DE1789104C - Verfahren zum Herstellen eines Kon densators mit Metalloxid Dielektrium Ausscheidung aus 15 6415 9 - Google Patents

Description

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! I .τ-'elking \.·η .'wei aUiere Belage und einen Mittel- Ά'Ί¹ 1 ■ ν: tu.·. i,,'l>er Γ c:iiper:it lm" eingebrannt, i )ie

he!:i.^; aufweisenden Kondensatoren aK un:er-;e und genau;, '!enwr u-.r _:-i ·■>·]) den; ">i.hmcl/'piiiikι ι!·.·-.

oberste Schieii! jeweils eine dotierte i iiciektrikum- ' er\ er.detev, Mr.tergui- abhängig, lu-'ji aber im alige-

sehii.lv aufgebracht wird. r,-ii;e:i πι ile; OriilXMH¹! JtHin·.,' .on M) C. \n-

["!■e ertindimgsüeinäßen Kondensatoren la^en Mei· 5 ■•.T-lielH.T.d wird ü.i- dielektrische Matermi 211 in I-.--nn

v.r.}- in vorteilhafter Weise in· Siendrucr. erfanren emer t'aste a¹.;¹' den cr>:or, BeIa;: 22 aufgetragen. !):e

hcrsiel'ei'.. U'.'."-e: die Sehknlen hiiitereinar.-jjr ;ili!" ru-icnionmg-i. M is-e besieh: aus einer !einr¹·¹'¹· e:

ein >uh.sirat auiüedrtiekt werden. Duien entsprechende sienen Mischung a·..^ /mk"\k'- nut! W'i-.Mi'.iii »ι/

Gestaltung der vchichien lasten sieh dann an--, liliel.ietui ieiLheri zusamme!· mi^; dem einwertigen 1 ),>ικτι.ιη j^-

IP. entsprechenden Bohrungen die Ansciiiiil.^tiite :o s'.off der in |-"rm eii.e^ ^al/c. wie /. B K tipi er in. ■ r.

.'!.ι den ein/einer, Belägen einführen. Silbernnra; ·.'der I : hpimmirat. dt·- in einem ^e-

V. euere \ erteile der Erfindung ergehen sich .u:> der eigneten Bindemittel enthalten lsi. de^r Mischung /u-

nachfolgende:i Beschreibung mehrerer Ausführungs- geuebe·· .-.Ir₁!.

bespiele an Hand der Zeichnungen, ts /em; ! Ji<_- Au^Hihrungv >rm eines Ki'iideri-iaii'i'-. tun,.ι.

'-ig. I einen Kondensator üblicher Hauweise in; :; de¹ i.iiinüuüg i.-'. iv: i ig. 2 und 3 dameslelü. rv

Scnnm. vvel.;tien" überr.Liv'lenderwei^e eine I )ieh-ktri/it.!'.~-

K ! g 2 einer. Sehnitt durch ein erstes Ausfuhrung-- r.,';i>iaiiic in der (irohemTdtiLiiv^ ■■'■<■'■■ !5MO. also u:\\

beispiei eines Kondensators, der mit dem Verfahren 5"",. mehr als ^-u-;;·! Kondensator nach \ ig. '·. /u

gemäß der Erfindung hergestellt wurde. er/ie'e" is!, wobei sich gute Uämpfungseigensc'-vanei

F i g. 3 einen \ergrößerten Ausschnitt aus der Dar- 20 bei hohem Gleichstromwide- and und hohem Q-Wert

stellung nach F i g. 2, ergeben. Der Kondensator u^is' die Beläge 32 und 3^

F i g. 4 ein Flußdiagramm zur Beschreibung der auf. Zwischen den Belägen beiindet sich ein Dielektn-

Herstellung eines Kondensators gemäß der Erfindung, kum 36 aus Zinkoxid und Wismutoxid. Ein Auifen-

F i g. 5a und 5b den Schnitt durch ein zweites diele!· trikum 38. bestehend aus Zinkoxid. Wismut-

