DE19505981A1 - Anordnung und Verfahren zum einseitigen, naßchemischen Ätzen einer Substratscheibe - Google Patents
Anordnung und Verfahren zum einseitigen, naßchemischen Ätzen einer SubstratscheibeInfo
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Description
In der Mikroelektronik sowie in der Mikromechanik tritt häu
fig das Problem auf, daß in einem Prozeß einseitig eine
Schicht von einer Substratscheibe, zum Beispiel einem Silizi
umwafer, entfernt werden muß. Derartige Schichten bestehen
zum Beispiel aus SiO₂, Si₃N₄ oder ähnlichem.
Üblicherweise wird die Substratscheibe mit einer Schutz
schicht, zum Beispiel aus Photolack, versehen. Durch Belich
ten und Entwickeln des Photolacks wird die Schutzschicht auf
der zu ätzenden Seite der Substratscheibe entfernt. Anschlie
ßend wird die ganze Substratscheibe in eine Ätze getaucht.
Schließlich muß der verbliebene Photolack entfernt werden.
Aufbringen, Belichten, Entwickeln und wieder Entfernen des
Photolacks sind zusätzliche Schritte, die den jeweiligen Pro
zeß komplexer und teuerer machen.
Ferner ist eine Ätzanlage bekannt, bei der die Substratschei
be in Rotation versetzt wird, wobei die zu ätzende Oberfläche
nach oben zeigt. Auf die Mitte der Substratscheibe wird Ätz
mittel aufgetropft, das durch die Rotation der Substratschei
be nach außen fließt. Um einen Ätzangriff der Unterseite der
Substratscheibe zu vermeiden, wird die Substratscheibe von
unten mit Wasserdampf angeblasen. Das Ätzmittel muß am Rand
der Substratscheibe aufgefangen werden, was recht aufwendig
ist.
Der Erfindung liegt das Problem zugrunde, eine Anordnung und
ein Verfahren zum einseitigen, naßchemischen Ätzen einer
Substratscheibe anzugeben, das einfach handhabbar ist und bei
dem unverbrauchte Ätzmittel auf einfache Weise aufgefangen
werden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch eine Anord
nung gemäß Anspruch 1 sowie ein Verfahren gemäß Anspruch 7.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung gehen aus den übrigen
Ansprüchen hervor.
Die Anordnung umfaßt einen Scheibenhalter zur Aufnahme der
Substratscheibe mit einer zu ätzenden Hauptfläche. Ferner um
faßt die Anordnung eine Platte, die der zu ätzenden Hauptflä
che der Substratscheibe gegenüber angeordnet ist. Die Platte
weist mindestens einen Ätzmittelzulauf auf, der mit einem
Vorratsbehälter verbunden ist. Im Betrieb der Anordnung be
findet sich in dem Vorratsbehälter das verwendete Ätzmittel.
Über den Ätzmittelzulauf wird zwischen eine im Scheibenhalter
befindliche Substratscheibe und die Platte eine Ätzmittelmen
ge eingebracht. Die Ätzmittelmenge wird so auf den Abstand
zwischen der Hauptfläche der Substratscheibe und der Oberflä
che der Platte abgestimmt, daß sowohl die Hauptfläche der
Substratscheibe als auch die benachbarte Oberfläche der
Platte unter Ausbildung eines Flüssigkeitsmeniskus am Rand
der Ätzmittelmenge benetzt wird. Vorzugsweise bildet sich der
Flüssigkeitsmeniskus am Rand der Substratscheibe aus. Ätzende
Dämpfe können sich in dieser Anordnung nur am Flüssigkeitsme
niskus bilden, so daß ein Ätzangriff außerhalb der Hauptflä
che im wesentlichen vermieden wird.
Nach Beendigung des Ätzvorganges wird die Ätzmittelmenge in
den Vorratsbehälter zurückgeführt. Dieses erfolgt zum Bei
spiel durch Absaugen, falls die Platte oberhalb der Substrat
scheibe angeordnet ist.
Vorzugsweise wird die Platte unterhalb der Substratscheibe
angeordnet, so daß die Ätzmittelmenge von selbst in den Vor
ratsbehälter zurückläuft. Dabei wird ausgenutzt, daß dieses
System bestrebt ist, seine Oberflächenenergie zu minimieren.
