DE1774109A1 - Arrangement for data processing with matrix with replacement elements - Google Patents
Arrangement for data processing with matrix with replacement elementsInfo
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Description
Anordnung für Datenverarbeitung mit Matrix mit Ersatzelementen Arrangement for data processing with matrix with replacement elements
Die Erfindung betrifft eine Anordnung für Datenverarbeitung mit wenigstens einer Matrix (Speichermatrix oder Auswahlmatrix), die eine vorgegebene Anzahl von Elementen (Speicher- oder Auswahlelementen) aufweist, wobei eine Vielzahl von Elementen der Matrix in jeweils einem Arbeitsgang hergestellt sind. Wie viele es jeweils sind, ist - wie an sich bekannt - vom Einzelfall abhängig.The invention relates to an arrangement for data processing with at least one matrix (memory matrix or selection matrix), which has a predetermined number of elements (memory or selection elements), wherein a plurality of elements of the matrix are each produced in one operation. How many each is - as is known per se - dependent on the individual case.
Es ist bekannt, Speichermatrizen in der Weise herzustellen, daß die einzelnen Elemente einer solchenIt is known to produce memory matrices in such a way that the individual elements of such
Kra/RlKra / Rl
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PA 9/501/406 - 2 -PA 9/501/406 - 2 -
Matrix, ζ. B. als Magnetfilni-, Supraleitung- oder Perritschichtspeicher. in einem gemeinsamen Arbeitsgang, ζ. B. durch ein- oder mehrfaches Aufdampfen hergestellt sind (batch-fabrication).Bei einer derartigen Herstellungsweise läßt es sich auch bei größter Sorgfalt nicht vermeiden, daß einzelne Elemente einer ganzen Matrix in irgendeiner Weise unbrauchbar sind. Andererseits würde aber im Normalfall schon ein einziges unbrauchbares Element in einer Matrix grundsätzlich die ganze Matrix wertlos machen»Matrix, ζ. B. as Magnetfilni-, superconductivity or Perrit layer storage. in a joint operation, ζ. B. by single or multiple vapor deposition are manufactured (batch fabrication) Production method, even with the greatest care, cannot avoid that individual elements an entire matrix are in some way useless. On the other hand, it would normally even a single unusable element in a matrix basically makes the whole matrix worthless »
Was unter einer Speicher- oder einer Auswahlmatrix im Sinne der Erfindung zu verstehen ist, ist der folgenden Beschreibung, insbesondere zu den AusführungsbeisTDielen, zu entnehmen.What is to be understood by a memory matrix or a selection matrix in the context of the invention is as follows Description, in particular of the example boards, refer to.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Matrix anzugeben, die derart ausgestaltet ist, daß trotz Vorhandenseins einzelner unbrauchbarer Elemente in der Matrix bei der bestimmungsgemäßen Verwendung derselben auf den Umstand des Vorhandenseins dieser einzelnen unbrauchbaren Elemente keine Rücksicht genommen zu werden braucht»The object of the invention is to provide a matrix which is designed in such a way that, despite its presence individual unusable elements in the matrix in the intended use of the same on the circumstance the presence of these individual unusable elements need not be taken into account »
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Matrix über die erforderliche Mindestanzahl von Elementen hinaus mit Reserveelementen ausgestattet ist, die zusammen mit den übrigen Elementen der Matrix hergestellt sind und von denen einzelne als Ersatz für einzelne unbrauchbare Elemente und/oder von denen eine Gruppe als Ersatz für eine entsprechende Gruppe von Elementen mit wenigstens einem unbrauchbaren Element mit den jeweiligen noch offenen elektrischen AnschlüssenThis object is achieved according to the invention in that the matrix over the required minimum number of Elements is also equipped with spare elements, which are made together with the other elements of the matrix and some of which are used as a replacement for individual unusable elements and / or one of which Group as a replacement for a corresponding group of elements with at least one unusable element with the respective electrical connections that are still open
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ORIGINALORIGINAL
PA 9/501/406 - 3 -PA 9/501/406 - 3 -
der Reserveelenente in der Matrix elektrisch ent-SOrechend angeschlossen sind. Vorzugsweise sind die einen oder mehreren Reserveelemente nach ihrer Herstellung und solange sie noch nicht in der Matrix verv/endet sind, bereits mit einem oder mehreren ihrer elektrischen Anschlüsse, jedoch noch nicht mit allen ihren Anschlüssen in der jeweiligen Matrix angeschlossen. electrically corresponding to the reserve elements in the matrix are connected. The one or more reserve elements are preferably after their manufacture and as long as they have not yet ended in the matrix, already with one or more of them electrical connections, but not yet connected with all of their connections in the respective matrix.
