DE19531465A1 - Mikrooptische Sonde für Rastermikroskope - Google Patents
Mikrooptische Sonde für RastermikroskopeInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine mikrooptische Sonde für
Rastermikroskope.
Es ist allgemein bekannt, die Auflösungsgrenze der
Lichtmikroskopie dadurch zu überwinden, daß mit
Aperturen wesentlich kleiner als die Wellenlänge des
Lichtes im Nahfeld der Oberfläche gearbeitet wird.
Mit der Entwicklung der Tunnelmikroskopie wurden
Voraussetzungen für Oberflächenmeßgrößen der
Rastertunnelmikroskopie geschaffen.
Bei der Tunnelmikroskopie wird mittels Piezostelltechnik
eine Spitze in einem Bereich kleiner 1 nm an eine
leitfähige Probenoberfläche gebracht. Wird zwischen
Spitze und Probenoberfläche eine elektrische Spannung
angelegt, so beginnt ein Tunnelstrom in nA-Größenordnung
zu fließen. Eine Veränderung des Spaltes zwischen Spitze
und Probenoberfläche von z. B. 0,1 nm bewirkt eine
Veränderung des Tunnelstroms um eine Größenordnung. Diese
starke Abstandsabhängigkeit wird ausgenutzt, um die Nadel
mittels Piezostelltechnik der Probenoberfläche
nach zuführen.
/G. Binning, H. Rohrer, "Scanning tunneling microscopy - from birth to adokescence", Rev. Mod. Phys. 49 (1982) 1, 57-61/.
/G. Binning, H. Rohrer, "Scanning tunneling microscopy - from birth to adokescence", Rev. Mod. Phys. 49 (1982) 1, 57-61/.
Aus dem US-Patent 4,604,520 zur optischen
Nahfeldmikroskopie ist bekannt, eine Apertur von 20 nm
dadurch zu gewinnen, daß eine transparente pyramidale
Kristallecke metallbeschichtet und die Spitze z. B.
durch Ionenätzen wieder freigelegt wird. Das aus der
Apertur austretende Licht durchstrahlt das Objekt oder
wird an ihm reflektiert und von einem
lichtempfindlichen Detektor als Meßsignal erfaßt. Die
Führung der Sonde über die Objektoberfläche erfolgt
mechanisch mittels Stylus wie beim Profilometer oder
interferometrisch (Nomarskimethode), kapazitiv oder
über das evaneszente elektromagnetische Feld.
Der Nachteil dieser Methoden besteht u. a. in der
aufwendigen Sondenpräparation und Sondenführung.
Eine weitere optische Nahfeldmikroskopie-Methode ist
aus EP 0 545 538 bekannt geworden. Dabei wird eine
Monomodglasfaser zu einer feinen Spitze ausgezogen und
durch Bedampfungstechniken metallummantelt. Eine
Apertur für den Lichtdurchtritt wird an der Faserspitze
freigehalten. Die Führung der Sonde über die
Objektoberfläche erfolgt dadurch, daß die
Glasfaserspitze von einem Piezoröhrchen in laterale
Schwingungen versetzt wird, diese Schwingungen durch
die Nähe der Objektoberfläche gedämpft werden und die
Schwingungsdämpfung von einem zusätzlichen optischen
System gemessen wird. Die Meßsignale des optischen
Systems dienen der Sondenführung. Ein
photoempfindlicher Detektor erfaßt das das Objekt
transmittierende oder reflektierende Licht und bildet
das Meßsignal.
Sowohl diese, als auch alle bekannten technischen
Lösungen der Sonden nahfeldoptischer Rastermikroskope
besitzen den Nachteil, daß die erreichbaren
Lichtintensitäten relativ gering sind und deshalb zu
langsamen Scannzeiten eines Bildes führen.
Ausgehend von dem geschilderten Stand der Technik liegt
der Erfindung die Aufgabe zugrunde, mit einer neuen
Anordnung die erreichbaren Lichtintensitäten zu erhöhen
und gleichzeitig die Zeiten für das Scannen eines
mikroskopischen Bildes zu verkürzen.
