DE 39 41 364 A1 beschreibt Meßeinrichtungen mit einer
Lastaufnahmeplatte und einen mit inneren und äußeren Trägern
gehaltenen Rahmen (dort 2), wobei auf den Trägern innerhalb des
Rahmens acht Dehnungsmesser und auf den Trägern außerhalb des
Rahmens ebenfalls acht Dehnungsmesser (DMS) vorgesehen sind, die
in einer dort beschriebenen Schaltung gemäß der dortigen Fig. 4
oder 5 in Brückenschaltungen verschaltet werden.
Meßsignale, die die tatsächlichen physikalischen Größen
elektrisch abbilden, weichen oft von den idealen Verhältnissen
ab. Fehlerquellen eines nicht idealen Brückenverhaltens können
Geometriefehler, Materialfehler, Fertigungstoleranzen,
Temperatur-Inhomogenität oder nicht ideale Meßgrößen-Einkopplung
(aufgrund des Meßaufbaus oder der Sensor-Topologie) sein. Diese
Fehlerquellen führen zu Signalen, die im Hinblick auf die
eigentlich interessierenden Meßgrößen stören, sie also
verfälschen. Zusammengefaßt können sich die obigen nichtidealen
Einflüsse in einem Offset, in einer Temperaturdrift oder in
einem nichtlinearen Kennlinienverlauf (elektrische Meßgröße zu
physikalischer Systemgröße) manifestieren.
Es ist Aufgabe der Erfindung in den eingangs genannten
Meßeinrichtungen die Meßgrößen so genau wie möglich mit einer
Meßanordnung meßbar zu machen, mithin die Kennlinie so linear
als möglich zu gestalten, den Offset so weit als möglich zu
reduzieren und die Temperaturdrift so weit als möglich zu
kompensieren, wobei die Auswirkungen von Materialfehlern,
Geometriefehlern und Fertigungsfehlern mit systematischer
Verteilung über der Gesamtfläche des Wandlergebietes und
Fertigungsfehler lokaler Art ausgeglichen werden sollen.
Diese Aufgabe löst Anspruch 1. Durch die elektrische
Verschaltung der örtlich regelmäßig um die Achse verteilten
Einzel-Impedanzen auf den (gedachten) geometrischen Zweigen zu
Quellimpedanzen (zusammengefaßte Einzel-Impedanzen in einen
elektrischen Zweig) können Fertigungsfehler, z. B. ein
Maskenversatz, ausgeglichen werden.
Auch die Temperaturgradienten über der Gesamtfläche des
Wandlergebietes werden mit der Vervierfachung der Impedanzen
ausgeglichen und nicht ideale Meßgrößen-Einkopplungen werden
gemittelt oder sind im Vergleich zu der Anordnung, bei der nur
eine Impedanz statt der erfindungsgemäßen vier Impedanzen
vorgesehen sind, leichter kompensierbar.
Eine Meßbrücke enthält zumindest zwei elektrische Zweige und in
jedem solchen Impedanzzweig ist eine Mehrzahl von meßgrößen
sensitiven Impedanzen angeordnet, die insgesamt durch den Faktor
4 teilbar ist. Anders herum ausgedrückt ist eine
Brückenanordnung gemäß dem Stand der Technik so verändert, daß
für jede Impedanz des Standes der Technik (= Quellimpedanz) nun
4 oder 8 oder 16 geometrisch verteilte Impedanzen gesetzt
werden, um Mittelungen und die ausgleichende Wirkung der
Fertigungstoleranzen zu erreichen.
