DE19530900C2

DE19530900C2 - Vorrichtung und Verfahren zum Abgleich von integrierten Schaltungen

Info

Publication number: DE19530900C2
Application number: DE19530900A
Authority: DE
Inventors: Oliver Schatz
Original assignee: Robert Bosch GmbH
Current assignee: Robert Bosch GmbH
Priority date: 1995-08-23
Filing date: 1995-08-23
Publication date: 2002-06-27
Anticipated expiration: 2015-08-24
Also published as: JP3850925B2; US5812013A; DE19530900A1; JPH09154229A

Description

Stand der Technik

Die Erfindung geht aus von einer Vorrichtung bzw. einem Verfahren nach der Gattung der unabhängigen Patentansprüche. Aus dem Lehrbuch "Elektronik, Horst Völz, Akademieverlage Berlin 1986, S. 751 ff." ist es bekannt, Brennstrecken, sogenannte fusable links, durch einen kurzen Stromstoß festgelegter Stärke und Dauer durchzubrennen. Stärke und Dauer des Stromstoßes müssen dabei so gewählt werden, daß ein sicheres Durchbrennen der Brennstrecken gewährleistet wird, d. h. es wird mehr Leistung zugeführt als in der Regel für das Durchbrennen der Brennstrecken erforderlich ist. Wenn dann dabei Zuleitungen mit großer Induktivität verwendet werden, treten beim Durchbrennen der Brennstrecken große Spannungsüberhöhungen auf. Um derartige Spannungsüberhöhungen zu vermeiden, werden in der Regel Zuleitungen mit geringen Induktivitäten verwendet, was in der Praxis bedeutet, daß die Abgleichsvorrichtung in unmittelbarer Nähe des abzugleichenden Siliziumchips angeordnet werden muß.

Aus der Druckschrift EP 563 852 ist eine spezielle Struktur einer schmelzbaren Verbindungsleitung bekannt und es wird beispielhaft eine Einbindung einer solchen speziellen schmelzbaren Verbindungsleitung in eine Detektionseinheit beschrieben.

Aus der Druckschrift EP 438 074 ist eine spezielle, als "trimming code setting circuit" bezeichnete Detektionseinheit bekannt, die eine Information "Brennstrecke durchgebrannt/Brennstrecke nicht durchgebrannt" umsetzt in einen niedrigen bzw. hohen Spannungswert.

Vorteile der Erfindung

Die erfindungsgemäße Vorrichtung bzw. das erfindungsgemäße Verfahren weist den Vorteil auf, daß das Durchbrennen der Brennstrecke erkannt wird und daraufhin der Brennstrom abgeschaltet wird. Es wird so vermieden, daß auch nach dem Durchbrennen noch Ströme fließen können, die eine Beschädigung der Halbleiterschaltung hervorrufen können. Dadurch können zwischen der Abgleichsvorrichtung und der abzugleichenden Schaltung Leitungen mit höheren Induktivitäten verwendet werden.

Durch die in den abhängigen Ansprüchen aufgeführten Maßnahmen sind vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen der in den unabhängigen Ansprüchen angegebenen Vorrichtungen bzw. des Verfahrens möglich.

Zeichnung

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigen Fig. 1 die prinzipielle Anordnung von Halbleiterschaltung und Abgleichsvorrichtung, Fig. 2 und 3 zwei Ausführungsbeispiele für Abgleichsvorrichtungen, Fig. 4 den Strom- und Spannungsverlauf beim Verfahren nach dem Stand der Technik, Fig. 5 den Strom- und Spannungsverlauf nach der Erfindung, Fig. 6 den Spannungsverlauf an einen Meßpunkt der Vorrichtung nach Fig. 3, Fig. 7 den Spannungsverlauf an Meßpunkten der Vorrichtung nach der Fig. 2 und Fig. 8 eine weitere Abgleichsvorrichtung.