Folglich zieht sich die Flüssigkeitsmenge zwischen der
Substratscheibe und der Platte zusammen, weil sich dadurch
die Fläche des Flüssigkeitsmeniskus verkleinert.
Ist die Platte unterhalb der Substratscheibe angeordnet, so
wird die Ätzmittelmenge zum Beispiel durch Druck aus dem Vor
ratsbehälter zwischen die Substratscheibe und die Platte ein
gebracht. Der Druck kann mechanisch erfolgen. Vorzugsweise
wird der Druck durch Zuführung einer Gasmenge aus einer Gas
versorgung erzeugt. Dabei ist es besonders vorteilhaft, über
eine elektronische Ventilsteuerung die zugeführte Gasmenge
genau zu dosieren, um damit eine definierte Ätzmittelmenge
aus dem Vorratsbehälter zu drücken.
Das verwendete Ätzmittel richtet sich nach dem zu ätzenden
Material. Geeignet sind alle flüssigen Ätzmittel, die ohne
Gasentwicklung ätzen und die die Platte nicht angreifen.
Der Abstand zwischen der Hauptfläche der Substratscheibe und
der Oberfläche der Platte beträgt vorzugsweise < 5 mm.
Gemäß einer besonders vorteilhaften Ausführung der Erfindung
weist die Oberfläche der Platte, die der Substratscheibe be
nachbart ist, eine Biegung auf, so daß der durch die Haupt
fläche der Substratscheibe und die benachbarte Oberfläche der
Platte aufgespannte Raum konvex ist. Der Ätzmittelzulauf ist
an demjenigen Ort in der Platte angeordnet, an dem der Ab
stand zwischen der Hauptfläche der Substratscheibe und der
Oberfläche der Platte am geringsten ist. Durch diese Maßnahme
wird der vollständige Rücklauf des Ätzmittels nach Beendigung
der Ätzung unterstützt, da die Oberflächenenergie nicht nur
durch Reduzierung des Umfangs sondern auch der Höhe des Flüs
sigkeitsmeniskus minimiert wird.
Im Hinblick auf eine gleichmäßige Ätzung ist es vorteilhaft,
den Ätzmittelzulauf so in der Oberfläche der Platte vorzuse
hen, daß er im wesentlichen gegenüber der Mitte der Substrat
scheibe angeordnet ist.
Es liegt im Rahmen der Erfindung, das Ätzmittel über mehrere
Zuläufe zuzuführen. Diese Zuläufe können mit verschiedenen
Vorratsbehältern verbunden sein. Dadurch können verschiedene
Schichten, die verschiedene Ätzmittel erfordern, geätzt wer
den. Ferner kann ein Spülgang mit H₂O durchgeführt werden.
Im folgenden wird die Erfindung anhand eines Ausführungsbei
spiels und der Figuren näher erläutert.
Fig. 1 zeigt eine Anordnung zum einseitigen naßchemischen
Ätzen.
Fig. 2 zeigt eine Substratscheibe aus Silizium, die in einer
ersten Hauptfläche tiefe Strukturen aufweist und de
ren Oberfläche mit einer Schutzschicht bedeckt ist.
Fig. 3 zeigt die Substratscheibe nach einseitigem Abätzen
der Schutzschicht.
Fig. 4 zeigt die Substratscheibe nach einer Siliziumätzung.
Eine Substratscheibe 1 ist mit einer Schicht 2 versehen, die
die gesamte Oberfläche der Substratscheibe 1 bedeckt. Die
Schicht 2 umfaßt zum Beispiel Si₃N₄ oder SiO₂. Ein Teil der
Schicht 2, der entlang einer Hauptfläche 3 der Substratschei
be 1 angeordnet ist, wird im folgenden mit Hilfe eines
naßchemischen, einseitigen Ätzverfahrens entfernt.
Dazu wird die Substratscheibe 1 mit der Schicht 2 von einem
Scheibenhalter 4 aufgenommen (siehe Fig. 1). Der Scheiben
halter 4 besteht zum Beispiel aus einer Platte mit einer An
saugvorrichtung. Der Scheibenhalter 4 nimmt die Substrat
scheibe 1 mit der Schicht 2 so auf, daß die Hauptfläche 3 ei
ner Platte 5 zugewandt ist. Die Platte 5 besteht zum Beispiel
aus PVC. Die Platte 5 weist eine gebogene Oberfläche 6 auf,
die der Hauptfläche 3 benachbart angeordnet ist. Der Quer
schnitt der Platte 5 parallel zur Hauptfläche 3 der Substrat
scheibe 1 weist mindestens die gleiche Größe wie die Haupt
fläche 3 auf.