Werden Brückenschaltungen mit 2 oder 4 meßgrößen-sensitiven
Impedanzzweigen verwendet, so wird in der Topologie (der
geometrischen Anordnung der vervierfachten Impedanzen auf dem
die physikalische Kraft erfahrenden Meßkörper) so ausgebildet,
daß jeweils Impedanzpaare aus diagonal gegenüberliegenden
(elektrischen) Zweigen gebildet werden. Der
im Stand der Technik nur als ein geometrischer Ort definierte
Punkt der Anbringung eines Impedanzelementes wird
erfindungsgemäß zu einem geometrischen Zweig, auf dem mehrere
Impedanzen angeordnet sind. Die mehreren Impedanzen sind
erfindungsgemäß solche aus jeweils diagonal gegenüberliegenden
Brückenzweigen. Sind auf einem geometrischen Zweig, der eine
gesamte Seite eines gedachten Vierecks sein kann,
mehr als zwei Impedanzen angeordnet, so empfiehlt sich eine
jeweils abwechselnde Anbringung zur Bildung von Paaren P1, P2,
bei dem ein Paar aus Impedanzen diagonal
gegenüberliegender Brückenzweige besteht und das benachbarte
Paar von Impedanzen auf demselben geometrischen Zweig aus
anderen Impedanzen besteht, die aber elektrisch auch in
denselben diagonal gegenüberliegenden Brückenzweigen verschaltet
sind. Diese "kreuzweise Verschachtelung" der elektrischen
Impedanzzweige und der geometrischen Zweige erlaubt
eine noch bessere thermische Mittelwertbildung als die oben
umschriebene Grundanordnung.
Die Impedanzen, die die Meßgrößen aufnehmen und in elektrische
Signale umsetzen (durch Änderung ihres Widerstandes, der zu
einem geänderten Spannungsabfall oder zu einem geänderten
Teilerverhältnis in einer Spannungsteilerschaltung führt),
können paarbildend mit geometrisch eng benachbarten Impedanzen
zusammengeschaltet werden, die so auf dem Meßkörper angebracht
sind, daß sie meßgrößen-insensitiv sind, also keinen von der
Meßgröße abhängigen Widerstand haben. Den zweiten gemischten
Paaren - gegenüber den oben erwähnten nur meßgrößen-sensitiven
(ersten) Impedanzpaaren - sind solche Impedanzen zugeordnet, die
aus unterschiedlichen Impedanzzweigen stammen, die aber auf
derselben Seite der Meßbrücke liegen. Die zweiten Impedanzpaare
ermöglichen es, Temperatur- und Fertigungsfehler zu
kompensieren, wenn nur zwei der Impedanzzweige einer Meßbrücke
meßgrößen-sensitiv sind.
Sind alle 4 Impedanzzweige einer Meßbrücke (Vollbrücke)
meßgrößen-sensitiv, so werden die vervierfachten Impedanzen
jedes Impedanzzweiges kreuzweise so mit den geometrischen
Zweigen verschachtelt, daß die geometrischen Zweige z. B. zwei
Vierecke mit unterschiedlicher Seitenlänge bilden, die aber das
gleiche Zentrum haben. Jeweils eng benachbarte parallele Seiten
der beiden geometrischen Loci tragen dabei Impedanzen aus allen
vier Impedanzzweigen, jeweils die diagonal gegenüberliegenden
Impedanzzweige sind auf einem geometrischen Zweig und die
anderen Impedanzen der anderen Brückendiagonale sind auf dem
dazu parallelen aber eng benachbarten geometrischen Zweig
plaziert.
Die oben umschriebenen Topologien sind für Halb- und Vollbrücke,
und damit achsensymmetrisch bezüglich zweier durch den
(geometrischen) Mittelpunkt der Topologie verlaufender
90°-Strahlen, selbst wenn die inneren und äußeren Impedanzpaare
von den Achsen unterschiedliche Abstände haben.
Die erwähnten Meßimpedanzen können im wesentlichen ohmschen
Charakter haben und werden dann aus einer Materialschicht mit
spezifischem Schichtwiderstand hergestellt. Der
Schichtwiderstand ergibt bei entsprechend flächiger Anordnung
der Schichten den Meßwiderstand. Im Falle von
Dickschichtwiderständen wird der Schichtwiderstand durch die
Dickschicht-Pasteneigenschaft vorgegeben. Im Halbleiterbereich
ist der Widerstand durch die Materialdotierung gegeben. Auch
eine Dünnschichttechnik kann eingesetzt werden.
