DE1898524U - EQUIPMENT INCLUDING SEMI-CONDUCTIVE ELECTRODE SYSTEM. - Google Patents

EQUIPMENT INCLUDING SEMI-CONDUCTIVE ELECTRODE SYSTEM.

Info

Publication number
DE1898524U
DE1898524U DE1960N0011853 DEN0011853U DE1898524U DE 1898524 U DE1898524 U DE 1898524U DE 1960N0011853 DE1960N0011853 DE 1960N0011853 DE N0011853 U DEN0011853 U DE N0011853U DE 1898524 U DE1898524 U DE 1898524U
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
metal layer
aluminum
electrode system
support plate
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE1960N0011853
Other languages
German (de)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1898524U publication Critical patent/DE1898524U/en
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/045—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads having an insulating passage through the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H01L2023/4018—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by the type of device to be heated or cooled
    • H01L2023/4031—Packaged discrete devices, e.g. to-3 housings, diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H01L2023/4037—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by thermal path or place of attachment of heatsink
    • H01L2023/405—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by thermal path or place of attachment of heatsink heatsink to package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Microwave Tubes (AREA)

Description

P.A. t»38 219*20.6-6Ί /P.A. t »38 219 * 20.6-6Ί /

I 11 853/21g GmI 11 853 / 21g Gm

U.Y. Philips' GIoeilampenfabrieken, Sindhoven/HollandU.Y. Philips' GIoeilampenfabrieken, Sindhoven / Holland

"Halbleitendes Elektrodensystem enthaltendes Gerät""Device containing a semiconducting electrode system"

Die !Teuerung "bezieht sich auf ein Gerät, das ein in einer Umhüllung eingeschlossenes haiGleitendes Elektrodensystem, wie einen Transistor oder eine Kristalldiode, aufweist, welche Umhüllung auf einer Tragplatte angeordnet ist·The! Inflation "refers to a device that is one in one Cladding enclosed shark sliding electrode system, like a transistor or a crystal diode, which cover is arranged on a support plate

Bei solchen Elektrodensystemen spielt die Wärmeableitung meistens eine derart große Holle, daß die höchste elektrische Belastung zu einem wichtigen Teil von dem Wert des Wärmewiderstandes zwischen der Umhüllung und der Tragplatte, als auch von der Ausdehnung der Tragplatte bestimmt wird.In such electrode systems, the heat dissipation usually plays such a big role that the highest electrical Load to an important part of the value of the thermal resistance between the cladding and the supporting plate, as well as the expansion of the support plate is determined.

Dieser Wärmewiderstand kann niedrig sein, wenn Umhüllung und Tragplatte aus Metall bestehen und in unmittelbarer Berührung mit einander gebracht werden können. In einigen lallen sollen diese Teile jedoch gegeneinander elektrisch isoliert sein; in diesem Fall ist es bekannt, sie mittels einer dünnen Schicht aus Isoliermaterial, wie Glimmer, zu trennen. Der Wärmewiderstand ist dann viel höher und die Belastbarkeit des Elektrodensystems dementsprechend kleiner.This thermal resistance can be low if the cladding and support plate are made of metal and in the immediate vicinity Contact can be brought with each other. In some lalls, however, these parts are supposed to be electrically connected to each other be isolated; in this case it is known to mean them a thin layer of insulating material such as mica. The thermal resistance is then much higher and the The load capacity of the electrode system is correspondingly smaller.

Die Neuerung bezweckt u. a., eine Konstruktion zum elektrisch isolierten Anordnen eines Elektrodensystems auf einer Tragplatte zu schaffen, bei der der Wärmewiderstand sehr nMrig ist.
ll/E-10001The aim of the innovation is, among other things, to create a construction for the electrically insulated arrangement of an electrode system on a support plate, in which the thermal resistance is very low.
ll / E-10001

Wt - 2 -Wt - 2 -

Hit1
#Hit 1
#

3Jach der Neuerung Gesteht wenigstens eines der genannten Glieder, d. h. die Umhüllung oder die Tragplatte, aus Aluminium, das mit einer genetischen Oxydschicht mit einer Stärke von wenigstens 1 /um versehen ist und mit einer Metall ζwisehenschicht, deren Härte kleiner ist als diejenige3Jach the novelty confesses at least one of the named Limbs, d. H. the cladding or support plate, made of aluminum covered with a genetic oxide layer with a Thickness of at least 1 / µm is provided and with a metal ζwisehenschicht, the hardness of which is less than that

des oxydierten Aluminiums, an das andere Glied angedrückt ist. Bemerkt wird, daß unter einer genetischen Aluminiumj Oxydschicht eine Schicht verstanden wird, deren Aluminiumge-[ halt im wesentlichen aus einem der genannten Glieder herrührt.of the oxidized aluminum, pressed against the other link is. It should be noted that a genetic aluminum oxide layer is understood to mean a layer whose aluminum [ stop essentially comes from one of the mentioned members.

