DE1764065B2 - Method for manufacturing a semiconductor device - Google Patents
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Description
•ion enthält, auf der Oberfläche der Siliziumdioxydschicht, die als Maske dient, begleitet. Wenn ein die Oberfläche des Grundkörpers erreichendes Loch mittels Fotoätzung durch eine Glasscüicht und die Siliziumdioxydschicht darunter hergestellt wird, tritt das Problem der Uberätzung oder Seitenätzung auf, da die Ätzgeschwindigkeit eines Ätzmittels aus dem H F-HNO3-System für die Glasschicht etwa zehnmal so groß wie für die Siliziumdioxydschicht ist. Diese Erscheinung sollte, da sie unerwünschte Einflüsse auf die Eigenschaften der Halbleiteroberfläche, die Erzeugung einer Elektrodenschicht und die Eigenschaften eines Schutzüberzuges usw. ausübt, vermieden werden.• ion contains, accompanied on the surface of the silicon dioxide layer, which serves as a mask. If a hole reaching the surface of the base body is made by photo-etching through a glass layer and the silicon dioxide layer underneath, the problem of overetching or side etching occurs, since the etching rate of an etchant from the H F-HNO 3 system for the glass layer is about ten times as high as is for the silicon dioxide layer. This phenomenon should be avoided because it has undesirable effects on the properties of the semiconductor surface, the generation of an electrode layer and the properties of a protective coating, etc.
Weiter wird im Fall der Niederschlagsdiffusionsmelhode oder der einfachen Dampfphasendiffusionsniethode unabhängig von flacher oder tHer Diffusion ein Phosphorsilikatglas mit Phosphor von beträchtlich hoher Konzentration auf der Siliziumdioxydschicht gebildet. Während dieses Glas den Vorteil der sta- »0 bilen Steuerung der Zahl von Oberflächendonorniveaus in der Oberfläche des Siliziumgrundkörpers hat, kann es keine gute Oberflächenpassivierungsschicht sein, da es äußerst starke hygroskopische Eigenschaften aufweist. Es wurde vorgeschlagen, eine as andere Passivierungsschicht auf der Oberflächenschicht des Glases aufzubringen, die einer äußeren Atmosphäre ausgesetzt ist, oder die Oberflächenschicht zu entfernen. Diese Verfahren haben eine Bedeutung, das Problem der hygroskopischen Eigenschaften zu lösen, obwohl das erstere ein übermäßiges Ätzen mit sich bringt und das letztere eine stabile Kontrollmöglichkeit für die Donatorniveauzahl beseitigt. Um indessen die elektrischen Eigenschaften und die Verläßlichkeit der erzeugten Halbleiterelemente zu verbessern, ist es heute erforderlich, eine stabile Passivierungsschicht zu schaffen, die keine solchen sekundären Probleme mit sich bringt und verringerte hygroskopische Eigenschaften aufweist.Further in the case of precipitation diffusion melhode or the simple vapor phase diffusion rivet independent of shallow or diffusion a phosphosilicate glass with phosphorus of a considerably high concentration on the silicon dioxide layer educated. During this glass the advantage of stable control of the number of surface donor levels in the surface of the silicon base body, there cannot be a good surface passivation layer because it has extremely strong hygroscopic properties. It was suggested to use an as to apply another passivation layer on the surface layer of the glass, the one outer Atmosphere, or the surface layer to remove. These methods have a bearing on the problem of hygroscopic properties solve although the former entails excessive etching and the latter entails stable control eliminated for the donor level number. Meanwhile, the electrical properties and reliability To improve the semiconductor elements produced, it is now necessary to have a stable passivation layer that does not bring about and lessened such secondary problems has hygroscopic properties.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das eingangs genannte Verfahren so auszubilden, daß eine Halbleiteranordnung mit ausgezeichneten elektrischen Eigenschaften mit Hilfe einer durch einen Schutzüberzug stabilisierten Oberfläche wirksam herstellbar ist, die Zeit, während der eine auf der die Oberfläche des Halbleitergrundkörpers bedeckenden Schicht aus einer anorganischen Siliziumverbindung angeordnete, einen Leitungstyp bestimmende Verunreinigung enthaltende Glasschicht eine Oberfläche eir^s Halbleitergrundkörpers erreicht, verlängert wird, eine neue Art von zur Erzielung einer verhältnismäßig tiefen Diffusionsschicht in einem Halbleitergrundkörper geeigneter selektiver Diffusion geschaffen wird und das seitliche Ätzen