Die Platte 5 weist einen Ätzmittelzulauf 7 auf, der mit einem
Vorratsbehälter 8 verbunden ist. Im Vorratsbehälter 8 ist
Ätzmittel 9, zum Beispiel 50 prozentige Flußsäure (HF) ent
halten.
Der Ätzmittelzulauf 7 ist zum Beispiel als Rohr ausgebildet,
das einerseits bis in das Ätzmittel 9 hineinreicht und ande
rerseits die Platte 5 durchstößt. Das Rohr reicht bis durch
die gebogene Oberfläche 6 der Platte 5 hindurch. Das Rohr ist
an der Stelle der Platte 5 angeordnet, an der der Abstand
zwischen der gebogenen Oberfläche 6 und der Hauptfläche 3 der
Substratscheibe 1 am geringsten ist.
An dem Vorratsbehälter 8 ist eine Gaszufuhr 10 vorgesehen,
die mit einem Gasbehälter 11, zum Beispiel einer Gasflasche,
verbunden ist. Der Gasbehälter 11 ist mit einer Steuereinheit
12 versehen, über die eine definierte Gasmenge über die Gas
zufuhr 10 in den Vorratsbehälter 8 geleitet werden kann. Die
Steuereinheit 12 besteht zum Beispiel aus einem elektrisch
ansteuerbaren Ventil und einem Mikroprozessor, der das Ventil
für eine definierte Zeit öffnet, während der die definierte
Gasmenge ausströmt.
Zum einseitigen Abätzen der Schicht 2 von der Hauptfläche 3
der Substratscheibe 1 wird in den Vorratsbehälter 8 eine de
finierte Gasmenge, zum Beispiel Stickstoff oder Luft, einge
führt. Dadurch wird über den Ätzmittelzulauf 7 eine defi
nierte Ätzmittelmenge 13 zwischen die Hauptfläche 3 der
Substratscheibe 1 und die gebogene Oberfläche 6 der Platte 5
eingebracht. Die Ätzmittelmenge 13 benetzt sowohl die Haupt
fläche 3 der Substratscheibe 1 als auch die gebogene Oberflä
che 6 der Platte 5. Am Rand der Ätzmittelmenge 13 bildet sich
ein Flüssigkeitsmeniskus 14 aus. Vorzugsweise wird die Ätz
mittelmenge 13 über die definierte Gasmenge so bemessen, daß
sich der Flüssigkeitsmeniskus 14 im wesentlichen am Rand der
Hauptfläche 3 ausbildet. Die Ätzmittelmenge 13 wirkt auf den
Teil der Schicht 2 ein, der an der Hauptfläche 3 angeordnet
ist und löst ihn auf.
Da die Ätzmittelmenge 13 außerhalb des Flüssigkeitsmeniskus
14 einerseits die Hauptfläche 3 und andererseits die gebogene
Oberfläche 6 der Platte 5 bedeckt, können ätzende Dämpfe nur
entlang des Flüssigkeitsmeniskus 14 gebildet werden. Da der
Abstand zwischen der Hauptfläche 3 und der Platte 5 gering
ist, zum Beispiel weniger als 5 mm, vorzugsweise 1 bis 3 mm,
ist die Menge der gebildeten ätzenden Dämpfe so gering, daß
ein nennenswerter Angriff auf die Schicht 2 außerhalb der
Hauptfläche 3 nicht erfolgt.
