DE1930545A1 - Halbleitervorrichtung,insbesondere Packungsaufbau fuer eine Halbleitervorrichtung - Google Patents

Halbleitervorrichtung,insbesondere Packungsaufbau fuer eine Halbleitervorrichtung

Info

Publication number
DE1930545A1
DE1930545A1 DE19691930545 DE1930545A DE1930545A1 DE 1930545 A1 DE1930545 A1 DE 1930545A1 DE 19691930545 DE19691930545 DE 19691930545 DE 1930545 A DE1930545 A DE 1930545A DE 1930545 A1 DE1930545 A1 DE 1930545A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
conductor strips
semiconductor
insulating plate
conductor
connection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19691930545
Other languages
English (en)
Inventor
Redwanz James Otto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Texas Instruments Inc
Original Assignee
Texas Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Texas Instruments Inc filed Critical Texas Instruments Inc
Publication of DE1930545A1 publication Critical patent/DE1930545A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49833—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers the chip support structure consisting of a plurality of insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/4985—Flexible insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5389—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates the chips being integrally enclosed by the interconnect and support structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

DW-INO. OIPL.-ΙΝβ. M. SC. DIPL.-^HVS. DR. ·
HÖGER - STELLRECHT-QRIESSBACH - HAECKER A, 37 425 D PATCfMtMNtAiXLTE iH S'iüTTSAKT
6'6·1969 ' . . 1930545
Texas Instruments Inc.
■135OO North Central Expresway,
Dallas'; Texas, IJSA -.
HALBLEITERVORRiGHTUM, INSBESONDERE PACKUNGSAUFBAU FÜR EINE HALBLEITERYORRIGHTUNG
Die Erfindung "befaßt sioh mit dem Aufbau von Halbleitervorrichtungen und insbesondere damit, wie sin oder mehrere * r-Halbleiterbauteile in einer diahten Packung am "besten unter- ': gebracht werden, um sie ohne Schwierigkeiten elektrisch anzuschließen, L
Bs ist bekannt, ein oder mehrere Harbleiterp-lstttchen in einer hermetisch dichten Packung unteraubringen, die ein sogenanntes Kopfstück und eine Kapp® umfaßte Disses Kopfstück hat üblicherweise zwei oder snehr metallische Aaachlußleiters die sic>i durch ein isolierendes Teil wie beispielsweise eine Keramik scheine hindurcherstreclceii und ia laaern der Backung enden=, Jedes Harbleiter-plättehen kann ein einzelnes Halbleiterbauelement oder zaehrere jsinselne solclior
8098-81/1.039 ' - ' · * ^2"
ORIGINAL
A 37 425'b
: ■ ■ ft : 1931^45
Bauelemente enthalten, die zu einer Teilschaltung integriert sind, wozu Leiterstreifen aus dünnen Metallfilmen dienen. In jedem"Fall weist das Halblaiterplättchen auf seiner Oberfläche metallische Kontakt- oder Anschlußfelder auf, die mit den zugehörigen Anschlußleitern durch , äußerst dünne Schaltungsdrähte zu verbinden sind.
Es gibt die verschiedensten Verfahren wie beispielsweise das Anwenden von Druck und Hitze, von Ultraschall, Löten oder Schweißen, um diese dünnen Schaltungsdrähte mit den Anschlußfeldern und den Enden der Anschlußleiter des Kopfstücks zu verbinden. Alle diese Verfahren sind hochentwickelt, sie sind jedoch trotzdem ziemlich kostspielig, da jedes Halbleiterbauteil einzeln von Hand angeschlossen werden muß. Dieser Nachteil tritt besonders dann in Erscheinung, wenn integrierte Schaltungen verpackt werden müssen, da es dann des Anschlusses einer großen Zahl von Scnaltungsdrähten bedarf, und die Probleme vervielfachen SiCh noch, wenn mehr als ein Plättchen mit einer integrierten Schaltung in derselben Packung unterzubringen ist. Ferner sind diese Schaltangsdrähte äußerst dünn, sie reißen leicht und lassen sich nur schlecht isolieren, wenn man nicht zusätsuche und kostspielige Verfahrensschritte '■ In Kauf nehmen will. Infolgedessen brechen diese Schal- ': tungsdrähte oft oder führen zu einem Kurzschluß, wodurch der Ausschuß steigt und die Rentabilität einer Ferti- J. gung abnimmt.
Der Erfindung lag nun die Aufgebe zugrunde, diese Kachteile zu beseitigen, d.h. insbesondere empfindliche Sohaltungsdräfcte zu vermeiden und das Verschaltes ei vereinfachen» Für eine Halbleitervorrichtung, insbesondere eine mindestens ein. Halbleiterba:Aa^I enthaltende dichte Pak» kung, mit. einem steifen.Träger, der mehrere elektrisch voneinander isolierte ölektr-i ehe Leiter zum Anschließen
909881/1039 ~'~. '. '
A 37 425 b " ■
der Vorrichtung an eine äußere Schaltung trägt, sowie mit mindestens einem Halbleiterelement in. dem Halbleiter-Bauteil, welches metallische Anschlußfelder auf wenigstens .· einer Oberfläche aufweist, wird diese Aufgabe gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß auf mindestens einer Oberfläche eines dünnen und flexiblen Isolierplättchens Dünnfilm-Leiterstreifen befestigt sind, die von dem Isolierplättchen mechanisch getragen werden, und daß diese Leiterstreifen so angeordnet sind, daß sie die Anschlußfelder elektrisch leitend mit den elektrischen Leitern des Trägers verbinden. Die von dem Isolierplättchen getragenen Leiterstreifen ersetzen also die zum Anschließen bisher erforderlichen, empfindlichen Schaltungsdrähte, so daß die Zwischenverbindungen nicht mehr reißen können und außerdem wegen der festen Fixierung der Leiterstreifen auf dem Isolierplättchen die Gefahr von Kurzschlüssen entfällt. Me Erfindung eignet sich besonders für das Verschalten von Halbleiterplättchen./Kann aber auch für andere Halbleiterbauteile eingesetzt werden. Der Grundgedanke der Erfindung besteht also darin, zum Verbinden erforderliche i Drähte durch auf einem dünnen Isoliermaterial angebrachte ; und von diesem getragene Leiterstreifen zu ersetzen, die Anschlußstellen von Halbleiterbauteilen mit dem äußeren '· Anschluß dienenden elektrischen Leitern verbinden. Der ] Vorgang des Verschaltens läßt sich bei einem solchen Auf- * bau leicht automatisieren, weshalb ein Gegenstand der Er- [. findung auch ein Verfahren zur Herstellung der erforderlichen Zwischenverbindungen in einer Halbleitervorrichtung darstellt. .