Die Verwendung einer solchen Oxydschicht, deren Herstellung zum Zwecke der Isolierung noch näher erläutert wird, ist an sieh bekannt.The use of such an oxide layer, the production of which will be explained in more detail for the purpose of insulation, is on see known.

Es hat sich jetzt gezeigt, daß, während der Wärmewiderstand einer solchen Schicht hinsichtlich eines daran angedrückten Γ Metallgliedes verhältnismäßig hoch ist, dieser Wärmewiderstand sehr niedrig ist, wenn dieses Glied aus einem Metall f "besteht, das weicher ist als das oxydierte Aluminium, undIt has now been shown that, while the thermal resistance such a layer is relatively high in terms of a Γ metal member pressed against it, this thermal resistance is very low if this link consists of a metal f "which is softer than the oxidized aluminum, and

z. B, aus Blei, Zinn oder Indium "besteht. Wenn das oxydierte Aluminium genügend hart ist, kommen für das genannte Me- : tallglied z. B. auch weiches Kupfer oder weiches Aluminium in Betracht.z. B, made of lead, tin, or indium ". If that was oxidized Aluminum is sufficiently hard, come for the said metal: metal member z. B. also soft copper or soft aluminum into consideration.

Die Neuerung wird jetzt an Hand der Zeichnung näher erläutert. The innovation will now be explained in more detail using the drawing.

Die Zeichnung stellt einen Schnitt eines Teiles einer Tragplatte mit einem darauf angeordneten Transistor dar·The drawing shows a section of part of a support plate with a transistor arranged on it

Die Tragplatte, welche mit 1 bezeichnet ist und aus Aluminium besteht, ist mittels chemischer Oxydation auf der Oberseite mit einer gestrichelten Idnie bezeichneten OxydschichtThe support plate, which is designated with 1 and consists of aluminum, is by means of chemical oxidation on the top with an oxide layer marked with a dashed line

- 3- 3

von 25 /um Stärke versehen. Die Abmessungen der Platte "betragen 30 χ 30 cm, die Stärke 2 mm. Nachdem die Unterseite zur Maskierung mit einer Lackschicht versehen worden war, wurde die Platte zuerst ^ Minute in einem Bad, das 15g Natriumhydroxyd auf 100 g Wasser enthielt, bei 20° ö entfettet. Nachdem die Platte in Wasser gespült worden, in starker Salpetersäure von etwaigen Hydroxydresten neutralisiert und erneut gespült worden war, wurde sie 25 Minuten in ein Bad getaucht, das 55 cm Phosphorsäure (EUPO.*), Dichte 1,7, 25 g Chromsäure (CrO^5), 3,3 g saures Ammoniumfluorid (HH.Hl2), 2,3 g saures Diammoniumphosphat ((NH^) und 100Og Wasser enthielt·of 25 / µm thick. The dimensions of the plate are 30 χ 30 cm, the thickness 2 mm. After the underside had been provided with a layer of lacquer for masking, the plate was first placed for ½ minute in a bath containing 15 g of sodium hydroxide per 100 g of water at 20 ° After the plate had been rinsed in water, neutralized in strong nitric acid to remove any residual hydroxide and rinsed again, it was immersed for 25 minutes in a bath containing 55 cm of phosphoric acid (EUPO. *), density 1.7, 25 g Chromic acid (CrO ^ 5 ), 3.3 g of acidic ammonium fluoride (HH.Hl 2 ), 2.3 g of acidic diammonium phosphate ((NH ^) and 100Og of water contained

Diese Behandlung fand bei 50° 0 statt· Nach dem Spülen und Trocknen betrug die Stärke der Oxydschicht etwa 25 /um· Hierauf wurde die lackschicht entfernt.This treatment took place at 50.degree. C. After rinsing and drying, the thickness of the oxide layer was about 25 μm the paint layer was removed.

Der Boden 3 des Gehäuses des !Transistors ist mittels zweier Bolzen 4 an die oxydierte Seite 2 der Tragplatte 1 unter Zwischenlage einer Bleischicht 5 mit einer Härte von 4 1Γ.Ρ.Ν· (Ticker1s Pyramidal Number) angedrückt.The bottom 3 of the transistor housing is pressed against the oxidized side 2 of the support plate 1 by means of two bolts 4 with a layer of lead 5 with a hardness of 4 1Γ.Ρ.Ν · (ticker 1 s pyramidal number) in between.