eines auf einem Halbleitergrundkörper angeordneten Schutzüberzuges verringert wird.The invention is based on the object of developing the method mentioned at the outset so that a Semiconductor device with excellent electrical properties by means of a protective coating stabilized surface is effectively produced, the time during which the one on the the surface the layer of an inorganic silicon compound covering the semiconductor base body, a glass layer containing an impurity determining the conductivity type a surface of a semiconductor base body is achieved, a new type of to achieve a relatively deep diffusion layer is created in a semiconductor base body suitable selective diffusion and that Lateral etching of a protective coating arranged on a semiconductor base body is reduced will.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die die Verunreinigung enthaltende Schicht mit einer ebenfalls hauptsächlich aus Siliziumdioxyd bestehenden zweiten Isolierschicht bedeckt wird, daß dann der so erhaltene Verbundkörper unter solchen Bedingungen erhitzt wird, daß sich eine das Oxyd der Verunreinigung und Siliziumdioxyd enthaltende Glasschicht bildet und die auf der ersten Isolierschicht niedergeschlagene Verunreinigung die Oberfläche des Körpers durch die erste Isolierschicht nicht erreicht, und daß schließlich die zweiten Löcher in der so gebildeten, die Glasschicht enthaltenden Isolierschicht im wesentlichen ohne Über- oder Seitenätzen der Glasschicht geätzt werden.This object is achieved according to the invention in that the layer containing the impurity is covered with a second insulating layer also consisting mainly of silicon dioxide, that then the composite body thus obtained is heated under such conditions that one of the oxide Contamination and silicon dioxide-containing glass layer forms and on the first insulating layer deposited contamination does not reach the surface of the body through the first insulating layer, and finally the second holes in the insulating layer thus formed and containing the glass layer can be etched essentially without over- or side-etching of the glass layer.
In Weiterbildung der Erfindung überzieht man die Oberfläche der zweiten Isolierschicht mit einer dritten Isolierschicht aus Siliziumnitrid oder Aluminiumoxyd, bevor die zweiten Löcher geätzt werden.In a further development of the invention, the surface of the second insulating layer is covered with a third one Silicon nitride or aluminum oxide insulating layer before the second holes are etched.
Die zweite, hauptsächlich aus Siliziumdioxyd bestehende Isolierschicht wird erfindungsgemäß ausgenutzt, damit ein Teil der Verunreinigung in diese zweite Schicht hineindiffundiert, weil so erreicht wird, daß weniger von der Verunreinigung in die erste, den Halbleiterkörper direkt bedeckende Isoherschicht eindiffundiert und damit verbindert wird, daß die Verunreinigung hier bis zum Halbleiterkörper vordringt. Die Erfindung zeigt damit einen Weg, wie man die aus der Verunreinigung und Siliziumdioxyd bestehende glasartige Schicht ohne Schaden für die Halbleiteranordnung so erzeugen kann, daß gleichzeitig die Ätzvorgänge besser, d. h. ohne wesentliches Über- oder Seitenätzen ablaufen können.The second insulating layer, consisting mainly of silicon dioxide, is used according to the invention, so that part of the impurity diffuses into this second layer, because this is how that less of the contamination diffuses into the first insulating layer which directly covers the semiconductor body and it is connected with the fact that the contamination penetrates here as far as the semiconductor body. The invention thus shows a way how to get rid of the impurity and silicon dioxide can produce vitreous layer without damage to the semiconductor device that at the same time the etching processes better, d. H. can run without significant over- or side-etching.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem dieses Verfahren angewendet wird, sind die erste und die zweite Isolierschicht thermisch aufgewachsenes Siliziumdioxyd bzw. thermisch niedergeschlagenes Siliziumdioxyd. Die den Leitungstyp bestimmende Verunreinigung ist eine Donator-Verunreinigung, z. B. Phosphor oder Bor.According to an embodiment of the invention in which this method is applied, the first and second insulating layers thermally grown silicon dioxide and thermally deposited silicon dioxide, respectively Silicon dioxide. The impurity determining the conductivity type is a donor impurity, z. B. phosphorus or boron.