Die Überlegungen gingen dahin, daß durch nachträgliches " Anbringen elektrischer Verbindungen solche Elemente als Ersatz voll eingeschaltet werden können, die erfindungsgemäß noch gar nicht oder noch nicht mit allen ihren Anschlüssen elektrisch angeschlossen sindo Hierbei bieten der oder die jeweils noch offenen Anschlüsse die Auswahltnüglichkeiten für den Einsatz der Reserveeleraente. In etwa entsprechender Weise kann durch nachträgliches Unterbrechen eines der ursprünglich vorhandenen Anschlüsse ein nicht mehr erwünschtes, nunmehr unter Umständen störendes Element abgeschaltet werden. Diese Maßnahmen nach der Erfindung können so ausgeführt sein,The considerations were that by subsequent " Attaching electrical connections such elements can be fully switched on as a replacement, according to the invention not yet electrically connected or not yet with all of their connections o Here the connection (s) that are still open offer options for using the reserve elements. In approximately the same way, by subsequently interrupting one of the originally existing connections an element that is no longer desired and which may now be disruptive can be switched off. These Measures according to the invention can be carried out so
daß sie für den Anwender, wenigstens ohne eingehende g that they are available to the user, at least without an in-depth g
Untersuchung der Matrix, gar nicht bemerkbar sind»Examination of the matrix, are not noticeable at all »
Eine erfindungsgemäß ausgestaltete Matrix kann ohne weiteres mit einer völlig fehlerfreien, nur mit außerordentlichen Aufwand herstellbaren Matrix gleichgesetzt v/erden „A matrix designed according to the invention can easily be used with a completely error-free one, only with an extraordinary one Expenditures to produce a matrix are equated / grounded "
Weitere Einzelheiten der Erfindung gehen aus der Beschreibung und der Zeichnung zu einem besonders bevorzugten, in Schema vaedergegobenen Ausführungsbeispiel hervor.Further details of the invention can be found in the description and the drawing of a particularly preferred, Embodiment shown in the diagram.
, , 1774103,, 1774103
PA 9/501/406 -A- PA 9/501/406 -A-
Figur 1 zeigt das Schaltschema*einer wortorganisierten Speichermatrix 1 mit einer angenommenen Kapazität von 16 Worten zu' ,je 5 Elementen, entsprechend den 5 Bitleitungen 3. Die Matrix hat hier erfindungsgemäß jedoch 20 Wortleitungen 2 und 6 Bitleitungen 3 und 31. Die Wortleitungen 2 sind an ihrem einen Anschluß mit einem geraeinsamen Potential und an ihrem anderen Anschluß jede für sich mit einem zugeordneten Anschluß einer Auswahlmatrix 4 verbunden. Zum leichteren Verständnis ist in der Figur der Übergang von der Auswahlmatrix zur Speichermatrix durch eine waagrechte gestrichelte Linie 5 kenntlich gemacht. Die Auswahlmatrix 4 enthält für die 16 Ausgänge der Speichermatrix*. .die in dieser nach kathesischen Koordinaten verteilt sind, je Koordinate 4 Auswahlleitungen 6 und 7 mit den zugehörigen Anschlüssen. In der Auswahlmatrix sind im vorliegenden Falle Transistoren als Schaltelemente vorgesehen, von denen 16 Stück mit je einer Auswahlleitung von 6 und je einer Auswahlleitiing von 7 ve?r bunden sind. ler dritte Ausgang eines jeden Schalteleraents ist mit je einer Wortleitung 2 der matrix verbunden.Figure 1 shows the circuit diagram * of a word-organized Memory matrix 1 with an assumed capacity of 16 words to ', 5 elements each, corresponding to the 5 bit lines 3. The matrix has here, however, according to the invention, 20 word lines 2 and 6 bit lines 3 and 31 are each with a common potential at their one connection and each at their other connection connected to an assigned connection of a selection matrix 4. For easier understanding is in the figure the transition from the selection matrix to the memory matrix by a horizontal dashed line Line 5 marked. The selection matrix 4 contains * for the 16 outputs of the memory matrix. .in the these are distributed according to Cathesic coordinates, 4 selection lines 6 and 7 with the associated ones for each coordinate Connections. In the selection matrix are im present case transistors provided as switching elements, of which 16 pieces each with a selection line of 6 and a selection line of 7 each are bound. The third output of each switch element is connected to each word line 2 of the matrix.
