DE1835900U - Metallgehaeuse fuer halbleiteranordnungen. - Google Patents

Description

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  G m b H

  Berlin FR 87, Sìckìußenstr. 71

  etallgj3häusefur Halbleiteranordnungen

  Neuerung

  Die, betrifft ein Metall ? ehäuse für Halbleiteranordnun-

  gen, insbesondere für Punktkontaktdioden, welches aus zwei mit-

  einander durch Umbördeln verbundenen Gehäuseteilen besteht.

• Die heutigen Punktkontaktdioden werden zum größten Teil in Glasausführung hergestellt. Bei der Diodenglasbauweise muß sowohl der Whisker wie der ilristallt-räger in das Glas eingeschmolen werden.
• Dieser Einglasprozeß kann entweder mit Wasserstofflammen oder mit Hilfe radial auf die Mnschmelzstelle einwirkender Erhitzungswärme

  vorgenommen werden.

  LD

  Die Einglastechnik mittels Wasserstofflammen hat jedoch den Nach-

  ,

  teil, daß im Innern des Glasgehäuses Wasserdampf eingeschlossen

  wird, der beim Verbrennen der Wasserstofflammen entsteht. Be-

  kanntlich wirkt sich aber starker Feuchtigkeitsgehalt schädlich

  auf die elektrischen Eigenschaften und damit auf die Kennlinie der Halbleiterdiode aus.
• Bei Dioden, die im Gegensatz zur Wasserstofflammen-Einglasung mit trockener Hitze eingeglast sind, besteht dagegen die Gefahr, daß das Gehäuse an der Einglasstelle undicht wird, wenn man den Zuleitungsdraht unmittelbar am Glaskörper abbiegt. Dies rührt vermutlich daher, daß beim Einblasen nicht selten Glas im flüssi-

  gen Zustand an dem einzublasenden Kristallträger oder hisker

  herunterläuft, enn dieses Herunterlaufen auch meist nur in ge-

  ringem Ausmaß geschieht, so führt dies doch dazu, daß die Diode

  beim Abbiegen des Zuleitungsdrahtes in unmittelbarer Nähe des

  Glaskörpers an der Linglasstellc bricht, wodurch es zu den bereits geschilderten Undichtigkeitcn im Gehäuse kommt.
• Aus diesem Grunde sind verschiedene Hersteller von Whiskordioden dazu übergegangen, die Diodensysteme in Keramikgehäusen unterzubringen. Solche Keramikgehäuse sind an ihren oberen und unteren Enden mit Metallkappen verlötet, die sowohl den Kristall als auch

  den Whisker tragen. Die an den Verbindungsstellen des Keramik-

  gehäuses mit den Metallkappen auftretenden Lötstellen sind-aber ebenfalls meistens nicht dicht, da es sehr schwierig ist, das zum Löten erforderliche Lötmatcrial, beispielsweise einen Zinnring, vakuumdicht auf den dünnen Keramikkörper aufzubringen.

  Zur Vermeidung dieser Nachteile und zur Herstellung von Dioden

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  inleinstmoglicher Form wird omsndaäBMa vorgeschlagen, bei

  einem Ketallgehäuse, dessen Metallkappen durch Umbördeln mitein-

  -litchen ei-

  ander verbunden sind, zwischen den beiden Verbindungsflächen ei-

  non Dichtungsring aus elastischem ;, hochisolierendem Material vor-

  t2

  zusehen.

• Der Dichtungsring bewirkt zunäciisb einmal, daß die beiden Gehäusekappen voneinander isoliert und damit auch gleichzeitig Kristalltráger und Whisker voneinander elektrisch getrennt werden.
• Außerdem, und das ist sehr wesentliche wird durch den Dichtungring aber auch das Gehäuse besser abgedichtet, da eine Gehäuseverbindung durch Uubördeln ohne Dichtungsring nur dann dicht ist, wenn die miteinander zu verbindenden Teile keinerlei Federkraft besitzen. Eine gewisse Federkraft weisen aber Metallteile, die miteinander durch Druck verbunden werden, praktisch immer auf, da bei der Kaltverformung während des Umbördelungsprozcsses in

  gewissem 1. Iaße eine Verfesti-UnS,

  gewissem Maße eine Verfestigung der meist aus Kupfer bestehenden

  Flansche auftritt, so daß die Elastizität der Flansche erhöht wird. Ohne das Vorhandensein eines zwischen den Verbindungsflächen liegenden elastischen Dichtungsringes würde der Bördelrand etwas zurückfedern und die Dichtigkeit des Diodengehäuses wäre nicht mehr gewährleistet. Der Ring erfüllt dann seinen Zweck,

  wenn er im Hinblick auf die nötige elektrische Isolation hoch-

  y

  isolierend ist und außerdem zur Verbesserung des Gehäuscver-

  schlusses die dazu erforderliche Elastizität besitzt.

  Neuerung

  Die soll an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert

  werden.

  In der Figur ist das l. L

  Inder Figur ist das Mcballgehäuse dargestellt, wclches aus den

  Gehäuseteilen 1 und 2 zusammengesetzt ist. Das Metallgehäuse

  besteht im Ausführungsbeispiel aus Kupfer. Beide Gehäuseteile sind an der Verbindungsstelle mit Flanschen 3 und 4 versehen, die miteinander verbördelt werden. Die beiden Gehäuseteile und vor allem deren Flansche sind voneinander durch den Isolierring 8 getrennt, der aus dem im Handel unter dem Namen Teflon bekannten

  Kunststoff besteht. Teflon ist ein Polytetrafluoräthylen, und hat

  außer einem kleinen elektrischen Vorlustwinkel (tgcf) die Eigen-

  schaft, elastisch zu sein. Der Isolierring 8 ist derart bemessen,

  daß er auch noch auf die Oberseite 5 des Flansches 3 zu liegen

  kommt, und zwar derart, daß die miteinander verbördelten Flächen der Flansche vollkommen durch elastisches Material getrennt sind.
• In dem Metallteil 1 befindet sich der Germaniumkristall 6, mit dem die Spitze des Whiskers 7 in Berührung steht. Der Whisker ruht im Whiskerträger9, der in die Metallkappe 2 eingeschmolzen ist.

Claims (4)

1. Schutzansprüche - 1) Metallgehäuse für Halbleiteranordnungen, insbesondere für Punktkontaktdioden, welches aus zwei miteinander durch Umbördeln verbundenen Gehäuseteilen besteht, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen die beiden Vcrbindungsflächen der Gehäuseteile ein Dichtungsring aus elastischem hochisolierendem Material eingefügt ist.
2. 2) Metallgehäuse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Dichtungsring derart bemessen ist, daß die miteinander verbördelten Flansche vollkommen durch elastisches Material voneinander getrennt sind.
3. 3) Metallgehäuse nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Dichtungsring aus Polytetrafluoräthylen besteht.
4. 4) Metallgehäuse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Dichtungsring mit kleinem elektrischen Verlustwinkel verwendet ist.