Die Erfindung wird an Hand der in der Zeichnung veranschaulichten Ausführungsbeispiele näher erläutert; darin zeigenThe invention is explained in more detail with reference to the exemplary embodiments illustrated in the drawing; show in it
F i g. 1 a und 1 b Querschnitte eines Halbleitergrundkörpers entsprechend einer bekannten selektiven Diffusionsmethode,F i g. 1 a and 1 b cross sections of a semiconductor base body corresponding to a known selective Diffusion method,
F i g. 2 a bis 2 g Schnitte durch einen Transistor in den einzelnen Verfahrensschritten nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung,F i g. 2 a to 2 g sections through a transistor in the individual method steps according to an embodiment the invention,
F i g. 3 eine Abwandlung des in F i g. 2 f dargestellten Transistors,F i g. 3 shows a modification of the one shown in FIG. 2 f shown Transistor,
F i g. 4 einen Teilschnitt durch einen Transistor gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung. F i g. 4 shows a partial section through a transistor according to another exemplary embodiment of the invention.
Zum Verständnis der Erfindung wird eine kurze Erläuterung des Standes der Technik an Hand der F i g. 1 a und 1 b vorausgeschickt.To understand the invention, a brief explanation of the prior art is based on the F i g. 1 a and 1 b.
Eine Hauptfläche eines Siliziumgrundkörpers 1 wird selektiv mit einer Siliziumdioxydschicht 2 bedeckt. Der Grundkörper wird zunächst zwecks Niederschlagung einer dünnen Schicht 3 α, bestehend aus einer Verunreinigung wie Phosphor, auf etwa 1000° C erhitzt, wie in F i g. 1 a gezeigt ist. Gleichzeitig tritt eine dünne Diffusionsschicht 4 α auf. Danach wird die Temperatur zur Diffusionstemperatur der Verunreinigung gesteigert, wodurch die dünne Diffusionsschicht Aa in Fig. la verteilt und eine diffundierte Schicht Ab in Fig. Ib erhalten wird. Während des Diffusionsverfahrens wächst die dünne Schicht 3 α auf der Siliziumdioxydschicht 2 zu einer Schicht 3 b aus Glas an, welches Phosphor enthält, und erreicht die Oberfläche des Grundkörpers 1 zur Bildung einer dünnen diffundierten Schicht 4 c (F i g. 1 b), die Phosphor enthält. Die Schicht 4 c ist unerwünscht, da sie die gewünschte Funktion der Schicht 4 ft ungünstig beeinflußt, und selbst wenn die Schicht 4 α funktionierte, wäre sie auf Grund der verringerten Durchbruchsspannung des erhaltenen PN-Überganges unpraktisch. Die Phosphor in einer beträchtlich hohen Konzentration enthaltende Glasschicht zeigt eine große Ätzgeschwindigkeit bei einem Ätzmittel des HF-HNO3-A main surface of a silicon base body 1 is selectively covered with a silicon dioxide layer 2. The base body is first heated to about 1000 ° C. for the purpose of deposition of a thin layer 3 α, consisting of an impurity such as phosphorus, as shown in FIG. 1 a is shown. At the same time, a thin diffusion layer 4 α occurs. Thereafter, the temperature is raised to the diffusion temperature of the impurity, whereby the thin diffusion layer Aa in Fig. La is distributed and a diffused layer Ab in Fig. Ib is obtained. During the diffusion process, the thin layer 3 α grows on the silicon dioxide layer 2 to form a layer 3 b made of glass, which contains phosphorus, and reaches the surface of the base body 1 to form a thin diffused layer 4 c (FIG. 1 b), which contains phosphorus. Layer 4c is undesirable because it adversely affects the desired function of layer 4ft, and even if layer 4α did function, it would be impractical due to the reduced breakdown voltage of the resulting PN junction. The glass layer containing phosphorus in a considerably high concentration shows a high etching rate with an etchant of the HF-HNO 3 -
Systems und die schon genannten hygroskopischen diese Schicht 17 um 60 °/o ab. Die ErhitzungszeitSystem and the already mentioned hygroscopic this layer 17 by 60%. The heating time
Eigenschaften. Es ist an Hand der Fig. la und 1 b hängt von der Tiefe und der Verunreinigungskonzen-Properties. It is on the basis of Fig. La and 1b depends on the depth and the impurity concentration
leichter verständlich, daß die vorerwähnten Tatsachen tration der gewünschten Emitterzone 18 b, der DickeEasier to understand that the aforementioned facts tration of the desired emitter zone 18 b, the thickness
bei der Herstellung guter Halbleitereinrichtungen un- der Dioxydschicht auf der Basisschicht 13 und derin the manufacture of good semiconductor devices and the dioxide layer on the base layer 13 and the
erwünscht sind. 5 Wachstumsgeschwindigkeit der Glasschicht 16 usw.are desired. 5 growth rate of glass layer 16, etc.
