DE1807414A1 - Process for etching copper and copper alloys, especially copper-clad laminates - Google Patents

Process for etching copper and copper alloys, especially copper-clad laminates

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DE1807414A1 DE19681807414 DE1807414A DE1807414A1 DE 1807414 A1 DE1807414 A1 DE 1807414A1 DE 19681807414 DE19681807414 DE 19681807414 DE 1807414 A DE1807414 A DE 1807414A DE 1807414 A1 DE1807414 A1 DE 1807414A1
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Description

SABA, Schwärzwälder Apparate-Bau-Anstalt August Schwer Söhne G.m.b.H.
7730 Villingen/Schwarzwald
Hermann-Schwer-Straße
SABA, Schwärzwälder Apparate-Bau-Anstalt August Schwer Söhne GmbH
7730 Villingen / Black Forest
Hermann-Schwer-Strasse

PA 250PA 250

Pat ent anmeldungPatent registration

Beschreibung;Description;

Verfahren zum Ätzen von Kupfer und Kupferlegierungen, insbesondere von kupfericaschierten Schichtpreßstoffen.Process for etching copper and copper alloys, especially of copper-clad laminates.

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ätzen von Leiterplatten in Tauch- und Sprühätzanla. en mit gleichbleibend hoher Ätzgeschwindigkeit durch Steuerung der Ätzmittelre;i:eneration mit einer Redox-Elektrode. Zum Ätzen von Leiterplatten z.B. von gedruckten Schaltungen gibt es verschiedene löiglicnkeiten. Bekannt als Ätzmittel sind z.B. wässrige Lösungen von Eisen-III-Chlorid (P Cl-,) von Anaaoniumpersulfat (NH^)2 S2 0H^* Natriumchlorat und Salzsäure (KaCl 0-, + HCl), Natriumchlorid (KaCl O2),Wasserstoff peroxyd und Schwefelsäure (H?Op + H2 SO,), Kupfer-Il-Chlorid (CuCIp) mit verschiedenen Bajensrationsrnitteln wie Luft und Sauerstoff. Geätzt wird in Tauch- oder Sprühätzanlagen, wobei insbesondere letztere in Form einer Durchlaufanlage für eine Leiterplattenfertigung nach dem Fließbandprinzip geeignet ist. Voraussetzung für eine 'wirtschaftliche Fließbandfertigung ist eine möglichst hohe und gleichbleibende Durchlaufgeschwindigkeit. B^i den meisten der bisher bekannten Ätzmethoden wird durch zunehmenden Gehalt des Ätzmittels an Kupfer und abnehmender Wirkung des Ätzmittels, die Ätzzeit zunehmend langer. So steigt z.B. beim Anstieg des Ou-Gehaltes von 0 auf 50 gr Cu/ltr die Ätzzeit im Ammoniumpersulfatbad von 6 Min. auf 33 Min. und im Wasser-The invention relates to a method for etching printed circuit boards in immersion and spray etching systems. En with consistently high etching speed by controlling the etchant rate with a redox electrode. There are various options for etching printed circuit boards, for example printed circuits. Aqueous solutions of ferric chloride (P Cl-,) of anaonium persulfate (NH ^) 2 S 2 0 H ^ * sodium chlorate and hydrochloric acid (KaCl 0-, + HCl), sodium chloride (KaCl O 2 ) are known as etching agents. , Hydrogen peroxide and sulfuric acid (H ? Op + H 2 SO,), copper-II-chloride (CuCIp) with various Bajensrationsrmittelern such as air and oxygen. Etching is carried out in immersion or spray-etching systems, the latter in particular in the form of a continuous system being suitable for circuit board production according to the assembly line principle. A prerequisite for an 'economical assembly line production is the highest possible and constant throughput speed. In most of the etching methods known up to now, the etching time becomes increasingly longer due to the increasing copper content of the etchant and the decreasing effect of the etchant. For example, when the Ou content increases from 0 to 50 g Cu / ltr, the etching time in the ammonium persulfate bath increases from 6 minutes to 33 minutes and in the water

