DE1822190U - Halbleitervorrichtung, z. b. transistor oder kristalldiode. - Google Patents

Halbleitervorrichtung, z. b. transistor oder kristalldiode.

Info

Publication number
DE1822190U
DE1822190U DEN10548U DEN0010548U DE1822190U DE 1822190 U DE1822190 U DE 1822190U DE N10548 U DEN10548 U DE N10548U DE N0010548 U DEN0010548 U DE N0010548U DE 1822190 U DE1822190 U DE 1822190U
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
meh
transistor
semi
crystal diode
conductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEN10548U
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1822190U publication Critical patent/DE1822190U/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4918—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S165/00—Heat exchange
    • Y10S165/905—Materials of manufacture

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)

Description

  • N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven/Holland "Halbleitervorrichtung, z.B. Transistor oder Kristalldiode".
  • Die Neuerung bezieht sich auf eine Halbleitervorriehtung, z. B. ein Transistor oder eine Kristalldiode, die aus einer Hülle besteht, in der ein Halbleiterkörper angebracht ist.
  • Die elektrische Belastbarkeit einer solchen Vorrichtung wird vorwiegend durch den zwischen diesem Körper und der Umgebung auftretenden Wärmewiderstand bestimmt ; diese Umgebung kann z. B. aus einem Chassis oder einer Trägerplatte aus Metall bestehen, auf dem bzw. der die Vorrichtung befestigt werden kann. Um diesen Wärmewiderstand herabzusetzen, wurde bereits vorgeschlagen, die Hülle ganz oder zum Teil mit einem gut wärmeleitenden Mittel zu fallen, daß z. B. aus einem viskosen Bindemittel und einem gut wärmeleitenden Pulver zusammengesetzt war.
  • Die Neuerung bezweckt u. a., den Wärmewiderstand weiter herabzusetzen.
  • Gemäss der Neuerung ist in der Hülle eine metallene Wärmebrücke vorgesehen, die einmal mit der Hülle verbunden ist und die sich zum anderen in der unmittelbaren
    nhe dea Balbleite : rk ? 3 : rpero beeindete oline
    rührenehrt ht X Zhtad
    inr MllSt wts im R&ß aR äTmbye$
    und dein HaIblieSSrpeT e t wrlte'8
    m@-&reh i y s nila Nh
    bed.hierbi< &8 r Mt Attm e
    Bree und Krper kleiner als r Abtand swsehn
    den Xerper =a dez, Külle iot, Vorzugsweise besteht die
    BS11$ $ aMstnes etMl an dem B3 ?
    bs-fet ist.
    lheweiea wat r Sa-ler $ F&ym p
    Shß aft em 1 $ Ba$k ver
    platte.ic ara. 13. s Seheb$ aser-äta Ntll
    platte* Die BVU*ke ka= auoh aus zwei'beidoroetts 6, en
    XU : rpers : Platten bestehen, * Eine eolohe 21at--
    t$ & ; a mit eiNsy ffas $re&. H sN Ja. 4ie n
    zum Halbleiterkerpe : r tuhrender Leiter liindu : robgefurt
    tat.
    lUllz : Ltteli die aus einem gut wgimeleitenden 3 ? ulver und
    ednem M Batt &h sind ea A
    A xt terwe
    mearbM M-a. pu 11 i iM
    Aluxi : aluxpulverg-veewandt.
    VMawea MtM a aal'bl$i'&va ? iag ga$
    y mg n$ Mlaas ie ms n Tas
    BineMittel na aMfmie& talt eah*
    $ len'&t veysw s syies Al-n
    StiMm Ih age ißt Tets-we angas ar