Die folgenden Erläuterungen zur Herstellung eines ab. Im vorliegenden Fall wird, da die Wachstums-The following explains how to make an ab. In the present case, since the growth
Siliziumtransistors entsprechen an Hand der F i g. 2 a geschwindigkeit, wie beschrieben, verringert wird,Silicon transistor correspond to the F i g. 2 a speed, as described, is reduced,
bis 2 g einem Ausführungsbeispiel der Erfindung. die Erhitzungszeit durch die Tiefe und die Verun-to 2 g an embodiment of the invention. the heating time due to the depth and
Zunächst wird ein N-Typ-Siliziumgrundkörper 11 reinigungskonzentration der Emitterzone bestimmt, mit einem Widerstand von etwa einigen Ω · cm herge- io Zum Beispiel wirkt unter den obenerwähnten Bestellt, wie F i g. 2 a zeigt. Auf einer Hauptfläche des dingungen der Temperatur und Atmosphäre eine Grundkörpers 11 wird eine Basiszone 13 mit einer Stunde Erhitzung so, daß ein günstiges Ergebnis unter Tiefe von etwa 5 μΐη und einer Verunreinigungskon- Schaffung einer Emitterzone mit einer Dicke von zentration von 1017 bis 1019Atomen/cm3 durch selek- 4 μΐη und einer Konzentration von 1020 Atomen/cms tives Diffundieren einer Akzeptorverunreinigung, z. B. 15 erzielt wird. Dann wird, wie in F i g. 2 f gezeigt ist, Bor, erzeugt, wobei als Maske eine thermisch auf- eine ätzbeständige Maske 19, z. B. eine Fotowidergewachsene Siliziumdioxydschicht 12 von 5000 bis Standsschicht, selektiv in enger Berührung mit der 10 000 A Dicke verwendet wird. Die Bezugsziffer 14 Oberfläche des aus der niedergeschlagenen Dioxydbedeutet eine erste Isolierschicht von 200 bis 300 A schicht 17, der Glasschicht 16 b und der thermisch Dicke, die hauptsächlich aus Siliziumdioxyd besteht 20 gewachsenen Dioxydschichten 12 und 14 erhaltenen und auf der Oberfläche des Grundkörpers beim Schutzüberzuges gebildet. Die freie Oberflächenzone Basisdiffusionsprozeß thermisch aufgewachsen ist. Die der Dioxydschicht 17 wird einem Ätzmittel des HF-Oberfläche der ersten Schicht ist oft verglast und ent- HNO„-Systems oder vorzugsweise einer wäßrigen hält eine gewisse Menge Bor. Das die Oberflächen Lösung von Ammoniumfluorid mit 50 °/o HF unterder Schichten 12 und 14 bedeckende Borsilikatglas 25 worfen, um ein die Emitterzone 18 erreichendes Loch wird, falls erforderlich, durch ein geeignetes Ätz- 21 und ein die Basisregion 13 erreichendes Loch 22 mittel entfernt. Ein Teil 15 der Isolierschicht 14 wird zu erzeugen. Die Fotolackschicht wird durch ein unter Anwendung des üblichen Fotoätzverfahrens geeignetes Lösungsmittel entfernt. Im letzten Verfotograviert, wie in F i g. 2 b gezeigt ist. Phosphor fahrensschritt wird unter Verwendung der wohlwird niedergeschlagen, wie aus F i g. 2 c zu ersehen 30 bekannten Vakuumverdampfung Aluminium auf den ist. So treten eine Glasschicht 16 a von etwa 1000 A freien Oberflächen der Basis- und der Emitterzone mit einem Phosphorgehalt und eine dünne Schicht und der zweiten Dioxydschicht 17 niedergeschlagen, 18 a, die mit Phosphor gedopt ist, auf. Diese Be- um eine leitende Schicht zu bilden. Die erhaltene leihandlung wird z. B. in einer auf etwa 1000° C gehal- tende Schicht wird dann zur Bildung einer Emitterlenen Reaktionskammer durchgeführt, durch welche 35 elektrode 23 und einer Basiselektrode 24 fotograviert, POCl3-GaS zusammen mit einem Trägergas, wie z. B. wie in F i g. 2 g gezeigt ist.First, an N-type silicon base body 11 cleaning concentration of the emitter zone is determined, with a resistance of about a few Ω · cm. 2 a shows. On a main surface of the conditions