Die Bolzen 4 sind mittels Röhren 6 und Scheiben 7 aus Isoliermaterial von der Tragplatte 1 getrennt.The bolts 4 are made of insulating material by means of tubes 6 and washers 7 separated from the support plate 1.

Das Innere des Transistors, das übrigens für die Neuerung nicht von wesentlicher Bedeutung ist, besteht aus einer Halbleiterscheibe 10 aus z. B· Germanium, einem Basisanschluß 11, einer Emitterelektrode 12 und einer Kollektorelektrode 13» die zugleich die Halterung der Scheibe und die Verbindung mit dem Boden 3 bildet. Der Emitter- und der Basisanschluß sind als Stifte 14 mittels Glasperlen 15 isoliert durch den Boden 3 hindurchgeführt. Das Ganze ist mit einem Deekel 16 abgeschlossen.The inside of the transistor, which by the way is not essential for the innovation, consists of one Semiconductor wafer 10 made of, for. B · germanium, a base terminal 11, an emitter electrode 12 and a collector electrode 13 »which at the same time forms the holder for the disc and the connection to the base 3. The emitter and the The base connection is insulated through the base 3 as pins 14 by means of glass beads 15. The whole thing is with a Deekel 16 completed.

J - 4 - v J - 4 - v

Die günstige Wirkung dieser Konstruktion geht aus folgenden Messungen hervor·The beneficial effect of this construction can be seen from the following measurements

Wenn der Boden 5 des Transistors auf der Platte 1 mit einer 50 /um starken Glimmerzwischenplatte, die eine Beschädigung der Oxydschicht 2 verhütet, angeordnet wurde, so "betrug der Warmewiderstand zwischen der Unterseite des Bodens 5 und der Platte 1 etwa 1,5° C pro W.If the bottom 5 of the transistor on the plate 1 with a 50 .mu.m thick intermediate mica plate, which prevents damage to the oxide layer 2, was arranged, "was the Thermal resistance between the underside of the bottom 5 and the Plate 1 about 1.5 ° C per W.

Wurde die Glimmerschicht fortgelassen, so fiel der larmewiderstand auf etwa 1,25° C pro W, aber in jedem lall bestand die Gefahr einer Beschädigung und eines Kurzschlusses der Oxydschicht 2.If the mica layer was left off, the alarm resistance fell to about 1.25 ° C per W, but in every case there was a risk of damage and a short circuit the oxide layer 2.

Wurde eine Bleischicht 5 von 1 mm Stärke zwischengelegt, so wurde nicht nur die Gefahr der Beschädigung der Oxydschicht kleiner, sondern der Wärmewiderstand fiel auf etwa 0,35° C pro W.If a lead layer 5 with a thickness of 1 mm was interposed, not only was there a risk of damage to the oxide layer smaller, but the thermal resistance fell to about 0.35 ° C per W.

Es zeigte sich, daß eine weitere Herabsetzung noch dadurch möglich war, daß die Bleischicht mittels einer sehr dünnen leim- oder Lackschicht, z. B. eines Lackes auf der Basis eines Zellulosenesters, auf der Oxydschicht festgeklebt wurde. Der Wärmewiderstand betrug dann etwa 0,20C pro W. Eine solche dünne Isolierschicht, die zum größten Teil in die Aluminiumoxydschicht eingedrungen sein kann, verringert zugleich die Möglichkeit der Beschädigung der Oxydschicht·It turned out that a further reduction was still possible in that the lead layer by means of a very thin layer of glue or lacquer, e.g. B. a varnish based on a cellulose ester, was glued to the oxide layer. The thermal resistance was then about 0.2 ° C. per W. Such a thin insulating layer, which for the most part may have penetrated the aluminum oxide layer, at the same time reduces the possibility of damage to the oxide layer.