    kleinste Abotand zwigschen aeir Woem-ebritoko oder einem der
    elektpieeh mit ihm verbn Ml
    DieNeuerung wird naohatoliond an Uand eines In olnor
    ZeighnumestsHB. afgsesel Ser ey
    läut. Jrt.
    Sg<- i a asreee Se de M
    toraf aF Mplti.
    te te 4 g e ; ratshrmen
    §i Ml dw M entfernt Ast,
    Die Pigt 3 und 4 zeigen zwei einer
    Wrne n A &p&titt
    s asi. y enthalt eiM 3. & 10 in die dri
    ter ll* 12 und 13 die den Bettee-# Baaig-bzw. Xollek-
    toransohlußMM$ sele @n Tea einest Mtalla
    14MgM&-laa'sKäs eoseel ß. i
    t tS i agbgs. ua ? ? &ae Bde r age&aantn-Sasi
    laoahe 10 die einen 17 tn
    Porm einer reo7atookgen Seheibe trttgt, 9 » leao Scheibe bem
    steht X*B4 aus Germani=y SiliziUM oder einer
    Tia. g wi AuBKa AHimeM eder 13. N, M*
    Anf awi $iM ggNSer en Siin des K rpa 7
    sM edn MLtt$Mrode SO Tm-eiRe XöletelMyd 21
    die du : roh Drähte 22 und e3 init den Zeite : rull
    und l'verbunden 8111e !. Da. Gaule 1st ñurch eine lau\) & : 24
    adet e Tamdi-e-t its eBä. Ssn 4 TTmn
    Da. Innere de : r Hülle 1tft mtt e1nem Ftill1nittel 16'aufge-
    fttl1t.
    : ruiitlw
    BSlß af nfahe Ws SM. ereaseN ist ne Wrm
    bree sbyM di &i s ? 1 3ya ; en Mtal
    brücke ongebraohtx die hier aus ztiel Meta'11*-
    platn aB §i3. be d@ pfpla'tte eeMt de-yen
    nte$ an S ? an <$ ? Met&lla 14 Salle
    tat sind. JEs durfte einlenen da8 Abstand einer
    ger g erdet er
    gegemaoht werden kanm as geata in der ri<s
    d, die di aur dgs S
    der BUlle. D1e Strecke, die die V/itzmte durh das Ptillmi t-
    te : L hindurch zuraoklegen zußl, w : Lrd erhob-
    liohkurzer und s, weil dez, spezi : tisoller
    ßines 9e& 3. ttls mm esal ga ala 4e
    jenige d-er meinten Metalle ist$, wird onoh der ! Gesamt-,
    geringe ; rq so das dee TrauL4istor etäe-
    kIr belastet werden kann.
    Si WmßMe MMen ls-a nn t f-
    nungen 2, S verselion aeint, durch 410 die Zeiter 22 hin--0,
    fht wea. Saa sie d Figuren 1 Ba
    ie aue ? 3. i@s Bls. t si fa-mgH 3S
    Tesea ie-sd. t aaa Slits TMg eM&
    iß i ia g4-rsl M$ In m ale kmeen
    atn r a mv emtea. M-8 S e
    gehoben way&.
    Trahend'bea'&s ä3Ll iat a'&
    dasu bootimmti aut einem 0. haasie oder einer
    29 angebraoht In w' : t'del1, der bw-die mit dem : Rand 14
    y r-MB. Mt@ s. t Syalteae rm ßtsRt
    Bei einem anderen Zuoawmenban Und anderen RUIIOntypeU
    SM sslsW&. fs'&Mlish $ W8. m . m aat
    mit 3* Xla Ttms % Mdn M ie Wm '& a
    leitetwird*
    Damit das VUIImittel gut wä : rmeleitella, se : L, * wl : rd *0 auo
    M. n-n iMasKaahtele&s. it ma St8r Tön am
    tmd X&ng di$ s 4-' ? N. 8 t@ ? ? ahwanM
    ausder e ae d 14
    &M$ a. wiaehn Ißttn tM. & dBL
    den 20x 21 betTV4 1 zue so da$ eine etweigo elext : riepho
    Wel eteet htanh a
    Uber drei Xontakte zwiaehen den Drahttellehen mtteinende : r
    und init den er « Utten Teilen verlauten inügte. Infollso des
    hohen leollerwiderstandes des Aluinliiininoxyda und dor zwl#*
    octen den yorschiederen $cin Meen Msf
    sohiehten Ist eine solohe
    Sumr.