Die Dauer des Ätzvorgangs wird über die Dauer des Drucks der
definierten Gasmenge eingestellt. Nach Beendigung des Ätzvor
gangs, das heißt wenn der Druck am Gaszufluß 10 auf Normal
druck geschaltet wird, läuft die Ätzmittelmenge 13 über den
Ätzmittelzulauf 7 in den Vorratsbehälter 8 zurück. Der Rück
lauf wird dadurch bewirkt, daß jedes System bestrebt ist,
seine Oberflächenenergie zu minimieren. Das bewirkt in diesem
Fall, daß sich der Flüssigkeitsmeniskus 14 zusammenzieht. Da
die Platte 5 die gebogene Oberfläche 6 aufweist und der
Ätzmittelzulauf 7 am höchsten Punkt der gebogenen Oberfläche
6 angeordnet ist, zieht sich beim Rücklauf der Ätzmittelmenge
13 der Flüssigkeitsmeniskus 14 zum Ätzmittelzulauf 7 hin zu
sammen. Auf diese Weise wird der vollständige Rücklauf der
Ätzmittelmenge 13 sichergestellt.
Alternativ zu dem in diesem Ausführungsbeispiel dargestellten
Scheibenhalter 4 kann die Substratscheibe 1 auch durch Ab
standsstücke, die am Rand der Substratscheibe 1 auf der Plat
te 5 vorgesehen sind, gehalten werden.
In Abänderung des in Fig. 1 dargestellten Ausführungsbei
spiels kann die Platte 5 mit dem Ätzmittelzulauf 7 auch ober
halb der Substratscheibe 1 angeordnet sein. Die zu ätzende
Hauptfläche 3 ist dann unterhalb der gebogenen Oberfläche 6
angeordnet. In diesem Fall ist eine aktive Absaugung erfor
derlich, um die Ätzmittelmenge 13 in den Vorratsbehälter 8
nach Abschluß des Ätzvorganges zurückzuleiten.
Die Anordnung zum einseitigen, naßchemischen Ätzen ist für
alle Feststoffscheiben verwendbar. Insbesondere können damit
ebenfalls Schichten aus Oxiden, insbesondere SiO₂ oder Si₃N₄
von Scheiben aus Si, GaAs oder InP geätzt werden.
Das Verfahren zum einseitigen, naßchemischen Ätzen einer
Substratscheibe ist besonders vorteilhaft einsetzbar bei der
Herstellung einer frei tragenden Schicht aus Silizium mit
durchgehenden Poren. Dazu wird in einer Substratscheibe 15
aus n-dotiertem Silizium durch elektrochemisches Ätzen in ei
nem flußsäurehaltigen, sauren Elektrolyten, der mit einer er
sten Hauptfläche 16 der Substratscheibe 15 in Kontakt steht
und gegenüber dem die Substratscheibe 15 als Anode verschal
tet ist, Poren 17 in die erste Hauptfläche 16 geätzt. Bezüg
lich genauerer Einzelheiten über das elektrochemische Ätzen
von n-dotiertem Silizium wird auf den Übersichtsartikel V.
Lehmann, J. Electrochem. Soc., Bd. 140, Nr. 10, Seiten 2836
bis 2843 (1993) verwiesen. Beim elektrochemischen Ätzen wird
die Tiefe der Poren 17 über die Ätzdauer und der Durchmesser
der Poren 17 über die Stromdichte im Elektrolyten einge
stellt. Die Stromdichte ist wiederum über eine Beleuchtung
der Substratscheibe 15 von einer zweiten Hauptfläche 18, die
der ersten Hauptfläche 16 gegenüberliegt, her einstellbar.
Die Poren 17 werden mit einer Tiefe von zum Beispiel 10 bis
500 um und einem Durchmesser von zum Beispiel 0,2 bis 20 µm
erzeugt.
Anschließend wird die Oberfläche der Substratscheibe 15 voll
ständig mit einer Schutzschicht 19 aus zum Beispiel Si₃N₄ be
deckt. Die Schutzschicht 19 weist eine Dicke von zum Beispiel
50 nm bis 500 nm auf (siehe Fig. 2).
Die Substratscheibe 15 mit der Schutzschicht 19 wird in einer
Anordnung zum einseitigen, naßchemischen Ätzen, wie sie an
hand von Fig. 1 beschrieben wurde, eingebracht. Dabei wird
die Substratscheibe 15 vom Scheibenhalter so aufgenommen, daß
die zweite Hauptfläche 18 der Platte benachbart angeordnet
ist. Wie anhand von Fig. 1 beschrieben, wird zwischen die
zweite Hauptfläche 18 und die Platte Ätzmittel eingebracht,
das die Schutzschicht 19 entlang der zweiten Hauptfläche 18
abätzt (siehe Fig. 3). Es verbleibt ein Rest 19′ der Schutz
schicht, der außerhalb der zweiten Hauptfläche 18 angeordnet
ist.
