DE1822190U - Halbleitervorrichtung, z. b. transistor oder kristalldiode. - Google Patents
Halbleitervorrichtung, z. b. transistor oder kristalldiode.Info
- Publication number
- DE1822190U DE1822190U DEN10548U DEN0010548U DE1822190U DE 1822190 U DE1822190 U DE 1822190U DE N10548 U DEN10548 U DE N10548U DE N0010548 U DEN0010548 U DE N0010548U DE 1822190 U DE1822190 U DE 1822190U
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- meh
- transistor
- semi
- crystal diode
- conductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4918—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S165/00—Heat exchange
- Y10S165/905—Materials of manufacture
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
Description
- N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven/Holland "Halbleitervorrichtung, z.B. Transistor oder Kristalldiode".
- Die Neuerung bezieht sich auf eine Halbleitervorriehtung, z. B. ein Transistor oder eine Kristalldiode, die aus einer Hülle besteht, in der ein Halbleiterkörper angebracht ist.
- Die elektrische Belastbarkeit einer solchen Vorrichtung wird vorwiegend durch den zwischen diesem Körper und der Umgebung auftretenden Wärmewiderstand bestimmt ; diese Umgebung kann z. B. aus einem Chassis oder einer Trägerplatte aus Metall bestehen, auf dem bzw. der die Vorrichtung befestigt werden kann. Um diesen Wärmewiderstand herabzusetzen, wurde bereits vorgeschlagen, die Hülle ganz oder zum Teil mit einem gut wärmeleitenden Mittel zu fallen, daß z. B. aus einem viskosen Bindemittel und einem gut wärmeleitenden Pulver zusammengesetzt war.
- Die Neuerung bezweckt u. a., den Wärmewiderstand weiter herabzusetzen.
- Gemäss der Neuerung ist in der Hülle eine metallene Wärmebrücke vorgesehen, die einmal mit der Hülle verbunden ist und die sich zum anderen in der unmittelbaren
nhe dea Balbleite : rk ? 3 : rpero beeindete oline rührenehrt ht X Zhtad inr MllSt wts im R&ß aR äTmbye$ und dein HaIblieSSrpeT e t wrlte'8 m@-&reh i y s nila Nh bed.hierbi< &8 r Mt Attm e Bree und Krper kleiner als r Abtand swsehn den Xerper =a dez, Külle iot, Vorzugsweise besteht die BS11$ $ aMstnes etMl an dem B3 ? bs-fet ist. lheweiea wat r Sa-ler $ F&ym p Shß aft em 1 $ Ba$k ver platte.ic ara. 13. s Seheb$ aser-äta Ntll platte* Die BVU*ke ka= auoh aus zwei'beidoroetts 6, en XU : rpers : Platten bestehen, * Eine eolohe 21at-- t$ & ; a mit eiNsy ffas $re&. H sN Ja. 4ie n zum Halbleiterkerpe : r tuhrender Leiter liindu : robgefurt tat. lUllz : Ltteli die aus einem gut wgimeleitenden 3 ? ulver und ednem M Batt &h sind ea A A xt terwe mearbM M-a. pu 11 i iM Aluxi : aluxpulverg-veewandt. VMawea MtM a aal'bl$i'&va ? iag ga$ y mg n$ Mlaas ie ms n Tas BineMittel na aMfmie& talt eah* $ len'&t veysw s syies Al-n StiMm Ih age ißt Tets-we angas