Ausführungsbeispiel des Kondensators, der mit dem 25 ι id und einem positiven einwertigen Dotierungsstoff

Verfahren gemäß der Erfindung hergestellt wurde, so- im Bereich von 0.01 bis 3.0 Molpro/ent. befinde!

wie das zugehörige Schaltbild. sich über mindestens einem der beiden Beläiie. Wäh-

F i g. 6a und 6b den Schnitt durch ein drittes Aus- rend des Hersteliungsprozesses wird der einwenige

führungsbeispiel des Kondensators, der mit dem Ver- Dotierungsstoff in der äußeren dielektrischen Schicht

fahren gemäß der Erfindung hergestellt wurde, sowie ;io 38 veranlaßt, durch die Poren des zweiten Belages 34

das zugehörige Schaltbild. hindurch in die Korngrenzen des Innendiel·.-' trikums

F i g. 7a und 7b den Schnitt durch ein viertes Aus- 36 einzudiffundieren. Das geschieht wirzi.gsweise

führungsbeispiel des Kondensators, der mit dem Ver- dadurch, daß der Kondensator bei einer Temperatur

fahren gemäß der Erfindung hergestellt wurde, sowie \on etwa 850 bis 1100 C etwa 1 Stunde lang gebrannt

das zugehörige Schaltbild. 35 oder gesintert wird, um den einwertigen Dotierungs-

F i g. 1 zeigt einen Kondensator üblicher Bauart, stoff aus der dielektrischen Außenschicht 38 durch die

worin ein Dielektrikum 20 zwirnen zwei Belägen 22 Poren des zweiten Belages 34 hindurch in die Korn-

und 24 auf einem dielektrischen Substrat 26 durch grenzen der dielektrischen Zwischenschicht 36 ein-

mehrere aufeinanderfolgende Beschichtungs- und diffundieren zu lassen. Der Kondensator kann auch

Brennvorgänge aufgebracht ist. Dieser Entkopplungs- 40 auf einem Substrat 40 aufgebracht sein. F i g. 3

kondensator enthält gemäß dem genannten älteren deutet die Diffusion des einwertigen Dotierungsstoffes

Vorschlag mindestens etwa 94 Gewichtsprozent Zink- durch die Belagschicht hindurch in die Korngrenzen

oxid, nicht mehr als etwa 6 Gewichtsprozent Wismut- der dielektrischen Zwischenschicht 36 an.

oxid und einen positiven einwertigen Dotierungsstoff Ein bevorzugtes Verfahren zur Herstellung des

in einer Konzentration zwischen etwa 0,01 und 3,0 Mol- 45 mikrominiaturisierten Entkopplungskondensators ge-

prozent. Als Dotierungsstoffe sind Silber, Lithium und maß der Erfindung läßt sich an Hand des Flußdia-

Kupfer verwendbar. Bevorzugt wird Kupfer. gramms nach F i g. 4 erläutern. Ein geeignetes dielek-

Durch die Zugabe des einwertigen Dotierungs- trisches Substrat, das aus einem keramischen oder

stoffes wird der spezifische Widerstand wesentlich glasartigen Ivlaterial besteht, wird mit einer ersten

erhöht, und zwar von etwa 1 · 10⁴ Ohm · cm des 50 Belagschicht versehen. Diese erste Belpgsch.'cht kann

Kondensators auf etwa 1 · 10⁸ Ohm · cm. Weiter ist nach einem der herkömmlichen Verfahren aufge-

der (2-Wert bei 1 MHz um das Zehnfache von 0,1 auf bracht werden, wie z. B. durch Aufdrucken oder durch

1 erhöht. Die Dämpfung bei 10 MHz ist von etwa ein anderes aus der Halbleilctechnik bekanntes

8O°o auf eine Dämpfung von über 98% gesteigert. Elektrodenaufbringungsverfahren. Dann wird der

Diese Verbesserungen gehen jedoch auf Kosten einer 55 Belag, wenn nötig, eingebrannt,

wesentlichen Verminderung der Dielektrizitätskon- Das Zinkoxidpulver und das Wismutoxidpulver

stante des Materials, d. h. von etwa 2000 auf 1000 bei werden uni.ohängig voneinander zu kleiner Fcilchen-

1 MHz, und einer Erhöhung der komplexen Impedanz größe zermahlen, und zwar tm'cr Anwendung her-

von einem bis unter 1 Ohm fallenden Wert auf einen körnmlicher Mahlverfahren, wie ζ. Β durch Mörser

konstanten Wert zwischen 2 und 3 Ohm im Frequenz- 60 und Stößel, Dreiwalzenmühle oder Kugelmühle,

bereich von 10 bis 1000 MHz. Wird mit Mörser und Stößel gemahlen, kann Wasser

Ein solcher Dünnschichtkondensator gemäß dem oder eine andere neutrale Flüssigkeit während des älteren Vorschlag läßt sich auf einem dielektrischen Mahlvorganges dem Pulver zugesetzt werden. GeSubstrat 26 in der Weise herstellen, daß ein erster eignete Mengen der beiden Pulver werden im trockenen Belag 22 auf das Substrat 26 z. B. dadurch aufge- 65 Zustand innig gemischt und dann zusammen mit bracht wird, daß eine Gold-Platin-Paste mit Glaszu- einem geeigneten Binder vermischt, bis eine Paste !,atz mit Hilfe eir^s Siebdruckverfahrens auf das entstanden ist. Der Binder wird in solchen Mengen Substrat aufgetragen wird. Die Gold-Platin-Paste zugesetzt, daß die Paste einen Feststoffgehait von etwa

7O°/o aufweist. Ein geeigneter Binder bestellt aus einer Kombination von Beta-Terpentinöl und Äthylzellulose, wobei das Terpentinöl etwa 90°/₀ des Binders ausmacht. Die erste dielektrische Schicht oder das Zwischendielektrikum wird vorteilhafterweise in zwei Tcilschichten aufgebracht. Die dielektrische Paste wird mit herkömmlichen Druckverfahren auf den ersten Belag aufgetragen, so daß eine erste Teilschicht entsteht. Dann wird das Substrat mit dem Belag und der dielektrischen Tcilschicht in einem Ofen bei einer Temperatur zwischen etwa 850 und 1100 C gesintert. Die dielektrische Tcilschicht wird vorzugsweise durch einen Strom eines auf die Kondensatoroberfläche geleiteten Kühlgascs abgekühlt. Natürlich sind auch andere Kühl verfahren möglich. Fine zweite dielektrische Tcilschicht wird dann auf die erste dielektrische Tcilschicht aufgebracht und getrocknet, so daß die Bildung des Zwisehcndiclcktrikums 36 abgeschlossen ist. Danach wird der zweite Belag 34 in derselben Art und Weise auf das Zwischcndielcktrikum aufgetragen, wie der erste Belag 32 auf das dielektrische Substrat aufgebracht worden ist. Der zweite Belag ist vorzugsweise von gleicher Zusammensetzung wie der erste.

Halls erforderlich, wird der zweite Belag dann eingebrannt. Zinkoxid. Wismutoxid und ein positives einwertiges Dotierungsstoffpulver, das etwa 0,01 bis 3,0 Moipro/cnt der Mischung ausmacht, werden als Pulver innig miteinander vermischt. Die Pulver werden dann mit einem Binder gemischt, wie es oben beschrieben ist. Die sich so ergebende Paste wird dann auf den zweiten Belag aufgedruckt, so daß eine /weite dielektrische Schicht 38 oder Außendielektrikum entsteht. Das Ganze wird bei einer Temperatur von etwa 850 bis 1100 C etwa 30 bis 80 Minuten lang (je nach der angewendeten Temperatur) eingebrannt. Bei dieser Temperatur und während dieser Zeit diffundiert der einwertige Dotierungsstoff durch den porösen zweiten Belag hindurch und in die Korngrenzcn des Innendielektrikums ein. Der so entstandene Kondensator wird dann aus dem Ofen herausgenommen und wieder abgekühlt.