Eine wie oben beschriebene Anordnung kann in der f-p3.ge.ite den Weise verwendet v/erden:An arrangement as described above can be found in the f-p3.ge.ite the way used v / earth:
Angenommen es soll die neunte Wortleitung 9 in cfer Speichermatrix angesteuert werden. Diese steht den Transistor 11 und über zwei Auswa^-leitungen den Eingängen 12 und 13 der Auswahlmatrix in Zur Ansteuerung v/erden in die Eingänge. 12 μηά. 13Assume that the ninth word line 9 should be in cfer Memory matrix are controlled. This is the transistor 11 and over two selection lines the inputs 12 and 13 of the selection matrix in For control v / earth in the inputs. 12 μηά. 13th
— 5 —- 5 -
ΡΛ 9/501/406 - 5 -ΡΛ 9/501/406 - 5 -
Impulse eingegeben, die bewirken, daß über den Transistor 11, mit dem die Eingänge verbunden sind, ein Strom in der Wortleitung fließt. Über die Bitleitungen 3 kann dann während der Impulse das in der Wortleitung 9 gespeicherte Wort ausgelesen oder nach Löschung der vorherigen Information dort ein neues Wort eingespeichert 'v/erden. Die übrigen Transistoren, die nur mit einem oder mit keinem der Eingänge 12 und 13 verbunden sind, liefern keinen Ausgangsstrom.Input pulses which cause that transistor 11, to which the inputs are connected, a current flows in the word line. The bit lines 3 can then be used during the pulses in the Word line 9 read out stored word or after deleting the previous information there a new one Word stored 'v / earth. The remaining transistors, which are connected to only one or none of the inputs 12 and 13 are connected do not provide any output current.
Um die Wortleitung 8 anzusteuern, muß entsprechend dem Schema der Figur 1 der Transistor 14 UUer die beiden ihm zugehörigen Leitungen der Auswahlmatrix mit entsprechenden Impulsen beaufschlagt werden.In order to control the word line 8, the transistor 14 UUer must according to the scheme of Figure 1 corresponding pulses are applied to both of the lines belonging to it in the selection matrix.
Fun ist stets damit zu rechnen, daß eine Speichermatrix und/oder eine Auswahlmatrix auch fehlerhafte Elemente haben. Fehler dieser Art sind z. B., daß ein oder mehrere Speicherelemente, die in der Nähe der Kreuzungspunkte von Wortleitung mit Bitleitungen in der Speichermatrix liegen, unbrauchbar sind und/oder, daß einer oder mehrere der Schalttransistoren der Aus- | wahlmatrix, die ebenfalls in einer "batch-fabrication" hergestellt sein kann, nicht den Anforderungen entsprechen. Weitere Fehler können Leitungsunterbrechungen und mangelhafte elektrische Kontakte, insbesondere in Bereich der Verbindungen zwischen Auswahlmatrix und Speichermatrix (im Bereich der gestrichelten Linie 5) sein. In diesem Bereich ist eine Ausbesserung oder ein nachträgliches Anbringen einer galvanischen Verbindung wegen der hohen Leitungsdifchte besonders schwierig»Fun is always to be expected that a memory matrix and / or a selection matrix will also be faulty Have elements. Errors of this type are e.g. B. that one or more storage elements that are in the vicinity of the The intersection points of the word line and bit lines lie in the memory matrix, are unusable and / or that one or more of the switching transistors of the off | choice matrix, which is also used in a "batch fabrication" can be manufactured, does not meet the requirements. Further errors can be line interruptions and poor electrical contacts, especially in the area of the connections between selection matrices and memory matrix (in the area of the dashed line 5). In this area there is a repair or a retrofitting of a galvanic connection is particularly difficult because of the high line thicknesses »
Damit nun nicht eine Speicher- und/oder Auswahlmatrix allein deshalb als unbrauchbar zu verwerfen ist, v/eilSo that a storage and / or selection matrix does not have to be discarded as unusable for this reason alone, v / eil
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in ihr einige wenige ζ. B. ein tausendstel der Speicher- oder Schaltelemente unbrauchbar ist, sind wie in der Figur dargestellt, überzählige aber erfindungsgemäß elektrisch noch nicht voll angeschlossene Schaltelemente in der Auswahlmatrix und überzählige Wortleitungen in der Speicherraatrix vorgesehen. Je ■' ointReserve-Schaltelement der Auswahlmatrix bildet hier zusammen mit einer Roservewortleitung eine ganze Reserveeinheit. Vorzugsweise ist bereits die galvanische Verbindung in dieser Reserveeinheit zur Vermeidung der oben erwähnten Schwierigkeit bereits vorhanden.in it a few ζ. B. a thousandth of the memory or switching elements is unusable, are as shown in the figure, but superfluous according to the invention Electrically not yet fully connected switching elements in the selection matrix and redundant ones Word lines provided in the memory array. Each ointReserve switching element the selection matrix, together with a rose word line, forms a whole Reserve unit. The galvanic connection is preferably already in this reserve unit to avoid the Difficulty mentioned above already exists.
Es sei angenommen, daß die aus dem Transistor'14 und dem dazugehörigen Wort 8 gebildete Einheit aufgrund irgend eines Fehlers unbrauchbar ist. In diesem Falle würde ohne die Anwendung der Erfindung ein Einspeichern oder Abfragen mit der Wortleitung 8 nicht möglich sein, bzw. würde durch Anlegen eines für die "Schaltelemente an sich geeignet bemessenen Impulspaäres an die zu dem Transistor 14 gehörenden Eingänge 15 und 13» trotz an sich intakter Wortleitungen im Speicher, keine Einspeicherung erfolgen, ein Signal z. B. verloren geheno Der erfindungsgemäß noch freie Eingang des Transistors der Reserveeinheit wird nun durch die nachträglich hergestellte Verbindung 22 mit dem Anschluß 15 bzw. mit der zun Anschluß 15 gehörigen Auswahlleitung' galvanisch verbunden. Der zweite Anschluß des Reservotransistors 21 mit der zu 13 gehörigen Leitung kann, wie im Falle des vorliegenden Ausführungsbeispiels, bereits bei der ursprünglichen Herstellung der Matrix mithergestellt ""sein., Um den Transistor 14 außerdem noch abzutrennen, kann an einer geeigneten Stelle die Verbindung z. B„ zwischen 14 und der Wortleitung 8 unterbrochen werden. Neue gal-It is assumed that the unit formed from the transistor 14 and the associated word 8 is unusable due to some error. In this case, without the application of the invention, storing or querying with the word line 8 would not be possible, or by applying a pulse pair suitable for the switching elements to the inputs 15 and 13 belonging to the transistor 14, despite be effected intact word lines in memory without storing such a signal. B. lost o the present invention still free input of the transistor of the reserve unit will now by the subsequently established connection 22 with the terminal 15 or with the initially terminal 15 associated selection line ' The second connection of the reserve transistor 21 with the line belonging to 13 can, as in the case of the present exemplary embodiment, already be produced during the original production of the matrix the connection, for example, between 14 and the word line 8 can be interrupted ue gal-
- 7 r- 7 r
209815/1321 : bad origi^l209815/1321: bad origi ^ l
17IL10917 IL 109
PA 9/501/406 - 7 - !//HIU*PA 9/501/406 - 7 -! // HIU *
vaniGche Verbindungen können insbesondere durch Auftragen von Leitsilber auf eine isolierende Z\/isehenschicht oder aber auch durch irgend eine andere bekannte Art der konventionellen diskreten elektrischen Verbindung, wie bei Baueinheiten der Mikroelektronik bekannt, hergestellt v/erden. Unterbrechungen von Leitungen lassen sich z. B. durch elektrisches Ausbrennen erreichen.VaniGche connections can be made in particular by applying conductive silver to an insulating layer or by some other known type of conventional discrete electrical Connection, as is known in the case of components in microelectronics, established v / ground. Line breaks can be z. B. can be achieved by electrical burnout.