Sind mehrere Halbleiterbauteile erforderlich, so kann eine Vielzahl von Isolierplättchen übereinander gestapelt werden, wobei elektrische Verbindungen zwischen den in"den verschiedenen Ebenen liegenden Leiterstreifen durch Öff- *
-4-909881/1039
A 37 425 b
nungen in den Isölierplättchen hindurch herzustellen sind.
Weitere, vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung dar-' stellende Merkmale ergeben sich aus den beigefügten Patentansprüchen und/oder aus der nachfolgenden Beschreibung, die der Erläuterung einiger in der Zeichnung dargestellter .Ausführungsbeispiele der Erfindung dient; es zeigen:
Fig. 1 eine perspektivische Darstellung einer erfindungs-" gemäßen Halbleitervorrichtung nach Art einer Ex
plosionszeichnung;
Pig. 2 einen Vertikalschnitt durch die in Fig. 1 gezeigte Halbleitervorrichtung;
Fig. 3 einen Schnitt durch ein anderes Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung;
Fig. 4 einen der Fig. 2 entsprechenden Schnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel;
Fig. 5, einen vereinfachte, perspektivische Explosionszeichnung eines vierten Ausführungsbeispiels und
Fig. 6 einen Ausschnitt aus einer stark vergrößerten
Schnittdarstellung durch ein fünftes Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung.
Das erste Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung ist in den Fig. 1 und 2 mit 10 bezeichnet und sie enthält ein Übliches Halbleiterplättchen 13 sowie ein Verbindungsplatte 14, die hermetisch in eine
'909881/1039
A 37 425 b
b-b
6.6.1969
von einem Kopfstück 12 und einer Kappe 15 gebildete Pakkung eingeschlossen sind.
Das Kopfstück 12 setzt sich aus einer Keramikscheibe 16 und einem mit dieser hermetisch fest verbundenen Metallring 18 zusammen. Vier Kontaktstifte 20 - 23 erstrecken sich durch die Keramikscheibe 16 hindurch und sind mit dieser ebenfalls hermetisch dicht verbunden» Ihre Enden ragen im rechten Winkel Über die Innenfläche der Keramikscheibe 16.hinaus, und aus der folgenden Beschreibung wird ersichtlich werden, wie weit sie über die Keraraikscheibe vorstehen müssen. Die äußeren Enden der Kontaktstifte 20 - 23 sind abgeflacht und um 90° nach außen abgebogen, so daß die Halbleitervorrichtung leicht beispielsweise auf einer gedruckten Schaltungskarte angebracht werden kann, ohne daß irgendwelche Anschlußdrähte durch Öffnungen in dieser Schaltungskarte hindurchgeführt werden müssen, wie dies bei den bekannten Halbleitervorrichtungen der Fall ist. Auf der Innenfläche der Keramikscheibe 16 ist ein Metallfilm 24 abgelagert worden, der jedoch so geschaltet und angeordnet ist, daß er nur mit dem einen Kontaktstift 20 elektrisch leitend verbunden ist.
Die Kappe 15 ist eine einfache Metallkappe mit einem Umfangsflansch 26, der mit einem vergleichbaren Umfangsflansch 28 des Metallrings 18 durch Schweißen oder Löten fest und hermetisch verbunden wird, nachdem das Halbleiterplättchen 13 und die Verbindungsplatte in noch zu beschreibender Weise montiert worden sind. Selbstverständlich kann es sich bei dem.Halbleiterplättchen 13 sowohl um eine integrierte Schaltung als auch um eine andere Halbleiterkonstruktion handeln} insbesondere kann es sich auch um ein einzelnes Halbleiterbauelement, um mehrere einzelne Bauelemente oder um eine solche integrierte
9098 81/tO3 9 . ·
A 37 425 b
Schaltung handeln, in der mehrere einzelne Schaltelemente durch einen Hetallfilm zu einer'Teilschaltung in üblicher Weise miteinander verschaltet sind. In diesem Fall v/ird das Halbleiterplättchen 13 mehrere metallisierte bzv/. metallische Anschlußfelder 30 bis 32 auf einer Oberfläche aufweisen. In einigen Anwendungsfällen können metallische Vorsprünge vorgesehen sein ( nicht-dargestellt ), die über das Halbleiterplättchen vorstehen und mit den Anschlußfeldern insbesondere einstückig verbunden sind. Das Halbleiterplättchen 13 ist" durch Legieren, Löten oder in anderer Weise auf dem Metallfilm 24 befestigt, so daß ein elektrischer Kontakt zwischen dem Kontaktstift 20 und der unteren Oberfläche des Halbleiterplättchens hergestellt v/ird, was für die Wärmeableitung vorteilhaft ist..