Beschreibung der Ausführungsbeispiele

In der Fig. 1 wird eine integrierte Schaltung 51 gezeigt, die Brennstrecken 52 aufweist. Die Brennstrecken 52 dienen zum Abgleich einer Teilschaltung 53. Die Brennstrecken 52 sind mit Leiterbahnen 55 mit der Teilschaltung 53 verbunden. Weiterhin sind die Brennstrecken 52 mit externen Leiterbahnen 56 verbunden, die von der integrierten Schaltung 51 herausführen und durch die Signale, Versorgungsspannungen und dergleichen zwischen der integrierten Schaltung 51 und der Umwelt ausgetauscht werden. Durch diese externen Leiterbahnen 56 sind die Brennstrecken 52 an eine Abgleichvorrichtung 1 anschließbar. Dazu sind Zuleitungen 54 vorgesehen. Die Zuleitungen 54 weisen eine Induktivität auf. Das Verbinden der Abgleichsvorrichtung mit verschiedenen Brennstrecken kann auch über auf dem Chip integrierte Schalter erfolgen. Die Leiterbahnen 56 entfallen dann zum Teil.

Die Abgleichvorrichtung 1 beaufschlagt durch die Zuleitungen 54 die Brennstrecken 52 mit einem Strom. Durch diesen Stromfluß durch die Brennstrecken 52 hindurch wird die Leitfähigkeit der Brennstrecken 52 irreversibel verändert. Beispielsweise können die Brennstrecken 52 aus dünnen aufgedampften Metallwiderständen bestehen, die durch einen Stromfluß derart erhitzt werden, daß das metallische Material verdampft. Die Brennstrecken sind dann durchgebrannt, d. h. irreversibel zum Nichtleiten geschaltet. Wenn es zum Durchbrennen der Brennstrecken 52 kommt, so wird der Stromfluß durch die Leiterbahn 54 schlagartig unterbrochen. Aufgrund der Induktivität der Zuleitungen 54 kann es dann zu plötzlichen Spannungsspitzen kommen, die durch die externen Leiterbahnen 56 und die Leiterbahnen 55 auch an der integrierten Teilschaltung 53 anliegen. Aufgrund der steilen Schaltflanke dieser induktiven Spannungsspitzen kann es dabei zur Ansteuerung von parasitären Thyristoren der Teilschaltung 53 kommen. Wenn diese parasitären Thyristoren angesteuert sind, erfolgt somit der Stromfluß der zuvor über die Brennstrecken 52 geleitet wurde, über einen Teil der Teilschaltung 53. Dabei kann es zur Zerstörung einzelner Bauelemente der Teilschaltung 53 kommen. Um diese Beeinträchtigung der Teilschaltung 53 zu verhindern, können beispielsweise Klammerelemente parallel zu den Brennstrecken 52 geschaltet werden, die beim Überschreiten einer bestimmten Spannung durchschalten. Diese haben jedoch den Nachteil, daß sie relativ großzügig ausgelegt werden müssen, um den großen Stromfluß tragen zu können. Es muß somit relativ viel Chipfläche für diese Klammerelemente aufgewandt werden. Eine andere Möglichkeit besteht darin, die Induktivität der Zuleitungen 54 gering zu halten. Dies läßt sich jedoch nur erreichen, wenn die Abgleichvorrichtung 1 in unmittelbarer Nähe der integrierten Schaltung 51 angeordnet wird. Dies ist jedoch mit unverhältnismäßig hohem Aufwand verbunden, wenn der Abgleich der Chips unter Betriebsbedingungen, d. h. bei erhöhter Temperatur, Druckbeaufschlagung oder unter Beschleunigung des Chips 51 vorgenommen wird. Ein derartiger Funktionsabgleich ist die Regel, wenn der Chip 51 zur Auswertung eines Sensorsignals benötigt wird.

In der Fig. 4 wird der typische Spannungs- und Stromverlauf beim herkömmlichen Verfahren gezeigt. Durch die Abgleichvorrichtung 1 wird ein Impuls zum Durchbrennen der Brennstrecken 52 an die Zuleitungen 54 angelegt. Dabei wird von einer festgelegten Impulslänge beispielsweise einer Zeit t0 ausgegangen. In einer Anstiegsphase des zum Zeitpunkt t1 wird die Leistung hochgefahren, d. h. sowohl Spannung und Strom steigen in diesem Bereich linear an. Zu einem Zeitpunkt t1 wird dann eine vorgegebene Maximalspannung erreicht. Ab dem Zeitpunkt t1 fließt ein konstanter Strom durch die Brennstrecke 52 und erwärmt diese. Wenn die Brennstrecke zum Zeitpunkt t2 durchbrennt, so wird zunächst der Stromfluß verringert, da der Widerstand der Brennstrecke 52 schlagartig ansteigt. Gleichzeitig kommt es induktionsbedingt zu einem steilen Anstieg der Spannung. Dieser steile Spannungsanstieg zündet dann parasitäre Thyristoren der Teilschaltung 53, so daß der Stromfluß fortgesetzt wird, jedoch durch die Teilschaltung 53 hindurch erfolgt. Zwischen dem Zeitpunkt t2 und t0 erfolgt somit ein Stromfluß durch die Teilschaltung 53. Dieser Stromfluß kann zu einer Zerstörung der integrierten Schaltung führen.