Diese Aufgabe wird bei einer gattungsgemäßen Sonde
dadurch gelöst, daß die dem Objekt zugewandte Seite des
optischen Wellenleiters als optisch hochbrechende
Mikrotastspitze derart ausgebildet ist, daß sie in
beiden zur Lichtausbreitung senkrechten Richtungen
jeweils zum Objekt hin auslaufend eine Breite von
annähernd
besitzt, wobei λ die Vakuumwellenlänge
des verwendeten Lichtes und n der Brechungsindex des
optischen Wellenleiters ist und daß der optische
Wellenleiter mit einem piezoelektrischen Erreger
mechanisch gekoppelt ist.
Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung
wird der optische Wellenleiter von dem
piezoelektrischen Erreger in einem breiten Bereich
umschlossen.
Es ist vorteilhaft, daß an der dem Objekt abgewandten
Seite des optischen Wellenleiters ein optisches System
zur Lichtein-/-auskopplung der dem optischen System
nachgeordneten Lichtquelle/Lichtempfänger angebracht
ist.
Bei einer vorteilhaften Ausbildung der Erfindung
besteht das optische System aus einem dem optischen
Wellenleiter zugewandten linsenförmigen Teil, einem
Faserkern und einer Lichtleitfaser.
Es ist weiterhin von Vorteil, daß der optische
Wellenleiter an der dem Objekt abgewandten Seite die
geometrische Form eines Balkens aufweist.
Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung besteht der
optische Wellenleiter aus Siliciumkarbid (SiC).
Es ist auch von Vorteil, daß der piezoelektrische
Erreger aus Aluminiumnitrid (AlN) besteht.
Bei einer weiteren vorteilhaften Ausbildung der
Erfindung besitzt der piezoelektrische Erreger die
geometrische Form eines mittig eingespannten Balkens.
Bei einer weiteren Ausbildung der Erfindung besitzt der
piezoelektrische Erreger die geometrische Form eines
einseitig eingespannten Balkens.
Es ist weiterhin vorteilhaft, daß der piezoelektrische
Erreger aus einem für die verwendete Lichtwellenlänge
transparenten Material mit einem Brechungsindex
besteht, der geringer als der des optischen
Wellenleiters ist und daß der piezoelektrische Erreger
ein cladding für den optischen Wellenleiter bildet.
Bei einer weiter bevorzugten Weiterbildung der
Erfindung ist das dem Objekt abgewandte Ende des
optischen Wellenleiters mit einer Halbleiterdiode
optisch gekoppelt, die Licht emittieren oder empfangen
kann.
Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung besteht der
optische Wellenleiter aus einem dotierten
Halbleitermaterial und es ist das dem Objekt abgewandte
Ende des optischen Wellenleiters mit einem elektrischen
Kontakt versehen.
Es ist weiterhin vorteilhaft, daß der optische
Wellenleiter selbst als piezoelektrischer Erreger
ausgestaltet ist.
Mit der erfindungsgemäßen Lösung wird eine hohe
Lichtintensität erreicht, wodurch sich die Zeiten für
das Scannen eines mikrooptischen Bildes verkürzen.
Der Querschnitt des optischen Wellenleiters kann sehr
gering sein, wodurch eine lokale Beleuchtung eines
Objektes mit großer Lichtstärke oder die lokale
Erfassung der Lichtintensität im Nahfeld eines Objektes
mit geringen optischen Verlusten möglich ist.
Die erfindungsgemäße mikrooptische Sonde soll
nachstehend anhand eines Ausführungsbeispieles näher
erläutert werden.
Bei der in der Figur schematisch dargestellten
mikrooptischen Sonde sind der Übersichtlichkeit wegen
einzelne Teile nicht in den tatsächlich vorteilhaften
Größen zueinander wiedergegeben.