Claims (1)

  1. Ssae.. !,. in der ein halbleitender Kbrpe : r ist, daduroh in da. MIMer KBrsr ag@&rat ist Meh gß&nmein&t aS h ia er Mll i-alnß'Wäm Me st iaml Ma wb und sieh x= anderen in dex u=Ittol'bareu Mihe des rdr. 9 pere bet : Lnde>bt ohne derien ode3 ? elektrie-ch ataM m im m-isa wS in RU wai ts im Rsm hen a ? WSrM&k$-Md'8 &le kt) r » erlr eine rut YUII=006 angebraeht tot. * 26 zaoh Anap : rixoh 10 daduroi so,- kennselehnett da$ die liulle wenigeteno aus oinom Xetall"- toll bestehtp an dem die Bruexe betest : Let ist, 0 , HbleTm'i. '&sg meh Asya ga g daß der die Pom einee Scheib. angeordnet. metallplatte enthält. SiTa-s aeMt Mlts @a. 4 S$lblitcrerye&ta$ aa@h Aa. 3 ae $asaoty a8 is tt$ Aas fmsg'aws tat wolglier eine zum Ralbleite : rk ; ixper Xuh : rendor Meitor unge- brachtist. 5.tveo&tm m ne ar g keI1neichnet, dal 4j. e JUllmasee att einem. v1koaen. ii : nd- mittel bestehtx dem drehttewege ss ô. Balble1trvo : t'rtohtt.'mg u, oh Altsprttoh $, jadb ge- &h M 43. e ih ae aydieFtm. Almiim bestehe. 7.Xal or ch ad m$inet< M a-se TeUoh &ada a $e &3. i. t$ AtäRa iMn r W ? ma d& ab kleinste Abstand zwisehen de : r YiäxmebrUoko =d dem Ualb-# leiteekbrper oder eine* der ea : tt ihm elektrisoh neu Teile lote
DEN10548U 1958-11-03 1959-10-30 Halbleitervorrichtung, z. b. transistor oder kristalldiode. Expired DE1822190U (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US771310A US2967984A (en) 1958-11-03 1958-11-03 Semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1822190U true DE1822190U (de) 1960-11-24

Family

ID=25091405

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEN10548U Expired DE1822190U (de) 1958-11-03 1959-10-30 Halbleitervorrichtung, z. b. transistor oder kristalldiode.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US2967984A (de)
DE (1) DE1822190U (de)
FR (1) FR1239735A (de)
GB (1) GB862453A (de)
NL (1) NL244922A (de)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3264531A (en) * 1962-03-29 1966-08-02 Jr Donald C Dickson Rectifier assembly comprising series stacked pn-junction rectifiers
US3274456A (en) * 1962-11-21 1966-09-20 Gen Instrument Corp Rectifier assembly and method of making same
US3243670A (en) * 1963-09-30 1966-03-29 Int Standard Electric Corp Mountings for semiconductor devices
US3265982A (en) * 1963-10-24 1966-08-09 Hazeltine Research Inc Common emitter transistor amplifier including a heat sink
DE1439460A1 (de) * 1964-10-19 1968-12-12 Siemens Ag Elektrisches Bauelement,insbesondere Halbleiterbauelement,mit einer aus isolierendemStoff bestehenden Huelle
US3462654A (en) * 1966-10-05 1969-08-19 Int Rectifier Corp Electrically insulating-heat conductive mass for semiconductor wafers
US3603106A (en) * 1969-03-27 1971-09-07 John W Ryan Thermodynamic container
US3783345A (en) * 1971-09-08 1974-01-01 Graham White Mfg Co Heat-dissipating encapsulated semi-conductor assembly
US3735209A (en) * 1972-02-10 1973-05-22 Motorola Inc Semiconductor device package with energy absorbing layer
US3996447A (en) * 1974-11-29 1976-12-07 Texas Instruments Incorporated PTC resistance heater
US4057101A (en) * 1976-03-10 1977-11-08 Westinghouse Electric Corporation Heat sink
US4303935A (en) * 1977-12-13 1981-12-01 Robert Bosch Gmbh Semiconductor apparatus with electrically insulated heat sink
EP0017472A1 (de) * 1979-04-06 1980-10-15 Lintott Engineering Limited Vakuumapparatur mit einer Vorrichtung zur Wärmeübertragung und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkomponenten unter Anwendung dieser Apparatus
US4387291A (en) * 1980-11-28 1983-06-07 Texas Instruments Incorporated Fuel heater system and self-regulating heater therefor
US4524238A (en) * 1982-12-29 1985-06-18 Olin Corporation Semiconductor packages
US5371404A (en) * 1993-02-04 1994-12-06 Motorola, Inc. Thermally conductive integrated circuit package with radio frequency shielding