Fig. 5a zeigt einen aus zwei zueinander parallelliegenden Kapazitäten bestehenden Kondensator mit einem gemeinsamen Belag, dessen Schaltungsschema in F i g. 5b dargestellt ist. Der gemeinsame Belag 50 ist auf ein Substrat 52 aufgebracht. Das Zwischendielektrikum 54. das aus den oben beschriebenen ersten und zweiten Teilschichten besteht, bedeckt den gemeinsamen Belag SO. Die Beläge 56 und 58 vervollständigen die beiden Kondensatoren. Das Außendielektrikum 60 ist die Schicht, welche den Dotierungsstoff enthält, der durch die Beläge 56 und 58 hindurch in die K umgrenzen der Schicht 54 eindiffundiert. Die Beläge sind an Anschlußstifte 62 angeschlossen.

F i g. 6 a zeigt ein Qbereinandergeschichtetes Paar von Kondensatoren, dessen Schaltungsschema in F i g. 6b dargestellt ist. Das Außendielektrikum 66 ist auf das Substrat 68 aufgebracht, über dieser Schicht 66 liegt dann der erste Belag 70, der vom Innendielektrikum 72 bedeckt ist, das ja vorzugsweise aus zwei Teilschichten zusammengesetzt ist. Auf die Schicht 72 ist ein weiterer Belag 74 aufgebracht, auf welchen die dielektrische Innenschicht 76, der Belag 78 und das abschließende Außendielektrikum 80 folgen. Die Außendielektrika 66 und 80 enthielten ursprünglich die Dotierungsstoffe, die später in die Korn grenzen der Innenschichten 72 und 76 eindiffundiert sind. Die Beläge sind an Anschlußstifte 82 angeschlossen, der mittlere Anschlußstift ist gegenüber dem Belag 70 durch ein entsprechendes Loch mit dem hierin enthaltenen dielektrischen Material isoliert.

F i g. 7a zeigt ein weiteres ilbereinandcrgcschichtctcs Kondensatorpaar, dessen Schaltungsschema in Fig. 7b dargestellt ist. Das Substrat 88 trägt eine dielektrische Schicht 86, auf welcher nacheinander

ίο der Belag 90, die dielektrische Schicht 99, der Belag 94. die dielektrische Schicht 96, der Belag 98 und die dielektrische Schicht 100 aufgebracht sind. Die dielektrischen Schichten 86 und 100 enthielten ursprünglich die Doticrungsstoffe, welche später in die Korngrcnz.cn der Innendiclektrika über die jeweiligen Beläge 90 und 98 hindurch eindiffundiert sind. Die Beläge sind in entsprechender Weise an die Anschlußstiftc 102 angeschlossen.

Die Zusammensetzung des Dielektrikums ist kri-

ao tisch, damit die gewünschten Kondensatorcigcnschaften bezüglich des hohen Glcichstromwidcrstandes und der gewünschten Dämpfung erhalten werden. Dielektrisches Material von mindestens 94 Gewichtsprozent Zinkoxid und höchstens 6 Gcwichtsprozent Wismutoxid stellt hierbei eine grundlegende Erfordernis dar.

Eine bevorzugte Zusammensetzung enthält 96 bis 98 Gewichtsprozent Zinkoxid mit dem Rest Wismutoxid.

Abschließend werden einige Yersuchsergebni««· und deren Diskussion gebracht.

Für die Versuchsreihe wurden zwei Arten von dielektrischen Halbleitermaterialien vorbereitet. Das erste enthielt 97 Gewichtsprozent Zinkoxid, 3 Gewichtsprozent Wismutoxid und t Molprozent Kupfcrtitanat, und das zweite dielektrische Material bestand aus 97 Gewichtsprozent Zinkoxid und 3 Gewichtsprozent Wismutoxid. Jedes dieser Materialien wurde für sich zunächst 15 Minuten lang in einer Mörservorrichtung zerkleinert und dann durch eine Dreiwalzenmühle weiter behandelt, bis eine Teilchengröße von etwa 7,5 mm festgestellt wurde. Dann wurden die Materialien abgewogen, gemischt, und mit einem 30 Gewichtsprozent ausmachenden Binder, bestehend aus 94° ₀ Beta-Terpentinöl und 6°/₀ Äthylzellulose zu Pasten verarbeitet.

Die Kondensatorkonfiguration entsprach jeweils der in Fig. 2. Die Beläge wurden, wie bereits erwähnt, aufgetragen, getrocknet und eingebrannt. Anschlie-Bend wurde dann auf den zweiten Belag ein Außen- dtelektrikum aufgebracht. Diese dielektrische Schicht wurde in jedem Falle hn Siebdnickverfahrcn hergestellt, IS Minuten lang bei ISO⁰C getrocknet, SO Minuten lang bei 1000⁰C eingebrannt und dann abge- kühlt.

Die vorliegenden Beispiele unterscheiden sich untereinander durch das Vorhandensein oder Fehlen eines Dotierungsstoffes in der inneren oder äußeren dielektrischen Schicht, wie es ans der Tabelle hervorgeht.

Die Beispiele 3 und 4 sind jedoch insofern verschieden zueinander, als im Beispiel 3 das Außendielektrikum den zweiten Belag vollständig bedeckt und darüber hinaus noch mit großen Teilen des Innendielektrikums in Berührung steht, wie es etwa F i g. 2 zeigt, wohin-

⁶S gegen im Beispiel 4 das Außeudielektrikum auf einen kleinen punktförmigen Bereich begrenzt ist, der nui in Kontakt mit dem zweiten Belag steht, so daß da; Innendielektrikum hiervon nicht berührt wird.

ft

	7	dielektrikum	1 789 104	Dämpfung (7o bei	Q	8	Π bei 1 MHz	Impedanz
	Dotierung in *' Innen- AulJcn-	nein		10 MHz)			(Ohm)
Beispiel	cjiclektrikum	ja	Spezifischer Widerstand	80	Diel.-Konst. bei 1 MHz	0,1—0,3	1
	nein	ja	(Ohm · cm)	98		1—2	2—3
1	ja	ja	10«	98	2000	1—2	1—2
2	nein	10"	98	1000	1—2	1—2
3	nein	10"	1500
4	10"	1500

Mit dem fertigen Kondensator wurden dann jeveils Standardprüfungen ausgeführt. Aus den Ergebnissen geht hervor, daß die Kondensatoren nach den Beispielen 3 und 4, bei denen es sich um die bevorzugte Kondensalorstruktur handelt, welche mit dem Verfahren gemäß der Erfindung hergestellt wurde, die überlegenen Kondcnsatorcigcnschaftcn aufweisen. Beispiel 1 zeigt, daß die Wirkung des Fehlens eines Doticrungsstoffes in den dielektrischen Schichten darin besteht, daß der Glcichstromwidcrstand und der ß-Wcrt niedrig sind, die Dämpfung nur 80°/₀ beträgt und die Dielektrizitätskonstante allerdings hoch ist. Beispiel 2 zeigt, welche Wirkung die Anwesenheit von Doticrungsstoffen in der ersten und der zweiten dielektrischen Schicht hat. Das Beispiel 2 besitzt bereits ausgezeichnete Eigenschaften, abgesehen von einer etwas zu niedrigen Diefcklrizitätskonstanten und einer höheren Impedanz. Die überraschende 50°/„ige Steigerung der Dielektrizitätskonstante in den Beispielen 3 und 4 gegenüber dem Kondensator des Beispiels 2, und zwar für den Fall, bei dem ein Dotierungsstoff nur in der äußeren und nicht in der inneren dielektrischen Schicht vorhanden ist, ist beachtlich.

