DE1816928A1 - Oszillatorschaltung mit Dioden mit negativem Widerstand - Google Patents

Oszillatorschaltung mit Dioden mit negativem Widerstand

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Description

Western Electric Company Incorporated Josenhans-Magalhaes-
--- New York, N.Y. 10007 U.S. A, . Schlosser 2-1-1
Oszillator schaltung mit Dioden mit negativem Widerstand.
Eine IMPATT-Diode ist eine Halbleiterdiode mit einem p-n-Übergang und einem Stromdurchgangsgebiet, das zwischen gegenüberliegenden Kontakten vorgesehen ist. Der Ausdruck IMPATT kommt von dem englischen "impact Avalanche and Transit Time" . Eine angelegte Gleichspannung spannt den p-n-Übergang auf den Lavinendurchschlag vor, wobei Stromimpulse erzeugt werden, die jeweils in einer vorbestimmten Zeitperiode durch das Stromdurchgangs gebiet wandern. Die Durchgangszeit in der IMPATT-Diode ist in Bezug auf die Resonanzfrequenz eines äusseren Resonators so eingerichtet, dass hochfrequente Spannungen an den Klemmen der IMPATT-Diode um 180 ausser Phase zu den Stromimpulsen in der Diode sind. -
Infolgedessen erhöht sich bei geeigneten angelegten Frequenzen der Strom durch die Klemmen der IMPATT-Diode, wenn die Klemmspannung abnimmt, so dass die Bedingungen für einen negativen Widerstand erfüllt sind. Schliessüch wird ein Teil der an die Diode angelegten Gleichstromenergie in hochfrequente Energie im Resonator umgewandelt, wobei die Schaltung eine wirksame Festkörper-Mikrowellenquelle bildet.
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Wie andere Dioden mit negativem Widerstand, z. B. Tunneldioden und Gunn-Effektdioden, ist die IMPATT-Diode empfindlich für Überhitzung und kann durchbrennen, wenn sie für mehr als äusserst kurze Zeitperioden mit hohen Leistungspegeln betrieben wird. Eine damit zusammenhängende Beschränkung besteht darin, dass das Produkt aus Leistung und Impedanz der Diode umgekehrt proportional dem Quadrat der Betriebsfrequenz ist. Hierdurch wird die Wahl der Belastungsimpedanz bei einer gegebenen Betriebsfrequenz, wie auch die Wahl des Leistungspegels begrenzt. Ein wesentliches Ziel der Halbleitertechnik war es, eine Festkörper-Mikrowellenquelle vorzuschlagen, die in der Lage ist, kontinuierlich bei hoher Frequenz und hohen Leistungspegeln zu arbeiten.
Dementsprechend sind beträchtliche Anstrengungen auf den Versuch || gerichtet worden, die hochfrequenten Ausgänge mehrerer IMPATT-
Dioden zu kombinieren. Bekannte Oszillatoren haben von sich aus einen geringen Impedanzpegel, der ihren Wirkungsgrad herabsetzt und den Aufbau der Schaltung kompliziert. Da die Dioden eng miteinander verbunden werden müssen, ist das Wärmeableitvermögen jeder einzelnen Diode begrenzt. Hybridschaltungen werden zunehmend komplizierter, wenn die Anzahl der zu kombinierenden Oszillatoren wächst.
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Eine Lösung des oben erwähnten Problems erhält man, indem man eine Vielzahl von IMPATT-Dioden in Reihe in einem Mikrowellen-Hohlraumresonator schaltet, wobei ihr Abstand gross genug ist, um eine unabhängige Wärmeableitung jeder einzelnen Diode zu ermöglichen. Insbesondere ist es möglich, IMPATT-Dioden in Reihe mit einer einzigen Gleichstromquelle zu schalten und sie durch Abstände
zu trennen, die innerhalb der Bereiche (0 bis 1/8 λ, 3/8 λ bis 5/8 λ , "
ο ι 4-τι 5 "4* 4η 7/8 λ bis 9/8 λ ... λ bis —g λ ) liegen, wobei λ die
Wellenlänge der Betriebsfrequenz des Oszillators und η eine ganze Zahl sind. Zum Beispiel können die Dioden durch Abstände getrennt sein, die gleich 3/8 λ bis 5/8 A , oder 7/8 λ bis 9/8 λ sind.