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2809332A (en) * 1953-07-29 1957-10-08 Rca Corp Power semiconductor devices
US2825014A (en) * 1953-11-30 1958-02-25 Philips Corp Semi-conductor device
DE1048358B (de) * 1955-08-12 1959-01-08

Also Published As

Publication number Publication date
FR1239735A (fr) 1960-08-26
US2967984A (en) 1961-01-10
GB862453A (en) 1961-03-08
NL244922A (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1822190U (de) Halbleitervorrichtung, z. b. transistor oder kristalldiode.
Igo et al. Alpha-particle reaction cross sections at 40 MeV
DE1057694B (de) Gekapseltes Halbleitergeraet mit einem oder mehreren p-n-UEbergaengen
IT8119223A0 (it) Lega metallica a grana stabilizzata.
DE1872047U (de) Elektrische gluehlampe, insbesondere projektionslampe.
DE891304C (de) Strahlungsempfindliches Organ fuer Temperatur-Feststell- oder UEberwachungsgeraete
Hauschild Suicidal population of a military psychiatric center: A review of ten years.
Bielefeldt Moyn’s World: Menschenrechtskritik als Orakel
DE1639402A1 (de) Steuerbares Halbleiterbauelement
Pohl Toxicity of ferns and Equisetum
DE10026926A1 (de) Halbleiteranordnung mit optischer Fuse
DE703633C (de) Direkt auf die Ionisationskammer wirkender Kontrollstandard fuer Kleinkammerdosimeter
DE332484C (de) Taschenlampen-Akkumulator
FOGEL et al. Possibility of using the method of secondary ion-ion emission for studying corrosion processes(Secondary ion-ion emission method applied to metal surface corrosion film composition studies, noting beryllium oxide)
DE102013210082B3 (de) Anordnung zur Kontaktierung eines CZT-Kristalls zur Detektion von Gammastrahlung in einer Compton-Kamera und dessen Verwendung in Detektormodulen
GB1300752A (en) An aluminium-base powder alloy
DE672624C (de) Einrichtung zur Messung der Intensitaet von schnellen, kuenstlich erzeugten, sehr kurz andauernden Kathodenstrahlen
DE1169041B (de) Ionisationskammer-Dosimeter
Shuvalov et al. MDM2 ubiquitin-ligase down-regulate energy metabolism of cancer cells
Nagel Redemptive Suffering in Islam. A Study of the Devotional Aspects of ʿĀshūrā'in Twelver Shiism
BEIDLER et al. Fluoride tungsten(Thermodynamics, kinetics and technology of high purity tungsten used in alloys, electron-beam melting stock, nozzles, wire, etc)
Reiser Political affiliations of Arab students: a survey study of gender and religion as influences upon ideological choice.
DE1186086B (de) Elektrothermische Kuehlvorrichtung
Killander et al. HYDROXOCOBALAMIN: Excretion and Retention of Repeated Large Doses in Patients with Pernicious Anaemia
Pickman et al. Apportionment of estate taxes