Die Verbindungsplatte 14 besteht im wesentlichen aus einer dünnen Schicht aus einem isolierenden Werkstoff, und diese Schicht soll im folgenden als Isolierplättchen 34 bezeichnet werden; dieses trägt mehrere dünne, metallische Leiterstreifen 36 bis 38, welche auf der dem Halbleiterplättchen 13 zugekehrten Oberfläche des IsolierPlättchens gebildet worden sind. Die Enden dieser Leiterstreifen sind so angeordnet, daß sie über den Anschlußfeldern 30 bis 32 des Halbleiterplättchens liegen. Die anderen Enden der Leiterstreifen 36 bis 38 erstrecken sich bis zu Löchern 40 bis 42 im Isolierplättchen 34, die so angeordnet und bemessen sind, daß sie auf die Kontaktstifte 21 bis 23 aufgeschoben werden können. Rings um jedes Loch 40 bis 42 herum ist ein metallischer Ring gebildet, der mit jeweils einem der Leiterstreifen 36 bis 38 elektrisch leitend verbunden ist. Im zusammengebauten Zustand ( Pig. 2 ) sind die inneren Enden der Leiterstreifen 36 bis 38 fest mit den Anschlußfeldern 30 bis 32 verbunden, während die die Löcher 40 bis 42 umgebenden metallischen Ringe mit den Kontakt stift en 21 bis 23 fest verbunden sind. Das Isolierplättchen kann aus jedem geeigneten isolierenden Werk-
909881/1039 -7-
A 37 425 b . *
6,6.1969 ' « 1330545
stoff bestehen, der sich ausreichend hoch erhitzen läßt, damit ein fester Verbund zwischen den Leiterstreifen und den Anschlußfeldern sowie den metallischen Ringen und den Kontaktstiften hergestellt werden kann; geeignete Werkstoffe hierfür sind der unter der Handelsbezeichnung "Mylar" gehandelte Kunststoff, Hylon oder die sogenannten Η-Folien. Die Leiterstreifen können ebenfalls aus jedem geeigneten Metall wie beispielsweise aus Kupfer, Gold, Aluminium oder mit Gold^latiertem Kupfer bestehen; die zuletzt genannte Materialkombination eignet sich besonders zum Verbinden mit den anderen Teilen durch die Anwendung von Druck und Wärme, wenn sie zusammen mit einer H-Folie verwendet wird.
Entsprechend einer Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung werden Kopfstück 12, Halbleiterplättchen 13 und Verbindungsplatte 14 in einem Arbeitsgang zusammengebaut. Das Halbleiterplättchen 13 wird in der richtigen Orientierung, auf dem Kopfstück 12 angeordnet, wobei ein geeignetes Verbindungsmittel mit relativ niederem Schmelzpunkt wie beispielsweise Lötmasse zwischen dem Halbleiterplättchen und dem Metallfilm 24 angebracht wird. Anschließend kann man die Verbindungsplatte "14 a'uf dem Halbleiterplättchen 13 so anordnen, daß die Enden der metallischen Leiterstreifen 36 bis 38 .über den Anschlußfeldern 30 bis 32 des HaIbleiterplättchens liegen. Eine relativ niederschmelzende Verbindungsmasse wie beispielsweise eine Lötmasse wird auch in die Löcher 40 bis 42 ,den Übergangsstellen zwischen den Kontaktstiften 21 bis 23 und den zugeordneten Leiterstreifen 36 bis 38 benachbart,sowie zwischen die Leiterstreifen 36 bis 38 und die Anschlußfelder 30 bis 32 eingebracht. Dieses Verbundmaterial kann in dünner Schicht zunächst auf einem oder mehreren der Teilen an-
-8-909881/1039
A 37 425 b -&L
gebracht worden sein, es ist aber auch möglich, es getrennt, beispielsweise in Form eines kleinen Rings, anzuordnen. Dann wird die zusamnengestapelte Konstruktion, in einen Ofen gebracht und dort so stark erhitzt, daß die verwendeten Verbundmaterialien schmelzen; nach dem . Abkühlen haftet das Halbleiterplättchen 13 fest am Metallfilm 24 und damit auf dem Kopfstück, die metallischen Leiterstreifen 36 und 38 sind fest mit den Anschlußfeldern 30 bis 32 des Halbleiterplättchens und die metallischen Ringe in den Löchern 40 bis 42 mit den Kontaktstif-P ten 21 bis 23 verbunden. Dann kann man die Kappe 15 in üblicher Weise mittels Schweißen oder Löten befestigen, so daß die hermetisch dichte Packung entsteht.
Gemäß einem weiteren Merkmal der Erfindung wird das Halbleiterplättchen 13 zunächst bezüglich der Verbindungsplatte 14) die im übrigen selbstverständlich nicht unbedingt als Platte ausgebildet sein muß, richtig orientiert, so daß die Enden der Leiterstreifen 36 bis 38 mit den Anschlußfeldern 30 bis 32 fluchten. Dann werden die Lei-
mit,
terstreifen 'den Anschlußfeldern fest verbunden, insbesondere wie üblich durch das Anwenden von Druck und . Temperatur. Dies wird erleichtert, wenn das Isolierplätt- * chen aus einer Η-Folie bestellt, die Leiterstreifen aus goldplattiertem Kupfer gefertigt sind, und zwar mindestens im Bereich der herzustellenden Verbindung, und die Anschlußfelder selbst aus Gold bestehen. Die richtige Anordnung der Teile zueinander wird dadurch erleichtert, daß das Isolierplättchen ausreichend durchsichtig ist, um die, An3chlußfelder durch das Isolierplättchen hindurch sehen zu können. Dann wird die Einheit aus Halbleiterplättchen 13 und Verbindungsplatte 14 mittels geeigneter Verbundmassai wie beispielsweise einer LÖtraasse zwischen Halbleiterplätt-, chen und Metallfilm 24 auf dem Kopfstück so angeordnet,
—9— 909881/1039
A 37 425 b
b-b
daß die Löcher 40 bis 42 über die Kontaktstifte 21 big 23 geschoben sind. Die Teile der Leiterstreifen,um diese Löcher herum können zuvor schon mit der Verbundmasse beschichtet worden sein, es ist aber auch möglich, diese in Form eines Rings um jeden Kontaktstift herum anzuordnen. Wird dann die ganze Vorrichtung auf eine Temperatur gebracht, bei der die Verbundmasse schmilzt, und läßt man anschließend abkühlen, so ist das Hälbleiterplättchen 13 fixiert und elektrisch mit den Kontaktstiften verbunden. Dann kann man die Kappe 15 aufschweißen und auf diese Weise die hermetisch dichte Packung vervollständigen.
