DE1905732A1 - Apparatus for manufacturing semiconductors - Google Patents
Apparatus for manufacturing semiconductorsInfo
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- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D23/00—Control of temperature
- G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
- G05D23/1919—Control of temperature characterised by the use of electric means characterised by the type of controller
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/08—Apparatus, e.g. for photomechanical printing surfaces
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
Description
Joseph Lucas (Industries) Limited 1 Ö U 0 /3 2Joseph Lucas (Industries) Limited 1 Ö U 0/3 2
Great King Street,Great King Street,
Birmingham / England 5. Februar I969Birmingham / England 5th February I969
23 059 Ma/He23 059 Ma / He
Vorrichtung zum Herstellen von HalbleiternDevice for manufacturing semiconductors
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zum Ausführen eines Ätzverfahrens bei der Trennung einzelner Halbleitereinrichtungen aus einer größeren Halbleiterscheibe.The invention relates to an apparatus for carrying out an etching process in the separation of individual semiconductor devices from a larger semiconductor wafer.
Bei der Herstellung von Halbleitern ist es üblich, auf einer größeren Scheibe eine Anzahl von Halbleitereinrichtungen zu erzeugen und dann diese einzelnen Einrichtungen mittels einer Wachsabdeckung zu schützen und die Scheibe einem Ätzvorgang zu unterwerfen, um die einzelnen Halbleitereinrichtungen zu trennen. In the manufacture of semiconductors, it is common to create a number of semiconductor devices on a larger wafer and then to protect these individual devices by means of a wax cover and to etch the disk subject to separate the individual semiconductor devices.
Bei der bekannten Anordnung wird nur Ätzsäure in eine Schale eingebracht, wobei weder ein Umlauf der Ätzsäure noch eine Steuerung der Temperatur vorgesehen ist. Aus diesem Grunde ist die Lebensdauer einer gegebenen Ätzsäuremenge begrenzt, da falls die Säuretemperatur zu niedrig ists die Dauer des Ätzvorgangs sich erhöht und falls die Temperatur der Ätzsäure zu hoch ist, neigt die Wachsabdeckung dazu, sich von der Scheibe abzuheben. Bei den bekannten Verfahren enthält eine Schale meist > 1 Ätzsäure und kann maximal für die Ätzung von 20 Scheiben verwendet werden. In the known arrangement, only etching acid is introduced into a bowl, with neither a circulation of the etching acid nor a control of the temperature being provided. For this reason, the life of a given Ätzsäuremenge is limited because if the temperature is too low acid s is the duration of the etching process is increased and if the temperature of the etching acid is too high, the wax cover tends to stand out from the disc. With the known methods, a shell usually contains> 1 etching acid and can be used for etching a maximum of 20 wafers.
Die Vorrichtung gemäB der Erfindung 1st dadurch gekennzeichnet, daß die Ätzsäure in einer die Schale enthaltenden Bahn umgewälzt wird und eine Einrichtung in dieser Bahn angeordnet ist, die zur Steuerung der Temperatur der Ätzsäure dient.The device according to the invention is characterized in that that the caustic acid is circulated in a path containing the shell and a device is arranged in this path, which is used to control the temperature of the etching acid.
Mit einer Vorrichtung gemäß der Erfindung können bei einem Inhalt der Schale von 12 1, der umgewälzt wird, bis zu I60 HaIb-With a device according to the invention, with a content of the bowl of 12 liters, which is circulated, up to 160 halves
- 2 90 9847/0 995 ; - 2 90 9847/0 995;
leitereinrichtungen von der gleichen Abmessung durch Ätzen-ge-: , trennt werden, wodurch eine bedeutende Verbesserung von 100 % : erreicht wird.be separated, making a significant improvement of 100%: overall etching-conductor devices of the same size is achieved by.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung soll nachstehend anhand der beiliegenden schematischen Zeichnung näher erläutert werden.An exemplary embodiment of the invention will be explained in more detail below with reference to the accompanying schematic drawing.
