DE19613473A1 - Verfahren zur Herstellung von hochvernetzten Siliciumcarbonitridmaterialien - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von hochvernetzten SiliciumcarbonitridmaterialienInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf die Gebiete der Chemie und der Keramik und betrifft
ein Verfahren zur Herstellung von hochvernetzten Siliciumcarbonitridmaterialien, die
z. B. für keramische Hochleistungswerkstoffe zur Anwendung kommen können.
Siliciumcarbonitridmaterialien werden als keramische Hochleistungswerkstoffe vor
allem auf Gebieten eingesetzt, bei denen sowohl eine hohe Festigkeit bei hohen
Temperaturen (oberhalb 1200°C) als auch eine hohe Bruchzähigkeit, also ein
gewisses elastisches Verhalten, erforderlich sind. Die hohe Festigkeit bei hohen
Temperaturen wird durch die Siliciumcarbid-Komponente, die hohe Bruchzähigkeit
durch die Siliciumnitrid-Komponente maßgeblich bestimmt.
Die Herstellung der Siliciumcarbonitridmaterialien kann einmal über den Weg des
Mischens von Siliciumnitrid- und Siliciumcarbid-Pulver (unter Zugabe von
Sinterhilfsmitteln und Formgebungshilfsmitteln), der Formgebung und
anschließender Sinterung dieses Pulvergemisches erfolgen. Hierbei werden auf
Grund der unvollkommenen Homogenisierung der einzelnen Pulver stets
Inhomogenitäten von siliciumcarbid- und siliciumnitridreichen Gebieten auftreten, die
zu Schwachstellen und schließlich zu bruchauslösenden Defekten führen können.
Um weitgehend homogene Siliciumcarbonitridmaterialien mit völlig gleichmäßiger
Verteilung der nitridischen und der carbidischen Komponente zu erreichen, wird zum
anderen zunehmend der pulverlose Weg (powderless sintering) zur Herstellung von
Siliciumcarbonitridmaterialien beschritten, der darüberhinaus noch den Vorteil einer
endkonturnahen Formgebung (near net shaping) aufweist. Mittels dieses
"pulverlosen" Weges können keramische Materialien in Formen hergestellt werden,
die mit einer reinen Pulvertechnologie nicht realisierbar sind, z. B. Fasern, dünne
Schichten, Binder, Kleber und Infiltriersubstanzen.
Diese "pulverlosen" Verfahren zur Herstellung von Siliciumcarbonitridmaterialien
gehen von niedermolekularen Siliciumträgern (Silane, Alkylsilane)
Kohlenstoffträgern (Kohlenwasserstoffe, Alkylsilane) und Stickstoffträgern
(Ammoniak, Amine) aus und setzen diese in einem ersten Syntheseschritt zu
oligomeren "Vorläufer- oder Precursorverbindungen" um, die bereits alle in der
späteren Keramik involvierten Elemente aufweisen. In einem zweiten Schritt wird
eine thermische Behandlung (Pyrolyse) dieser Precursoren durchgeführt, die - im
allgemeinen nach einem entsprechenden Formgebungsprozeß - direkt zu dem
keramischen Material führt. Dabei werden die bei der Synthese der Precursoren
aufgebauten Si-N-C-Gruppierungen freigesetzt und vernetzten zu einem räumlichen
Si-N-C-Netzwerk mit statistischer homogener Verteilung der Elemente.
Im allgemeinen werden als Ausgangsmaterialien für Polysilazan-Precursoren
definierte Silane, z. B. Trichlormethylsilan oder Trichlorsilan oder niedere Silazane,
z. B. Hexamethyldisilazan verwendet, die mit Aminen oder Ammoniak umgesetzt
werden (D. Seyfert, u. a. Mater. Sci. Rev. 17, 263 (1984); G. E. Legrow, u. a. Amer.
Ceram. Soc. Bull. 66, 363 (1987).
In DE 22 18 960, DE 22 43 527, US 3892583 und US 3853567 wird die Herstellung
von Formkörpern aus homogenen Mischungen von Siliciumcarbid und Siliciumnitrid
durch die Synthese von Silazanverbindungen aus definierten Halogensilanen, wie
Methyltrichlorsilan, und Aminen, wie Methylamin, und deren anschließende Pyrolyse
bei Temperaturen zwischen 800 und 2000°C beschrieben. Als Stickstoffträger
werden dabei neben dem Methylamin eine Vielzahl anderer Amine sowie Amide
verwendet. Aus dem schmelzbaren Si-N-C-Polymeren werden bevorzugt Fasern
gezogen.
In DE 36 39 511 werden Silazanpolymere durch Reaktion von Chlordisilanen mit
aminofunktionellen Gruppen (Amine, Diamine) bei Temperaturen von -80 bis 300°C
hergestellt und eine anschließende Polymerisationspyrolyse bei 750 bis 1100°C
durchgeführt, wobei Si-N-C-Materialien mit Siliciumcarbid-Anteilen zwischen 28 und
75% entstehen.
In US 4482669 und WO 88-01260 werden Organopolysilazane als präkeramische
Materialien aus definierten Alkylhalogensilanen und flüssigem Ammoniak im Beisein
eines basischen Katalysators, wie Kaliumhydrid oder komplexen Metallhydriden
hergestellt. Das Si/N/C-Verhältnis wird dabei durch unterschiedliche Alkylchlorsilane
RSiHX₂ eingestellt und durch Pyrolyse in den entsprechenden Si-N-C-Materialien
definiert.
Bei den DE 38 09 180, DE 38 05 796, DE 37 36 914, DE 37 19 343 und US 4650773
steht vor allem die Faserherstellung aus schmelzbaren Polysilazanen und
anschließender Pyrolyse im Mittelpunkt. Die Polysilazane werden dabei aus
Alkylchlorsilanen und Hexamethyldisilazan sowie aus Methylchlorsilanen und
Aminen hergestellt.
In allen diesen genannten Veröffentlichungen wird von definierten Alkylchlorsilanen,
Chlorsilanen und niederen Silazanen ausgegangen, die bevorzugt mit den
Stickstoffträgern Aminen, aber auch mit Ammoniak oder Hexamethyldisilazan zu
Polysilazanen umgesetzt und danach zu Si-N-C-Materialien pyrolysiert werden.
Im Destillationsrückstand der Methylchlorsilansynthese (Müller-Rochow-Synthese),
bei der Methylchlorid mit elementarem Silicium im Beisein eines Kupferkatalysators
umgesetzt wird, befinden sich vor allem unterschiedlich substituierte Disilane, z. B.
Dimethyltetrachlorsilan oder Trimethyltrichlorsilan, die jeweils eine Si-Si-Bindung
aufweisen, z. T. im Gemisch mit Carbosilanen oder Siloxanen sowie einem
geringeren Anteil von niederen Methylchlorsilanen. Dieser Destillationsrückstand
fällt im Prinzip als Abprodukt an, der sich jedoch durch thermische Nachbehandlung
teilweise wieder in monomere Methylsilane spalten läßt.
Geisberger u. a. (DKG-Jahrestagung 1990, Nürnberg) beschreiben ein Verfahren,
bei dem durch Umsetzung eines Gemisches von Methylchlordisilanen, die beim
Müller-Rochow-Prozeß in den Destillationsrückständen anfallen, und Trichlorsilan
mit Aminen der Zusammensetzung HnNR3-n Aminodisilane entstehen, die durch
anschließende Polykondensation in Polysilazane überführt werden.
Struktur und Zusammensetzung der Aminodisilane und der daraus hergestellten
Polysilazane lassen sich dabei durch das eingesetzte Disilan (fraktionierte
Mischung) oder durch das Verhältnis der Disilane untereinander, die Menge an
zugesetztem Trichlorsilan und durch die Art des Amins variieren. Die
Polykondensation der Aminodisilane wird mittels Tetrabutylammoniumbromid als
Katalysator realisiert. Die erhaltenen Polysilazane sind schmelzbar und lassen sich
zu Fasern verspinnen, die nach Härtung und Vernetzung
Siliciumnitrid/Siliciumcarbid-Fasern ergeben.
Durch Umsetzung der Methylchlordisilane mit Alkoholen entstehen
Alkoxymethyldisilane, die nach einer katalytischen Disproportionierungsreaktion
(Natriummethylat als Katalysator) in Monosilane und Polysilane aufspalten. Aus den
Polysilanen werden schließlich Siliciumcarbidmaterialien durch Temper- und
Ankopplungsschritte gebildet (DE 40 20 828).