Es ist aber auch möglich, die einen oder beide Enden der Leiterstreifen zuvor mit der Lötmasse oder dergleichen zu beschichten, so daß durch Druck und Viarme die Verbindung zu den Anschlußfeldern hergestellt werden kann. Die Einheit aus Hälbleiterplättchen und Verbindungsplatte kann dann beliebig oft verwendet werden, insbesondere dann, wenn die Leiterstreifen zuvor mit einer Verbundmasse beschichtet worden sind.
Die Fig. 3 zeigt einen Schnitt durch ein Ausführungsbeispiel ähnlich demjenigen gemäß Fig. 2; infolgedessen sind einander entsprechende Teile der beiden Ausführungs-"beispiele mit denselben Bezugszeichen versehen worden. Im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel nach den Fig. 1 und 2 sind jedoch die vier Kontaktstifte - von denen nur die Kontaktstifte gj|jt bis 23a gezeichnet sind - und die Verbindungsplatte τψί Oder dergleichen geringfügig abgewandelt. Die Kontaktstifte sind verkürzt, so daß sie sich /in die gleiche Höhe erstrecken oder nur geringfügig höher sind, als dies der Dicke des Halbleiterplättchens 13 über der Keraraikscheibe 16 entspricht. Der Unterschied zwischen der Verbindungsplatte I4 und der Verbindungsplatte 14a
-40-909881/T039 '
A 37 425 b
besteht darin, daß keine Löcher im Isolierplättchen 34 und in den Leiterstreifen 36 bis 38 vorgesehen sind. Die gesamte Halbleitervorrichtung ist in Fig.3 mit 50 bezeichnet.
Die Vorrichtung 50 kann entsprechend dem zuerst beschriebenen Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung 10 gefertigt werden. "Weil keine Löcher vorgesehen sind, ist jedoch lediglich darauf zu achten, daß das Halbleiterplättchen 13 innerhalb des Kopfstücks 12 mit solcher
™ Genauigkeit angeordnet wird, daß die Enden der Leiterstreifen 36 bis 38 über den Snden der Kontaktstifte 21 bis 23 zu liegen kommen. Dann kann die Verbindungsplatte 14a exakter angeordnet werden, so daß bei mit den Anschlußfeldern 30 bis 32 fluchtenden Leiterstreifen 36 bis 38 diese automatisch auch mit den Kontaictstif^en fluchten. Infolgedessen sind die Forderungen nach einer exakten Anordnung des Halbleiterplättchens bei der Vorrichtung 50 nicht so streng wie bei der Vorrichtung 10. Die Vorrichtung 50 kann auch mit Hilfe des an zi^eiter Stelle beschriebenen Verfahrens zusammengestellt werden, wobei dann das Halbleiterplättchen 13 zunächst bezüglich der Verbindungsplatte 14a richtig angeordnet wird, worauf man diese beiden Elemente exakt im Kopfstück montiert. Dieses Verfahren ist besonders dann zu bevorzugen, wenn die Lei— terstreifen schon zuvor mit einer Verbundmasse beschichtet worden sind. Es ist dann nur erforderlich, daß die leiterstreifen exakt genug über den Kontaktstiften angeodnet werden, damit mit diesen eine elektrisch leitende Verbindung hergestellt wird. Die Vorrichtung 50 eignet sich auch besser für die Verwendung anderer Verbundverfahren, beispielsweise durch die Anwendung von Druck.und Hitze, insbesondere dann, wenn eine Η-Folie oder andere gegenüber hohen Temperaturen beständige Materialien für das Isolierplättchen verwendet werden; ferner kann zu
V -11-
909881/1039 BAD
A 37 425 b
einem Schweißverfahren oder zum Verbinden mittels Ultraschall oder dergleichen gegriffen werden.
Ein anderes Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung ist in Fig. 4 mit 60 bezeichnet. Diejenigen Teile, die denjenigen der vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiele entsprechen sind mit denselben Bezugszeichen versehen; ein Metallfilm 24, wie ihn die Ausführungsbeispiele nach den Fig. 1 bis 3 aufweisen, ist bei dem Ausführungsbeispiel nach Fig.4 nicht vorgesehen. Andererseits sind jedoch Halbleiterplättchen 13 und Verbindungsplatte 14 hinsichtlich ihrer Anordnung vertauscht und infolgedessen in umgekehrter Reihenfolge aufeinander gestapelt. Da ein Metallfilm 24 fehlt, müssen elektrische Verbindungen zum Halbleiterplättchen 13 von derselben Seite hergestellt^ werden, auf der auch die Anschlußfelder 30 bis 32 liegen. Die Verbindungsplatte 14 ist so angeordnet,daß das Isolierplättchen 34 unmittelbar auf der Keramikscheibe 16 liegt, so daß ein metallisches Kopfstück verwendet werden kann. Die metallischen Leiter-' streifen 36 bis 38 liegen auf der Oberseite des Isolierplättchen 34, während die Anschlußfelder 30 bis 32 des Halbleiterplättchens auf dessen Unterseite, den Leiterstreifen 36 bis 38 benachbart, angeordnet sind. Auch hier weist die Verbihdungsplatte 14 vorzugsweise wieder Löcher 40 bis 42 auf, und die Enden der Kontaktstifte 21 bis 23 können sich wieder bis zu einer solchen Höhe erstrecken, wie dies ungefähr der Dicke des Isolierplättchens 34 entspricht; sie können aber auch höher hinaufragen. Die Kontaktstifte 21 bis 23 und die Leiterstreifen 36 bis 38 lassen sieh dann mechanisch und elektrisch mit Hilfe einer Verbundmasse oder eines anderen Bindemittels 62 miteinander verbinden.