Mit der mikrooptischen Sonde können die optischen
Eigenschaften eines Objektes 1 gemessen werden. Ein
optischer Wellenleiter 4, ein Dünnschicht-Wellenleiter,
besteht aus dem für die verwendete Wellenlänge
transparenten und besonders hochbrechenden Material
Siliziumkarbid (SiC). Eine dem Objekt 1 zugewandte
Mikrotastspitze 2 des optischen Wellenleiters 4 besitzt
in den beiden zur Lichtausbreitung senkrechten
Richtungen jeweils eine Breite, die etwa gleich der
halben Wellenlänge des verwendeten Lichtes, dividiert
durch den Brechungsindex n des Materials des optischen
Wellenleiters 4 ist. Der optische Wellenleiter 4 ist
mit einem piezoelektrischen Erreger 3 mechanisch
gekoppelt. Das dem Objekt abgewandte Ende des optischen
Wellenleiters 4 ist mit einer Lichtquelle 5 optisch
über eine Lichtleitfaser 6 gekoppelt. Ein optisches
System, bestehend aus der Lichtleitfaser 6 mit einem
Faserkern 8 ist zur Vermeidung größerer Koppelverluste
mit einem linsenförmigen Teil 7 versehen. Dadurch wird
das Licht der Lichtquelle 5 auf das dem Objekt
abgewandte Ende des optischen Wellenleiters 4
fokussiert. Der piezoelektrische Erreger 3 besitzt die
geometrische Form eines Balkens, der in seinem
Mittelteil im Bereich des Schwingungsknotens gehaltert
ist. Er wird durch die beiden Schichten 9, 10 gebildet,
die aus Aluminiumnitrid (AlN) bestehen. Das AlN besitzt
eine niedrige Brechzahl als das SiC und bildet deshalb
ein Cladding für den optischen Wellenleiter. Der
optische Wellenleiter 4 ist innerhalb des
piezoelektrischen Erregers 3 zwischen den
piezoelektrischen Schichten 9, 10 angeordnet und
besitzt außerhalb des piezoelektrischen Erregers 3
objektseitig einen Taper 11, der das Licht in die
Mikrotastspitze 2 überführt. Der piezoelektrische
Erreger 3 wird mittels der Elektroden 12, 13 zu
Schwingungen angeregt. Die Länge L des
piezoelektrischen Erregers 3 ist so gewählt, daß sie in
etwa einer viertel Wellenlänge der akustischen Welle
des piezoelektrischen Erregers 3 bei vorgegebener
Anregungsfrequenz entspricht. Auf diese Weise wird eine
Längsresonanz des piezoelektrischen Erregers 3 parallel
zur Ausbreitungsrichtung des Lichtes ermöglicht. Die
Länge L ergibt sich dabei nährungsweise nach der Formel
L = c/(4f), wobei c die Schallgeschwindigkeit im
piezoelektrischen Erreger 3 und f die Frequenz der
piezoelektrisch angeregten Schwingung ist. Bei einer
Arbeitsfrequenz von
f = 50 MHz und einer Schallgeschwindigkeit von
c = 2,5 · 10³ m/s für AlN ergibt sich eine Länge
L = 12,5 µm für den piezoelektrischen Erreger. Die
elektrischen Zuleitungen 14, 15 für die Elektroden 12,
13 des piezoelektrischen Erregers 3 sind über
Kontaktinseln 16 angeschlossen. Die gesamte Anordnung
befindet sich auf einem Substrat 17 aus Silizium (Si).
Das Substrat 17 kann beispielsweise eine Fläche von ca.
1 mm² und eine Dicke von ca. 300 µm besitzen.
Die Fixierung der Lichtleitfaser 6 auf dem Si-Substrat
17 erfolgt durch eine in das Substrat eingeäzte V-
förmige Nut.
Der piezoelektrische Erreger 3 und der dem Objekt
zugewandte Teil des Lichtwellenleiters 2, 11 bestehen
aus freitragenden Schichten, um die freie Schwingung
des Piezoresonators zu gewährleisten.
Claims (13)
1. Mikrooptische Sonde für Rastermikroskope, bestehend
aus einem piezoelektrischen Erreger (3), einem
optischen Wellenleiter (4) und einer Mikrotastspitze
(2), dadurch gekennzeichnet daß die dem Objekt
zugewandte Seite des optischen Wellenleiters (4) als
optisch hochbrechende Mikrotastspitze (2) derart
ausgebildet ist, daß sie in beiden zur
Lichtausbreitung senkrechten Richtungen jeweils zum
Objekt hin aus laufend Abmessungen von annähernd
besitzt, wobei λ die Vakuumwellenlänge des
verwendeten Lichtes und n der Brechungsindex des
optischen Wellenleiters (4) ist und daß der optische
Wellenleiter (4) mit dem piezoelektrischen Erreger
(3) mechanisch gekoppelt ist.
2. Mikrooptische Sonde nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß der optische Wellenleiter (4) von
dem piezoelektrischen Erreger (3) in einem breiten
Bereich umschlossen ist.