of the temperature and atmosphere a base body 11 is a base zone 13 with one hour of heating so that a favorable result under depth of about 5 μm and an impurity concentration create an emitter zone with a thickness of 10 17 to 10 19 Atoms / cm 3 by selective 4 μΐη and a concentration of 10 20 atoms / cm s tives diffusion of an acceptor impurity, z. B. 15 is achieved. Then, as shown in FIG. 2 f is shown, boron, generated, with a thermally on- an etch-resistant mask 19, z. B. a photoregrowed silicon dioxide layer 12 from 5000 to standing layer, is selectively used in close contact with the 10,000 Å thickness. The reference number 14 surface of the deposited dioxide means a first insulating layer of 200 to 300 A layer 17, the glass layer 16 b and the thermal thickness, which consists mainly of silicon dioxide 20 grown layers of dioxide 12 and 14 and formed on the surface of the base body in the protective coating . The free surface zone base diffusion process is grown thermally. The surface of the dioxide layer 17 is an etchant. The HF surface of the first layer is often vitrified and contains an ENT system or preferably an aqueous one that holds a certain amount of boron. The surface solution of ammonium fluoride with 50% HF under the layers 12 and 14 covering borosilicate glass 25, around a hole reaching the emitter zone 18 is removed, if necessary, by a suitable etching 21 and a hole 22 reaching the base region 13 means. A part 15 of the insulating layer 14 is to be produced. The photoresist layer is removed by a suitable solvent using the usual photo-etching process. In the last photo-engraved, as in Fig. 2b is shown. Phosphorus driving step is precipitated using the well-being, as shown in FIG. 2 c can be seen 30 known vacuum evaporation aluminum on the is. Thus, a glass layer 16 a of about 1000 Å free surfaces of the base and emitter zone with a phosphorus content and a thin layer and the second dioxide layer 17 deposited, 18 a, which is doped with phosphorus, occur. This order to form a conductive layer. The sale received is z. B. in a layer held at about 1000 ° C. is then carried out to form an emitter reaction chamber through which 35 electrode 23 and a base electrode 24 are photo-engraved, POCl 3 gas together with a carrier gas, such as e.g. B. as in FIG. 2g is shown.
Sauerstoff, strömt. Es ist anzunehmen, daß die Glas- Im vorstehenden Ausführungsbeispiel sind die erste
schicht 16 α eine Mischglasschicht ist, die Phosphor- Isolierschicht, die hauptsächlich aus einer anorgapentoxyd
und Siliziumdioxyd enthält. Die dünne nischen Siliziumverbindung besteht, die zweite IsoSchicht
18 a, die unter der Glasschicht 16 α erzeugt 40 iierschicht und die den Leitungstyp bestimmende
ist, hat eine Donatorkonzentration von etwa 1020 Ato- Verunreinigung thermisch aufgewachsenes Siliziummcn/cm\
Wie in Fig. 2d gezeigt ist, wird eine zweite dioxyd, niedergeschlagenes Siliziumdioxyd und Phos-Isolierschicht
17 niedergeschlagen, die hauptsächlich phor. Selbst wenn die erste Schicht beträchtlich
aus einer anorganischen Siliziumverbindung besteht dünn ist, erreicht die Glasschicht 16 α nicht die
:nd eine wesentliche Bedeutung bei der Ausführung 45 Oberfläche der Basiszone, da die Wachstumsgeschwinder
Erfindung hat. Zum Beispiel wird eine Silizium- digkeit der Glasschicht 16 α durch den Überzug der
dioxydschicht von etwa 4000 bis 10 000 A Dicke auf zweiten Isolierschicht verringert wird. So wird eine
der Glasschicht 16 α vorzugsweise durch thermische gewünschte diffundierte Emitterzone erhalten.