ar kleinste Abotand zwigschen aeir Woem-ebritoko oder einem der elektpieeh mit ihm verbn Ml DieNeuerung wird naohatoliond an Uand eines In olnor ZeighnumestsHB. afgsesel Ser ey läut. Jrt. Sg<- i a asreee Se de M toraf aF Mplti. te te 4 g e ; ratshrmen §i Ml dw M entfernt Ast, Die Pigt 3 und 4 zeigen zwei einer Wrne n A &p&titt s asi. y enthalt eiM 3. & 10 in die dri ter ll* 12 und 13 die den Bettee-# Baaig-bzw. Xollek- toransohlußMM$ sele @n Tea einest Mtalla 14MgM&-laa'sKäs eoseel ß. i t tS i agbgs. ua ? ? &ae Bde r age&aantn-Sasi laoahe 10 die einen 17 tn Porm einer reo7atookgen Seheibe trttgt, 9 » leao Scheibe bem steht X*B4 aus Germani=y SiliziUM oder einer Tia. g wi AuBKa AHimeM eder 13. N, M* Anf awi $iM ggNSer en Siin des K rpa 7 sM edn MLtt$Mrode SO Tm-eiRe XöletelMyd 21 die du : roh Drähte 22 und e3 init den Zeite : rull und l'verbunden 8111e !. Da. Gaule 1st ñurch eine lau\) & : 24 adet e Tamdi-e-t its eBä. Ssn 4 TTmn Da. Innere de : r Hülle 1tft mtt e1nem Ftill1nittel 16'aufge- fttl1t. : ruiitlw BSlß af nfahe Ws SM. ereaseN ist ne Wrm bree sbyM di &i s ? 1 3ya ; en Mtal brücke ongebraohtx die hier aus ztiel Meta'11*- platn aB §i3. be d@ pfpla'tte eeMt de-yen nte$ an S ? an <$ ? Met&lla 14 Salle tat sind. JEs durfte einlenen da8 Abstand einer ger g erdet er gegemaoht werden kanm as geata in der ri<s d, die di aur dgs S der BUlle. D1e Strecke, die die V/itzmte durh das Ptillmi t- te : L hindurch zuraoklegen zußl, w : Lrd erhob- liohkurzer und s, weil dez, spezi : tisoller ßines 9e& 3. ttls mm esal ga ala 4e jenige d-er meinten Metalle ist$, wird onoh der ! Gesamt-, geringe ; rq so das dee TrauL4istor etäe- kIr belastet werden kann. Si WmßMe MMen ls-a nn t f- nungen 2, S verselion aeint, durch 410 die Zeiter 22 hin--0, fht wea. Saa sie d Figuren 1 Ba ie aue ? 3. i@s Bls. t si fa-mgH 3S Tesea ie-sd. t aaa Slits TMg eM& iß i ia g4-rsl M$ In m ale kmeen atn r a mv emtea. M-8 S e gehoben way&. Trahend'bea'&s ä3Ll iat a'& dasu bootimmti aut einem 0. haasie oder einer 29 angebraoht In w' : t'del1, der bw-die mit dem : Rand 14 y r-MB. Mt@ s. t Syalteae rm ßtsRt Bei einem anderen Zuoawmenban Und anderen RUIIOntypeU SM sslsW&. fs'&Mlish $ W8. m . m aat mit 3* Xla Ttms % Mdn M ie Wm '& a leitetwird* Damit das VUIImittel gut wä : rmeleitella, se : L, * wl : rd *0 auo M. n-n iMasKaahtele&s. it ma St8r Tön am tmd X&ng di$ s 4-' ? N. 8 t@ ? ? ahwanM ausder e ae d 14 &M$ a. wiaehn Ißttn tM. & dBL den 20x 21 betTV4 1 zue so da$ eine etweigo elext : riepho Wel eteet htanh a Uber drei Xontakte zwiaehen den Drahttellehen mtteinende : r und init den er « Utten Teilen verlauten inügte. Infollso des hohen leollerwiderstandes des Aluinliiininoxyda und dor zwl#* octen den yorschiederen $cin Meen Msf sohiehten Ist eine solohe Sumr.