Anschließend wird die Substratscheibe 15 in heiße KOH-Lauge
eingebracht. Die heiße KOH-Lauge greift die Substratscheibe
von der zweiten Hauptfläche 18 her an. Sie ätzt Silizium
selektiv zu Si₃N₄. Die Ätzung wird solange fortgesetzt, bis
der am Boden der Poren 17 angeordnete Teil der Schutzschicht
19 freigelegt wird. Dabei wird aus der Substratscheibe 15 ei
ne freitragende Schicht 15′ aus Silizium mit durchgehenden
Poren 17, die lediglich vom Rest 19′ der Schutzschicht be
deckt sind (siehe Fig. 4). Der Rest 19′ der Schutzschicht
wird anschließend selektiv zu Silizium zum Beispiel mit Phos
phorsäure oder 50%iger Flußsäure entfernt. Die freitragende
Schicht 15′ mit durchgehenden Poren ist zum Beispiel als me
chanisches oder optisches Filter verwendbar. Ferner können
durch entsprechende Dotierung der Oberfläche und Aufbringen
von Kontakten daraus Solarzellen gebildet werden.
Vor dem einseitigen, naßchemischen Entfernen des entlang der
zweiten Hauptfläche 18 angeordneten Teils der Schutzschicht
19 kann in diesem Bereich eine Photolackmaske erzeugt werden,
so daß nur unbedeckte Teile der Schutzschicht 19 auf der
zweiten Hauptfläche 18 entfernt werden. Beim anschließenden
selektiven Siliziumätzen können auf diese Weise mikromechani
sche Strukturen gebildet werden.
Anstelle von durch elektrochemisches Ätzen gebildeten Poren
kann die erste Hauptfläche 16 auch durch zum Beispiel an
isotropes Ätzen mit tiefen Strukturen versehen werden, an de
ren Boden dann beim selektiven Siliziumätzen der Rest der
Schutzschicht freigelegt wird.
Claims (12)
1. Anordnung zum einseitigen, naßchemischen Ätzen einer
Substratscheibe,
- - bei der ein Scheibenhalter (4) zur Aufnahme der Substrat scheibe (1) mit einer zu ätzenden Hauptfläche (3) vorgese hen ist,
- - bei der eine Platte (5) vorgesehen ist, die der zu ätzenden Hauptfläche (3) benachbart angeordnet ist,
- - bei der die Platte (5) mindestens einen Ätzmittelzulauf (7) aufweist, der mit mindestens einem Vorratsbehälter (8) ver bunden ist,
- - bei der über den Ätzmittelzulauf (7) zwischen die im Schei benhalter (4) befindliche Substratscheibe (1) und die Plat te (5) eine Ätzmittelmenge (13) zuführbar ist, die sowohl die Hauptfläche (3) der Substratscheibe (1) als auch die benachbarte Oberfläche (6) der Platte (5) unter Ausbildung eines Flüssigkeitsmeniskus (14) am Rand der Ätzmittelmenge (13) benetzt.
2. Anordnung nach Anspruch 1,
bei der zwischen der Hauptfläche (3) der Substratscheibe (1)
und der Platte (5) ein Abstand von < 5 mm vorgesehen ist.
3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2,
- - bei der die der Substratscheibe (1) benachbarte Oberfläche (6) der Platte (5) eine Biegung aufweist, so daß der durch die Hauptfläche (3) der Substratscheibe (1) und die benach barte Oberfläche (6) der Platte (5) aufgespannte Raum kon vex ist,
- - bei der der Ätzmittelzulauf (7) dort in der Platte (5) an geordnet ist, wo der Abstand zwischen der Hauptfläche (3) der Substratscheibe (1) und der Oberfläche (6) der Platte (5) am geringsten ist.
4. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
bei der der Ätzmittelzulauf (7) so in der Oberfläche der
Platte (1) angeordnet ist, daß er im wesentlichen gegenüber
der Mitte der Substratscheibe (1) angeordnet ist.
5. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
bei der am Vorratsbehälter (8) eine Gaszufuhr (10) vorgesehen
ist, über die Gas in den Vorratsbehälter (8) einleitbar ist,
so daß im Vorratsbehälter (8) befindliches Ätzmittel (9) zwi
schen die Hauptfläche (3) der Substratscheibe (1) und die
Platte (5) zuführbar ist.
6. Anordnung nach Anspruch 5,
bei der die Gaszufuhr (10) eine Steuereinheit (12) aufweist,
über die dem Vorratsbehälter (8) eine definierte Menge Gas
zuführbar ist.
7. Verfahren zum einseitigen, naßchemischen Ätzen einer
Substratscheibe,
- - bei dem zwischen die Substratscheibe (1) und eine Platte (5) über einen Ätzmittelzulauf (7), der in der der Substratscheibe (1) zugewandten Oberfläche (6) der Platte (5) angeordnet ist und der mit einem Ätzmittel (9) enthal tenden Vorratsbehälter (8) verbunden ist, eine Ätzmittel menge (13) eingebracht wird, die sowohl die Substratscheibe (1) als auch die Platte (5) benetzt, wobei sich am Rand der Ätzmittelmenge (13) ein Flüssigkeitsmeniskus (14) ausbil det,
- - bei dem nach Beendigung des Ätzvorgangs die Ätzmittelmenge (13) im wesentlichen in den Vorratsbehälter (8) zurückge leitet wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7,
- - bei dem die Platte (5) eine Biegung aufweist, so daß der durch die Oberflächen der Substratscheibe (1) und der Plat te (5) aufgespannte Raum konvex ist,
- - bei dem der Ätzmittelzulauf (7) an dem Ort der Platte (5) angeordnet ist, an dem der Abstand zwischen der Substrat scheibe (1) und der Platte (5) am geringsten ist.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 oder 8,
bei dem in den Vorratsbehälter eine definierte Menge Gas ein
geleitet wird, die die zwischen die Substratscheibe und die
Platte (5) eingebrachte Ätzmittelmenge (13) bestimmt.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9,
- - bei dem als Substrat (15) ein Siliziumwafer verwendet wird, der in einer ersten Hauptfläche (16) mindestens eine tiefe Struktur (17) aufweist und dessen gesamte Oberfläche mit einer Schutzschicht (19) abgedeckt ist,
- - bei dem die Ätzmittelmenge zwischen die Platte und eine zweite Hauptfläche (18) des Siliziumwafers, die der ersten Hauptfläche (16) gegenüberliegt, eingebracht wird, um einen an der zweiten Hauptfläche (18) angeordneten Teil der Schutzschicht (19) zu entfernen,
- - bei dem durch Einbringen in eine Siliziumätze der Silizium wafer von der zweiten Hauptfläche (18) her bis zum Freilie gen des am Boden der tiefen Struktur (17) angeordneten Teils der Schutzschicht (19) abgeätzt wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10,
bei dem der Siliziumwafer (15) in der ersten Hauptfläche (16)
eine Vielzahl tiefer Strukturen (17) mit im wesentlichen
gleicher Tiefe aufweist.
12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11,
bei dem die Schutzschicht (19) im Bereich der zweiten Haupt
fläche (18) durch eine Photolackmaske teilweise abgeätzt
wird.
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| DE1995105981 Expired - Lifetime DE19505981C2 (de) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | Verfahren und Anordnung zum einseitigen, naßchemischen Ätzen einer Substratscheibe |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE19505981C2 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10313127B4 (de) * | 2003-03-24 | 2006-10-12 | Rena Sondermaschinen Gmbh | Verfahren zur Behandlung von Substratoberflächen |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3342652A (en) * | 1964-04-02 | 1967-09-19 | Ibm | Chemical polishing of a semi-conductor substrate |
| JPS57110674A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-09 | Fujitsu Ltd | Surface treating device |
| DE8812212U1 (de) * | 1988-09-27 | 1988-11-24 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum einseitigen Ätzen einer Halbleiterscheibe |
-
1995
- 1995-02-21 DE DE1995105981 patent/DE19505981C2/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10313127B4 (de) * | 2003-03-24 | 2006-10-12 | Rena Sondermaschinen Gmbh | Verfahren zur Behandlung von Substratoberflächen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19505981C2 (de) | 1998-11-05 |
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