In der EP 0 572 007 wird zuerst ein definiertes Disilan mit einem Amin umgesetzt
und das Reaktionsprodukt daraus wird dann mit einem Dichlorsilan oder
Trichlorsilan umgesetzt und anschließend mit Ammoniak zur Reaktion gebracht, um
Polysilazane zu erhalten.
In einer bevorzugten Ausführungsform dieses erfindungsgemäßen Verfahrens
werden anstelle des definierten Disilans die hochsiedenden Fraktionen aus dem
Destillationsrückstand der Müller-Rochow-Synthese der ungefähren
Zusammensetzung R2,6Cl3,4Si₂ eingesetzt. Dieses Disilangemisch wird ebenfalls
mit einem Amin, bevorzugt Methylamin, zu Aminodisilanen umgesetzt, die dann
durch die Zugabe von einem Dichlorsilan oder Trichlorsilan in Polysilazane
umgewandelt werden, die ein Molekulargewicht von 1000-10 000 g/mol aufweisen.
Nachteil der bekannten Verfahren ist es, daß sie einerseits von definierten Silanen
oder Disilanen ausgehen oder bei Verwendung des Destillationsrückstandes des
Müller-Rochow-Prozesses als Ausgangsstoff die Herstellung von Polysilazanen in
mehreren Stufen erfolgt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, den Destillationsrückstand des
Müller-Rochow-Prozesses als Ausgangsstoff für eine einstufige Polysilazansynthese zu
verwenden.
Die Aufgabe wird durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung gelöst.
Dabei wird bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung von
hochvernetzten Siliciumcarbonitridmaterialien ein unterschiedlich mit Chlor- und
Alkylgruppen substituiertes Disilangemisch aus den Destillationsrückständen der
Alkylchlorsilansynthese in einem wasserfreien organischen Lösungsmittel gelöst und
mit gasförmigem trockenen Ammoniak zu einem Polysilazangemisch umgesetzt und
dieses vom ausgefallenen Ammoniumchlorid getrennt und nach Entfernen des
wasserfreien organischen Lösungsmittels einer Temperbehandlung bei
Temperaturen von 600 bis 1400°C unterzogen.
Vorteilhafterweise wird die Umsetzung des unterschiedlich mit Chlor- und
Alkylgruppen substituierten Disilangemisches in dem wasserfreien organischen
Lösungsmittel mit Ammoniak bei Raumtemperatur durchgeführt.
Ebenfalls vorteilhaft ist es, wenn eine 5-20%-ige Lösung des im wasserfreien
organischen Lösungsmittel gelösten Polysilazangemisches hergestellt wird.
Weiterhin vorteilhafterweise wird die Temperbehandlung im inerten oder im
reaktiven Gasstrom durchgeführt.
Ein Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, daß aus dem
Ausgangsgemisch (Destillationsrückstände der Alkylchlorsilansynthese) ohne eine
Auftrennung des Gemisches und ohne jeden weiteren Zusatz von definierten
Silanen oder von Katalysatoren allein durch die Umsetzung mit Ammoniak in einem
Reaktionsschritt Polysilazane hergestellt werden können.
Weitere Vorteile sind, daß Destillationsrückstände, also Abprodukte, verwendet
werden können und daß Verfahrensschritte gegenüber dem Stand der Technik bei
der Umsetzung der Ausgangsstoffe zu Polysilazanen eingespart werden können.
Weiterhin ist von Vorteil, daß als Stickstoffträger ausschließlich Ammoniak
verwendet werden kann.
Die Destillationsrückstände der Alkylchlorsilansynthese (Müller-Rochow-Prozeß)
werden dazu von nichtumgesetztem Siliciumpulver und dem zugegebenen
Kupferkatalysator getrennt. Diese Trennung geschieht durch Filtration oder durch
Destillation. Bei letzterer werden die in den Destillationsrückständen enthaltenen
Disilanfraktionen von noch vorhandenen Monosilanen, sowie von etwa gebildeten
Polysiloxanen und höheren Polysilanen getrennt. Für die Erreichung einer hohen
Vernetzung ist es notwendig, daß das erhaltene Rückstandsgemisch verschiedene
Disilane und ggf. auch andere Silane enthält.