Die Halbleitervorrichtung 60 kann nun auch auf eine etwas
-12-909881/1039
A 37 425 b
andere Weise als vorstehend beschrieben gemäß der Erfindung zusammengesetzt werden: zunächst ordnet man die Anschlußfelder 30 bis 32 über den leiterstreifen 36 bis 38 an und verbindet sie mit deren Enden, wie vorstehend schon beschrieben worden ist. Dann ordnet man. .lediglich die ■Verbindungsplatte 14 so auf dem Kopfstück 12 an, daß die Löcher 40 bis 42 über den Kontaktstiften 21 bis 23 liegen. Kleine Scheibchen 62 aus einer Verbundmasse mit verhältnismäßig tiefen Schmelzpunkt lassen sich dann über den Kontaktstiftan 21 bis 23 und in den Löchern an den Enden der Leiterstreifen anordnen; es ist aber auch möglich, die Verbundmasse um die Kontaktstifte herum anzuordnen, wenn diese über die Leiterstreifen hinausragen. Gegebenenfalls kann ein geeignetes Bindemittel auch dazu benutzt werden, das Isolierplättchen 34 mit der Keramikscheibe 16 zu verbinden, und dieses Bindemittel ist in Fig. 4 mit 64 bezeichnet worden. Die gesamte Anordnung wird dann auf eine Temperatur erhitzt, bei der die Verbundmassen schmelzen, worauf man abkühlt. Anschließend läßt sich die Kappe 15 anbringen und so die hermetisch dichte Packung vervollständigen.
Die in Fig. 5 gezeigte Halbleitervorrichtung 70weist ein übliches keramisches. Kopfstück 72 mit einer großen Anzahl von Kontaktstiften 74 auf. Mehrere einzelne Halbleiterbauteile 76, bei denen es sich um diskrete Bauelemente, integrierte Schaltungen oder dergleichen handelt, sind in verschiedenen Lagen auf dem Kopfstück befestigt, beispielsweise mittels eines Bindemittels. Die Halbleiterplättchen oder -Unterlagen einiger dieser Halbleiterbauteile können elektrisch mittels eines Hetallfilms 78 auf der Oberfläche des Kopfstücks 72 miteinander verbunden sein. In gleicher Weise ist es möglich,/mittels auf dem Kopfstück angeordneter Metallfilme 80 elektrisch mit einen oder mehreren der Kontaktstifte 74 zu verbinden.
909881/1039 BADORtGiNAu
A 37 425 V
Jedes Halbleiterbauteil 76 weist metallische Anschlu!3felder auf einer Oberfläche auf, wie dies zuvor anhand des Halbleiterplättchens 13 beschrieben worden ist.
Ein dem elektrischen Verbinden bzw. Anschließen dienendes Teil, das wieder als Verbindungsplatte 82 ausgebildet ist, umfaßt wieder ein Isolierplättchen 84, welches mehrere metallische Leiterstreifen 86 trägt. Die Verbindungsplatte 82 kann aus denselben Werkstoffen bestehen, die vorstehend schon im Zusammenhang mit der Verbindungsplatte 14 erwähnt worden sind. Die metallischen Leiterstreifen 86 dienen dazu, metallische Anschlußfelder an ausgewählten Halbleiterbauteilen 76 mit Anschlußfeldern an anderen Halbleiterbauteilen und mit ausgewählten Kontaktstiften zu verbinden. Mit ihrer Hilfe werden also Schaltungen bzw. Teilschaltungen hergestellt und diese an die Kontaktstifte 74 angeschlossen, über die der Anschluß an ein äußeres System erfolgt. In diesen Teilschaltungen kann beispielsweise ein Widerstand 87, ein Dünnfilmkondensator 89 oder.dergleichen vorgesehen sein, die auf dem Isolierplättchen 84 montiert sind, beispielsweise mittels eines Klebstoffs. Schließlich wird eine Kappe 88 auf dem Kopfstück 72 befestigt und damit die hermetisch dichte Packung vervollständigt.
Wie die Pig. 5 zeigt, weist die Vorrichtung 70 im wesentlichen die gleiche Gestalt wie die Vorrichtung 10 auf und kann infolgedessen nach einer der beiden beschriebenen Methoden zusammengestellt werden. Ss ist aber auch möglich, dieselben Abwandlungen des Herstellungsverfahrens . zu berücksichtigen, wie bei den Vorrichtungen 50 und 60.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Verbindungsmittel ist in Pig. 6 dargestellt, und dieses Ausführungsbeispiel eignet sich besonders für solche HaIb-
-14-909881/1*039 "
A" 37 425 b .
b-b -VT-
-6·6·19-69' , ^ 1930545·
leitervorrichtungen, die eine große Anzahl gesonderter Halbleiterbauteile enthalten. In Pig. 6 ist eine Keramikscheibe eines Kopfstücks mit 92 bezeichnet, während ein Halbleiterbauteil das Bezugszeichen 94 trägt. Ss handelt sich dabei in einem typischen Fall um eine integrierte Schaltung,von der selbstverständlich in Pig. 6 nur ein Teilstück dargestellt ist. Auf der Oberfläche des Halbleiterbauteils 94 sind in üblicher Weise ausgedehnte, metallische Anschlußfelder 96 und 98 vorgesehen, von denen jedes jeweils einen Kontaktvorsprung 96a bzw. 98a trägt. Die Höhe dieser Kontaktvorsprünge ist vorzugsweise größer als die Dicke eines Isolierplättchens 90, das aus mehreren Schichten aufgebaut isti diese Schichten sind die Isolierplättchen 99ι 100, 102 und 104. Die Isolierplättchen 100, 102 und 104* tragen metallische Leiterstreifen 106, 108 und 110, wobei sich die Leiterstreifen 106 rechtwinklig zur Zeichnungsebene erstreckeh$ während die Leiterstreifen 108 parallel dazu verlaufen und infolgedessen die Leiterstreifen 106 kreuzen* Dies ist allerdings kein notwendiges Merkmal des erfindungsgemäßen Aufbaus. Die Leiterstreifen 110 können in einer beliebigen Richtung verlaufen, es kann sich bei ihnen aber auch um einen kontinuierlichen Metallfilm handeln, der der hochfrequenzmäßigen Abschirmung dient und möglicherweise als Masseebene bezeichnet werden wird. Zwischen den in verschiedenen Ebenen liegenden elektrischen Leitern können Zwischenverbindungen hergestellt werden, so beispielsweise zwischen den Leiterstreifen 106 und 108, in dem man ein Loch 112 durch das Isolierplättchen 100 und durch da3 ausgedehnte Teilstück des Leiterstreifens 106 hindurchstanztj daraufhin wird ein Metallkörper 114, der beispielsweise aus einer Lötmasse bestehen kann, dazu verwendet, den Leiterstreifen 106 durch das Loch 112 hindurch mit dem Leiterstreifen 108 elektrisch leitend zu verbinden. Es ist
-15-909881/1039
ä 37 425 b .
