DE1803779A1 - Transistor - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht aich auf einen Transistor, der einen Halbleiterkörper mit einer Kollektorzone, einer an eine praktisch ebene Oberfläche grenzenden Basiszone und einer nur an die erwähnte Oberfläche ' grenzenden und ferner völlig durch die Basiszone umgebenen schichtförmigen mit öffnungen versehenen Emitterzone enthält, wobei die Basiszone in den Öffnungen der Emitterzone an die erwähnte Oberfläche grenzt, während auf der erwähnten Oberfläche eine Isolierschicht angebracht ist, die wenigstens die Schnittlinie dea Snitter-Basis-Übergangs mit dieser Oberfläche bedeckt, wobei die Basiszone wenigstens an der Stelle der erwähnten Offnungen und die Emitterzone durch Fenster in der Isolierschicht mit einem Basiskontakt bzw. einem Emitterkontakt verbunden sind*

Derartige Transistoren, die sioh insbesondere für hohe Λ Leistungen eignen, 3ind aus "Slectronios", 11.Dezember I9c7> Seiten 110-

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114» bekannt. Dabei ist es wichtig, dass eine derartige Struktur mit einer mit öffnungen versehenen Emitterzone eine.grosse Emitterrandlänge je B¹Iacheneinheit des Transistors ergibt, während ferner die Gefahr eines Sekundä'rdurchbruchs bei einem derartigen durchlochten Emitter kleiner ist als bei einer Emitterzone, die in mehrere kleine getrennte Teilsonen unterteilt' ist, da eine auftretende Stromverdichtung sich bei einer, durchlochten Emitter über einen grösseren Teil der Emitterzone ausbreiten kann, bevor die Stromverdichtunr; örtlich eine derartige Dicke erreicht, dass ein sekundärer Durchbruch auftritt.

Der durchlochte Snitter bedeutet gegenüber dem in getrennte. Teilzonen unterteilten Emitter eine erhebliche Verbesserung, vorwiegend irtfolge der Tatsache, dass der durchlochte Emitter eine zusammenhängende Zone ist· Eine derartige zusammenhängende Emittersone hat sowohl eine ^rosse Emitterrandlänge je Flächeneinheit des Transistors als auch eine grosse zulässige Stromdichte· je Längeneinheit des Ejnitterra.ndes. Infolge des Zusammenhangs und der iilederohmigkeit der Emitterzone ist der elektrische Widerstand zwischen den unterschiedlichen Teilen ties Ztnitterrandes gering und es uird eine gute Stromverteilung über den Emitterrand begünstigt.

Es sei bemerkt, dass in diesem Zusammenhang unter der PV.itte-rrandlänge je Flächeneinheit des Transistors die Länge der Schnittlinie des Emitter-Basis-Ubergangs mit der erwähnten praktisch ebenen Oberfläche des Transistors je Flächeneinheit desjenigen Teils der praktisch ebenen Oberfläche, an den die Basissone und die Emitterzone grenzen, zu verate-

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hen ist.

Insbesondere mit Rücksicht auf Hochleistungstrr.nsistoren ist Θ3 wichtig, die mit dem durchlochten Emitter eraielbare zulässige

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Stromdichte je Längeneinheit des E&itterrandes vielter zu steigern, um Transistoren mit kompakter Struktur, die nur eine geringe Kapazität zwischen der Basis und dem Kollektor aufweisen, erhalten zu können. Biese geringe Kapazität ist insbesondere für die Anwendung des Transistors bei höheren Frequenzen wichtig.

Die Erfindung "bezweckt, einen Transistor mit einer grösse ren zulässigen Stromdichte je Flächeneinheit des Transistors zu schaffen, und sie beruht auf der aus Versuchen gewonnenen Erkenntnis, dass diese Stromdichte durch einen überraschenden einfachen Eingriff gesteigert wer- % den kann, ohne dass die Gefahr eines Auftretens von sekundärem Durchbruch entsteht.