Das Polysilazangemisch wird in einem wasserfreien organischen Lösungsmittel, wie
z. B. Methylenchlorid, Toluen oder Tetrahydrofuran gelöst. In diese Lösung wird
vorzugsweise unter Rühren und Kühlung gasförmiges trockenes Ammoniak
eingeleitet. Eine Zugabe von definierten Silanen oder Katalysatoren erfolgt nicht.
Bei diesem exothermen Prozeß bildet sich ein Polysilazangemisch und
Ammoniumchlorid.
Das Ammoniumchlorid wird durch Filtration und Auswaschen des Niederschlages mit
dem wasserfreien organischen Lösungsmittel abgetrennt, ausgewaschen und in die
Lösung wird erneut Ammoniak eingeleitet. Dies ist erforderlich, da das ausfallende
Ammoniumchlorid einen Teil der Disilanmischung adsorbiert und einschließt, so daß
es vom einströmenden Ammoniakgas nicht mehr erreicht werden kann.
Nach Beendigung der Reaktion und Abtrennung des Niederschlages liegt eine
Lösung von Polysilazanen in dem wasserfreien organischen Lösungsmittel vor, die
durch Abdestillation von Teilen oder des gesamten Lösungsmittels aufkonzentriert
oder in ein bei Raumtemperatur festes Polysilazangemisch überführt werden kann.
Diese Polysilazanlösung kann nun bevorzugt einem pulverlosen
Formgebungsprozeß als Ausgangsstoff dienen. 10-50-%ige Polysilazanlösungen
eignen sich gut für die Herstellung von Faserverbunden, wobei die Fasern
(Kohlenstoff, Siliciumcarbid) mit einer Suspension aus Polysilazanlösung und
pulverförmigem Füllermaterial (arteigen: z. B. SiC, Siliciumnitrid; nicht arteigen:
Aluminiumoxid, Metallpulver) behandelt werden und anschließend das Lösungsmittel
abgedampft wird. Nach mehrmaliger Wiederholung dieses Vorganges ist das
Faserbündel oder Fasergeflecht, das z. B. zu einem Formteil geformt worden ist, mit
einem homogenen Gemisch aus Polysilazanlösung und Füllermaterial umgeben,
bildet auf diese Weise einen festen Werkstoffverbund und kann durch eine
anschließende Pyrolyse im inerten Stickstoff- oder im reaktiven Ammoniakstrom
oder Gemischen davon bei Temperaturen von 800 bis 1400°C in einen thermisch
belastbaren Si-N-C-Verbundwerkstoff überführt werden.
Eine weitere Möglichkeit besteht in der Infiltration von porösen Werkstoffen durch
die Polysilazanlösung und damit der Erhöhung deren Dichte. Durch mehrmaliges
Tränken eines porösen Werkstoffes, gefolgt von einem Abdampfen des
Lösungsmittels werden die Poren mit Polysilazan gefüllt. Unterstützt wird dieser
Vorgang z. B. durch eine Autoklavenbehandlung bei Temperaturen deutlich über
dem Siedepunkt des Lösungsmittels.
Danach schließt sich wiederum ein Pyrolyseprozeß an. Sehr geeignet sind die
erfindungsgemäß hergestellten Polysilazane auch als arteigene Füge- und
Klebermaterialien, sowie als Binder für die Formgebung und Granulierung für die
Materialien Siliciumnitrid und Siliciumcarbid.
Da die keramische Ausbeute der erfindungsgemäß hergestellten
Siliciumcarbonitridmaterialien etwa 60-75% beträgt, verbleiben diese Anteile in
den z. B. gefügten und verpreßten Materialien und verbessern deren mechanische
Eigenschaften, z. B. die Dichte und Festigkeit.
Ebenfalls ist die Verwendung der erfindungsgemäß hergestellten Polysilazanlösung
als Beschichtungsmaterial für metallische und keramische Körper möglich, wobei
sich nach mehrmaligem Auftragen der Polysilazanlösung (z. B. durch Tauchen,
Begießen, Bestreichen) und jeweils folgendem Abdampfen des Lösungsmittels feste
Polysilazanschichten ergeben, die durch Pyrolyse in Si-N-C-Schichten überführt
werden können.