In der Fig. 2 wird ein erstes Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Abgleichsvorrichtung 1 gezeigt. Durch eine Impulsquelle 2 wird das Gate eines Leistungstransistors 3 angesteuert. Die Impulsquelle 2 liefert ein Spannungssignal, welches in einem ersten Zeitintervall bis zum Zeitpunkt t1 linear von 0 auf einen vorgegebenen Spannungswert hochläuft. Zu einem zweiten späteren Zeitpunkt t0 wird dann das Signal wieder auf 0 zurückgefahren. Das Spannungssignal der Impulsquelle 2 wird an das Gate eines MOS-Transistors 3 gelegt. Der Drainanschluß des Transistors 3 ist über einen einstellbaren Widerstand mit einer Versorgungsspannung VCC verbunden. Der Sourceanschluß des Transistors 3 ist über einen einstellbaren Widerstand 5 mit dem Ausgang 6 verbunden. Weiterhin ist ein Transistor 7 vorgesehen, dessen Kollektor mit dem Gateanschluß des MOS-Transistors 3, dessen Basis mit einem Abgriff zwischen dem Sourceanschluß des Transistors 3 und dem Widerstand 5 und dessen Emitter mit dem Ausgang 6 verbunden ist. Der Transistor 7 ist hier als npn-Transistor vorgesehen. Zwischen dem Drain des MOS-Transistors 3 und dem Widerstand 4 ist ein Knoten 8 vorgesehen, der über eine Kapazität 9 und einen einstellbaren Widerstand 10 mit einem zweiten Ausgang 11 verbunden ist. Zwischen dem Gate des MOS-Transistors 3 und dem zweiten Ausgang 11 (Masse) ist weiterhin ein Thyristor 12 geschaltet, dessen Steuereingang mit einem Abgriff zwischen der Kapazität 9 und dem Widerstand 10 verbunden ist.

Der Transistor 7 bildet zusammen mit dem Widerstand 5 eine Strombegrenzung. Es wird so der maximale Brennstrom, der durch den Transistor 3 fließen kann, begrenzt. Am Widerstand 5 fällt in Abhängigkeit vom durch den Transistor 3 fließenden Strom eine Spannung ab. Wenn diese abfallende Spannung so groß wird, daß der Transistor 7 angesteuert wird, so wird die am Gate des MOS-Transistors 3 anliegende Spannung verringert und so der Stromfluß durch den Transistor 3 ebenfalls verringert. Durch Einstellung des Wertes des Widerstandes 5 kann so ein maximaler Strom durch den Transistor 3 eingestellt werden.

Die Kapazitäten 9 und der Widerstand 10 dienen als Differenzierglied, durch das die Spannung am Knoten 8 differenziert wird. Wenn es am Knoten 8 zu einem plötzlichen Anstieg der Spannung kommt, so wird am Abgriff zwischen der Kapazität 9 und dem Widerstand 10 ein Steuersignal erzeugt, welches den Thyristor 12 zündet. Wenn es zu einem plötzlichen Spannungsabfall kommt, so wird zwar am Abgriff zwischen der Kapazität 9 und dem Widerstand 10 auch ein Signal erzeugt, dieses ist jedoch aufgrund seiner Polarität nicht geeignet, den Thyristor 12 zu zünden. Wenn der Thyristor 12 gezündet wird, so wird die Gatespannung des MOS-Transistors 3 verringert und so die Abgleichsvorrichtung abgeschaltet. Durch die Größe des Widerstandes 4 wird die Höhe der am Knoten 8 auftretenden Spannungen eingestellt.

In der Fig. 7 wird in der durchgezogenen Kurve V der Spannungsverlauf am Knoten 8 dargestellt. Wenn der MOS-Transistor 3 bis zum Zeitpunkt t1 durch die Spannungsrampe der Impulsquelle 2 aufgesteuert wird, so geht das Potential am Knoten 8 von der ursprünglich anliegenden Versorgungsspannung VCC auf einen geringeren Wert zurück. Der Spannungsabfall am Knoten 8 ergibt sich durch den über die Strombegrenzung 5,7 eingestellten Strom multipiziert mit dem Widerstandswert von R4. Zwischen dem Zeitpunkt t1 und dem Durchbrennen der Brennstrecke zum Zeitpunkt t2 bleibt die Spannung am Knoten 8 konstant. Beim Durchbrennen der Brennstrecke zum Zeitpunkt t2 wird dann die Spannung am Knoten 8 schlagartig wieder auf einen höheren Wert angehoben. Dies führt am Abgriff zwischen der Kapazität 9 und dem Widerstand 10 zu einem plötzlichen Impuls, durch den der Thyristor 12 angesteuert wird. Wie in der gestrichelten Kurve, die die Spannung am Abgriff zwischen der Kapazität 9 und dem Widerstand 10 wiedergibt, wird durch die fallende Spannung bis zum Zeitpunkt t1 nur ein geringes negatives Signal erzeugt. Zum Zeitpunkt t2, in dem am Knoten 8 ein plötzlicher Anstieg der Spannung auftritt, wird dann ein positives Steuersignal erzeugt, welches den Thyristor 12 aufsteuert (gestrichelte Kurve Fig. 7).

In der Fig. 5 wird die zwischen Ein- und Ausgang anliegende Spannung (durchgezogene Kurve V) bzw. der durch die Leitung fließende Strom I gezeigt. Wie zu erkennen ist, kommt es zum Zeitpunkt t2 nur zu einer kurzen Überhöhung der Spannung, die noch nicht zu einem konstanten Stromfluß durch die Teilschaltung 53 führen kann, da der MOS-Transistor 3 durch den Thyristor 12 abgeschaltet wird. Zum Zeitpunkt t2 wird somit jeder weitere Stromfluß durch die integrierte Schaltung 51 unterbrochen und eine Schädigung von Schaltungsteilen wird so zuverlässig verhindert.

In der Fig. 3 wird ein zweites Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Abgleichschaltung gezeigt. Die Anordnung der Impulsquelle 2, des Thyristors 12, des MOS-Transistors 3 und der durch Widerstand 5 und Transistor 7 gebildeten Strombegrenzung ist bereits aus der Fig. 2 bekannt. Der Ausgang 6 ist mit dem Widerstand 10, der Widerstand mit der Kapazität 9 und die Kapazität 9 mit dem zweiten Ausgang 11 (Masse) verbunden. Die Kapazität 9 und der Widerstand 10 bilden so wieder ein Differenzierglied, welches zwischen dem ersten Ausgang 6 und dem zweiten Ausgang 11 (Masse) angeordnet ist. Weiterhin ist der Ausgang 6 über eine Schottkydiode 22 mit dem Widerstand 5 bzw. dem Emitter des Transistors 7 der Strombegrenzung verbunden. Weiterhin ist ein pnp-Transistor 20 vorgesehen, dessen Emitter mit dem Emitter des Transistors 7 verbunden ist, dessen Basis mit einem zwischen dem Widerstand 10 und der Kapazitäten 9 liegenden Abgriff verbunden ist und dessen Kollektor über einen Widerstand 21 mit dem zweiten Ausgang 11 (Masse) verbunden ist. Der Kollektor des Transistors 20 ist mit dem Steueranschluß des Thyristors 12 verbunden.

Durch den Widerstand 10 und die Kapazität 9 wird wiederum ein Differenzierglied geschaffen, welches hier die Ableitung der zwischen dem ersten Ausgang 6 und dem Ausgang 11 (Masse) anliegenden Spannung bildet. Der Spannungsverlauf zwischen den beiden Ausgängen ist sowohl in der Fig. 4 wie auch in der Fig. 5 bis zum Zeitpunkt t2 identisch. Bis zum Zeitpunkt t1 steigt die Spannung zwischen den beiden Anschlüssen linear. Zwischen dem Zeitpunkt t1 bis zum Öffnen der Brennstrecke bis zum Zeitpunkt t2 bleibt die Spannung konstant. Beim Öffnen der Brennstrecke kommt es dann zu einem kurzen steilen Spannungsanstieg.

In der Fig. 6 wird der Spannungsverlauf am Steueranschluß des Thyristors 12 gezeigt. Wie zu erkennen ist, kommt es in der Anstiegsphase bis zum Zeitpunkt t1 aufgrund der Spannungsrampe nur zu einem geringen positiven Steuersignal am Steueranschluß des Thyristors 12. Dieses Signal ist zu gering, um den Thyristor 12 zu zünden. Erst zum Zeitpunkt t2, bei dem es zu einem starken Signal kommt, wird der Thyristor 12 gezündet. Der Transistor 20 und der zur Arbeitspunkteinstellung dienende Widerstand 21 bewirken eine Verstärkung des am Abgriff zwischen dem Widerstand 10 und der Kapazität 9 auftretenden Signals. Es kann so ein sicheres Ansteuern des Transistors 12 erreicht werden. Durch die Schottkydiode 22 wird eine gewisse Vorspannung des Transistors 20 bewirkt. Durch diese Maßnahme wird die Empfindlichkeit der Anordnung für das Erkennen des Öffnens der Brennstrecke erhöht. Es ist jedoch auch möglich, die Diode 22 wegzulassen und den Emitter des Transistors 20 direkt mit dem Ausgang 6 und der Strombegrenzungsschaltung zu verbinden. Durch geeignete Wahl der Bauelemente, insbesondere 3 und 12, lassen sich Schaltzeiten in der Größenordnung von 100 Nanosekunden erreichen.

Für den Fachmann sind eine Reihe von Variationen der erfindungsgemäßen Schaltung offensichtlich, ohne dabei das erfinderische Konzept zu verlassen. So können statt eines MOS-Transistors 3 auch alle anderen steuerbaren Elemente, wie beispielsweise Bipolartransistoren, verwendet werden. Ebenso können auch die Transistoren 7 und 20 und der Thyristor 12 durch andere in der Funktion gleichwirkende Elemente ersetzt werden. So kann beispielsweise statt dem Thyristor 12 auch ein entsprechend ausgelegter Transistor evtuelle mit einem Speicherelement wie einen Flipflop verwendet werden. Weiterhin muß die hier exemplarisch durch den Transistor 7 und den Widerstand 5 angegebene Strombegrenzungsschaltung nicht in dieser Form realisiert werden. Es sind auch andere Formen von Strombegrenzungsschaltungen vorstellbar bzw. es kann ggf. auch vollständig auf diese Strombegrenzungsschaltung verzichtet werden. Weiterhin lassen sich auch andere Differenzierglieder als die hier gezeigten verwenden.

Bei der in der Fig. 2 gezeigten Schaltung wird zum Zeitpunkt t2 ein Signal erzeugt, welches sich von dem Signal während der Anstiegszeit bis zum Zeitpunkt t1 in seinem Vorzeichen unterscheidet. Die Zeitkonstante des Differenzierglieds, die durch Wahl eines entsprechenden Widerstandes 10 eingestellt werden kann, ist daher vergleichsweise unkritisch. Da jedoch der Widerstand 4 für die Funktion der Schaltung erforderlich ist, ist jedoch eine höhere Versorgungsspannung VCC erforderlich, als dies bei der Schaltung nach der Fig. 3 notwendig ist. Bei der Schaltung nach der Fig. 3 muß der Widerstand 10 vergleichsweise genau eingestellt werden, da hier in erster Linie die Steilheit der auftretenden Spannungen ausgewertet wird. Durch die richtige Wahl des Widerstandes 10 muß so gewährleistet werden, daß während der Anstiegsphase bis zum Zeitpunkt t1 kein Steuerimpuls für den Thyristor 12 auftritt, während hingegen zum Zeitpunkt t2 der steile Anstieg zu einem Steuerimpuls für den Thyristor 12 führt.

In der Fig. 8 wird eine weitere Abgleichsvorrichtung 1 ge zeigt, die durch Zuleitungen 54 mit der integrierten Schal tung 51 verbunden ist. Der innere Aufbau der integrierten Schaltung entspricht dem aus der Fig. 1 bekannten Aufbau. Weiterhin ist eine Antenne 100 mit einer Signalvorverarbei tung 101 vorgesehen. Die Antenne 100 ist in unmittelbarer Nähe der integrierten Schaltung 51 angeordnet. Wenn es zum Durchbrennen der Brennstrecken kommt, so wird durch die plötzliche Änderung des Stromflusses eine große elektro magnetische Störung in der Nähe der integrierten Schaltung 51 erzeugt. Dieses Signal wird von der Antenne 100 aufgefan gen und nach einer entsprechenden Verstärkung und Filterung durch die Signalvorverarbeitung 101 an die Abgleichsvorrich tung 1 weitergeleitet. Dort kann das Signal unmittelbar zur Zündung eines Thyristors verwendet werden, wie er aus den Fig. 2 und 3 bekannt ist. Es brauchen daher keine Differenzierglieder mehr verwendet werden. Besonders einfach wird die Antenne 100 als dünne Metallfolie ausgebildet, die in unmittelbarer Nähe der Brennstrecken angeordnet wird.