3. Mikrooptische Sonde nach Anspruch 1 und 2, dadurch
gekennzeichnet, daß an der dem Objekt abgewandten
Seite des optischen Wellenleiters (4) ein optisches
System zur Lichtein-/-auskopplung der dem optischen
System nachgeordneten Lichtquelle/Lichtempfänger (5)
angebracht ist.
4. Mikrooptische Sonde nach Anspruch 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß das optische System aus einer dem
optischen Wellenleiter (4) zugewandten Lichtleitfaser
(6) mit einem linsenförmigen Teil (7) und einem
Faserkern (8) besteht.
5. Mikrooptische Sonde nach Anspruch 2 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß der optische Wellenleiter (4) an
der dem Objekt abgewandten Seite die geometrische
Form eines Balkens aufweist.
6. Mikrooptische Sonde nach Anspruch 1 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, daß der optische Wellenleiter (4) aus
Siliciumkarbid (SiC) besteht.
7. Mikrooptische Sonde nach Anspruch 1 bis 6, dadurch
gekennzeichnet, daß der piezoelektrischen Erreger (3)
aus Aluminiumnitrid (AlN) besteht.
8. Mikrooptische Sonde nach Anspruch 1 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, daß der piezoelektrische Erreger (3)
die geometrische Form eines mittig eingespannten
Balkens besitzt.
9. Mikrooptische Sonde nach Anspruch 1 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, daß der piezoelektrische Erreger (3)
die geometrische Form eines einseitig eingespannten
Balkens besitzt.
10. Mikrooptische Sonde nach Anspruch 1 bis 9, dadurch
gekennzeichnet, daß der piezoelektrische Erreger (3)
aus einem für die verwendete Lichtwellenlänge
transparenten Material besteht, der geringer als der
des optischen Wellenleiters (4) ist und daß der
piezoelektrische Erreger (3) ein cladding für den
optischen Wellenleiter (4) bildet.
11. Mikrooptische Sonde nach Anspruch 3 bis 10, dadurch
gekennzeichnet, daß das dem Objekt abgewandte Ende
des optischen Wellenleiters (4) mit einer
Halbleiterdiode optisch gekoppelt ist, die Licht
emittieren oder empfangen kann.
12. Mikrooptische Sonde nach Anspruch 1 bis 11, dadurch
gekennzeichnet, daß der optische Wellenleiter (4) aus
einem dotierten Halbleitermaterial besteht und daß
das dem Objekt abgewandte Ende des optischen
Wellenleiters (4) mit einem elektrischen Kontakt
versehen ist.
13. Mikrooptische Sonde nach Anspruch 1 und 3 bis 11,
dadurch gekennzeichnet, daß der optische Wellenleiter
(4) selbst als piezoelektrischer Erreger (3)
ausgestaltet ist.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19531465A DE19531465C2 (de) | 1995-03-30 | 1995-08-26 | Rastersonde für die optische Nahfeldmikroskopie |
EP96911945A EP0763215A1 (de) | 1995-03-30 | 1996-03-26 | Mikrooptische sonde für rastermikroskope |
PCT/EP1996/001322 WO1996030797A1 (de) | 1995-03-30 | 1996-03-26 | Mikrooptische sonde für rastermikroskope |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19511612 | 1995-03-30 | ||
DE19531465A DE19531465C2 (de) | 1995-03-30 | 1995-08-26 | Rastersonde für die optische Nahfeldmikroskopie |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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DE19531465A1 true DE19531465A1 (de) | 1996-10-02 |
DE19531465C2 DE19531465C2 (de) | 1997-12-18 |
Family
ID=7758114
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE19531465A Expired - Fee Related DE19531465C2 (de) | 1995-03-30 | 1995-08-26 | Rastersonde für die optische Nahfeldmikroskopie |
DE19531466A Expired - Fee Related DE19531466C2 (de) | 1995-03-30 | 1995-08-26 | Mikromechanische Sonde für Rastermikroskope |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE19531466A Expired - Fee Related DE19531466C2 (de) | 1995-03-30 | 1995-08-26 | Mikromechanische Sonde für Rastermikroskope |
Country Status (1)
Country | Link |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8181 | Inventor (new situation) |
Free format text: WEIHNACHT, MANFRED, DR., 01744 PAULSDORF, DE BARTZKE, KARLHEINZ, DR., 07747 JENA, DE MARTIN, GUENTER, DR., 01307 DRESDEN, DE RICHTER, WOLFGANG, PROF., DR., 99425 WEIMAR, DE |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |