DE19523606A1 - Elektronisches Bauelement, sowie Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Elektronisches Bauelement, sowie Verfahren zu seiner HerstellungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement
gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Desweiteren be
trifft die Erfindung ein Verfahren zu seiner Herstel
lung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 3.
Mit zunehmender Verkleinerung der Strukturgrößen in der
Mikroelektronik wird der Transport von Ladungsträgern
aufgrund von Tunnelprozessen zunehmend problematisch.
Unterhalb einer gewissen Dicke können isolierende
Barrieren von Ladungsträgern durchtunnelt werden, was
die Funktionsfähigkeit klassischer Bauelemente (z. B.
MOSFET, HEMT) beeinträchtigt und ggfs. zerstört.
Desweiteren sind die relativ hohen Arbeitsspannungen
konventioneller Transistoren und die damit verbundene
hohe Abwärme ein Hindernis für eine weitere Erhöhung
der Integrationsdichte. Insbesondere ist wegen der Ab
wärme eine dreidimensionale Stapelung mit klassischen
Bauelementen nur bedingt möglich.
Man ist deshalb bemüht, Bauelemente zu entwickeln, die,
um eine komplexere Funktionalität bei gleichbleibender
Strukturgröße und Packungsdichte zu ermöglichen, diesen
Tunneleffekt ausnutzen. Bisher bekannte Tunnelbaue
lemente nutzen das Tunneln von Ladungsträgern aus drei
dimensionalen Ladungsträgerschichten über einen oder
mehrere zweidimensionale Zustände wieder in einen drei
dimensionalen Zustand (3D-2D-3D Tunneleffekt). Da eine
Steuerung von der Oberfläche her wegen der abschirmen
den Wirkung der oberen Dotierschicht nicht möglich ist,
erschwert ein solcher Aufbau die Realisierung eines
Transistors.
Im Gegensatz hierzu sind Bauelemente basierend auf dem
Tunneln von Ladungsträgern aus zweidimensionalen Zu
ständen in zweidimensionale Zustände, wie z. B. aus Ei
senstein, Super Lattices and Microstructures, Vol. 12,
No. 1, 1992 bekannt, leicht steuerbar, da sie keine ab
schirmende Ladungsträgerschicht unterhalb der Oberflä
che haben. Die Realisierung solcher Bauelemente ist je
doch problematisch wegen der notwendigen, getrennten
Kontaktierung der zweidimensionalen Ladungsträger
schichten. Bisherige Transistoren hatten aus diesem
Grund Abmessungen deutlich größer als 0,1 mm und benö
tigten zur Trennung der Kanäle eine zusätzliche Versor
gungsspannung, sowie die Kontaktierung beider, die
betreffende Tunnelbarrierenschicht begrenzenden Schich
ten.
Es ist deshalb Aufgabe der Erfindung, ein elektroni
sches Bauelement zu schaffen, bzw. ein Verfahren zur
Herstellung eines solchen Bauelements bereit zu stel
len, bei dem die genannten Nachteile vermieden werden.
Die Aufgabe wird gelöst durch ein Bauelement gemäß der
Gesamtheit der Merkmale nach Anspruch 1. Die Aufgabe
wird ferner gelöst durch ein Verfahren gemäß der Ge
samtheit der Merkmale nach Anspruch 3. Weitere zweckmä
ßige oder vorteilhafte Ausführungsformen oder Varianten
finden sich in den auf jeweils einen dieser Ansprüche
rückbezogenen Unteransprüchen.
Erfindungsgemäß wird das Problem der getrennten Kontak
tierung einer ein 2D-Ladungträgergas enthaltenden Ka
nalschicht durch die Kombination der Verwendung selek
tiver Ätzen mit potentialbarrierenfreien Oberflächen
kontakten gelöst.
Dabei weist im Falle des erfindungsgemäßen Bauelementes
mit nur zwei Kanalschichten eine Kanalschicht die Elek
troden als elektrische Kontaktierung (z. B. Source,
Drain, Gate) auf. Im Falle einer Ausbildung des Bauele
ments mit drei oder mehr Kanalschichten sind die Elek
troden mit einer einzigen oder mehreren Kanalschichten
verbunden, wobei wenigstens eine Kanalschicht nicht
kontaktiert wird.
Auf diese Weise wird der durch die, von der nicht kon
taktierten Kanalschicht bzw. -schichten benachbarte
Barrierenschicht bzw. -schichten fließende Tunnelstrom
bzw. Tunnelströme indirekt über vorhandenen Elektroden
gesteuert.
Die Mehrzahl der Bauelemente mit 2D-Ladungsträgergasen
arbeiten mit Halbleiterheterostrukturen. Es wurde er
kannt, daß bestimmte Halbleiter (z. B. Indium-reiches
InGaAs oder InAsSb) nicht die im Stand der Technik an
geführte Verarmungsrandschicht unterhalb eines Metall
kontaktes ausbilden (Oberflächenferminiveau im Lei
tungsband). Es wurde erkannt, daß ein 2D-Ladungsträger
gas, welches sich innerhalb einer solchen Material
schicht befindet, ohmsch kontaktiert werden kann, indem
man zunächst mit einer selektiv wirkenden Ätze
(naßchemisch oder reaktives Ionenätzen) die Deckschicht
entfernt und anschließend die freigewordene Fläche me
tallisch beschichtet. Als vorteilhafte Variante kann
durch Ätzen der Probe erst kurz vor dem Bedampfen oder
ein leichtes Sputtern der Oberfläche mit Ar-Ionen zudem
erreicht werden, daß es vor der Metallisierung zu kei
ner störender Verunreinigung der freigelegten Oberflä
che kommt.
Die getrennte Kontaktierung eines 2D-Ladungsträgergases
ermöglicht die Herstellung von 2D-2D Tunneltransisto
ren. Erfindungsgemäß wird dies durch elektrische Kon
takte an das oberste 2D-Ladungsträgergas eines Halblei
terschichtsystems bestehend aus mehreren durch Tunnel
prozessen gekoppelten 2D-Ladungsträgergasen gelöst.
Anforderungen an das Schichtsystem sind das Vorhanden
sein von 2D-Ladungsträgergasen (Dicke der Schicht in
der Größenordnung der Fermiwellenlänge), sowie ausrei
chend kleiner Abstand zwischen diesen 2D-Ladungsträger
gasen (kleiner als Fermiwellenlänge im Barrierenmateri
al). Auf diese Weise werden genügend hohe Tunnelstrom
dichten erreicht. Desweiteren soll das Material, in
dem das zweidimensionale Ladungsträgergas zur Ausbil
dung gelangt, als für die Kontaktierung notwendige Ma
terialeigenschaft, das Oberflächen-Ferminiveau im Lei
tungsband liegen haben (z. B. indiumreiche InGaAs- oder
InSbAs-Schichten).
Erfindungsgemäß ist in diesem Fall eine getrennte Kon
taktierung eines der zweidimensionalen Ladungsträgerga
se durch Freilegung der zugehörigen Materialschicht mit
Hilfe einer selektiven Ätze (naßchemisch oder reaktives
Ionenätzen) und einer anschließenden Metallisierung
möglich.
Zwischen den ohmschen Kontakten (z. B. Drain und Source)
kann ein Gate aufgebracht sein (Schottky- oder Metall-
Isolator-Gate), welches über eine angelegte Spannung
die Steuerung des Drain-Stromes ermöglicht.
Gegenüber klassischen Bauelementen (z. B. HEMT), die nur
mit einer Ladungsträgerschicht arbeiten, ist über das
Gate auch eine Steuerung des Tunnelstromes möglich. Der
erfindungsgemäße Tunneltransistor kombiniert
Eigenschaften des HEMT′s (gute Hochfrequenz und
Rauscheigenschaften) mit denen einer Resonantentunnel
diode (resonanz-artiges Verhalten der
Strom-Spannungs-Kennlinie).
Gegenüber 3D-2D-3D Tunneltransistoren besitzt der 2D-2D
Tunneltransistor die Vorteile einfacherer Steuerbar
keit, einer extrem scharfe Resonanz in der Strom-
Spannungs-Kennlinie aufgrund des 2D-2D Tunnels, sowie
der Möglichkeit freie Ladungsträger und Dotierstoff
räumlich voneinander zu trennen (Modulationsdotierung),
um somit die Streuung der Ladungsträger und das daraus
resultierende elektrische Rauschen zu senken.
Je nach angelegter Gatespannung kann sich die Tun
nelcharakteristik des erfindungsgemäßen Bauelementes zu
kleineren Werten hin in einem resonanzartigen Anstieg
als auch zu größeren Werten hin in einem Abfall inner
halb der Ausgangskennlinie ausdrücken. Damit handelt es
sich im Ergebnis um ein multifunktionales Bauelement.