Diese ziemlich grossen Abstände erlauben, dass jede Diode getrennt im Hohlraumresonator durch ringförmige Teile gehaltert wird, welche die Wärme von der Diode zum Resonator ableiten, welche jedoch
die Diode gegen den Resonator elektrisch isolieren. Die Ausgangsener^gie sämtlicher. Dioden wird durch den Resonator kombiniert und kann als einziger kohärenter Mikrowellenausgang an eine Belastung geliefert werden. Ein dieser Lösung innewohnender Vorteil besteht darin, dass, obwohl das Leistungsimpedanzprodukt jeder Diode sich umgekehrt wie das Quadrat der Betriebsfrequenz ändern kann, die Leistung des ganzen Oszillators von der Anzahl der Dioden abhängt,
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die benutzt werden und damit die Freiheit der Wahl beim Aufbau von Mikrowellenleistungsquellen wesentlich erhöht. Ein weiterer Vorteil besteht in der Tatsache, dass bei gegebenen Frequenz- und Leistungsbedingungen eine grössere Wahlmöglichkeit der gesamten Oszillatorimpedanz vorhanden ist.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der beigefügten Zeichnungen beschrieben. Es zeigen·
Fig. 1 eine teilweise schematische Ansicht eines Oszillators,
bei dem in Reihe geschaltete IMPATT-Dioden entsprechend einem Ausführungsbeispiel der Erfindung verwendet werden und
Fig. 2 einen Querschnitt einer der Dioden und Diodenhalterungen des Oszillators der Fig. 1.
In Fig. 1 ist ein Mikrowellenoszillator 11 entsprechend einem. Ausführungsbeispiel der Erfindung dargestellt, der aus einem zylindrischen Aussenleiter 12 besteht, welcher einen inneren Leiter 13 umgibt. Der äussere und der innere Leiter bilden einen koaxialen Kabelabschnitt, der durch eine Endwand 14 abgeschlossen ist und der mit einer Koaxialkabel-Ausgangsübertragungsleitung mit einem Innenleiter 15 gekoppelt ist. Zwischen der Abschlusswand 14 und dem Innenleiter
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13 sind drei IMPATT-Dioden-Oszillator anordnungen 16, 17 und 18 vorgesehen. Die Diodenanordnung 16 ist unmittelbar an der Abschluss wand 14 angebracht, während die Diodenanordnungen 17 und 18 am äusseren Leiter 12 mit Hilfe von elektrisch isolierenden Halterungsringen 19 angebracht sind. Der vom äusseren Leiter 12 und von der Abschlusswand 14 umschlossene Raum bildet einen Hohlraumresonator, dessen Resonanzfrequenz durch axiale Bewegung der Abstimm- I ringe 21 geändert werden kann.
Die Diodenanordnungen sind über den inneren Leiter 13, eine Hochfrequenzdrossel 23, den äusseren Leiter 12 und die Endwand 14 in Reihe mit einer Gleichstromquelle 22 geschaltet. Die leitenden Balgen 25 verbinden die Diodenanordnungen miteinander, um den Gleichstromkreis zu schliessen. Jeder der Balgen bildet eine Feder, welche die aufeinanderfolgende Montage der Dioden im Resonanzhohlraum erleichtert und einen guten elektrischen Kontakt sicherstellt.
Wie in Fig. 2 dargestellt, enthält jede Diodenanordnung eine IMPATT-Diode 27, die auf einem leitenden Zapfen 28 angebracht ist, der ein zylindrisches Grundteil 29 enthält. Der Halterungsring 19 besteht aus einem elektrisch isolierenden und thermisch leitenden Material, wie Berylliumöxyd, das einen Weg für den Wärmefluss von der Diode 27 zum äusseren Leiter 12 ergibt, wie es durch die Pfeile dargestellt
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ist. Das Vorsehen der getrennten Wärmewege mit niedriger thermi-
scher Impedanz für jede der IMPATT-Dioden ist ein wichtiges Merkmal der Erfindung, weil wie oben erwähnt wurde, der Leistungspegel eines IMPATT-Diodenoszillators durch sein thermisches Ableitvermögen weitgehend begrenzt ist.
ft Jede der in den Diodenanordnungen 16, 17 und 18 enthaltenen IMPATT-