Ein Transistor von der eingangs beschriebenen Art ist gemäss der Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass die mit Offnungen versehene Emitterzone aus mindestens zwei durch die Basiszone voneinander getrennten Teilen besteht. /

Sas mit dieser einfachen Kaesnahme eine wesentliche Verbesserung erzielt wird, ist um so uberrasohender, weil die guten Eigenschaften des bekannten durchlochten Emitters insbesondere dem Zusamcenhängendsein der Emitterzone zugeschrieben werden, durch welchen Zusammenhang sich eine gunstige Kombination einer guten Stronverteilung und einer grossen Randlänge je Flächeneinheit ergibt. Völlig in Widerspruch mit diesem Gedanken stellt es sich jetzt heraus, dass eine Unterbrechung dieses Zusammenhangs durch Aufteilung der durchlochten Emitterzone in getrennte Teilzonen eine wesentliche Verbesserung dieser Struktur cit sich brinrt.

Es sei bemerkt, dass die Aufteilung der durchlochten Emitterzone in voneinander getrennte durchloohte Teilzonen Vorkommendenfalls eine Verringerung der Hnitterrandlänge je Flächeneinheit des Transistors

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zur Folge hat. Diese Verringerung wird jedoch reichlich ausgeglichen -duroh' die erhöhte zulässige Stromdichte je Längeneinheit des Emitterrandes, so dass die Anwendung der Erfindung zu Transistoren mit kompakterer Struktur und kleineren Innenkapazitäten führt.

Hüne wichtige Ausführungsform des erfindungsgemässen Transistors ist dadurch gekennzeichnet, dass jeder Teil der Emitterzone mindestens zwei nebeneinander liegende Reihen von öffnungen aufweist, während der Basiskontakt eine auf der Isolierschicht liegende Basiskontaktsohicht. mit mehreren Fingern ist, deren jeder sich über eine Reihe von öffnungen erstreckt und wenigstens an der Stelle dieser öffnungen mit der Basiszone verbunden ist, wobei der Emitterkontakt eine auf der Isolierschicht liegende Emitterkontaktschicht ist, die mehrere Pinger aufweist, die mit der Emitterzone verbunden sind, während die Basiekontaktschicht und die Ebiitterkontaktschicht ein interdigitales System bilden.

Kit einer durchlocfcten Emitterzone, die auf diese Weise in Teilzonen geteilt ist, werden besonders gute Ergebnisse erhalten.

Die Stromverteilung auf die verschiedenen durchlochten Teil· zonen kann ferner dadurch begünstigt werden, dass in den Strombahnen zwischen dem Anschluss]eiter des Emitters und den unterschiedlichen Teilzonen Widerstände aufgenommen werden»

Vorzugsweise ist ein Transistor, bei dem der Emitterkontakt mit einem Anschlussleiter versehen ist, dadurch gekennzeichnet, dass sich in Verbindungsweg zwischen jedem der voneinander getrennten Teile der Emit· terzone und dec Anschlussleiter mindestens ein Reihenwiderstand befindet«

Infolge dieser Widerstände tritt im Betrieb des Transistors ein Rü'ckkopplungseffekt auf, durch den die Stromverteilung auf die Teilzonen begünstigt wird. Ausserdem kann der Wert der verschiedenen Wider-

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stände so gewählt werden, dass der elektrische Widerstand längs der Strombahnen zwischen dem Anschlussleiter und den Teilzonen für sämtliche TeilsBonen mögliohst gleich ist.

Eine wichtige Ausführungsform des erfindung3gemässen Transistors, bei der in den Verbindungswegen zwischen dem Anschlussleiter und den durohlochten Emitterteilzonen Reihenwiderstände aufgenommen sind, ist dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens einige der erwähnten Widerstände einen Teil der selben geschlossenen Widerstandsschicht bilden. Jj

Dieser Transistor weist eine sehr grosse zulässige Stromdichte je Flächeneinheit des Transistors auf und ist ausserdem auf einfache Weise herstellbar, wobei für die Anbringung der Reihenwiderstände keine kritischen zusätzlichen Schritte erforderlich sind.

Ausfuhrungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt, und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen

Figur 1 schematisch eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel eines erfindungagemässem !Transistors,

Figur 2 schematisch einen längs der Linie I^-II der Figur 1 geführten Querschnitt durch diesen Transistor,

Figur 3 schematisch eine Draufsicht auf ein anderes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemässen Transistors.

Die Figuren 1 und 2 zeigen einen Transistor, der einen Halb 1 ei t erkor ρ er 1 mit einer Kollektorzone 2, 3, einer an eine praktisch ebe.ne Oberfläche 4 grenzenden !Basiszone 5 und einer nur an die erwähnte Oberfläche 4 grenzenden und ferner völlig durch die Basiszone 5 umgebenen Bohichtfö'rmig'en Emitterzone 6, 7» die mit öffnungen 8 versehen ist, enthält» wobei die Basiszone 5 in den öffnungen 8 der Emitterzone 6, 7 an di© erwähnte Oberfläche 4 grenzt, während auf der erwähnten Oberfläche 4

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eine Isolierschicht 9 angebracht ist, die wenigstens die Schnittlinie des Emitter- JJasis- Übergangs 11 mit dieser Oberfläche 4 bedeckt. Die Basiszone 5 ist ^a^ der Stelle der erwähnten öffnungen 8 durch öffnungen 13 in der Isolierschicht 9 mit einer Basiskontaktschicht 12 verbunden, während die Emitterzone 6, 7 durch Fenster 14 in der Isolierschicht 9 mit einem Smitterkontakt 15 verbunden ist.

Es sei bemerkt, daes in der Draufsicht nach Fi.^r 1 die'-. Isolierschicht 9 durchsichtig gedacht ist, wodurch die unterliegenden Zonen sichtbar sind.

Gemäas der Erfindung besteht die mit öffnungen versehene Emitterzone 6, 7 aus zuei (oder mehr als zwei) durch die Basiszone 5 voneinandergetrennten Teilen 6 und 7·

Die beiden Teilt 6 und 7 der Emitterzone weisen je drei nebeneinander liegende Reihen von öffnungen 8 auf, während die auf der Isolierschicht 9 liegende Basiskontaktschicht 12 sechs Finger Y. aufweist die sich je über eine Reihe von Cffr.ungen 8 erstrecken und an der Stelle dieser Öffnungen 6 mit der Basiszone 5 verbunden sind, :.'cbei lie auf der Ik Isolierschicht 9 liegende Sr.itterkcntaktschicht 15 vier Finger 17 aufweist, die mit der Emitterzone £, 7 verbunden sind. 'Die K-ntaktschichter. 12, 16 und 15, 17' bilden ein interdifatales System.

Experimentell wurde nachgewiesen, dass eine Aufteilung der durchlochten Emitterzone 6, 7 in getrennte Teile C bzw. 7 die Stromverteilung über den*Emitterrand günstig beeinflusst, wodurch sioh eine grosser e zulässige Stromdichte je Längeneinheit des Emitterrandes ergibt als bei einer einfachen zusammenhängenden durchlochten Emittöra-ne. Diese grössere Stromdichte bringt e3 mit sich, dass Transistoren mit kompaktem Aufbau hergestellt werden können, die nur eine kleine Basis- Kollektor-

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Kapazität aufweisen, während die Gefahr de3 Auftretens eine3 sekundären Durchbruchs bei normaler Verwendung der Transistoren gerinj int,

Ini vorliegenden Ausf-.VhrungabeisFiel hat Ue Emitterzone ', 7 mehrere nebeneinanderlielende Reihen von runden "finun.Ten :. Es -sei bemerkt, dass die Porir. der "ffnungen 0 2.B. auch iratfrn tisch sein k?nn, wobei die Öffnungen zur Erhaltung einer grossen "fi'nungs-.lichte und Sv-ir.it. einer gro3sen önitterr-inilänge je Flächeneinheit der, Transistors beiapielr weise derart angebracht werden können, dass zwei einaniergejenüberliegpnde Ecken jeder >"ffnun£ praktisch auf der Kittellinie der betreffenden Hei- ' he liefen. Dabei kann der Emitterkontakt zum Unterschied vom vorliegenden Aueführungebeispiel, bei dem der Erci türkontakt 15 durch zwischen den Reihen von Hffnunj-ίη Pj liegende groaae Fenster 14 mit der ^itterzone ', 7 Kontakt macht, durch eine Vielzahl von in Reihen liegenden kleineren, beispielsweise ebenfalls quadratischen Penstern nit der Emitterzone Kon-

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takt machen, wobei neben einer Hoihe dieser Fenster auf beiden Seiten ^e

eine' Reihe von iuadratischen öffnungen Ji liegt, während jedea Fenster auf regelma8si,;e Weise durch vier Öffnungen 5 u-.-.gc-ben wir'. Auf lieae '.."eise

ergibt sich ein« besonders kontakte Struktur ie3 -Tr.n;:intrrs. J

3er Tr-in3ist?r genäes ien PUguren 1 uni 2 i:t ein sogenannter planarer er>taxialer Transistor. Der Halbleiterkörper ' secteht au3 einem Halbleitersubstrat 2 und einer auf liefen an.^ebrichten c^itaxialen HalbleiterscLicht 3· Die Basiszone 5 und die iir.ittersonc ■', 7 ^inl ir. der epitazialen-Schicht 2 angebracht, währen^ «?in an lic basiszone· 5 .jr&nzender Teil der "ollektorsone 2, 3 -ur epitaxialen Schicht 3 ;eh:rt un.l einen höheren spezifischen Widerstand hat al3 der übrige Teil 2 ier -"rllekt.-rz one.

Der Transistor nach den Fi.-juren 1 und 1 lässt rioa vric

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folgt herstellen.

Ea wird von einem η-leitenden Siliciumkörpcr 1 ausgegangen, der aus einem etv?a 200 jtm dicken 3-obatrat 2 mit einem spezifischen Widerstand von 0,01 bis 0,001 Ohm.cn besteht, auf dem eine n-leitenie etwa 15 (im dicke epitaxiale Schicht 3 r.it einem spezifischen 'Widerstand von etwa 2 Chr.. cn angebracht ist.

tTblicherv:eise werfen eic v/eiteren Abmessungen des oiliciunkörpers jross jenu^· bemessen, ui;. mehrere Transistoren gleichzeitig herstellen zu können, wahren·! lie einseinen Transistoren lurch Unterteilung des Halblc-iterkorpera erhalten werden. Beim vorliogcnäen Ausführungabeispiel wird jeioch d^r Zinfachheit halber die ITersteilung.eine3 einzigen Transistoi's erläutert»

¹¹ Auf der epitaxialen Schicht'wird auf eine in der Halbleitorttchiiik übliche Koice eine Biffusionamaske, z.B. aus Siliciumoxid, angebricht, während durch Diffusion'eines Dotierungsstoffs, z.B. Bor, in den r.-1'jitunden rörj-er 1, der die Kbllektorsone 2, 3 bildet, eine p-leiten de Cberflächcns-jnc, die Basiszone 5» angebracht wird,

Die Hacisaone 5 hat Abmessungen von etwa 210 χ 110 χ 2,5 μπ und grenzt an die· praktisch ebene Oberfläche 4 der epitaxialen Schicht 3.

Auf der praktisch ebenen Oberfläche 4 wird dann eine Diffusionsr.as'rier-an-sschicht, s,3. aus Siliciumoxid, angebracht, von der mit Hilfe üblicher rhotor:a3kierungs- und ätzverfahren Teile entfernt werden, . um Oberflächenteile der Basiszone 5 frei.zu legen, die einer anzubringenden η-leitenden Oberflächenzone, nämlich der emitterzone 6, 7» in Form einer aus zwei Teilen bestehenden mit öffnungen versehenen Schicht entsprechen. In der Diffusionsmaskierungsschicht werden deshalb zwei Öffnungen angebracht, die je die Form eines Netzwerkes haben, wonach durch

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Diffusion eines Dotierungsstoffs, z.u, Fhosphor, die Emitterzone C₁ 7 in der Form der Netzwerke 6 baw. 7 angebracht wird, wobei sich, die Öffnungen 8 ergeben. Jede ibitterteilzone hat Abmessungen von etwa 90x90x1,5 ·^ι·π und enthält- 12 Öffnungen mit je einen Durchmesser von etwa 12 μΐη. Der Abstand der Offnungen voneinander beträgt etwa C- _:.m.

Dann wird die ganze Oberfläche 4 mit einer Isolierschicht 9, z.-3. aus Siliciumoxyd, überzogen, in der auf eine übliche Tieise die Fenster 14 mit Abmessungen -von etwa 8 χ 72 μπι und die Fenster 13 mit einem Durchmesser von etwa 6 μ in angebracht werden, ■

Auf eine übliche Weiee wird auf der Isolierschicht f die Basiskontaktschicht 12 angebracht, die mit Fingern 16 versehen ist, .lie an der Stelle der Offnungen 8 durch die Fenster 13 mit der basiszone 5 verbunden werden.

Ferner wird die mit Fingern 17 versehene Zmitterkontaktschicht 15 angebracht, wobei die Finger 17 durch die Fenster 14 mit der Emitterzone 6, 7 verbunden werden.

Die Kontaktschichten können z.3, aus Aluminium bestehen.

T.ftt den Kontaktschichten 12 und 15 können auf eine übliche ά Weise Anschlussleiter verbunden werden.

Ein Kollektorkontakt kann auf eine übliche Weise mit den Substrat 2 verbunden werden, wonach der Transistor in einer Hülle angebracht werden kann.

Hit Rücksicht auf eine gute Wärmeableitung und einen kleinen Kollektorreihenwiderstand empfiehlt es sich, das Substrat 2 dünner zu machen, z.B. dadurch, dass es an der Unterseite abgeätzt wird, bis 3eine Dicke z.B. auf etwa 80 μπι herabgesetzt igt.

Figur 3 zeigt eine Draufsicht auf ein anderes Au3führungs-

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Beispiel eine3 erfinIungsgemä3sen Tranaistors. Die ojasiszone 31 umgibt die im übrigen nur an die Oberfläche de3 Halbleitorkörpers 32 .grenzende Emitterzone, die aus vier durch die 3asi."zone 31 vonai nand erge trenn ten Teilen 33 bis 36 besteht. Die Teile 33 bis 3<" bilden jeder für sich eine iurchlochte Etnitterteilsone, v.'obei die Basiszone 31 in allen Öffnungen 37 an'die Oberfläche des Halbleiterkörpers 32 grenzt. An der Stelle der "Effnungen 37 ist die Basiszone 31 durch Fenster 3- in einer auf der Halbleiteroberfläche liegenden isolierenden Schicht (lie in der i^Lgur durchsichtig gedacht ist) mit einem kamraförinigen iasiskontakt 39> 40 verbunden, dessen Figur 40 sich über je eine Reihe von "ffnunjen 37 erstrecken« Jeder der Teile 33 bis y der Emitterzone hat zwei nebeneinanderliegenae Reihen von öffnungen 37» während sie je durch ein fenster 41 mit einem Pinger 42 der Emitterkontaktschicht 4²» 43» Kontakt machen. Dabei bilden die beiden Kontaktschichten 49» 40 und 42, 43 ein interdi_fc-itale3 System.

Mit dieser Struktur, bei der jede Emitterteilzone nur zwei Reihen von öffnungen aufweist, werden besonders gute Ergebnisse erhalten. Aus dem Gesichtspunkt der Unterteilung müssen zwei Reihen von Offnungen als die optimale Zahl für die Teilzonen betrachtet werden.

kit Rücksicht auf eine gute Stromverteilung empfiehlt es sich ferner, im Verbindungsweg bzw. in den Verbindungswegen zwischen jeder der Emitterteilzonen und dem Anschlussleiter des Emitters mindestens einen Reihenwiderstand aufzunehmen. Beim vorliegenden Ausführungsbeispiel ist dies dadurch bewerkstelligt^ dass auf der Isolierschicht eine Wider-' standsschicht 44 aus z.ß» Titan» Tantal, Nickel- Chrom oder einem anderen geeigneten Widerstandsmaterial angebracht ist» Die langgestreckte Widerstandsschicht 44 mit Abmessungen von z,B. 35^ ^x 40 μΐη steht auf der einen langen Seite in elektrischer Verbindung mit jedem der Finger 42 der

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Eknitterkontaktachicht 42, 43, während sie auf der gegenüberliegenden langen Seite mit einem den Fingern 42 gemeinsamen Teil 43 der Stnitterkcntakt schicht elektrischen Kontakt macht. Der Abstand der Finger 42 vom Teil 43 beträgt z,Ii. etwa 20 üd, während die Widerstandsschicht z.i. einen Fläche widerstand von wenigen Ohm hat.