Das Bauelement kann mit niedriger Spannung betrieben
werden (kalte Ladungsträger) und erzeugt dann wenig Ab
wärme. Die Einsatzspannung des Tunneleffektes kann
durch geeignete Wahl der Schichtparameter (Schicht
dicken, Dotierung) eingestellt werden. Gleiches gilt
für die Stromdichten sowie die Ausprägung des Tunnelef
fektes. Vorteilhafterweise kann gemäß Anspruch 5 durch
die Verwendung von mehr als zwei Schichten eine komple
xere Struktur der Ausgangskennlinie mit dem Bauelement
erzielt werden.
Die Steuerung des resonanzartigen Tunneleffektes führt
zu einer hohen Steilheit des Transistors (Änderung des
Drain-Stromes mit Änderung der Gate-Spannung) und somit
zu guten Hochfrequenzeigenschaften (digitale Hochfre
quenztechnik).
Eine weitere vorteilhafte Variante des erfindungsgemä
ßen Bauelements ist als optischer Detektor gegeben.
Hierzu ist eine getrennte Kontaktierung beider Kanäle
vorgesehen, so daß der durch einfallendes Licht indu
zierte Strom von der einen zur anderen Elektrode aus
schließlich über die Barriereschicht erfolgt. Damit
Licht in den aktiven Bereich des Bauelementes unterhalb
des Gates einfallen kann, muß dieses Gate im zu detek
tierenden Spektralbereich lichtdurchlässig sein.
Sind oberer Kanal und unterer Kanal getrennt kontak
tiert, so kann wegen Energie- und Impulserhaltung nur
bei einer bestimmten zwischen den Kanälen angelegten
Spannung ein Tunnelstrom fließen. Diese Spannung ist
durch das Gate auf der Oberfläche steuerbar.
Bei Lichteinstrahlung sind photoinduzierte Tunnelpro
zesse zwischen den Schichten möglich. Das Photon bringt
hierbei den zur Resonanz fehlenden Energiebetrag ein.
Detektiert wird wegen der 2D-2D Tunnelcharakteristik
(peakförmige Strom-Spannungskennlinie) hierbei nur
Licht eines schmalen Frequenzbandes. Durch das Oberflä
chengate lassen sich die Quantenzustände und die La
dungsträgerkonzentration beider Schichten steuern, was
eine Verschiebung der Absorptionsbande zur Folge hat.
Eine vom oberen Kanal getrennte Kontaktierung des unte
ren Kanales kann durch einen wie oben beschriebenen
Oberflächenkontakt erzielt werden, wobei jedoch zusätz
lich dafür Sorge getragen werden muß, daß der tiefer
liegende, untere Kontakt nicht gleichzeitig auch die
darüberliegende, obere Kanalschicht kontaktiert. Es ist
notwendig, den Ladungstransport durch die obere Kanal
schicht auszuschließen. Dies kann entweder durch ein
Wegätzen des oberen Kanals oder aber durch eine La
dungsträgerverarmung mittels eines Gates erreicht wer
den.
Der erfindungsgemäße, optische Detektor ist durch Va
riation der Gate-Spannung auf diese Weise in der Lage,
einen Energiebereich innerhalb des optischen Spektrums
abzutasten. Der empfindliche Nachweisbereich liegt für
gleichartig geladene, benachbarte Schichten im Infra
rot- bis Ferninfrarotbereich (1-1000 µm), für unter
schiedlich geladene Schichten (pn-Strukturen) im Sicht
baren bis Infraroten Bereich des Spektrums (0,4-10 µm).
Das Auflösungsvermögen ist im wesentlichen durch die
Temperaturaufweichung der Fermikante gegeben und läßt
sich daher durch Kühlung drastisch steigern (beispiels
weise von 26 meV bei 300 K auf 1 meV bei 4 K).
Der optische Detektor ist insbesondere wegen seiner
Empfindlichkeit im ferninfraroten Spektralbereich
einsetzbar.
In der Zeichnung sind Bauelemente gemäß der Erfindung
dargestellt und werden im folgenden näher erläutert. Es
zeigen:
Fig. 1 oberflächengesteuerter Tunneltransistor;
Fig. 2 Gleichstrom-Ersatzschaltbild des erfin
dungsgemäßen Tunneltransistors;
Fig. 3 auf photoinduzierten Tunnelprozessen
zwischen zweidimensionalen Ladungsträ
gerschichten basierender, durchstimmba
rer Photodetektor.
Der Aufbau des 2D-2D-Tunneltransistors gemäß der Fig.