009825/1650009825/1650

— 2 —- 2 -

BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

1807AU1807AU

- 2 PA 250- 2 PA 250

stoffperox'yä/Jehwefelsäurebad von 5 luin. auf 21,5 Min. (DAS 1 253 008, Degussa). Bei eine.n anüeren Verfahren mit Wasserstoffperoxyd und Schwefelsäure unter Zusatz eines Katalysators '/,erden Jitzzeiten von 1 , 5 i>iin. am Anfang und 3 ..in. bei ca. 35 gr. Cu/ltr. erreicht, bei zunehmendem Kupfergehalt verlängert sich die Ätzzeit wieiter und wird unwirtschaftlich. Die Anfangsgeschwindigkeit bei Eisenchlorid als Ätzmittel beträgt ca. 1 i.inute. Aue!': bei Verwendung von Eisen-lII-chlorid als Ätzmittel sinkt mit steigendem Kupfer/ehalt die anfänglich hohe Ätz ge se ti windigkeit, laufend, uni erreicht in Sprvihätzanl-agen bei einem Kupfergehalt von ca. 50 gr, unwirtschaftlich lan£.e Atzzeiten (= gerinne Durchlaufgesc.iwindii;keit). stoffperox'yä / Jehweic acid bath of 5 luin. to 21.5 minutes (DAS 1 253 008, Degussa). In some other process with hydrogen peroxide and sulfuric acid with the addition of a catalyst, jitz times of 1.5 min. at the beginning and 3 .. in. at approx. 35 g Cu / ltr. reached, as the copper content increases, the etching time is lengthened and becomes uneconomical. The initial speed with ferric chloride as the etching agent is approx. 1 minute. Aue! ': If iron III chloride is used as an etching agent, the initially high etching rate decreases with increasing copper content, continuously, uni in spray heating systems with a copper content of approx. 50 g, uneconomical long. e etching times (= curdling flow rate).

Nach de;:» neuen Verfahren ist es _elun~,en, die uit El renchlor ij erreichte mittlere Ätzzeit erheblich zu abertreffen (ui.i ca. 40 ",o), '.as in verschiedenen Beziehungen wirtschuftlicne Vorteile bringt, iabei ist aie Anfangsätz.-,öcc v.inaigkeit des neuen Verfahrens etwas geringer als diejenige- beim Atz:η ^it user.—Ill-chlorid., j-jdocL i-:3ni-. aie se AnfangsgescLv, inii^iceit aurcä e sondere nie.Lt aufwendige luainahr^er. während des .eiteren Ätzverlaufes, unabnänoi± , svon, 7/ieviel Platten aurcr. aie Ätzanlage gelaufe:. sind und v/ie viel Kupfer dabei abgeätzt wurde, reciit gleichmäßig eingehalten v/erden.According to the new method, it is _elun ~, en to significantly exceed the mean etching time achieved by Elrenchlor ij (ui.i approx. 40 ", o), which brings economic advantages in various respects, including all Opening sentence .-, öcc v.inaigkeit of the new procedure somewhat less than that- in the case of etching: η ^ it user. — Ill-chlorid., J-jdocL i-: 3ni- .LT consuming luainahr he ^. during .eiteren Ätzverlaufes, unabnän o i ±, SVON, 7 / ow much aurcr plates. aie etcher gelau f e are :. v and / ie much copper was etched thereby reciit, v uniformly adhered / ground .

ύ\-: ."reschilderten Nachteile aller Verfahren werden durc: ias erfinaungs/er.äße Ätzverfa-hrea vermieden, v.elcnes diaurch gekennzeichnet ist, da£ lie Segeneration uer Ätzmittel innerhalb der Ätianlage vorgeno.imen, durch eine Redox-Elektroae gesteuert und damit eine gleichbleibend hohe Ätzgeschwinaigkeit erzielt wird. The described disadvantages of all processes are avoided by the inventive etching process, some of which is characterized by the fact that the generation of etching agents within the etching system is controlled by a redox electroae and thus a consistently high etching speed is achieved.

009825/1650009825/1650

BAD ORIGffviÄtBAD ORIGffviÄt

PA 250PA 250

Nach einen; weiteren Llerkraal aes erf indun^y. e;:iätex. Verfahrens wird die Dosierung der Regenerierun£seheii;ikalieri entsprechend dem gemessenen Potential der Ätzlösung durch die Redox-Elektrode f;e steuert.After a; further Llerkraal aes erf indun ^ y. e;: iätex. Procedure, the dosage of the Regenerierun £ seheii; ikalieri is controlled according to the measured potential of the etching solution by the redox electrode f ; e.

Das erfindungsgemäße Verfahren ist außerdem dadurch gekennzeichnet, daß als Ätzmittel- Kupfer-II-cnlorid und zur Kegenerati on dee während dea Ätzprozesaes entstehenden Kupfer-I-chloridee Wasserstoffperoxyd und Salzsäure verwendet werden und daß dabei die Kupfer-I-Ionen-Konzentraticn unter 4 gr/itr. gehalten wird.The method according to the invention is also characterized in that that as a caustic copper-II-chloride and for Kegenerati on the copper-I-chloridee formed during the etching process Hydrogen peroxide and hydrochloric acid are used and that the copper-I-ion concentration is below 4 gr / itr. is held.

Dabei v. erden erfindungs^emäß die Zuleitungen der ceiden He. enerierungschenakalien zu de:i. Ätzmittelbeniilter se aus^ele^t, daß für den Dosierungsvorhang aas MengenverhUltnis der. beiden Regenerierungschemikalien optimal ist.Thereby v. earth according to the invention, the supply lines of the ceiden He. enerierungschenakalien to de: i. Etching agent filters are made of ele ^ t, that for the dosage curtain aas quantity ratio of. both Regeneration chemicals is optimal.

An Hand der Figur, aie den Verlauf der Gu+ Ionen-Konzentration aer Ätzlösung in Abhängigkeit vo^ Potential der Kectox-Eler.-trode zeigt, soll das Verfahre·, naher beschriebe:, werden.On the basis of the figure, which shows the course of the Gu + ion concentration in the etching solution as a function of the potential of the Kectox electrode, the process should be described in more detail.

Beim Atzen n:it Kupfer-ll-c:u.orjd entsteht itaci. άβν j'ieichui.g Cu + CuGIp = 2 CuGx i.upier-I-ct.i^rid, wotti ao. l·:. eli> relativ sehr kleiner Anteil von Kuj-fer-I-chlorid ( 4 er Gu /Itrj in der Ätfclösung, die z.E. 12r gr Gu/ltr als Καμίer-ll-onlorid enthalten kann, die Ätzgesci:winaif;keit sehr nerKlich verlangsamt. Femerkenawert ist dabei, Ja-: :er abs _ute "i\ert des Kurier ,-:ehaltes cur Einiifiltun»: einer r.oher. Λΐΐ. ·-- c:i<\inJi.vKeit i.icni besonders konstant freiialten v.erdex: i:.uc - er kai.r. zwiscr. .n 80 gr Gu/ltr und 130 r;r Gu, itr se::·.*.ar-.en - sorgen: dai es vielmehr darauf ankomnt, die cei::: '^zzvcTfur.j. entstehende Cu-I-chlorid-lienge nöglic::st t-iea^rif- venter 2 .-rr/Itr; zu halten undEtching n: it copper-ll-c: u.orjd creates i t aci. άβν j'ieichui.g Cu + CuGIp = 2 CuGx i.upier-I-ct.i ^ rid, wotti ao. l · :. eli> relatively very small amount of Kuj-fer-I-chloride (4 he Gu / Itrj in the Ätfclösung, the CPU 12r gr Gu / ltr may contain as Καμίer-ll-onlorid that Ätzgesci Winai f; ness very nerKlich slowing . Femerkenawert is, Yes: he abs _ute "i \ ert the courier -.. ehaltes cur Einiifiltun": ΐΐ a r.oher Λ · - c: i <\ inJi.vKeit i.icni particularly constant f reiialten v.erdex: i: .uc - he kai.r. zwiscr .n 80 gr Gu / l and 130 r r Gu, itr se :: · * ar-.en - make:... it rather dai What matters is to keep the cei ::: '^ zzvcTfur.j. resulting Cu-I-chloride-lienge nöglic :: st t-iea ^ rif- venter 2.-rr / Itr; and

009825/ USO009825 / USO

BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

180741A180741A

- 4 PA 250- 4 PA 250

möglichst rasch wieder zu Kupfer-II-chlorid zu oxydieren. Die Regeneration läuft rein stöchiometrisch betrachtet, n-ich folgender Reaktionsgleichung ab:to copper (II) chloride again as quickly as possible oxidize. The regeneration is purely stoichiometric considered, n-I from the following reaction equation:

2 CuGl + H2O2 + 2 HCl-^ 2 CuCl2 + 22 CuGl + H 2 O 2 + 2 HCl- ^ 2 CuCl 2 + 2

Der zwischen diesen Reaktionspartnern stattfindende Tieaktionsmechanismus ist viel komplizierter als es diese Gleichung ausdrückt onä soll hier nicht diskutiert werden.The mechanism of action that takes place between these reactants is much more complicated than this equation suggests; it will not be discussed here.

Nach der stöchiometrisehen Gleichung ist es also erforderlich, die Regentrierungschemikalien HpO2 (34 gr) und 2 HCL (2 χ 36,5 gr) iru angegebenen Verhältnis der Ätzlösung zuzugeben. Werden z.B. eine 35?fcige HpOp-Lösung und eine 37,5 °/°ige Salzsäure verwendet, so müssen die Chemikalien im Verhältnis 1 : 2 zu-fcsetzt werden, was uurch geeignete Ausbildung der Ableitungen aus den Vorratsgefäben gut eingehalten werden kam.. Aus aer de. enerations-Reaktionsgleichung ist zu ersehen, daß ::ei der Regeneration Salzsäure verbraucht wird, wobei sich der pH-Wert der Ätzlösung ändern muG. Es wäre also naheliegend, durch Kontrolle ψ des pH-V.ertes mit einer ijH-Elektrode die Zugabe der Re-enerationsmittel xu steuern, doch zeigt sich in der Traxis, daS datei keine optimalen Ätzbedingungen ersielt werden können. V/ird jedoch zur Steuerung der Chemikalienzugabe eine Redox-Elektrode verwendet, so wird das angestrebte Ziel mit großer Genauigkeit erreicht, -^eim Ätzvorgang sind in aer Lösung Cu -Ionen und Cu+-Ionen vorhanden. Das Potential der Elektrode ist abhängig vom Konzentrationsverhältnis (richtigef·; Aktivitätsverhältni3)According to the stoichiometric equation, it is therefore necessary to add the regentration chemicals HpO 2 (34 gr) and 2 HCL (2 36.5 gr) to the specified ratio of the etching solution. If, for example, a 35% HpOp solution and 37.5 % hydrochloric acid are used, the chemicals have to be added in a ratio of 1: 2, which can be met by a suitable design of the drains from the storage vessels. From aer de. The energy reaction equation shows that: During regeneration, hydrochloric acid is consumed, and the pH of the etching solution must change. It would be obvious, by controlling the pH ψ V.ertes with a IJH electrode, the addition of Re-enerationsmittel xu control, but is reflected in the Traxis, file no optimum etching conditions can be ersielt. If, however, a redox electrode is used to control the addition of chemicals, the desired goal is achieved with great accuracy. During the etching process, Cu ions and Cu + ions are present in the solution. The potential of the electrode depends on the concentration ratio (correct; activity ratio)

^V aer *ormel E = E + ψ- ln^ V aer * ormel E = E + ψ- ln

09825/165009825/1650

V na^h aer ormel E = E + ψ Ss Cu+ ° P C+ V na ^ h aer ormel E = E + ψ Ss Cu + ° P C +

- 5 BAD ORIGINAL- 5 ORIGINAL BATHROOM

Pi 250Pi 250

Das Potential der Elektrode wird positiv, wenn die Konzentration der höheren Oxydationsstufe steigt und erreicht einen Maximalwert, wenn die Cu -Ionen-Konzentration gleich Null ist. LIi t zunehmendem Gu Ionengehalt verändert sich das Potential der Lösung und zwar im Bereich kleiner Cu -Ionen-Konzentration (0-4g/ltr) relativ viel stärker als bei weiteren Zunahmen der Cu+-Ionen (s. Schaubild). Diese Potentialänderung wird über einen Vers barker auf einem Meßgerät angezeigt und' auf einem Schreiber aufgeschrieben. Das Meßgerät ist mit zwei verstellbaren Fühlern · versehen, die entsprechend uer Potentialänaerun;y in der Ätzlösung vom Zeiger des Meßgerätes passiert werden und, wenn der Zeiger aus dem Bereich des höheren Potentials mit zunehmender Cu -Ionen-Konzentration in der Ätzlösung in den Bereich niederen Potentials v.andert und dabei den Fühler passiert, · werden Magnetventile geöffnet und damit können die Itegenerierungschemikalien (HpOp + HCl) aus Vorratsbehältern über die Ätzanlage in die Ätzlösung laufen. Die beiden Fühler werden zur Erzielung einer gleichbleibend hohen Ätzge.;chwindigkeit so eingestellt, daß bei dem Regelvorgang eine Potentialdifferenz von ca. 100 mV nicht überschritten wird, wobei der Cu -Ionengehalt unter 2 gr/ltr bleibt und die beiden Fühler werden ao weit voneinander getrennt, daß beim Öffnun^svorgang der Ventile das 1. Ventil, das den Salzsäurezufluß regelt, deutlich vor dem 2. Ventil, das den HoOp-Zufluß regelt, geöffnet und in umgekehrter Wanderungsrichtung des Zeigers das Salzsäureventil deutlich nach dem HpOp-Ventil wieder geschlossen wird. Diese Einstellung soll gewährleisten, daß immer ein geringer HCl-LTberachuß in der Lösung vorhanden ist.The potential of the electrode becomes positive when the concentration of the higher oxidation level increases and reaches a maximum value when the Cu ion concentration is zero. With an increasing Gu ion content, the potential of the solution changes, in the range of a lower Cu ion concentration (0-4g / ltr), relatively much more strongly than with further increases in Cu + ions (see diagram). This change in potential is displayed via a verse barker on a measuring device and 'written down on a recorder. The measuring device is provided with two adjustable sensors, which adjust the external potential accordingly ; y in the etching solution are passed by the pointer of the measuring device and, when the pointer moves from the area of higher potential with increasing Cu ion concentration in the etching solution to the area of lower potential and thereby passes the sensor, solenoid valves are opened and this means that the itegenerating chemicals (HpOp + HCl) can run from storage containers via the etching system into the etching solution. To achieve a consistently high etching rate, the two sensors are set so that a potential difference of approx. 100 mV is not exceeded during the control process, the Cu ion content remaining below 2 g / l and the two sensors being ao far apart separately, that when the valves are opened, the 1st valve, which regulates the hydrochloric acid flow, is opened well before the 2nd valve, which controls the HoOp flow, and, in the opposite direction of movement of the pointer, the hydrochloric acid valve is closed again well after the HpOp valve will. This setting is intended to ensure that there is always a slight excess of HCl LT in the solution.

009825/1650 - 6 -009825/1650 - 6 -

BAD ORIGINAL ; rv r->BATH ORIGINAL; rv r->

1807A Η1807A Η

PA 250 ■PA 250 ■

Ein weiterer Vorteil dieses Verfahrens ist, daß die Re^enerierungschemikalien während des Ätzvorganges zugesetzt und verbrauchte Ätzlösun^ während des Ätzens entnommen v/erden kann, also eine I'ertigungsunterbrechung dadurch vermieden wird.Another advantage of this process is that the re ^ energizing chemicals during the etching process added and used etching solution can be removed during the etching, i.e. an interruption in production this is avoided.