Der oben erwähnte Meßkörper ist an den geometrischen Zweigen
membranförmig ausgebildet, womit er eine Materialdicke aufweist,
die an diesen Stellen dünner als im übrigen Bereich ist. Dadurch
entsteht eine lokale Erhöhung der Dehnungs- bzw.
Stauchungseffekte durch die zu messende physikalische Größe
(Kraft, Druck oder Beschleunigung o. ä.), so daß die
Widerstandsänderung der Impedanzen deutlicher ausfällt.
Die erfindungsgemäß erläuterte Vervierfachung der meßgrößen
sensitiven Impedanzen kann anders ausgedrückt auch eine
Aufteilung der einen Impedanz des Standes der Technik in vier
oder ein Mehrfaches von 4 diskreten Impedanzen sein. Die ein-
oder mehrfach um den Faktor 4 aufgeteilten Impedanzen oder die
ein- oder mehrfach vervierfachten Impedanzen werden auf die
Impedanzzweige der Brücken geometrisch verteilt und elektrisch
gleichwohl seriell oder parallel miteinander verbunden. Obwohl
also die um ein ganzzahliges Vielfaches (n = 1, 2, . . .)
vervielfachten Impedanzen geometrisch deutlich beabstandet
werden, werden sie elektrisch eng miteinander verbunden,
namentlich in denselben elektrischen Impedanzzweig seriell oder
parallel geschaltet.
Die geometrische deutliche Beabstandung ist eine solche, die ein
Gegenüberliegen (Verdrehen um 180°) oder ein deutlich
beabstandetes Benachbarn (Verdrehen von ± 90° bedeutet.
Anders umschrieben werden kann das so, daß jeweils zwei 1/4
Impedanzen diagonal etwa über den Mittelpunkt der auf dem
Meßkörper angebrachten Impedanztopologie (die Gesamtanordnung
aller Impedanzen) angeordnet sind und zwei andere 1/4
Impedanzelemente ebenfalls diagonal etwa über den Mittelpunkt
der Gesamtanordnung angebracht sind, aber um einen Winkel von
vorzugsweise etwa 90° gedreht zum zuvor erwähnten Impedanzpaar
plaziert sind.
Soweit bei der obigen Erläuterung geometrische Zweige als Seiten
eines Vierecks umschrieben wurden, und Winkel von ± 90° oder
180° erwähnt wurden, verstehen sich diese Angaben als sinngemäß
solche Angaben, die eine ungefähre Ausrichtung auf einer Linie
bzw. einen ungefähren Winkel von 90 bzw. 180° bedeuten.
Die Erfindung(en) werden nachfolgend anhand mehrerer
Ausführungsbeispiele erläutert und ergänzt.
Fig. 1 ist als Referenz des Standes der Technik eine Aufsicht (linkes Halbbild) und eine
Schnittansicht (rechtes Halbbild) von einer
Meßanordnung mit 4 Meßimpedanzen R1, R2, R3 und R4, die
auf den Randbereichen einer ringförmigen Membran 10m
angeordnet sind, die Teil eines metallischen Meßträgers
10 ist, der eine Achse 100 hat.
Fig. 1a ist eine bekannte Schaltungsanordnung einer
Vollbrücke mit den vier oben erwähnten Widerständen R1
bis R4, wobei die Referenzspannung U₀ ist und eine
Differenzspannung in der Brückenmitte als udiff
abgegriffen wird, welche Spannung proportional zur zu
messenden Beschleunigung, zur zu messenden Kraft oder
zum zu messenden Druck ist, der auf den Innenteil 10i
des Trägers 10 drückt oder wirkt gegenüber dem
randseitig fest eingespannten Randbereich 10r.
Fig. 2 ist eine bekannte Basisanordnung mit 2 meßgrößen-sensitiven
Widerständen R1 und R4, die am Rande eines
quadratischen Membranbereichs 10m angeordnet sind. Im
äußeren Randbereich 10r, der hier quadratisch ist, sind
nicht auf die Meßgröße ansprechende Widerstände R2, R3
angeordnet.