Dioden ist derart aufgebaut, dass sie einen p-n-Übergang und ein Stromdurchgangs gebiet aufweist, dessen Länge in Bezug auf die Betriebsfrequenz so gewählt ist, dass Stromimpulse an den Diodenklemmen abgegeben werden, die ungefähr 180 ausser Phase zu der hochfrequenten Spannung an diesen Klemmen sind, so dass insgesamt ein negativer Widerstand entsteht. Nur die Diodenanordnung 16 ist jedoch in herkömmlicher Weise im Hohlraumresonator angeordnet. Die
^ Diodenanordnungen 17 und 18 sind anders als herkömmliche Anordnungen in einem wesentlichen elektrischen Abstand von der Endwand 14 und vorzugsweise eine ganze Zahl von halben Wellenlängen von der Endwand 14 entfernt angebracht.
Die Einrichtung wird nur durch Anlegen der Gleichspannung an die in Reihe geschalteten Diodenanordnungen, wie vorher beschrieben, zum Schwingen gebracht. Unvermeidliche Stromeinschwingvorgänge ,. und Rauschschwankungen erregen hochfrequente Ströme im Resonator,
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die Hochspannungen an den Dioden zur Folge haben. Infolge des negativen Widerstands der Dioden bilden sich diese hochfrequenten Spannungen aus und werden auf dem koaxialen Kabel in der durch den Pfeil der Fig. 1 angedeuteten Weise zu einer geeigneten Belastung übertragen. Der innere Leiter 15 der Ausgangsübertragungsleitung ist gegen den inneren Leiter 13 des Resonators isoliert, um den Gleichstrom abzutrennen und ihn auf den oben beschriebenen Weg zu ä
beschränken. Die Berylliumoxyd-Halterungsringe 19 sind selbstverständlich für elektromagnetische Wellen durchlässig, so dass die gesamte dargestellte Einheit als ein einziger Hohlraumresonator wirkt. Wenn die Diodenanordnungen in geeigneter Weise angebracht sind, wird die durch jede der Dioden erzeugte Ausgangsleistung in Phase zur Leistung der anderen Dioden addiert, so dass die gesamte Ausgangsleistung im wesentlichen gleich der Ausgangsleistung ist, die von einer Diode erhalten werden kann, multipliziert mit der Anzahl von Dioden im Resonator. Zur Erzielung eines optimalen Wirkungs-· grades muss eine IMPATT-Diode innerhalb 1/8 Wellenlänge eines Strommaximums im Resonator angebracht sein. In einem Resonator der in Fig. 1 dargestellten Art tritt ein Strommaximum an der Endwand 14 und an jeder halben Wellenlänge in axialer Richtung auf. Dementsprechend soll die Diode der Anordnung 16 innerhalb einer achtel Wellenlänge von der Endwand 14 angebracht sein, während
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ν die Dioden 17 und 18 innerhalb einer achtel Wellenlänge einer ganzen Zahl von halben Wellenlängen von der Endwand 14 angebracht sein sollen. Eine andere Weise der Feststellung der Tatsache, dass die Dioden in der Nähe eines Strommäximums in einem Hohlraumresonator angebracht sein sollen, besteht darin, dass sie in den Abständen D von der Endwand angebracht werden sollen, die innerhalb der Be-P reiche liegen, die gegeben sind durch
D» (0 λ bis 1/8 λ, 3/8 λ bis 5/8 λ, 11/8 λ bis 13/8 A...
3 + 4n . , . 5 + 41I1 . . /iX
—- λ bis — λ ) . (1)
Wenn eine der drei als Beispiel gewählten Dioden ausserhalb der obigen Wertebereiche angebracht ist, wird ihre Ausgangsleistung drastisch vermindert. Bei typischen Mikrowellenfrequenzen kann die Diode 17 eine halbe Wellenlänge von der Endwand 14 angebracht werfe den, wobei die Diode 18 eine volle Wellenlänge von der Endwand angebracht wird. Der Abstand zwischen aufeinanderfolgenden Dioden reicht somit aus, eine getrennte Wärmeableitung jeder Diode zu ermöglichen, wie es für eine Arbeitsweise mit höchster Leistung erforderlich ist.
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Claims (9)