Claims

1. Vorrichtung zum Abgleichen einer integrierten Schaltung (51) mit schmelzbaren Verbindungsleitungen (52), mit der ein Brennstrom an die schmelzbaren Verbindungsleitungen (52) anlegbar ist, dadurch gekennzeichnet, dass Mittel vorhanden sind, während der Zeit in der der Brennstrom angelegt ist, das Durchbrennen der schmelzbaren Verbindungsleitungen (52) zu erkennen und danach den Brennstrom abzuschalten, bevor eine Schädigung der integrierten Schaltung (51) erfolgt.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Ausgang (6) über ein Schaltelement (3) mit einer Versorgungsspannung (VCC) verbindbar ist, daß ein zweiter Ausgang (11) vorgesehen ist, und daß zwischen der Versorgungsspannung (VCC) und der schmelzbaren Verbindungsleitung (52) ein Knoten vorgesehen ist, und daß zwischen dem Knoten und dem zweiten Ausgang (11) ein Differenzierglied vorgesehen ist, durch das ein Signal zum Abschalten des Schaltelements (3) erzeugbar ist.

3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Schaltelement (3) als Transistor ausgebildet ist, dessen Steueranschluß mit einer Impulsquelle verbunden ist und daß weiterhin ein Schalter (12), insbesondere ein Thyristor, vorgesehen ist, mit dem der Steueranschluß mit dem zweiten Ausgang (11) verbindbar ist.

4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Differenzierglied einen Widerstand (10) und eine Kapazität (9) aufweist, daß zwischen dem Widerstand (10) und der Kapazität (9) ein Abgriff vorgesehen ist, und daß durch ein am Abgriff des Differenzierglied vorliegendes Signal der Schalter (12) leitend geschaltet werden kann.

5. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Schaltelement (3) und der Versorgungsspannung ein Widerstand (4) vorgesehen ist, daß zwischen dem Widerstand (4) und dem Schaltelement (3) ein Knoten (8) vorgesehen ist, daß der Knoten (8) über die Kapazität (9) und dem Widerstand (10) des Differenzierglieds mit dem zweiten Ausgang (11) verbunden ist, und daß zwischen der Kapazität (9) und dem Widerstand (10) ein Abgriff für das Signal des Schalters (12) vorgesehen ist.

6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausgang (6) über einen Widerstand (10) und einer Kapazität (9) des Differenzierglieds mit dem Ausgang (11) verbunden ist und daß zwischen dem Widerstand (10) und der Kapazität (9) ein Abgriff vorgesehen ist, an dem ein Steuersignal für den Schalter (12) abgreifbar ist.

7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Abgriff zwischen dem Widerstand (10) und der Kapazität (9) mit der Basis eines pnp-Transistors (20) verbunden ist, daß der Kollektor des Transistors (20) mit dem Steueranschluß des Schalters (12) und über einen Widerstand (21) mit dem zweiten Ausgang (11) verbunden ist, und daß der Emitter des Transistors (20) entweder unmittelbar oder über eine Schottkydiode (22) mit dem Ausgang (6) verbunden ist.

8. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß für das Schaltelement (3) eine Strombegrenzungsvorrichtung vorgesehen.

9. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Antenne (100) in unmittelbarer Nähe der integrierten Schaltung (51) angeordnet ist, und daß durch die Antenne ein Signal zum Abschalten der Abgleichsvorrichtung (1) erzeugbar ist.

10. Verfahren zum Abgleichen einer integrierten Schaltung (51), bei der schmelzbare Verbindungsleitungen (52) vorgesehen sind, die durch einen Stromfluß durchgebrannt werden, dadurch gekennzeichnet, daß eine schmelzbare Verbindungsleitung (52) während des Brennvorgangs überwacht wird und daß, sobald das Durchbrennen der schmelzbaren Verbindungsleitung (52) festgestellt wird, der Brennstrom abgeschaltet wird.