Auch ist eine Vermahlung des erfindungsgemäß hergestellten Polysilazangemisches
nach dem vollständigen Abdampfen des Lösungsmittels möglich. Aus dem
zerkleinerten Polysilazangemisch wird durch Pyrolyse bei 1200-1400°C Si-N-C-Pulver
hergestellt, das durch erneute Nachmahlung Pulver mit Korngrößen um 1 µm,
z. T. bis 600 nm herab ergibt.
Aus diesem Pulver sind durch Mischen mit Additiven und Sintern bei 1750-1900°C
hochtemperaturfeste Si-N-C-Materialien herstellbar.
Schließlich lassen sich aus hochkonzentrierten Polysilazanlösungen oder aus deren
Schmelzprodukten (bei ca. 80-250°C) prinzipiell Fasern ziehen, die nach der
Oberflächenhärtung und der Pyrolyse in Si-N-C-Fasern zu überführen sind.
Die Pyrolyse der Polysilazane kann im inerten Gasstrom (Stickstoff, Edelgase)
erfolgen. In diesem Falle bildet sich ein kohlenstoffreiches Endprodukt. Die Pyrolyse
der Polysilazane kann auch im reaktiven Gasstrom (Ammoniak) erfolgen. In diesem
Falle bildet sich ein kohlenstoffärmeres Endprodukt.
Durch das in den Destillationsrückständen vorliegende Gemisch an verschiedenen
Disilanen, aber auch Anteilen von Monosilanen, Siloxanen und Polysilanen wird
während der Umsetzung unter Ammoniak ein hoher Vernetzungsgrad der
Polysilazane erreicht, der bei der Pyrolyse die Grundlage für ein hochvernetztes
Siliciumcarbonitridnetzwerk und für eine hohe keramische Ausbeute bildet.
Die Erfindung wird an drei Ausführungsbeispielen erläutert.
In einem 2-Liter-Dreihalskolben werden 146 g Destillationsrückstand der
Alkylchlorsilansynthese, der durch Filtration vom Bodensatz getrennt wurde, in 1460
ml Methylenchlorid gelöst und unter Rühren der Mischung bei Raumtemperatur mit
gasförmigem Ammoniak bei einer Strömungsgeschwindigkeit von 20 l/h versetzt.
Dabei beginnt nach einigen Minuten ein weißer Niederschlag von Ammoniumchlorid
auszufallen. Das gebildete Polysilazan bleibt im Methylenchlorid gelöst. Nach 1
Stunde wird die Reaktion unterbrochen und das ausgefallene Ammoniumchlorid
abfiltriert und mit 2 mal 50 ml Methylenchlorid gewaschen. Anschließend wird unter
Rühren erneut Ammoniak in die Reaktionsmischung eingeleitet und zur
vollständigen Umsetzung dieses Vorgehen zweimal wiederholt. Danach wird das
Lösungsmittel bei Normaldruck soweit eingedampft, daß eine 10%-ige Lösung des
Polysilazangemisches in Methylenchlorid entsteht.
Mit der auf diese Weise hergestellten Polysilazanlösung wurde unter Zugabe von 30
Ma.-% Siliciumnitridpulver, bezogen auf die gesamte Polysilazanlösung unter
Rühren eine Suspension hergestellt. Mit dieser Suspension wird eine aus
SiC-Fasergewebe erzeugte Platte der Abmessung 50 × 50 mm dreimal getränkt, wobei
zwischen den einzelnen Tränkschritten ein Abdampfen des Lösungsmittels und ein
Vernetzen des Polysilazans durch Erwärmen auf 300°C erfolgt. Danach wird die
Pyrolyse des Materialverbundes durchgeführt, indem die getränkte Platte im
Stickstoffstrom auf Temperaturen von 1000 °C aufgeheizt und bei dieser Temperatur
2 Stunden belassen wird. Auf diese Weise entsteht eine starre und feste Platte
(Faser-Matrix-Compositwerkstoff).
Eine gemäß Beispiel 1 hergestellte Polysilazanlösung in Methylenchlorid einer
Konzentration von 5 Ma.-% wird in einen reaktionsgebundenen
Siliciumnitridformkörper mit einem Porenanteil von 20% so infiltriert, daß nach der
Evakuierung des Formkörpers Polysilazanlösung zugegeben wird, bis der
Formkörper mit Polysilazanlösung bedeckt ist. Dieser Vorgang wird 7 mal
wiederholt.