Zersetzung von Organooxysilan, wie z. B. Tetra- Da die zweite Isolierschicht die Diffusion der Donaäthoxysilan,
in einer inerten Gasatmosphäre bei etwa 50 tor-Verunreinigung, z. B. Phosphor, von der dünnen
750° C niedergeschlagen. Der so erhaltene Körper Schicht 18 α nach auswärts steuert, wird eine Massenwird
in einer oxydierenden Atmosphäre auf etwa produktion einer Emitterzone mit einer genau vor-1100°
C erhitzt, um Phosphor in der dünnen Schicht geschriebenen Dicke und Verunreinigungskonzentra-18
a in einen Teil der Basiszone 13 einzudiffundie- tion leicht möglich gemachtOxygen, flows. It is to be assumed that the glass In the above embodiment, the first layer 16 α is a mixed glass layer, the phosphorus insulating layer, which mainly consists of an inorganic oxide and silicon dioxide. The thin niche silicon compound exists, the second insulating layer 18 a, which is created under the glass layer 16 α and which is the determining factor for the conductivity type, has a donor concentration of about 10 20 atomic impurities of thermally grown silicon / cm 2, as shown in FIG. 2d is, a second dioxide, precipitated silicon dioxide and Phos insulating layer 17 is deposited which is mainly phor. Even if the first layer consists of an inorganic silicon compound considerably thin, the glass layer 16 α does not achieve the: nd essential importance in the execution 45 surface of the base zone, since the growth speed has the invention. For example, a silicon speed of the glass layer 16 is α through the coating is reduced dioxide layer of about 4000 to 10,000 A thickness of the second insulating layer. Thus, one of the glass layer is preferably obtained by thermal α 16 desired diffused emitter region.
Decomposition of organooxysilane, such as. B. Tetra Since the second insulating layer, the diffusion of Donaäthoxysilan, in an inert gas atmosphere at about 50 gate contamination, z. B. phosphorus, precipitated by the thin 750 ° C. The thus obtained body layer 18 α controls outwards, a mass is heated in an oxidizing atmosphere to about production of an emitter zone with a precisely before -1100 ° C, to phosphorus in the thin layer written thickness and impurity concentration 18 a in part of the Base zone 13 made diffusion easy
ren und eine Emitterzone 18 δ zu bilden, wie in 55 Da die Konzentration an Phosphor in der Glas-F i g. 2 e gezeigt ist. Während dieses Verfahrensschrit- schicht 16 b verringert wird, ruft ein Überätzen odei tes erweitert sich die Mischglasschicht 16 α zwischen seitliches Ätzen im Verfanrensschritt der Fotograden Siliziumoxydschichten 12 und 17 und wandert vierung nach F i g. 2 f praktisch keinen Nachteil hermit einer im wesentlichen gleichmäßigen Geschwin- vor.ren and to form an emitter region 18 δ, as in 55 Since the concentration of phosphorus in the glass F i g. 2 e is shown. While this process step layer 16 b is being reduced, over- etching or the mixed glass layer 16 α expands between lateral etching in the process step of the photograde silicon oxide layers 12 and 17 and moves to FIG. 2 f practically no disadvantage with an essentially uniform speed.
digkeit in der Richtung beider Dioxydschichten. Als 60 Der in Fig. 2g erhaltene Transistor ist mit deiin the direction of both layers of dioxide. As 60 The transistor obtained in Fig. 2g is denoted by dei
Ergebnis wächst die ursprüngliche Glasschicht 16 α Glasschicht 16 b bedeckt, die trotz der hygroskopiResult grows the original glass layer 16 α glass layer 16 b , which despite the hygroscopic growth
von 1000 A Dicke zu einer Dicke von 1500 bis 2000 A sehen Eigenschaften die elektrischen Eigenschafterfrom 1000 Å thick to a thickness from 1500 to 2000 Å, properties are considered to be electrical properties
an, d. h., sie wird zu einer ausgedehnten Glasschicht und Verläßlichkeit infolge der Anwesenheit des veron, d. that is, it becomes an extended layer of glass and reliability due to the presence of the ver
16 b, wie in F i g. 2 gezeigt ist, während die Konzen- bleibenden Teiles der zweiten Isolierschicht verbessert16 b, as in FIG. 2 is shown while the remaining portion of the second insulating layer is improved
tration des darin enthaltenen Phosphors absinkt. Die 65 Es ist anzunehmen, daß Phosphor oder PhosphorTration of the phosphorus it contains drops. The 65 It is to be assumed that phosphorus or phosphorus
Wachstumsgeschwindigkc'.t der Schicht 16 a nimmt in- oxyd die beweglichen, in dem Siliziumdioxyd existieThe growth rate of the layer 16a decreases the mobile oxide in which silicon dioxide exists
folge der Bildung der niedergeschlagenen Dioxyd- renden Ionen festhält, wodurch die Oberflächeneigenas a result of the formation of the precipitated dioxide ions, which causes the surface to retain its own
schicht 17 im Vergleich mit dem Wachstum ohne schäften stabil kontrolliert werden, d. h., daß dulayer 17 can be stably controlled in comparison with the growth without shafts, i.e. h. that you
wird durch Erhitz» dgrtwje to ton^^ul· ^Glassc^chUÖ ^ ^ ^^is by heating »dgrtwje to ton ^^ ul · ^ Glassc ^ chUÖ ^ ^ ^^
gewachsene 8ιΟ«^^^β1£ d«SÄr. läßUchkeit und elektrischen Eigenschaften des erhalte-grown 8 ιΟ «^^^ β1 £ d« SÄr. permeability and electrical properties of the
als ein gunstiger Schutzuberzug fur den ι rans PN-Überganges werden damit verbessert.as a cheap protective cover for the ι rans PN junction are thus improved.
F, g. 3 «^«^^"gSäälHi M und 33 Die AlumMumoxydschicht kann durch eine SUi-F, g. 3 «^« ^^ "gSäälHi M and 33 The aluminum oxide layer can be
zeigten Transistors. ^^gSSuSköiper 31 er- ziumnitridschicht ersetzt werden, welche man durchshowed transistor. ^^ gSSuSköiper 31 erziumnitridschicht be replaced, which one by
durch de .Ο"1.(*1^ J 2 e dargestellten Verfah- lässig und möglich, wenn es erforderlich ist.by de. Ο " 1. ( * 1 ^ J 2 e shown procedurally and possible, if necessary.