Fig. 2a ist eine bekannte elektrische Verschaltung der vier Widerstände
R1 bis R4 zu Fig. 2, wobei die sensitiven und nicht
sensitiven Widerstände R₁, R₄ bzw. R₂, R₃ so markiert
sind, wie auch in Fig. 2.
Fig. 2b ist eine Schnittansicht der Aufsicht von Fig. 2.
Fig. 3 ist eine für die Erfindung beispielhafte Anordnung mit vervierfachten Widerständen
(8 Widerstände statt 2) und bildet ein Beispiel einer
erfindungsgemäßen Anordnung gegenüber der
Ausführungsform des Standes der Technik, die in Fig. 2
repräsentiert ist.
Fig. 3a ist die elektrische Verschaltung der acht Widerstände
R11 bis R44 von Fig. 3, wobei die jeweils meßgrößen
sensitiven Widerstände R1 (R11 bis R14) und R4 (R41 bis
R44) in einem Impedanzzweig der Halbbrücke (jeweils
parallel) geschaltet sind.
Fig. 4 ist eine erfindungsgemäße Topologie-Verbesserung zur Fehlermaskierung,
wobei jeweils 4 Impedanzelemente in einem Brückenzweig
vorhanden sind und alle vier Brückenzweige meßgrößen
sensitiv sind (Vollbrücke). Der Meßkörper 10 ist
derselbe wie derjenige von Fig. 1.
Fig. 4a ist die elektrische Verschaltung in Vollbrücken-
Schaltung der Impedanzen R11 bis R44 von Fig. 4.
Fig. 4b verdeutlicht die schematische Verschaltung der Fig. 4a
anhand eines Verdrahtungsplans, der den geometrischen
Ort der sechzehn Impedanzen der Fig. 4 beibehält und
die Verdrahtung so darstellt, wie sie durch
Leiterbahnen oder Verdrahtung direkt auf dem
Meßträger 10 verwirklicht wird.
Fig. 5 ist ein Widerstands-Splitting um den Faktor 16 (sie
entspricht einer Verdoppelung der Schaltungsanordnung
von Fig. 4), wobei an jedem geometrischen Zweig 11,
12, 13, 14, welche vier Zweige zusammen ein äußeres
Quadrat bilden, zwei Paare P1, P2 von Impedanzen
nebeneinander angeordnet sind, deren Verschaltung sich
für ein jeweiliges Paar aus der Fig. 4a ergibt.
In Fig. 1 ist in rechtem und linkem Halbbild ein hier
ringförmiger Träger 10 gezeichnet, der ebenso quadratisch sein
kann. Er wird hier beispielhaft beschrieben und hat Geltung in
ringförmiger oder quadratischer oder anderer Form für alle
weiteren Figuren, auch dort tragen die korrespondierenden
Abschnitte dieses Meßkörpers 10 die entsprechenden
Bezugszeichen.
Der Meßkörper 10 ist um eine Achse 100 symmetrisch und weist
eine innere Bohrung auf, an der ein mechanisches Kupplungsstück
angebracht werden kann, auf das eine Kraft, ein Druck oder eine
Beschleunigung wirkt. Ein innerer Bereich 10i ist mechanisch
dick ausgestaltet und leitet über in einen ringförmigen
Membranbereich 10m, der um ein Vielfaches dünner ausgestaltet
ist, als der innere Bereich 10i und ein den Membranbereich 10m
umgebender äußerer Randbereich 10r. Die Bereiche 10r und 10i
sind im wesentlichen gleich dick gestaltet. Am inneren
Übergangsbereich und am äußeren Übergangsbereich zwischen
Membranbereich 10m und innerem Bereich 10i bzw. äußerem Bereich
10r sind auf der flachen Seite des Meßkörpers 10 vier Impedanzen
R1, R2, R3, R4 angeordnet, die Dickschichtwiderstände,
Dünnfilmwiderstände oder piezoresistive Widerstände sein können.
Eine Auslenkung des inneren Bereiches 10i gegenüber dem
Randbereich 10r (oder umgekehrt bei Bewegung des äußeren
Bereiches 10r gegenüber dem inneren festen Bereich 10i) bewirkt
eine Formveränderung der Widerstände R1 bis R4 und damit eine
Widerstandsveränderung, die über Meßspannung oder Meßstrom
detektiert werden kann.
Die Meßbrückenschaltung in Fig. 1a zeigt die elektrische
Verschaltung der geometrisch verteilten Widerstandsanordnung R1
bis R4 (Impedanz-Topologie). Die Meßspannung wird im
Brückenzweig abgegriffen und hier mit udiff bezeichnet, während
der Referenzwert U₀, der die Brücke speist, in erster Näherung
konstant gehalten wird. udiff ändert sich abhängig von dem
Belastungszustand des Meßkörpers 10, wobei die Widerstände R1
bis R4 in der Topologie so angeordnet sind, daß die diagonal
gegenüberliegenden Widerstände R1 und R4 bzw. R2 und R3 jeweils
zusammen in die gleiche Richtung auslenken, also zusammen größer
werden oder zusammen kleiner werden. Dann ist die
Differenzspannung udiff in der Brückendiagonalen ein Maximum. U₀
kann (wie auch ein entsprechender Konstantenstrom) z. B. von der
Temperatur (zu Kompensationszwecken) beeinflußt sein.
Fig. 3 und Fig. 3a zeigen die geometrische Gestaltung von
vervierfachten Impedanzen R11 bis R44, die nach Art einer Matrix
regelmäßig auf dem Meßkörper 10 aufgebracht sind. Hier ist der
Meßkörper quadratisch und jeweils zwei Impedanzen sind auf einer
Seite 11, 12, 13, 14 eines gedachten Quadrates geometrisch
angeordnet, während sie elektrisch zu zwei diagonal
gegenüberliegenden Brückenzweigen gehören. Beispielsweise seien
die beiden Impedanzen R11 und R41 herausgegriffen, die zu der
Impedanz R1 bzw. R4 in Fig. 3a gehören. In gleicher Weise
ergeben sich die anderen Widerstände R12 und R42, die zu den
selben Impedanzzweigen der Halbbrücke von Fig. 3a gehören, aber
an einem anderen geometrischen Zweig angeordnet sind, namentlich
der Seite 13.
Alle vier Impedanzen jedes Impedanzzweiges sind in der Fig. 3a
parallel geschaltet und ergeben somit eine resultierende
Zweigimpedanz von 1/4 ihres Wertes, wenn alle R gleich groß
gewählt sind.
Die geometrischen Linien, auf denen die vier Impedanzen jedes
Zweiges verteilt sind, ergeben sich aus der Schnittansicht der
Fig. 2b, die wiederum den Membranbereich 10m als Quadrat
veranschaulicht. Dort ist jeder geometrische Zweig das äußere
Ende des Membranbereichs 10m, ebenso könnte er das innere Ende
des Membranbereichs 10m sein.
Der Abstand von R₁₁ und R₄₁ bzw. den zugehörigen nicht
sensitiven Impedanzen kann unterschiedlich sein, so daß z. B. ein
gerader Fahrstrahl, der vom Zentrum ausgeht, über R₁₁ und die
zugehörige insensitive Teilimpedanz aus R₂ verläuft; während
dazu im Winkel ein zweiter Fahrstrahl durch dasselbe Zentrum und
R₄₁ bzw. die Teilimpedanz aus R₃ verläuft. Achsensymmetrie wird
gleichwohl beibehalten.
In Fig. 2 ist eine Halbbrücke nach dem Stand der Technik
dargestellt, hinsichtlich der Anbringung von zwei meßgrößen
sensitiven Widerständen R1 und R4 auf den geometrischen
Zweigen 11 und 13. Diese beiden Widerstände werden in
Halbbrückenschaltung verschaltet, während die zwei anderen
Widerstände der aus vier Widerständen bestehenden Brücke der
Fig. 2a nicht auf die Meßgröße ansprechen. Sie bilden eine
Temperaturkompensation und eine Kompensation von
Fertigungsfehlern lokaler Art, indem sie eng benachbart dem
Meßgrößen-Widerstand angeordnet werden.
Diese Kompensations-Paare R1/R2 und R3/R4 aus jeweils einem
Widerstand, der auf die Meßgröße anspricht und einem solchen,
der nicht darauf anspricht, ist auch in der Fig. 3 verwirklicht,
wobei die Vervierfachung der sensitiven Widerstände in einer
Vervierfachung der nicht sensitiven Widerstände mündet.
Fig. 4 verdeutlicht das Vervierfachen eines Impedanzelementes
des Standes der Technik anhand einer Vollbrücke. Hier werden die
vier Elemente jedes Impedanzzweiges der Vollbrücke, die in
Fig. 4a dargestellt ist, in Reihe geschaltet. Die
Differenzspannung udiff ergibt sich wiederum in der
Brückendiagonale. Die bisher erwähnten geometrischen
Zweige 11, 12, 13, 14 können anhand der Fig. 4 leicht hinzu gedacht
werden, obwohl hier ein ringförmiger Meßkörper 10 mit
Membranabschnitt 10m gewählt ist. Als Anhaltspunkt kann die
Fig. 5 dienen, die die Vollbrücke der Fig. 4a verwirklicht,
jeweils mit den dort abgebildeten linken Paaren R11, R41
(Paar P1) auf dem geometrischen Zweig 14 und dem Paar P2 aus
R21, R31 auf einem weiter innen liegenden geometrischen
Zweig 24, wobei die beiden erwähnten Zweige 24, 14 parallel und
benachbart angeordnet sind.
In der Fig. 4b wird besonders deutlich, welche Impedanzen der
vervierfachten Zweigimpedanzen elektrisch miteinander
verschaltet werden und welche Impedanzen aus unterschiedlichen
Impedanzzweigen der Fig. 4a auf denselben geometrischen Zweigen
angeordnet werden. Nebeneinander sind jeweils Impedanzen aus
diagonal gegenüberliegenden Zweigen, so bspw. die Impedanz R11
des linken oberen Zweigs und die Impedanz R41 des rechten
unteren Zweiges der Brücke auf dem äußeren oberen geometrischen
Zweig 14 und bspw. die Impedanz R31 des rechten oberen
Impedanzzweiges und die Impedanz R21 des linken unteren
Impedanzzweiges der Brücke auf dem oberen inneren geometrischen
Zweig 24.
Nachdem die Membran 10m im Beispiel der Fig. 4 ringförmig
ausgebildet ist, folgen die gedachten geometrischen
Zweige 11, 12, 13, 14 bzw. 21, 22, 23, 24 nicht den äußeren oder
inneren Rändern der Membran, sondern sind gedachte
tangentenähnliche Linien, auf denen die Impedanzen angeordnet
werden.
Wenn - wie Fig. 5 veranschaulicht - die Vollbrückenschaltung
verdoppelt wird und aus einem Widerstand jedes Brückenzweiges
2 mal 4, also 8 Impedanzen werden, können vier dieser Impedanzen
jeweils in Serie geschaltet werden und jede Gruppe dieser vier
Impedanzen in jedem elektrischen Zweig der Brücke parallel
geschaltet werden. Daraus ergibt sich als elektrische
Verschaltung der Fig. 5 eine verdoppelte Schaltung der Fig. 4a.
In geometrischer Anordnung hält die Fig. 5 noch eine
Besonderheit bereit. Es werden hier auf einem geometrischen
Ort 14 bzw. 24 (beispielhaft herausgegriffen) mehrere Paare von
Impedanzen gebildet, die denselben diagonal gegenüberliegenden
Impedanzzweigen der Vollbrücke angehören. So gehören die
Widerstände R11 und R41 dem linken oberen bzw. rechten unteren
Brückenzweig an und bilden ein erstes Impedanzpaar P1 auf dem
geometrischen Zweig 14 als obere Seitenlinie des äußeren
Vierecks. Ein zweites Impedanzpaar P2 wird gebildet aus den
Impedanzen R12 und R42, die ebenfalls dem linken oberen und dem
rechten unteren Impedanzzweig der Vollbrücke gemäß Fig. 4a (in
verdoppelter Schaltung) angehören.
Die auf einem geometrischen Zweig so gebildeten Impedanzpaare P₁
und P₂ sind jeweils sich abwechselnde Impedanzen aus diagonal
gegenüberliegenden Zweigen der Brücke.
In Variante zu vorgenannter elektrischer Vorschaltung können
auch die beiden parallelen Zweige aus je vier Impedanzen in
jedem Impedanzzweig (alle) in Reihe geschaltet werden, so daß
jeder Impedanzzweig der Vollbrücke aus 8 hintereinander
geschalteten Impedanzen besteht. Dann werden die Paare P1 und P2
auf der geometrischen Seite 14 aus den jeweils oberen beiden
Impedanzen des linken oberen Zweiges und des rechten unteren
Zweiges der Brücke gebildet, wobei sich die Impedanzen
aufgereiht abwechseln, also kreuzweise verschachtelt werden. Auf
dem dazu senkrechten geometrischen Ort 13 wird die dritte und
vierte Impedanz des linken oberen Impedanzzweiges und die dritte
und vierte Impedanz des rechten unteren Impedanzzweiges der
Vollbrücke kreuzweise verschachtelt. Die anderen ergeben sich
entsprechend.
Für den Fall der Speisung der Brücke mit im wesentlichen
konstanten Strom I₀ (statt U₀), können auch vollständige
Parallelschaltungen aller acht Teilimpedanzen R₁₁ bis R₁₈ pro
Impedanzzweig gewählt werden.
Im Aufbau der Fig. 5 ergibt sich eine sehr gute thermische
Mittelwertbildung, neben der schon sehr guten Kompensierbarkeit
von Temperaturgradienten über die Gesamtfläche des
Wandlergebietes von Fig. 4.
Fig. 5 eignet sich besonders für silizium-basierte
Implementierungen.
Erläutert sei ein Temperatur-Matching anhand der Fig. 4 mit zwei
unterschiedlichen Temperaturen T1 und T2 in den Wandlergebieten
R11/R41 und R43/R13. Nachdem diese lokal unterschiedlichen
Temperaturen Wandler betreffen, die in diagonalen Brückenzweigen
liegen, ist R11(T1)/R41(T1) = R13(T2)/R43(T2).
Ein Störgrößenausgleich bei nichtlinearer Krafteinleitung sei
ebenfalls anhand der Fig. 4 erläutert. Eine im Winkel von 45°
zwischen den Impedanzen R11 und R42 eingeleitete Kraft F führt
zu Kraftkomponenten in den Impedanzen R34, R24, R14, R44 und in
den Impedanzen R23, R33, R43 und R13. In den vorgenannten
Impedanzen entsteht eine Druckkomponente, während in den übrigen
8 Impedanzen, zwischen denen die Kraft eingeleitet wird, ein Zug
entsteht. Die Störgrößenkompensation wird durch die
Vervierfachung der Wandlerelemente erleichtert, da zweimal Zug
und zweimal Druck gemessen wird, die addiert ungefähr Null
ergeben.
Claims (11)
1. Halbleiter- oder hybridtechnologiebasierte Meßanordnung zur
Messung einer physikalischen Grundgröße, wie Kraft, Druck
oder Beschleunigung als Meßgröße,
- - mit mehreren auf einem einzelnen Meßkörper (10; 10r, 10m, 10i) regelmäßig um eine Achse (100) eines Material-Dünnungsgebietes (10m) des Meßkörpers (10) gelegenen geometrischen Zweigen (11, 12, 13, 14; 14, 24), auf denen gleichsinning auf die Meßgröße reagierende (meßgrößen sensitive) Einzel-Impedanzen (R11, R12, R13, R14) fest, insbesondere einstückig angeordnet sind;
- - die Einzel-Impedanzen (R11, R12, R13, R14) in Dünnfilmtechnik, Dickschichttechnik oder durch Halbleiterdotierung ausgebildet sind;
- - jeweils vier meßgrößen-sensitive Einzel-Impedanzen aus vier jeweils verschiedenen geometrischen Zweigen zu einer Quellimpedanz (R1, R4) in einem elektrischen Zweig elektrisch leitend verschaltet sind.