Nach dem Abdampfen des Lösungsmittels wird der reaktionsgebundene
Siliciumnitridformkörper bei Temperaturen von 900°C 2 h getempert. Der
Porenanteil ist nach der Behandlung auf 12% gefallen. Wird nach der Infiltration
noch ein Behandlung im Autoklaven bei 150°C angeschlossen, verringert sich der
Porenanteil auf 8%.
Eine gemäß Beispiel 1 in Tetrahydrofuran als Lösungsmittel hergestellte
Polysilazanlösung wird durch Abdestillation des Lösungsmittels bei Normaldruck zu
einem festen Polysilazangemisch eingedampft. Dieses wird durch
Vakuumdestillation bei 55°C und bei 1 mbar von eventuell anhaftenden
unumgesetzten Ausgangsprodukten oder kurzkettigen Silazanen getrennt. Nach
dem Entfernen des festen Polysilazangemisches aus dem Reaktionskolben wird
dieses im Mörser unter einer Stickstoffhaube zerkleinert, (10-100 µm) und in einem
Gasstrom, bestehend aus 50% NH₃ und 50% N₂ langsam auf Temperaturen von
1150°C aufgeheizt. Bei dieser Temperatur wird das pulverförmige
Polysilazangemisch 2 h gehalten. Das so hergestellte Siliciumcarbonitridpulver weist
eine Zusammensetzung von 53,5% Silicium, 29,3% Stickstoff, 11,5% Kohlenstoff
und 3,5% Sauerstoff auf. Dieses Pulver wird in der Planetenkugelmühle trocken zu
einer Korngröße zwischen 0,9 und 1,6 µm vermahlen, mit 8 Ma.-% Y₂O₃ als
Sinterhilfsmittel versetzt und durch Heißpressen bei einer Temperatur von 1850°C
gesintert. Es entsteht eine Siliciumcarbonitridwerkstoff mit einer Dichte von 99,4%.
Claims (4)
1. Verfahren zur Herstellung von hochvernetzten Siliciumcarbonitridmaterialien, bei
dem ein unterschiedlich mit Chlor- und Alkylgruppen substituiertes Disilangemisch
aus den Destillationsrückständen der Alkylchlorsilansynthese in einem wasserfreien
organischen Lösungsmittel gelöst und mit gasförmigem trockenem Ammoniak zu
einem Polysilazangemisch umgesetzt wird, und dieses vom ausgefallenen
Ammoniumchlorid getrennt und nach Entfernen des wasserfreien organischen
Lösungsmittels einer Temperbehandlung bei Temperaturen von 600 bis 1400°C
unterzogen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Umsetzung des unterschiedlich mit
Chlor- und Alkylgruppen substituierten Disilangemisches in dem wasserfreien
organischen Lösungsmittel mit Ammoniak bei Raumtemperatur durchgeführt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem eine 5-20%-ige Lösung des im
wasserfreien organischen Lösungsmittel gelösten Polysilazangemisches hergestellt
wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Temperbehandlung im inerten oder im
reaktiven Gasstrom durchgeführt wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1996113473 DE19613473A1 (de) | 1996-04-04 | 1996-04-04 | Verfahren zur Herstellung von hochvernetzten Siliciumcarbonitridmaterialien |
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DE1996113473 DE19613473A1 (de) | 1996-04-04 | 1996-04-04 | Verfahren zur Herstellung von hochvernetzten Siliciumcarbonitridmaterialien |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19613473A1 true DE19613473A1 (de) | 1997-10-09 |
Family
ID=7790449
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1996113473 Ceased DE19613473A1 (de) | 1996-04-04 | 1996-04-04 | Verfahren zur Herstellung von hochvernetzten Siliciumcarbonitridmaterialien |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19613473A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10162373A1 (de) * | 2000-12-22 | 2002-06-27 | Ceramtec Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer dickwandigen, hochverschleißfesten, siliziumfreien Gradientenbeschichtung auf einem bruchzähen Siliziumnitrid-Substrat |
CN101693618B (zh) * | 2009-10-29 | 2012-05-23 | 哈尔滨工业大学 | SiCN(O)陶瓷材料的制备方法 |
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EP0572007A1 (de) * | 1992-05-27 | 1993-12-01 | Wacker-Chemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Polysilazanen |
-
1996
- 1996-04-04 DE DE1996113473 patent/DE19613473A1/de not_active Ceased
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