Claims (1)
-
Ssae.. !,. in der ein halbleitender Kbrpe : r ist, daduroh in da. MIMer KBrsr ag@&rat ist Meh gß&nmein&t aS h ia er Mll i-alnß'Wäm Me st iaml Ma wb und sieh x= anderen in dex u=Ittol'bareu Mihe des rdr. 9 pere bet : Lnde>bt ohne derien ode3 ? elektrie-ch ataM m im m-isa wS in RU wai ts im Rsm hen a ? WSrM&k$-Md'8 &le kt) r » erlr eine rut YUII=006 angebraeht tot. * 26 zaoh Anap : rixoh 10 daduroi so,- kennselehnett da$ die liulle wenigeteno aus oinom Xetall"- toll bestehtp an dem die Bruexe betest : Let ist, 0 , HbleTm'i. '&sg meh Asya ga g daß der die Pom einee Scheib. angeordnet. metallplatte enthält. SiTa-s aeMt Mlts @a. 4 S$lblitcrerye&ta$ aa@h Aa. 3 ae $asaoty a8 is tt$ Aas fmsg'aws tat wolglier eine zum Ralbleite : rk ; ixper Xuh : rendor Meitor unge- brachtist. 5.tveo&tm m ne ar g keI1neichnet, dal 4j. e JUllmasee att einem. v1koaen. ii : nd- mittel bestehtx dem drehttewege ss ô. Balble1trvo : t'rtohtt.'mg u, oh Altsprttoh $, jadb ge- &h M 43. e ih ae aydieFtm. Almiim bestehe. 7.Xal or ch ad m$inet< M a-se TeUoh &ada a $e &3. i. t$ AtäRa iMn r W ? ma d& ab kleinste Abstand zwisehen de : r YiäxmebrUoko =d dem Ualb-# leiteekbrper oder eine* der ea : tt ihm elektrisoh neu Teile lote
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US771310A US2967984A (en) | 1958-11-03 | 1958-11-03 | Semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1822190U true DE1822190U (de) | 1960-11-24 |
Family
ID=25091405
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEN10548U Expired DE1822190U (de) | 1958-11-03 | 1959-10-30 | Halbleitervorrichtung, z. b. transistor oder kristalldiode. |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US2967984A (de) |
DE (1) | DE1822190U (de) |
FR (1) | FR1239735A (de) |
GB (1) | GB862453A (de) |
NL (1) | NL244922A (de) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3264531A (en) * | 1962-03-29 | 1966-08-02 | Jr Donald C Dickson | Rectifier assembly comprising series stacked pn-junction rectifiers |
US3274456A (en) * | 1962-11-21 | 1966-09-20 | Gen Instrument Corp | Rectifier assembly and method of making same |
US3243670A (en) * | 1963-09-30 | 1966-03-29 | Int Standard Electric Corp | Mountings for semiconductor devices |
US3265982A (en) * | 1963-10-24 | 1966-08-09 | Hazeltine Research Inc | Common emitter transistor amplifier including a heat sink |
DE1439460A1 (de) * | 1964-10-19 | 1968-12-12 | Siemens Ag | Elektrisches Bauelement,insbesondere Halbleiterbauelement,mit einer aus isolierendemStoff bestehenden Huelle |
US3462654A (en) * | 1966-10-05 | 1969-08-19 | Int Rectifier Corp | Electrically insulating-heat conductive mass for semiconductor wafers |
US3603106A (en) * | 1969-03-27 | 1971-09-07 | John W Ryan | Thermodynamic container |
US3783345A (en) * | 1971-09-08 | 1974-01-01 | Graham White Mfg Co | Heat-dissipating encapsulated semi-conductor assembly |
US3735209A (en) * | 1972-02-10 | 1973-05-22 | Motorola Inc | Semiconductor device package with energy absorbing layer |
US3996447A (en) * | 1974-11-29 | 1976-12-07 | Texas Instruments Incorporated | PTC resistance heater |
US4057101A (en) * | 1976-03-10 | 1977-11-08 | Westinghouse Electric Corporation | Heat sink |
US4303935A (en) * | 1977-12-13 | 1981-12-01 | Robert Bosch Gmbh | Semiconductor apparatus with electrically insulated heat sink |
EP0017472A1 (de) * | 1979-04-06 | 1980-10-15 | Lintott Engineering Limited | Vakuumapparatur mit einer Vorrichtung zur Wärmeübertragung und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkomponenten unter Anwendung dieser Apparatus |