S chut ζ ansprü ehesS chut ζ claims

— 5 —- 5 -

Claims (4)

P.A.U8 219*20.6.61» S chut z anspruch.esP.A.U8 219 * 20.6.61 »Protection claim 1. Gerät, das ein in einer Metallumhüllung eingeschlossenes haTblerbendes Elektrodensystem, wie einen Transistor oder eine Kristalldiode, aufweist, welche Umhüllung auf einer Metalltragplatte angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eines dieser Glieder, nämlich die Umhüllung oder die Tragplatte,.aus Aluminium "besteht, das mit einer genetischen Oxydschicht mit einer Stärke von wenigstens 1 /um versehen ist und unter Zwischenlage einer Metallschicht, deren Härte kleiner als diejenige des oxydierten Aluminiums ist, an das andere Glied angedrückt ist.1. Device, which is enclosed in a metal shell Retaining electrode system, such as a transistor or a crystal diode, which envelope is arranged on a metal support plate, characterized in that at least one of these members, namely the casing or the support plate,. made of aluminum ", which is linked to a genetic Oxide layer is provided with a thickness of at least 1 / um and with the interposition of a metal layer, their Hardness is less than that of the oxidized aluminum to which the other member is pressed. 2. Gerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht aus Blei besteht.2. Apparatus according to claim 1, characterized in that the Metal layer is made of lead. 3. Gerät naeh Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht aus Zinn besteht·3. Device according to claim 1, characterized in that the metal layer consists of tin 4. Gerät nach Anspruch 1, dadureh gekennzeichnet, daß die Metallschicht aus Indium besteht·4. Apparatus according to claim 1, characterized in that the metal layer consists of indium 5· Gerät nach Anspruch 1, dadureh gekennzeichnet, daß die Metallschicht aus weichem Kupfer besteht.5 · Device according to claim 1, characterized in that the Metal layer consists of soft copper. 6· Gerät nach Anspruch 1, dadureh gekennzeichnet, daß die Metallschicht aus Aluminium besteht·6 · Device according to claim 1, characterized in that the Metal layer consists of aluminum 7· Gerät nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadureh gekennzeichnet, daß die Oxydschicht durch eine Isolierlackschicht verstärkt ist»7. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the oxide layer is covered by an insulating varnish layer is reinforced »
DE1960N0011853 1959-11-07 1960-11-03 EQUIPMENT INCLUDING SEMI-CONDUCTIVE ELECTRODE SYSTEM. Expired DE1898524U (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL245138 1959-11-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1898524U true DE1898524U (en) 1964-08-13

Family

ID=19752023

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1960N0011853 Expired DE1898524U (en) 1959-11-07 1960-11-03 EQUIPMENT INCLUDING SEMI-CONDUCTIVE ELECTRODE SYSTEM.

Country Status (3)

Country Link
CH (1) CH402190A (en)
DE (1) DE1898524U (en)
GB (1) GB887039A (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4546409A (en) * 1982-04-02 1985-10-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Device for cooling semiconductor elements

Also Published As

Publication number Publication date
GB887039A (en) 1962-01-10
CH402190A (en) 1965-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1544190C3 (en) Method for introducing imperfections in diamond
DE1898524U (en) EQUIPMENT INCLUDING SEMI-CONDUCTIVE ELECTRODE SYSTEM.
DE1648614C2 (en) Method of manufacturing a mechanoelectric converter
AT93058B (en) Device for connecting the dissolution electrode of a battery or a collector to the external circuit.
AT221588B (en) Metal cover for a semiconducting electrode system
DE1071840B (en) Process for the production of electrodes on semiconductor bodies of semiconductor arrangements
DE1106879B (en) Process for reducing recombination on the surfaces of p-zones of semiconductor devices
DE2256022A1 (en) ELECTROLYTE FOR FORMING ALUMINUM FILMS
DE1596206C (en) Process for preventing the oxidation of formed negative electrodes in lead-acid batteries
DE1034739B (en) Earthing or zeroing arrangement for encapsulated electrical distribution systems
DE608430C (en) Process for improving the quality of tobacco
DE948275C (en) Selenium rectifier
DE682715C (en) Resistance body
DE356421C (en) Device for connecting a soluble electrode from electrical accumulators or elements to the circuit
AT222915B (en) Sensing element for a moisture meter
AT234152B (en) Method of manufacturing a semiconductor device
DE2707721C3 (en) Method for manufacturing a semiconductor laser
DE910147C (en) Arrangement for protection against harmful effects of mercury vapors
DE1269738B (en) Method for stabilizing semiconductor components
CH147372A (en) Electric heater.
DE971458C (en) Process for the production of asymmetrically conductive systems accommodated in cup-shaped recesses
AT214981B (en) Process for the surface treatment of semiconductor bodies
DE542885C (en) Arrangement of a handle for the conveyance of electrical devices provided with connection devices for current conductors, e.g. B. Transformers
DE1945084C3 (en) Foil made of an insulating material, in which grains made of an electronically effective material are embedded
CH192682A (en) Electrode system with asymmetrical conductivity.