Zwischen den Beispielen 3 und4 wurde kein nennenswerter Unterschied in den Eigenschaften festgestellt Das bedeutet, daß es für die erfindungsgemäße Wir kung bedeutungslos ist, ob sich das Inncndielcktrikun und das Außcndiclcktrikum berühren oder nicht.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

309 6:

Claims (4)

1 2 und p-1\ps ah besondere \orieilhafi anzusehen, da hiernii; kleine kondensatoren hoher Kapa/itä! bei I J1^.!: ..i i^prüL'ι. hohen Betriebsfrequen/en bereitgestellt werden kön nen. Da das Bes'reber. in der niikrominiaturistischen

1. \ erklären /i;ü! tierstellen eines is.onüen- j Schaltungstechnik, insbesondere bei integrierten Schalsators mit Mei.Uloxid-DieiekirikLirVi. ^ei den' au; Hingen, dahingeht, möglichst \ iile Anwendungsgebiete eine I nterlage dieiektn.schc Schichten, die aus hiermit /l. erfassen, ist ·_·.·, nur natürlich, alle Anmindcstens ^l.'4 üe\>. tchispro/en! /inko\id und aus strengungen auf die Schaffung -on elektrischen Bauhöch-,ien> d Gewichisprozem p-leiiendeni O\io- elementen /u richten, die bei denkbar geringen Abhal'nleiterniaier;.!'. vie W ι-;i~.uι;rii>\id. Bleioxid. io me.ssungen ion hrtchstmöslicher Leistungsfähigkeit Kupferoxid bestehen, und au- Ldelmetaii-L'.'gie- sind. Dies eilt insbesondere von Kondensatoren, bei rungspaste erstellte Beläge ühereinandergeschichtei denen bekanntlieh ja die Ahniessung von wesentlicher und gebrann! werden, d a l' u γ >. h ge k e π ι. - Bedeutung fur ihre Eigenschaften sind, wie Kapazität, ζ e i L h ; e !. daH mindestens ein elektrisch leiien- ( ^requenz\ erhalten, Dämpfung.

ujt Beiag !34. 56. 58. 7(1. 78. 90. 98: mi·, einer i; Die Aufgabe vorliegender Erfindung besteht darin.

Dielekirikupischichi (38. 60. 66. 80. 86. 100) im ein Herstellungsverfahren für Kondensatoren unter

wesentlichen außerhalb des bei an den Konden- \"^..vendung des oben beschriebenen DieL-ktrikums

sa'.or angelegter Spannung wirksamen elektrischen anzugeben, um Kondensatoren mit gegenüber bisher

Feldes •"schic Uet wird. Jeren Material gegenüber wesentlich verbesserten elektrischen Eigenschaften

dem ii ',esenti'chen dem elektrischen Feld aus- ac bereitzustellen.

gesetzten Dielektrikum (36, 54, 72. 76, 96, 99) mit Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch ge-

0.01 bis 3 Molprozent einer positiven, einwertigen löst. daB mindestens ein elektrisch leitender Belag

Substanz, wie Kupfer, Silber. Lithium dotiert ist. n-.it einer Dielektrikumsschicht im wesentlichen außer-

und daß der Kondensator bei einer Temperatur halb des bei an den Kondensator angelegter Spannung

zwischen 850 und 1100 C gebrannt oder gesintert 25 wirksamen elektrischen Feldes beschichtet wird, deren

wird, wobei die Dotierungssubstanz durch den Material gegenüber dem im wesentlichen dem elek-

Belag (34. 56. 58. 70. 78. 90. 98) in das im wesent- tnschen Feld angesetzten Dielektrikum mit 0.01 bis

liehen dem elektrischen Feld ausgesetzte Dielektri- ? Molprozent einer positiven einwertigen Substanz,

kum (36, 54. 72. 76. 96. 99) eindiffundiert. wie Kupfer. Silber. Lithium dotiert ist. und daß der