US4387291A (en) * | 1980-11-28 | 1983-06-07 | Texas Instruments Incorporated | Fuel heater system and self-regulating heater therefor |
US4524238A (en) * | 1982-12-29 | 1985-06-18 | Olin Corporation | Semiconductor packages |
US5371404A (en) * | 1993-02-04 | 1994-12-06 | Motorola, Inc. | Thermally conductive integrated circuit package with radio frequency shielding |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2809332A (en) * | 1953-07-29 | 1957-10-08 | Rca Corp | Power semiconductor devices |
US2825014A (en) * | 1953-11-30 | 1958-02-25 | Philips Corp | Semi-conductor device |
DE1048358B (de) * | 1955-08-12 | 1959-01-08 |
-
0
- NL NL244922D patent/NL244922A/xx unknown
-
1958
- 1958-11-03 US US771310A patent/US2967984A/en not_active Expired - Lifetime
-
1959
- 1959-10-30 GB GB36912/59A patent/GB862453A/en not_active Expired
- 1959-10-30 DE DEN10548U patent/DE1822190U/de not_active Expired
- 1959-11-03 FR FR809214A patent/FR1239735A/fr not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR1239735A (fr) | 1960-08-26 |
US2967984A (en) | 1961-01-10 |
GB862453A (en) | 1961-03-08 |
NL244922A (de) |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1822190U (de) | Halbleitervorrichtung, z. b. transistor oder kristalldiode. | |
Igo et al. | Alpha-particle reaction cross sections at 40 MeV | |
DE1057694B (de) | Gekapseltes Halbleitergeraet mit einem oder mehreren p-n-UEbergaengen | |
IT8119223A0 (it) | Lega metallica a grana stabilizzata. | |
DE1872047U (de) | Elektrische gluehlampe, insbesondere projektionslampe. | |
DE891304C (de) | Strahlungsempfindliches Organ fuer Temperatur-Feststell- oder UEberwachungsgeraete | |
Hauschild | Suicidal population of a military psychiatric center: A review of ten years. | |
Bielefeldt | Moyn’s World: Menschenrechtskritik als Orakel | |
DE1639402A1 (de) | Steuerbares Halbleiterbauelement | |
Pohl | Toxicity of ferns and Equisetum | |
DE10026926A1 (de) | Halbleiteranordnung mit optischer Fuse | |
DE703633C (de) | Direkt auf die Ionisationskammer wirkender Kontrollstandard fuer Kleinkammerdosimeter | |
DE332484C (de) | Taschenlampen-Akkumulator | |
FOGEL et al. | Possibility of using the method of secondary ion-ion emission for studying corrosion processes(Secondary ion-ion emission method applied to metal surface corrosion film composition studies, noting beryllium oxide) | |
DE102013210082B3 (de) | Anordnung zur Kontaktierung eines CZT-Kristalls zur Detektion von Gammastrahlung in einer Compton-Kamera und dessen Verwendung in Detektormodulen | |
GB1300752A (en) | An aluminium-base powder alloy | |
DE672624C (de) | Einrichtung zur Messung der Intensitaet von schnellen, kuenstlich erzeugten, sehr kurz andauernden Kathodenstrahlen | |
DE1169041B (de) | Ionisationskammer-Dosimeter | |
Shuvalov et al. | MDM2 ubiquitin-ligase down-regulate energy metabolism of cancer cells | |
Nagel | Redemptive Suffering in Islam. A Study of the Devotional Aspects of ʿĀshūrā'in Twelver Shiism | |
BEIDLER et al. | Fluoride tungsten(Thermodynamics, kinetics and technology of high purity tungsten used in alloys, electron-beam melting stock, nozzles, wire, etc) | |
Reiser | Political affiliations of Arab students: a survey study of gender and religion as influences upon ideological choice. | |
DE1186086B (de) | Elektrothermische Kuehlvorrichtung | |
Killander et al. | HYDROXOCOBALAMIN: Excretion and Retention of Repeated Large Doses in Patients with Pernicious Anaemia | |
Pickman et al. | Apportionment of estate taxes |