aber aucli möglich, die in den beiden Ebenen liegenden Leiterstreifen unmittelbar miteinander dadurch zu verbinden, daß man den einen Leiterstreifen durch eine etwas größere Öffnung in einem Isolierplättchen hindurchdrückt und dann die beiden Leiterstreifen durch die Anwendung von Druck und Hitze miteinander verschweißt. Das unterste Isolierplättchen 99 hat Löcher 116 und 118, in die die Kontaktvorsprünge 96a und 98a der Anschlußfelder 96 und
98 hineinragen; diese Kontäktvorsprünge haben vorzugsweise eine größere Höhe als dies der Dicke des Isolierplättchens
99 entspricht, so daß sie die Leiterstreifen 106 zwischen den Isolierplättchen 99 und 100 berühren und mit diesen verbunden werden können.
Nach einem weiteren Aus führungs"b ei spiel der erfindungsgemäßen Fertigungsraethode kann die Verbindungsplatte 90 auch so hergestellt werden, daß das Isolierplättchen 102 mit derjenigen Fläche die Oberseite der Verbindungsplatte bildet, auf der sieh die Leiterstreifen 108 befinden. Dann wird das Isolierplättchen 100 darübergelegt, und zwar so, daß das Loch 112 über dem zugehörigen Leiterstreifen 108 liegt. Dann kann man den Leiterstreifen 106 aus dem Isolierplättchen 100 mit' dem Leiterstreifen 108 mechanisch verbinden. Diese Verfahrensschritte lassen sich so oft wiederholen, als Verbindungsstellen erforderlich,sind, es ist aber auch möglich", diese Verbindungstellen alle gleichzeitig, zu schaffen, indem man eine Scheibe aus Lötnasse in jedes der Löcher 112 legt und dann die Sandwichpackung auf eine Temperatur erhitzt, bei der die Lötmasse schmilzt. Selbstverständlich kann das-selbe Verfahren zur Verbindung von ineinander benachbarten Ebenen liegenden Leiterstreifen auch dann angewandt werden, wenn die Verbindungsplatte mehr als zwei Ebenen aufweist, in denen Leiterstreifen liegen.
-16-
909881/103
A 37 425 b .
Nimmt nan an, daß die;J'leitende Schicht 110 hochfrequenzmäßig an Masse liegt, so können das Isolierplättchen 104 und diese leitende Schicht 110 lediglich mit Hilfe eines geeigneten Verbundmaterials mit dem Isolierplättchen 102 verbunden sein. In gleicher '"/eise kann das mit Löchern ver-• sehene Isolierplättchen 99 über den Leiterstreifen 106 befestigt werden.
Die Kontaktvorsprünge 96a und 98a können auf die verschiedenste Weise erzeugt worden sein, beispielsweise durch
" die sogenannte "Ball Bonding-Technik" oder durch elektrisches Niederschlagen, so daß ein ungefähr kugeliger, metallischer Vorsprung entsteht, dessen Schmelztemperatur höher als diejenige des als Verbundmasse verwendeten Metalls liegt. Darauf können dann entweder die Kontaktvorsprünge oder die später dagegen anliegenden Oberflächenbereiche der Leiterstreifen 106 mit der Verbündmasse, beispielsweise einem Lötmetall, beschichtet werden, so daß man anschließend die Teile zusammenbringen und auf eine ausreichend hohe Temperatur erhitzen kann, so daß die £ötmasse schmilzt und nach dem Abkühlen ein Verbund entstanden ist. Ferner könnten die Kontaktvorsprünge 96a und 98a an den darüberliegenden Leiterstreifen auch durch andere Verfahren befestigt werden, so beispielsweise durch die Anwendung von Druck und-Hitze, von Ultraschall oder anderen geeigneten Mitteln.
Das Halbleiterbauteil 94 wird zunächst bezüglich der Verbindung splat te 90 ausgerichtet, worauf die beiden Teile in einem Kopfstück untergebracht werden; es ist aber auch möglich, zunächst das Halbleiterbauteil 94 im Kopfstück unterzubringen und dann die Verbindungsplatte 90 auf dem Ealbleiterbauteil in der·richtigen Lage bezüglich dee letz-. teren und des Kopfstücks anzuordnen,und schließlich können alle drei Elemente gleichzeitig miteinander mittels einer
. -17-
909881/1039·
A 37 425 b
676.1969 ■«■ 19 305 A 5
geeigneten Verbundmasse verbunden werden.
Das mit Löchern versehene Isolierplättchen 99 "bringt auch 'dann Vorteile mit sich, wenn man lediglich eine einzige Ebene mit Leiterstreifen benötigt, wie dies in den Halbleitervorrichtungen 10, 50 und 60 der Fall ist. Dann können die Anschlußfelder am Halbleiterbauteil so ausgebildet werden, wie dies die Pig. 6 zeigt, es ist aber auch möglich, jedes Loch im Isolierplättchen so groß zu .machen, daß man den Leiterstreifen selbst durch dieses Loch hindurch gegen das Anschlußfeld des Halbleiterbauteils drücken kann. Außerdem muß darauf hingewiesen werden, daß es auch möglich ist, beisnielsweise die Kontaktvorsprünge 96a und
sie
98a so hoch zu machen, daß/sich durch mehrere Schichten der Verbindungsplatte hindurcherstrecken und so unmittelbar mit dem jeweiligen Leiter streif en verbunden v/erden können.