P a ten tansprüche
1. Oszillator bestehend aus einer Xlmschliessung mit einer Abschlusswand und einem Ausgangsende, von dem Leistung abgenommen wird, dadurch gekennzeichnet, dass
eine Vielzahl von Dioden (27) mit negativem Widerstand in der Umschliessung enthalten ist und durch einen leitenden Weg (25, 29,13) in Reihe geschaltet ist, der sich durch das Innere der Umschliessung erstreckt, wobei der leitende Weg von der Abschlusswand (14) ausgeht und sich zum Ausgangsende erstreckt und dass eine Quelle zum Anlegen einer Gleichspannung an den leitenden Weg (15, 29,13) vorgesehen ist.
2. Oszillator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass jede der Dioden mit negativem Widerstand in einem Abstand D von dem Abschlussende des Resonanzhohlraums angeordnet ist, wobei der Abstand in den Bereichen liegt, die definiert sind durch
D> (0 bis 1/8 λ, 3/8 λ bis 5/8 λ, 7/8 λ bis 9/8 λ-
3 + 4n . . . 5 + 4n . v
λ bis —5— A )
wobei λ die Wellenlänge beider Betriebsfrequenz des Oszillators und η eine ganze Zahl sind.
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AO
3. Oszillator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Dioden vom Typ sind, bei dem ein negativer Widerstand durch eine vorbestimmte Beziehung der Stromdurchgangszeit in der Diode zur Resonanzfrequenz eines äusseren Resonators erhalten wird.
4. Oszillator nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die fe Dioden IMPATT-Dioden sind.
5. Oszillator nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass
jede der Diodenanordnungen durch ein getrenntes Teil aus Berylliumoxyd mit der Urnschliessung verbunden ist, so dass eine Halterung und eine wirksame Wärmeableitung für jede Diode entsteht, ohne dass die elektrischen Eigenschaften des Oszillators wesentlich geändert werden.
6. Oszillator nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Umschliessung zylindrisch ist,
die Diodenanordnungen und der leitende Weg im wesentlichen symmetrisch in der Umschliessung angeordnet sind und die Berylliumoxydteile eine ringförmige Gestalt haben, wobei ihr äusserer Umfang mit einer Innenfläche der Umschliessung verbunden ist.
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7. Oszillator nach Anspruch 6f dadurch gekennzeichnet, dass
die Diodenanordnungen voneinander durch einen Abstand getrennt sind, der im wesentlichen gleich einer ganzen Zahl von halben Wellenlängen bei der Resonanzfrequenz des Resonanzhohlraums ist.
8. Oszillator nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet! dass
die Diodenanordnungen an einem Ende zusammendrückbare leitende λ
Balgen aufweisen, so dass aufeinanderfolgende Diodenanordnungen nacheinander in der Umschliessung montiert werden können, während der leitende Weg dadurch gebildet wird, dass ein Ende der Anordnung an dem leitenden Balgen anliegt, der an der vorangehenden Diodenanordnung anliegt.
9. Oszillator nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass
die Umschliessung und die in ihr enthaltenen Diodenanordnungen einen 'l koaxialen Kabelabschnitt bilden, "
wobei, der koaxiale Kabelabschnitt an einer Koaxialkabel-Ausgangs übertragungsleitung anliegt, um von dem Resonanzhohlraum hochfrequente Energie abzunehmen. '
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L e e r s e 11 e
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3593186A (en) * 1969-02-18 1971-07-13 Raytheon Co Thermal dissipation in semiconductor device arrays
US3599118A (en) * 1969-10-16 1971-08-10 Kruse Storke Electronics Varactor tuned negative resistance diode microwave oscillators
US3628185A (en) * 1970-03-30 1971-12-14 Bell Telephone Labor Inc Solid-state high-frequency source
US3621463A (en) * 1970-04-27 1971-11-16 Bell Telephone Labor Inc Negative resistance diode coaxial oscillator with resistive spurious frequency suppressor

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3252112A (en) * 1962-03-01 1966-05-17 Gen Telephone & Elect Tunnel diode device
US3246256A (en) * 1964-06-08 1966-04-12 Rca Corp Oscillator circuit with series connected negative resistance elements for enhanced power output
US3356866A (en) * 1966-08-17 1967-12-05 Bell Telephone Labor Inc Apparatus employing avalanche transit time diode

Also Published As

Publication number Publication date
BE726053A (de) 1969-05-29
FR1599402A (de) 1970-07-15
NL6818547A (de) 1969-07-01
GB1234843A (en) 1971-06-09
BE426053A (de)
DE1816928B2 (de) 1970-09-17
US3460055A (en) 1969-08-05

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