2. Meßanordnung nach Anspruch 1, bei der jede Quellimpedanz
mehrfach vervierfacht ist, indem jeweils zumindest zwei
Einzel-Impedanzen aus einem geometrischen Zweig in einem
elektrischen Zweig einer Brückenschaltung verschaltet sind.
3. Meßanordnung nach Anspruch 1 oder 2, bei der die Einzel-
Impedanzen in zwei oder vier elektrischen Zweigen einer bzw.
der Brückenschaltung elektrisch verschaltet sind.
4. Meßanordnung nach einem der erwähnten Ansprüche, bei der
jeder meßgrößen-sensitiven Einzel-Impedanz eine nicht
meßgrößen-sensitive Impedanz paarbildend geometrisch eng
benachbart zugeordnet ist.
5. Meßanordnung nach einem der erwähnten Ansprüche, bei der die
Einzel-Impedanzen jedes elektrischen Zweiges an deutlich
unterschiedlichen geometrischen Orten angeordnet sind,
gleichwohl elektrisch in Reihe oder parallel in dem
jeweiligen elektrischen Zweig - zur Bildung der
Quellimpedanz - geschaltet sind.
6. Meßanordnung nach Anspruch 5, bei der die geometrische
Verteilung der die Quellimpedanz eines elektrischen Zweiges
bildenden Impedanzen (R11, R12, R13, R14) entlang eines
gedachten Linienzuges erfolgt, der einen Kreis beschreibt,
wobei dieser Kreis wenigstens stückweise in etwa
gleichlaufend mit der Begrenzungskontur des Material-
Dünnungsgebietes (10m) ist.
7. Meßanordnung nach Anspruch 5, bei der ein geometrischer
Zweig im wesentlichen eine Seite eines rechtwinkligen
Vierecks ist, das wenigstens stückweise in etwa
gleichlaufend mit der Begrenzungskontur des Material-
Dünnungsgebietes (10m) ist.
8. Meßanordnung nach Anspruch 6 oder 7, bei der auf jedem
geometrischen Zweig (11, 12, 13, 14) insbesondere abwechselnd
Impedanzen aus zwei in einer Brückenschaltung diagonal
gegenüberliegenden Zweigen (R1, R4; R2, R3) angeordnet sind
(R11, R41; R12, R42; . . .).
9. Meßanordnung nach Anspruchs 7, bei der als geometrische
Zweige zwei Vierecke mit unterschiedlichen Seitenlängen aber
gleichem Zentrum (100) vorgesehen sind und in den direkt
benachbarten parallelen Seiten der Vierecke unterschiedliche
Brückendiagonal-Impedanzen (R1, R4; R2, R3) angeordnet sind.
10. Meßanordnung nach einem der obigen Ansprüche, bei der die
Impedanzen auf einem geometrischen Zweig (14) ein
Impedanzpaar (P₁, P₂) oder ein ganzzahliges Vielfaches von
Impedanzpaaren (P₁, P₂) bilden, wobei jeweils ein solches
Paar aus Impedanzen von zwei diagonal gegenüberliegenden
Brückenzweigen als elektrische Zweige gebildet wird.
11. Meßanordnung nach Anspruch 1, die in einer
RC-Oszillatorschaltung enthalten ist.
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US7497118B2 (en) | 2004-08-18 | 2009-03-03 | Heinz Ploechinger | Sensors for detecting position, inclination to perpendicular, movement and acceleration based on thermodynamic effects and method for operating and for manufacturing said sensors |
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