Der besondere Torteil des erfindungsgemäßen Aufbaus ist auch darin zu erblicken, daß Halbleiterbauteile und Verbindung splat ten beziehungsweise anders ausgebildete Verbindungsmittel zusammen durchaus handelsfähig sind und an solche Betriebe vertrieben werden können, die das hermetische Einschließen in einer Packung vornehmen oder d'ie Teile in einer Hybridschaltung unterbringen, die anschließend hermetisch dicht verpackt wird.
Die Leiterstreifen auf beziehungsweise in der Verbindungsplatte, können auch mäanderförmig gestaltet sein und so Widerstände bilden. Dies bringt besonders im Zusammenhang mit Mehrfaohemitter-Leistungstransistoren Vorteile mit sich, wo in jedem Emitterkreis ein Widerstand liegt, um ein Übersteuern des Transistors in thermischer Hinsicht zu vermeiden. Die Isolierschichten bzw. Isolierplättchen der Verbindungsmittel können ferner aueh passive
-18-909881/1039
A 37 425 b
b-b
Bauteile wie Kondensatoren oder dergleichen tragen»
Wie bereits erwähnt worden ist, können die Halbleiterplättchen beziehungsweise Halbleiterbauteile 13, 76 und 94 entweder einzelne, diskrete Halbleiterelenente oder auch integrierte Schaltungen enthalten. Ferner kann es sich dabei um Halbleiterplättchen mit einer Vielzahl einzelner integrierter Schaltungen handeln, die durch in einer oder in mehreren Ebenen liegende: Verbindungsleitungen miteinander verschaltet sind, Es kann sich also um sogenannte LSI-Schaltungen handeln.
Die erfindungsgemäßen Merkmale, die in der Verbindungsplatte 90 verwirklicht sind, bringen besonders dann Vorteile mit sich, wenn es gilt, eine Zahl einzelner integrierter Schaltungen oder integrierter Schaltungsanordnungen miteinander zu verbinden, die' auf einen gemeinsamen festen Träger zur Wärmeableitung montiert sind. In diesem Fall können die sich von dem geneinsamen' Träger, beispielsweise von der Keramikscheibe 92,weg erstreckenden Leitungen die Form von Kontaktstiften oder auch Leitungen annehmen, wie es bei den Vorrichtungen 10, 50, 60 und 70 gezeigt ist, sie können aber auch in Form von Leitungen einer bedruckten Schaltung auf dem gemeinsamen Träger vorliegen. Die Kopfstücke, um die es sich in der Regel bei den gemeinsamen Trägern handelt, können jede beliebige Form haben, beispielsweise die Form flacher Packungen für integrierte Schaltungsplättchen, Packungen mit Anschlußstiften, in denen sich Anschlußleitungen von derjenigen Oberfläche nach oben erstrecken, auf der das Halbleiterbauteil montiert ist, bis zu einer Kappe oder dergleichen, in der die elektrisch isolierten Durchführungen für die einzelnen Anschlußleitungen vorgesehen sind.
909881/1039 ~ί9~

Claims (1)

  1. A 37 425 b
    6.6.1969
    Patentansprüchee
    (1.) Halbleitervorrichtung, insbesondere mindestens ein ^"^^ Halbleiterbauteil enthaltende dichte Packung, mit einem steifen Träger, der mehrere elektrisch voneinander isolierte elektrische Leiter zum Anschließen der Vorrichtung an eine äußere Schaltung trägt, sowie mindestens einem Halbleiterelement in dem Halbleiterbauteil, welches metallische Anschlußfelder auf wenigstens einer Oberfläche aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß auf mindestens einer Oberfläche eines dünnen und flexiblen Isolierplättchens (34) Dünnfilm-Leiterstreifen (36-38) befestigt sind, die von dem Isolierplättchen mechanisch getragen werden, und daß diese Leiterstreifen so angeordnet sind, daß sie die Anschlußfelder (30-32) elektrisch leitend mit den elektischen Leitern (21-23) des Trägers 02) verbinden. *
    2· Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterelement ein Halbleiterplättchen ist.
    3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterplättchen (13) auf dem Träger (12, 16) montiert, insbesondere mittels einer Verbundmasse befestigt Ist und auf seiner vom Träger abgekehrten Oberfläche die Anschlußfelder (30-32) aufweist, und daß die Leiterstreifen (36-38) auf der dem Halbleiterplättchen zugekehrten Oberfläche des Isolierplättchens (34) angeordnet sind»
    4. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens einer der elektrischen Leiter (21-23) sich durch ein Loch
    • ■ -20-
    909881/103 9
    A 37 425 b
    b-b
    6.6.1969 " in 19305 A 5
    desjenigen Leiterstreifens hindurcherstreckt, mit dem er in einem Loch (40-42) des Isolierplättchens verbunden ist.
    5. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1-4, dadurch gekennzeichnet, daß sich mindestens einer der Leiterstreifen über einen der elektrischen Leiter erstreckt und mit diesem verbunden ist.
    6. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Isolierplättchen (34) auf dem Träger (12, 16) angebracht ist und die Leiterstreifen auf seiner vom Träger abgekehrten Oberfläche trägt, und daß das Halbleiterplättchen auf dem Isolierplättchen mit den Anschlußfeldern diesen zugekehrt angeordnet ist. (Pig. 4)
    7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens durch einen der Leiterstreifen sowie dem darunterliegenden Teil des Isolierplättchens ein Loch vorgesehen ist, und daß durch dieses Loch hindurch der Leiterstreifen mit einem der elektrischen Leiter verbunden ist*
    8« Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch mehrere Halbleiterplättchen, von deren Anschlußfeldern mindestens ein Teil durch einen Leiterstreifen miteinander verbunden ist.
    9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Leiterstreifen vorgesehen sind und jeder auf einem Isolierplättchen angebracht ist, daß die Isolierplättchen so gestapelt sind, daß Leiterstreifen einander benachbarter Isolierplättchen durch eines dieser Plättchen voneinander getrennt sind, und daß mindestens eine
    -21- --■V 9098 8 17 TO 3 9
    A 37 425 b ·
    elektrische Zwischenverbindung zwischen Leiterstreifen verschiedener Isolierplättchen vorgesehen ist, die sich durch ein Loch in dem die Leiterstreifen voneinander trennenden Isolierplättchen hindurcherstreckt, wobei die Leiterstreifen insgesamt die Halbleiterplättchen an die elektrischen Leiter (21-23) anschließen.