2. Verfahren nach Anspruch 1. dadurch gekenn- 30 Kondensator bei einer Temperatur zwischen 850 zeichnet, daß das im wesentlich.η dem elektrischen und i 100 C gebrannt oder gesintert wird, wobei die Feld ausgesetzte Dielektrikum (36) aus 97 Ge- Dotierungssubstanz durch den Belag in das im wesentwichtsprozent Zinkoxyd. 3 Gew,.htsprozent Wis- liehen dem elektrischen Feld ausgesetzte Dielektrikum muttrioxid hergestellt wird und das im wesent- eindiffundiert.

liehen nicht dem elektrischen Feld ausgesetzte 35 Es soll also nicht die Hersteilung eines Dielektrikums

Dielektrikum (38) zusätzlich mit 1 Molprozent an sich die eigentliche Erfindung ausmachen, sondern

Kupfertitanat dotiert wird. vielmehr die des Kondensators al: Ganzen. *

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch Wie weiter unten noch näher ausgeführt, hat sich gekennzeichnet, daß bei der Herstellung von überraschend gezeigt, daß ein gemäß der Erfindung Kondensatoren, die zwei äußere Beläge (70. 78, 90, 40 hergestellter Kondensator, also ein solcher, bei dem 98) und einen Mittelbelag (74, 94) aufweisen, als das Außendielektrikum mit einer positiven, einwertigen unterste (66, 86) und oberste Schicht (80, 100) Substanz dotiert wird, eine wesentlich höhere Dijeweils eine dotierte Dielektrikumschicht aufge- elektrizitätskonstante sowie einen höheren spezifischen bracht wird. Widerstand besitzt als es bei Kondensatoren der Fall

4. Verfahren nach mindestens einem der An- 45 ist, deren Innendieleklrikum dotiert ist oder die Übersprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die haupt nicht dotiert sind.

Schichten im Siebdruckverfahren aufgebracht wer- Eine besonders vorteilhafte Ausführungsform ergibt

den. sich, wenn gemäß einer Weiterbildung der Erfindung

das im wesentlichen dem elektrischen Feld ausgesetzte

so Dielektrikum aus 97 Gewichtsprozent Zinkoxid, 3 Ge-

w ichtsprozent Wismuttrioxid hergestellt wird und das

im wesentlichen nicht dem elektrischen Feld ausgesetzte Dielektrikum zusätzlich mit 1 Molprozent Kupfertitanat dotiert wird.

55 Wie bereits an anderer Stelle ausgeführt, werden

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Her- Kondensatoren mit dem eingangs beschriebenen Distellen eines Kondensators mit Metalloxid-Dielektri- elektrikum als Entkopplungs- oder Entstörungs- kum, bei dem auf eine Unterlage dielektrische Schich- kondensatoren bei mikrominiaturisierter Schaltungsten, die aus mindestens 94 Gewichtsprozent Zinkoxid technik verwendet. Bei Einsatz dieser Kondensatoren und aus höclistens 6 Gewichtsprozent p-Ieitendem 60 soll dabei eine möglichst hohe Dämpfung erzielt Oxidhalbleitermaterial, wie Wismuttrioxid, Bleioxid, werden. Der Kondensator gemäß vorliegender Er-Kupferoxid, bestehen und aus Edelmetall-Legierungs- findung ist nun vorzüglich für eine solche Aufgabe paste erstellte Beläge übereinandergeschichtet und geeignet, indem nämlich hiermit eine Dämpfung von gebrannt werden. über 98°/„ erzielt wird. Bei Maßnahmen zur Ent-

Gemäß einem älteren Vorschlag (s. hierzu die 65 störung bzw. zur Entkopplung werden vielfach Mehr-Offenlegungsschrift 1 514 003) ist dabei ganz allgemein fachkondensatoren eingesetzt. Mehrfachkondensatoren schon die Verwendung dieses Dielektrikums aus einer der oben beschriebenen Art lassen sich erfindungsgesinterten Mischung von Halbleiteroxiden des n- gemäß in vorteilhafter Weise bereitstellen, indem be.