Ein Anlegen von Impulsen an die Anschlüsse 15 und 13 schaltet hier anstelle des Transistors 14 den Transistor 21 ™ und benützt damit die Wortleitung 23 anstelle der Wortleitung 8. Hev Benutzer einer Anordnung nach Figur 1 würde den in dieser Anordnung an sich vorhandenen, aber durch eine der Erfindung gemäße Maßnahme beseitigten Fehler weder an den Anschlüssen der Auswahlmatrix noch an den Bitleitungen der Speichermatrix bemerken» Insbesondere würde sich keine merkbar unterschiedliche Ansprechzeit ergeben.An application of pulses to the terminals 15 and 13 switches the transistor 21 ™ here instead of the transistor 14 and thus uses the word line 23 instead of the word line 8. Hev users of an arrangement according to FIG The measure according to the invention eliminated errors neither at the connections of the selection matrix nor at the bit lines of the memory matrix. In particular, there would be no noticeably different response time.
Die v/eiteren in der Anordnung nach Figur 1 enthaltenen, vorzugsweise als ganze zusätzliche Spalte und/oder als ganze zusätzliche Zeile angeordneten Reserve-transistoren g können für die gleiche oder für ähnliche Maßnahmen herangezogen werden.The further ones contained in the arrangement according to FIG. 1, preferably as a whole additional column and / or as entire additional row of reserve transistors g can be used for the same or similar measures.
Im Sinne der Erfindung können anstelle oder zusätzlich zu Reserveelementen in der Auswahlmatrix auch zusätzliche Bitleitungen in der Speichermatrix vorgesehen v/erden. Eine solche zusätzliche Bitleitung sei die Leitung 31, die beispielsweise als Ersatz für die Bitleitung mit den Anschluß 33 durch die gestrichelt darge-For the purposes of the invention, instead of or in addition to reserve elements in the selection matrix, additional Bit lines provided in the memory matrix v / ground. Such an additional bit line is the line 31, which can be used, for example, as a replacement for the bit line with the connection 33 by the dashed line
—8 --8th -
PA 9/501/406 - 8 - . ■ . -.PA 9/501/406 - 8 -. ■. -.
gestellte, nachträglich angebrachte Verbindungsleitung 32 mit dem Anschluß 33 erfindungsgeraäß verbunden ist.provided, subsequently attached connecting line 32 is connected to the connection 33 according to the invention.
Auswahlnatrizen und/oder Speichermatrizen, die er- .
findungsgemäße Reserveelemente aufweisen, lassen sich
auch in anderen Systemen vorteilhaft anwenden.Selection matrices and / or memory matrices that he.
have inventive reserve elements, can
can also be used advantageously in other systems.
8 Patentansprüche
1 Figur8 claims
1 figure
Claims (8)
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19681774109 DE1774109A1 (en) | 1968-04-09 | 1968-04-09 | Arrangement for data processing with matrix with replacement elements |
| NL6904511A NL6904511A (en) | 1968-04-09 | 1969-03-24 | |
| FR6910692A FR2005851A1 (en) | 1968-04-09 | 1969-04-08 | |
| GB1774769A GB1259687A (en) | 1968-04-09 | 1969-04-08 | Improvements in or relating to data processing |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| DE19681774109 DE1774109A1 (en) | 1968-04-09 | 1968-04-09 | Arrangement for data processing with matrix with replacement elements |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1774109A1 true DE1774109A1 (en) | 1972-04-06 |
Family
ID=5702014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19681774109 Pending DE1774109A1 (en) | 1968-04-09 | 1968-04-09 | Arrangement for data processing with matrix with replacement elements |
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| FR (1) | FR2005851A1 (en) |
| GB (1) | GB1259687A (en) |
| NL (1) | NL6904511A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2739952A1 (en) * | 1977-09-05 | 1979-03-15 | Computer Ges Konstanz | LSI MOS memory system - has 8-k byte structure provided by layered discs with common input |
-
1968
- 1968-04-09 DE DE19681774109 patent/DE1774109A1/en active Pending
-
1969
- 1969-03-24 NL NL6904511A patent/NL6904511A/xx unknown
- 1969-04-08 GB GB1774769A patent/GB1259687A/en not_active Expired
- 1969-04-08 FR FR6910692A patent/FR2005851A1/fr not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2739952A1 (en) * | 1977-09-05 | 1979-03-15 | Computer Ges Konstanz | LSI MOS memory system - has 8-k byte structure provided by layered discs with common input |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2005851A1 (en) | 1969-12-19 |
| NL6904511A (en) | 1969-10-13 |
| GB1259687A (en) | 1972-01-12 |
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