Außerdem hat die verbrauchte Ätzlösung einen hohen V/iederverwertungswert, da sie aus einer salzsäurehaltigen Cu-II-chloridlösung (ohne andere Salzbeimengungen) besteht und zur Herstellung von Kupferverbindungen verschiedener Art verwendet werden kann, womix auch dar_ immer lästige und kostenverursachende Abwaaserüroblem bei Ätzanlagen behoben ist.Moreover, the spent etching solution has a high V / iederverwertungswert, since it consists of a hydrochloric acid-containing Cu-II-chloride solution (without other salt impurities) and may be used for the preparation of copper compounds of various kinds, womix also because r _ always tedious and cost-incurring Abwaaserüroblem at etchers is fixed.

00 9 8 25/1 6 5000 9 8 25/1 6 50

BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

Claims (4)

" ■■■' ■ - .-■■..".. ■ . ■ ■■■ Γ'--'■■>■:■■ ■:-,'« " I"! -I- * »! ...J - 7 PA 250 Patentansprüche"■■■ '■ - .- ■■ .." .. ■. ■ ■■■ Γ '-' ■■> ■: ■■ ■: -, '«" I "! -I- * »! ... J - 7 PA 250 patent claims 1. Verfahren zum Ätzen von Kupfer und Kupferlegierungen, insbesondere von kupferkaschierten Schichtpreßstoffen zur Herstellung von Leiterplatten in Tauch- und Sprühätzanlagen, dadurch gekennzeichnet, daß die Regeneration der Ätzmittel innerhalb der Atz-anla/re vorgenommen, durch eine Redox-Elektrode gesteuert wird und damit eine gleichbleibend hohe itzgeschwin- . | digkeit erzielt wird.1. A process for etching copper and copper alloys, especially copper-clad laminates for producing printed circuit boards in diving and Sprühätzanlagen, characterized in that the regeneration of the etchant made within the Atz-anla / re, electrode ORP is controlled by a and a consistently high itzgeschwin-. | age is achieved. 2» Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Hedox-Elektrode die Dosierung der Hegenerierungschemikalien entsprechend de^i gemessenen Potential der Ätzlösung steuert.2 »Method according to claim 1, characterized in that that the Hedox electrode regulates the dosage of the regeneration chemicals measured according to de ^ i Controls the potential of the etching solution. 3. Verfahren nach Anspruch 1 ,2 dt jurci: gekennzeichnet, daß die Hedox-Elektrode aie Dosierung der He. ex.e-3. The method according to claim 1 , 2 dt jurci: characterized in that the Hedox electrode aie dosage of He. ex.e- acer !!.a-jnetventile steuert,acer !!. a-jnetventile controls, 4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 5* d:--.lurch gekennzeichnet, daß als Ätzmittel Kupier-11-cr.J.cria und e\XT Regeneration des währeni aes Ätzprozesses entstehenden Kupier-I-chloriaea ". asserstofftercxyd und salzsäure verwendet werden una dais dabei die Kupfer-I-lonen-Konzentration unter 4 gr/xtr. gehalten wird.4. The method according to claims 1 to 5 * d: -. Lurch characterized in that the etching agent used is Kupier-11-cr.J.cria and e \ XT regeneration of the Kupier-I-chloriaea ". Hydrogen oxide and hydrochloric acid the copper ion concentration is kept below 4 g / xtr. 009825/1650009825/1650 BAD ORtGINAUBAD ORtGINAU PA 250PA 250 Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Zuleitungen der beiden Regenerierunjschemikalien zu dem Ätzmittelbehälter so ausgelegt werden, daß für den Losierungsvorgang da" Mengenverhältnis der beiden Regenerierungschernikalien optimal ist.Process according to Claims 1 to 4, characterized in that the feed lines for the two regeneration chemicals to the etchant container are designed so that for the loosening process da "ratio of the two regeneration chemicals is optimal. GC9825/ 1 650GC9825 / 1,650 BAD ORfGIMALBAD ORfGIMAL
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE2140215A1 (en) * 1971-08-11 1973-02-22 Hoellmueller Maschbau H Etching copper/copper alloys process - using a regenerative soln contg ammonium and chloride ions

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