    10'. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterstreifen auf einem steifen Träger montiert und innerhalb der dichten Packung angeordnet sind, und daß hermetisch dichte Durchführungen für die elektrischen Leiter aus der Packung heraus vorgesehen sind.
    11. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Teil der Leiterstreifen mit einem verhältnismäßig niederschmelzenden Metall beschichtet sind, so daß sie mit anderen elektrischen Leitern bzw. Leiterstreifen ohne zusätzliche Lötmasse verlötet werden können.
    12. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens einer der Leiterstreifen einen Widerstand als Schaltungselement bildet.
    13. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eines der Isolierplättchen zur Bildung eines Kondensators zwei leitende Schichten trägt, das in eine mindestens einen der Leiterstreifen umfassende Teilschaltung einbezogen ist,
    - 22 -
    S0S881/IO3S
    b - 135
    6.6.1969
    Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterbauteil auf der Innenfläche des steifen Trägers so befestigt wird, daß seine * Anschlußfelder auf seiner vom Träger abgekehrten Oberfläche liegen, daß das Isolierplättchen so über dem Halbleiterbauteil angeordnet wird, daß Teile der Leiterstreifen gegen die zugehörigen Anschlußfelder und elektrischen Leiter (21-23) anliegen, wobei an den Berührungsstellen eine niederschmelzende, elektrisch leitende Verbundmasse zwischen die Leiterstreifen und die Anschlußfelder bzw. elektrischen Leite'r gebracht wird, worauf die Vorrichtung so hoch erhitzt wird, daß die Verbundmasse schmilzt, worauf abgekühlt wird.
    909881/103 9
    Leerseite
DE19691930545 1968-06-25 1969-05-16 Halbleitervorrichtung,insbesondere Packungsaufbau fuer eine Halbleitervorrichtung Pending DE1930545A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US73985568A 1968-06-25 1968-06-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1930545A1 true DE1930545A1 (de) 1970-01-02

Family

ID=24974053

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19691930545 Pending DE1930545A1 (de) 1968-06-25 1969-05-16 Halbleitervorrichtung,insbesondere Packungsaufbau fuer eine Halbleitervorrichtung

Country Status (4)

Country Link
DE (1) DE1930545A1 (de)
FR (1) FR2014202A1 (de)
GB (1) GB1270288A (de)
NL (1) NL6909721A (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2167228B (en) * 1984-10-11 1988-05-05 Anamartic Ltd Integrated circuit package
US5159535A (en) * 1987-03-11 1992-10-27 International Business Machines Corporation Method and apparatus for mounting a flexible film semiconductor chip carrier on a circuitized substrate
US5170931A (en) * 1987-03-11 1992-12-15 International Business Machines Corporation Method and apparatus for mounting a flexible film semiconductor chip carrier on a circuitized substrate
JPH061788B2 (ja) * 1987-03-11 1994-01-05 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン 電子パッケージの実装方法
CN110556349A (zh) * 2019-09-29 2019-12-10 全球能源互联网研究院有限公司 功率型半导体器件封装结构

Also Published As

Publication number Publication date
GB1270288A (en) 1972-04-12
NL6909721A (de) 1969-12-30
FR2014202A1 (de) 1970-04-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0931346B1 (de) Mikroelektronisches bauteil in sandwich-bauweise
EP1061783B2 (de) Keramik-Metall-Substrat, insbesondere Mehrfachsubstrat
DE69938582T2 (de) Halbleiterbauelement, seine herstellung, leiterplatte und elektronischer apparat
DE19648728C2 (de) Halbleiteranordnung, Stapel aus Halbleiteranordnungen, und Verfahren zu ihrer bzw. seiner Herstellung
DE10033977B4 (de) Zwischenverbindungsstruktur zum Einsatz von Halbleiterchips auf Schichtträgern
DE102005027356B4 (de) Halbleiterleistungsbauteilstapel in Flachleitertechnik mit oberflächenmontierbaren Außenkontakten und ein Verfahren zur Herstellung desselben
WO1998015005A9 (de) Mikroelektronisches bauteil in sandwich-bauweise
DE3221199A1 (de) Halbleiteranordnung des isolierten typs
DE2748350A1 (de) Waermeableitvorrichtung fuer monolithisch integrierte halbleiterschaltungen
DE102015202256B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung und Positionslehre
EP1508168B1 (de) Halbleiterbauelement und verfahren zum herstellen einer halbleiterbauelementanordnung mit dem halbleiterbauelement
DE112018001741T5 (de) Halbleiteranordnung Verfahren zu dessen Herstellung undLeistungswandlervorrichtung
DE19920444B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbausteins sowie Halbleiterbaustein
DE1956501A1 (de) Gehaeuse fuer integrierte Halbleiter-Schaltungen
DE2109191A1 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
WO1995011580A1 (de) Anordnung bestehend aus einer leiterplatte
DE2315711A1 (de) Verfahren zum kontaktieren von in einem halbleiterkoerper untergebrachten integrierten schaltungen mit hilfe eines ersten kontaktierungsrahmens
DE2536957C2 (de) Elektronisches Bauelement
DE3635375C2 (de)
DE1930545A1 (de) Halbleitervorrichtung,insbesondere Packungsaufbau fuer eine Halbleitervorrichtung
DE102014206606A1 (de) Verfahren zum Montieren eines elektrischen Bauelements auf einem Substrat
DE3931551C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Substrates
DE3935792A1 (de) Elektronische schaltung auf gesinterter keramikfolie
DE3020466A1 (de) Sammelschiene mit mindestens einem paar langgestreckter, zueinander parallel gefuehrter leiter und verfahren zur herstellung einer solchen sammelschiene
DE112014001285T5 (de) Halbleiterchip und Halbleitervorrichtung, die mit dem Halbleiterchip versehen ist