1 zeigt ein auf einem InP-Substrat gebildetes Halblei
terschichtsystem, bestehend aus drei, (wenn auch zwei,
vier oder sogar mehr ebenfalls denkbar sind) jeweils
ein 2D-Ladungsträgergas enthaltenden Kanalschichten K1,
K2 und K3 zwischen denen Barrieren B1 und B2 einge
schlossen sind. Dabei ist als Material z. B. InGaAs für
die Kanäle K1, K2 und K3 und AlInAs für die Barrieren
B1 und B2 gewählt worden.
Zur ohmschen Kontaktierung des oberen Kanals K1 wurde
die Deckschicht aus InP durch selektives Ätzen entfernt
und anschließend eine Metallschicht aufgebracht. Zur
Steuerung des Stromflusses wird ein Gate zwischen Drain
und Source gebildet. Der Stromfluß erfolgt entweder
durch den oberen Kanal K1 oder nach Tunnelprozessen
durch einen der darunterliegenden Kanälen K2 oder K3.
Durch geeignete Wahl der am Gate angelegten Spannung
können durch Ladungsträgerverarmung die einzelnen Kanä
le sukzessive abschnürt werden.
In der Fig. 2 ist das Ersatzschaltbild für das in
Fig. 1 beschriebene Bauelement gezeigt. Dabei sind
Source (S) und Drain (D) des Tunneltransistors gemäß
der Fig. 2 über die Kontaktwiderstände RSC und RDC di
rekt mit dem oberen Kanal K1 verbunden. Der Widerstand
RL1 dieses Kanales wie auch die Widerstände RL2 und RL3
der darunterliegenden Kanäle K2 und K3 können durch das
Oberflächengate gesteuert werden. Der jeweils
darunterliegende Kanal K2 bzw. K3 ist durch die hochge
radig nichtohmschen Tunnelwiderstände RT12S und RT12D
bzw. RT23S und RT23D source- bzw. drainseitig an den
darüberliegenden Kanal K1 bzw. K2 gekoppelt.
Die Tunnelwiderstände sind sowohl von der Drain- als
auch von der Source- und Gatespannung abhängig. Ist die
Gatespannung so hoch, daß der obere Kanal vollständig
an freien Ladungsträgern verarmt ist, kann das elektri
sche Feld des Gates bis auf den unteren Kanal durch
greifen. Die Kanalwiderstände der tieferliegenden Kanä
le werden somit abhängig von der Gatespannung.
Der Aufbau des Infrarotdetektors gemäß Fig. 3 beruht
auf einem Halbleiterschichtsystem bestehend aus zwei
ladungsführenden Kanälen K1 und K2, eingeschlossen zwi
schen Barrieren B1 und B2. Es wird je ein ohmscher Kon
takt zu nur einem der Kanäle hergestellt. Zur elektri
schen Trennung des Kontaktes des unteren Kanales vom
oberen Kanal wird der obere Kanal durch eine selektive
Ätzung durchtrennt. Alternativ wäre eine solche Tren
nung auch mittels Gate möglich. Ein lichtdurchlässiges
Gate ermöglicht den Lichteinfall in den aktiven Bereich
des Bauelementes unterhalb des Gates. Hier tunneln La
dungsträger photoinduziert vom 2D-Kanal in den anderen
2D-Kanal. Die dazu notwendige Photonenenergie
(Frequenz) kann durch Dimensionierung des Gates be
stimmt werden. Der Tunnelstrom ist somit ein Maß für
die Lichtintensität eines schmalen, durchstimmbaren
Frequenzbandes.
Claims (4)
1. Elektronisches Bauelement mit mehreren durch jeweils
eine Barrierenschicht getrennten, jeweils ein
2D-Ladungsträgergas enthaltenden Kanalschichten,
dadurch gekennzeichnet, daß nur
Bruchteil der Kanalschichten, insbesondere eine
einzige Kanalschicht eine Mehrzahl an Elektroden
aufweist.
2. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß zur
Steuerung die obenliegende Kanalschicht Elektroden
aufweist.
3. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen
Bauelements mit mehreren durch jeweils eine
Barrierenschicht getrennten, jeweils ein
2D-Ladungsträgergas enthaltenden Kanalschichten,
dadurch gekennzeichnet, daß nur ein
Bruchteil der Kanalschichten, insbesondere eine
einzige Kanalschicht eine Mehrzahl an Elektroden zur
Steuerung des Tunnelstroms gebildet wird.
4. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen
Bauelements nach Anspruch 3, dadurch
gekennzeichnet, daß zur Steuerung die
obenliegende Kanalschicht kontaktiert wird.
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1996
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Also Published As
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WO1997002607A1 (de) | 1997-01-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8130 | Withdrawal |