Der Transistor nach. Figur 3 kann auf eine Weise hergestellt werden, die der beim vorstehenden Ausführungsbeispiel erläuterten Weise ähnlich ist. Jabei kann die Widerstand^chicht 4C nach, ierHch vorzugsweise v^r der Anbringung der Kontaktschichten 39, 40 un-J 42, 43 angebracht werden, z.B. durch Aufdampfen i'm Vakuum durch eine Kaske hiniurch. Die seitliche Begrenzung der Widerstandsschicht ist in übrigen nicht kritisch, während in Abhängigkeit vom gewünschten Wert der I-ieihenwiderstände Widerstandes chi chten mit einem spezifischen Flächer.vii erstand, der z.ü.
zwischen etwa 0^1 und 20 Chm schwanken kann, Anvrendung finden können«

Sämtliche Reihenwiderstände für die Finrer 42 bilden einen Teil der geschlossenen Widerstandsschicht 44, wobei der Wert jedes ί.Ί.Ίerstand es vom spezifischen Widerstand und von der Dicke der '.iiderstandsschicht sowie vom Abstand zwischen jedem der Finger 42 und dem gec.einsa- ύ men Kontaktteil 43 abhängig ist.

Ss sei bemerkt, dass eine derartige Widerstandsschicht,

■lie den Vorteil hat, dass zum Anbringen keine kritischen cusiVtzlichen Arbeitsgänge erforderlich sini, auch im Form einer diffundierten Zone Verwendung finden kann. Eine diffunlierte Kiderstandsschicht kann durch eine gesonderte Diffusion erhalten werden, wobei der Flächenwi!erstand völlig auf den gewünschten Wi'd-erstandsuert der Heihenwiderstände ab;-estimn.t vrerden kann. Es ist jedoch auch pöglich, die >.^ridersta.ndsschicht gleichzeitig mit der üiittersone und/oder der l^;asisz-ne des Transistors anzucrin-

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gen. Gleichzeitig mit der Basiszone wird dabei eine Widerstandezone angebracht, die durch einen pn-übergang vom unterliegenden ICoIlektorteil isoliert ist. Meistens ist der Flächenv.'iderstand dieser Widerstands schicht für die anzubringenden Reihenwiderstände zu hoch, in welchem Falle gleichzeitig mit der Emitterzone innerhalb der erwähnten Widerstandszone mindestens ein Gebiet mit erheblich niedrigerem Flächenwiderstand angebraoht we** den kann. Dabei empfiehlt es 3ich, zur Vermeidung einer unerwünschten Tran sistonrirkung lie pn-Übergä'nge zwischen diesen Gebieten und der erwähnten' Kiderstand3zone kursziischliessen, was einfach dadurch erfolgen kann,' dass das Fenster in der Isolierschicht, das im Falle einer diffundierten Widerstandsschicht für die Kontaktierung des gemeinsamen-Teiles 43 erforderlich i3t, derart angebracht ist, dass dieser gemeinsame Teil 43 auch den gewünschten Kurzschluss herbeiführt«

Die Erfindung ist offensichtlich nicht auf die beschriebenen Au3führung3beispiele beschränkt und für den Fachmann sind im Rahmen der Erfindung manche Abänderungen möglich. Der Halbleiterkörper eines erfindungogenSssen Vransistors kann ß.3. aus einem anderen Halbleitermaterial als Silicium, z,i3. aus Germanium oder einer A _ΰ -Verbindung, bestehen Die Isolierschicht kann z.5, statt aus Siliciumoxid aus Siliciumnitrid bestehen. Die Zahl der öffnungen in der Emitterzone kann grosser oder kleiner als die erwähnte Zahl sein und die öffnungen können eine andere Form haben. Ein erfindungegemässer Transistor hat im allgemeinen eine Emitterzone mit mir.deötc-r.s 10 öffnungen, da die Erfindung eich auf Transistoren bezieht, bei denen unter mehreren eine groose Etcitterrandlä'nge gewünscht ist. Sinnvolle Ausführungsformen haben im allgemeinen sogar mindestens 2C öffnungen in de» Emitterzone. Der Halbleiterkörper braucht nicht aus cinei:. mit einer epitaxialen Schicht versehenen Substrat zu

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bestehen, sondern kann 2.i^!. auch aiu; einet. Halbleiterkörper to :t*-h-on, dejuen LeItUn₁; rr.it Aue;nun:t- oin^r ujrflSolioiiacliicLt Lurch Difi\iaion eines Dotion:r.£;s3tjffes erhöht iat, T)-;r .iasia':- ntakt '..an.·, nicht nur an der --teile der nffnun^en, G.miurn auch :.it Tian.iieilon ^er c:;is^ r.c_f ]ir völlig auaserhalb der Eir.itteraone liojyn, vorbunion :-.ir.. I ^f;r I!:Zbl.it-.r;. "r.cr lcann faisser der iir:ittersone, der :iasis2-r>ne un.l dor "olle!·.* :rs .no weitere Zonen enthalten und z.T.. cii;-;-ii Teil einer inte.;riorten -'ch.nl-fruii,; billon.

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Claims (1)

1. IhT. 357 1.

   1. Tr'-n-viatcr, :1er ei non I:alblc-iterk"-TT,^r K.it cir.tr .'"-,] loktoi-iwie, c-inor an eine praktisch ebene ;*bcrf lache jrer;zer.5.er. .·<&3ί3ζ:·ηΘ unl cinor nur an :ie erwähnte Oberfläche :;rers::eiiden unl v,'uit<?r vclli ■·. •Aur-h die -χι sirene ur rennen 3 rhi jhtf "rri;;nn jr.iti.ex: ne, die rr.it "ffnun^cr. ver.;oLt-n iot, enthalt, wotoi -i" J:^:.3^; 3r,one-ir. len "f ;ni;n.;on 'ler Sr.itterzcne ar. lic ervi'Vlir.te '.borriciclic _-rcr:-,t, ',.''ua^enl ".uf der orväLiiten ^r-btrfläah£i eino iaolieri^le 3ckio.it an -cbr teat i:it, lit ν,ciii -utui.s iie Schnittlinie ⁷ec I-iiittcr-^'a^is-^cr^ii^G mit -iieser " j«rfläche bedec":t,-'•,'r-b'-i aie Jasij^c-ne, ■,r^r.i^'atens an ler Stelle -3er ervrfihnten "ff:run'or._? unl .lic "r.ittcr::.nc; -:''-.rnh rV-ncter in der I3olier5c>.icht rr.it iinerr. iasis-V: on talc t b^v/. oinci;, rj..itterkcntakt verehr.; on sir.:., la.'Iur..::: ,;c'-:finr.seiohn«-t, dass die mit "ffnunjen versehene Zr.it terzjne aus r.in.". c.:ton:j c.rci -Itirch die :Jasionone voneinander getrennten Teilen besteht,

   2. TTv-naiotor nach Anapruoh 1, dadurch ,-jekonnrx'iohnet, dass jeder Teil der Smitterzcne mindestens svrei nebeneinander liegende Seihen von ^ffmai^sn auf v/eist, v.^rä'hrend der Basialcontakt eine auf der Isolierschicht lie_:;enie Basiskontaktsohiclit" rr.it mehreren Fin.^err. ist, deren jede sich über -ine 2eihe von "fi'r.uivton erstreckt und wenigstens an der /Jteile dieser '"ffnungeri r;.it der Basiszone verbunden ist, t.'cbei der Hhiitter— kontakt eine auf der Isolierschicht lier;e-nlö Emitt--rktr.taktsshioht ist_s 'ie r.ehrere I'1r«~er hat, die ;:.it der fitter zone verbunden sini_s und vrobei die Basinkuntaktschicht uni die ikitterk:ntaktschioht ein interdigital es Syst er: bilden»

   2» Transistor naoh Anspruch 1 oder 2_? bei der; der lifcitter—

   kontakt mit eineis Anschluß3leiter vorsehen lat, dr^durch ..tekennscichnet, cbos sich ini Yerbinduiigsweg zwischen federn der voneinander getrennten

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   J in:. 3?71.

   "Teilen der lir.ittersone und deir. Anschlussleiter mindestens ein Reihenwiderstand befindet.

   4. Transistor nach Anspruch 3, dadurch ,-ekenncclehnet, dass

   wenigstens einige der erwähnten i'.eihemriderstände einen Teil der selben ,-reschlossenen.'λiderstandsschickt bilden.

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