zungszeit m ^"^J^j^&wbnis ist leicht *o Obwohl die Erfindung insbesondere bezüglich derzungszeit m ^ "^ J ^ j ^ & wbnis is easy * o Although the invention is particularly related to the
Ti ΐ iSÄSÄ sScht 17 während des Erzeugung einer Emitterzone eines NPN-TransistorsTi ΐ iSÄSÄ sScht 17 during the production of an emitter zone of an NPN transistor
zTferhSSmäßig dünn aus- beschrieben wurde, versteht sich von selbst, daßIt goes without saying that
Abhandlung gibt auch günsti- sie auch auf die Bildung einer Basiszone undTreatise also gives favorable- they also on the formation of a base zone and
SSiSlL. da die Grund- anderer allgemeiner PN-Übergänge angewendet wer-SSiSlL. e advertising used as the base of other general PN Übergän g
hT^^t£^*%*^- 25 A^sätzncher Effekt wird, da der endgültige hT ^^ t £ ^ *% * ^ - 25 A ^ sätzncher effect will, since the final
bodeckt wirdI J^ te **$£*$£ vorzugsweise Schutzüberzug, der die Oberfläche des Grundkörpers I J ^ te ** $ £ * $ £ preferably protective coating covering the surface of the basic body
faßt. Die ^"^Xn^eringer KoiSentra- bedeckt, dick ist, die Streukapazität infolge vongrasps. The ^ "^ Xn ^ eringer KoiSentra- covered, is thick, the stray capacitance owing to
überzogen, da sie wenn auch in gering Elektrodenschichten oder Verbindungsschichten descoated, as they are in low electrode layers or connecting layers of the
tiOSOPwirdP beimietzten Ausführungsbeispiel der Er- 30 Transistors oder des integrierten Halbleiterkreises ver- TiO SO P is P beimietzten embodiment of the ER- 30 comparable transistor or the semiconductor integrated circuit
findung eine ^J^tZ^oSt^ S ^Obwohl eine Erläuterung besonderer Ausführungs-finding a ^ J ^ tZ ^ oSt ^ S ^ Although an explanation of special execution
Erhitzungsverfahrensschritt *W^*f rf N.T bei iele ^n ^1nJ6, ist die Erfindung auf dieseHeating process step * W ^ * f rf N. T at iele ^ n ^ 1n J 6 , the invention is based on this
der zweiten Schicht erzeugt- Ir^'^^^^ ^ beschränkt. Man kann Bor an Stelle von Phos-the second layer produced- Ir ^ '^^^^ ^ restricted . One can use boron instead of phosphorus
^^^^l^^UmdaDtt Haupt- 35 phor als den Leitungstyp bestimmende Verunreim- ^^^^ l ^^ UmdaDtt main 35 phor as the impurity determining the type of conduction
I *■ ^^TtsSSdSSichtea42 und 43,CUWT gung verwenden. Eine anorganische Sil.ziumverbm- I * ■ ^^ TtsSSdSSichtea42 and 43, use CUWT gung. An inorganic silicon compound
oberflache mit S1I ziumd o^scn _ du die ^ der ^^ Sch;cht enthalten ^ ^ aus surface with S 1 I ziumd o ^ scn _ du the ^ the ^^ Sch; cht contain ^ ^ from
Glasschicht 46, die Sdmumüioxya υ^H ν Siliziummonoxyd und niedergeschlagenem Sihzium-Glass layer 46, the Sdmumüioxya υ ^ H ν silicon monoxide and deposited Sihzium-
oxyd enthal, u^"^"^ (Ä?S-Sducht be- dioxyd usw. gewählt werden. Eine anorganische SiIi-oxyd enthal, u ^ "^" ^ (Ä? S-Sducht be dioxyd, etc. An inorganic SiIi-
zugsweie -g^^SS^Ä bid di i d it Shiht nthaltenzugsweie -g ^^ SS ^ Ä bid di i d it Shiht nthalten
y ^^^ (Ä?S-Sducht be dioxyd usw. gewählt werdn gy ^^^ (Ä? S-Sducht be dioxyd etc. be chosen g
zugswei^e -g^^SS^Ähidit kann 40 ziumverbindung, die in der zweiten Schicht enthalten deckt Die Bildung der Alununiuy ^ und ^ ^^ def ^^ ScMcht kann } kat.zugswei ^ e -g ^^ SS ^ Ähidit can 40 zium compound, which covers in the second layer covers the formation of the Alununiuy ^ and ^ ^^ def ^^ ScMcht can} kat .
^ und ^ ^^ def ^^ ScMch ^ and ^ ^^ def ^^ ScMch
entweder ^^^^^^Mnä^g oder glas, Bleiglas oder ein Glas enthaltendes Aluminium-ÄSSSÄS ufgedampften Alu- oxyd und/oder Boroxyds usw. Se,n.either ^^^^^^ Mnä ^ g or glass, lead glass or a glass containing aluminum-ÄSSSÄS vaporized aluminum oxide and / or boron oxide etc. S e, n.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings
Claims (1)
Applications Claiming Priority (2)
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| JP1908267 | 1967-03-29 |
Publications (3)
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| DE1764065C3 DE1764065C3 (en) | 1976-05-20 |
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ID=
Also Published As
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| NL150619B (en) | 1976-08-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 |