In der Zeichnung ist eine Schale 11 gezeigt, in die die Scheiben, die geätzt werden sollen, eingebracht werden. Die Schale besitzt einen Einlaß für eine geeignete Ä'tzsäure und einen Auslaß, so daß die Säure durch die Schale'ununterbrochen strömt. Eine W geeignete Ätzsäure enthält Schwefel-, Fluß- und Essigsäure. Von dem Auslaß fließt die Ätzsäure in einen Behälter 12, von dem aus eine Pumpe 1J> die Säure in einen wassergekühlten Temperaturwechsler l4 fördert, von dem aus die Säure in die Schale 11 zurückgeführt wird. Der Auslaß der Pumpe kann an der Schale über ein geeignetes Ventil 15 angeschlossen werden, das die Menge der Säure, die zur Schale zugeführt wird, steuert.The drawing shows a shell 11 into which the wafers that are to be etched are placed. The bowl has an inlet for a suitable acidic acid and an outlet so that the acid flows continuously through the bowl. A suitable W etchant acid contains sulfuric acid, hydrofluoric acid and acetic acid. The caustic acid flows from the outlet into a container 12, from which a pump 1J> conveys the acid into a water-cooled temperature changer 14, from which the acid is returned to the shell 11. The outlet of the pump can be connected to the bowl via a suitable valve 15 which controls the amount of acid supplied to the bowl.
Zwischen dem Auslaß aus der Schale 11 und dem Behälter 12 ist eine Temperatursonde 16 angeordnet, die zum Abtasten der Temperatur der Säure dient, die die Schale verläßt. Die Sonde ist an ein Solenoid 21 angeschlossen, das ein Ventil 19 betätigt, das die Menge an Wasser steuert, die durch den Wärmeaustauscher durchgeleitet wird. Das Wasser wird von einem Reservoir 17 zu dem Wärmeaustauscher l4 mittels einer Pumpe 18 gefördert und die Menge des zugeführten Wassers wird von dem Ventil 19 bestimmt, das seinerseits mittels des Solenoids 21 gesteuert wird« das wie oben bereits erwähnt, von der Temperatursonde 16 gesteuert wird«Between the outlet from the bowl 11 and the container 12 there is a temperature probe 16 which is used to sense the temperature of the acid leaving the bowl. The probe is connected to a solenoid 21 which operates a valve 19 which controls the amount of water that is passed through the heat exchanger. The water is conveyed from a reservoir 17 to the heat exchanger 14 by means of a pump 18 and the amount of water supplied is determined by the valve 19, which in turn is controlled by means of the solenoid 21 which, as already mentioned above, is controlled by the temperature probe 16 «
Die Anordnung ist derart, daS die Temperatur der Ätzsätsre konstant genügend tief gehalten wird^ im ein Abheben der Wachsäbdeckung von den Scheiben zu vermeiden. Die Temperatur muß Jedoch genügend hoch sein, um sicherzustellen, daß eine Ätzung in einem genügenden Ausmaß stattfindet. Eine geeignete Temperatur, auf die die Ätz säure bei Verwendung einer typischen WachsartThe arrangement is such that the temperature of the etching material is kept constant and sufficiently low to prevent the wax cover from lifting off the panes. However, the temperature must be high enough to ensure that an etch in takes place to a sufficient extent. A suitable temperature to which the caustic acid when using a typical type of wax
' Λ ■■■..■■■ - 3 - : ' Λ ■■■ .. ■■■ - 3 -:
9 09847/0995 ν9 09847/0995 ν
mit einem Schmelzpunkt von 900C gehalten werden muß, liegt im Bereich von 10° bis l4°C.must be kept with a melting point of 90 0 C, is in the range of 10 ° to 14 ° C.
Patentansprüche tClaims t
09847/0 99509847/0 995
Claims (1)
Applications Claiming Priority (1)
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| US5090432A (en) * | 1990-10-16 | 1992-02-25 | Verteq, Inc. | Single wafer megasonic semiconductor wafer processing system |
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