DE1639237B2 - Method of manufacturing storage electrodes for SEC type television pick-up tubes - Google Patents

Method of manufacturing storage electrodes for SEC type television pick-up tubes

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DE1639237B2 DE19681639237 DE1639237A DE1639237B2 DE 1639237 B2 DE1639237 B2 DE 1639237B2 DE 19681639237 DE19681639237 DE 19681639237 DE 1639237 A DE1639237 A DE 1639237A DE 1639237 B2 DE1639237 B2 DE 1639237B2
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Diese Aufgabe wird bei dem eingangs genanntenThe invention relates to a method for this object is achieved in the case of the aforementioned

Herstellung von Speicherelektroden oder Bildwand- Verfahren dadurch gelöst, daß das Stütznetz weniglerelektroden, welche aus einer Schicht aus einem stens auf der der transparenten Schicht zugewende-Isolator mit hohem Sekundäremissionskoeffizienten « ten Seite mit einer Goldschicht versehen wird, daß und einer für Elektronen transparenten leitenden zur Erzeugung der transparenten Schicht auf einer Schicht bestehen, die von einem gegenüber der auf das Stütznetz aufgelegten Folie aus organischem Schichtdicke relativ weitmaschigen Metallnetz ge- Material eine zusammenhängende Metallschicht von stützt wird. 50 bis 400 A Dicke, vorzugsweise aus Aluminium,Production of storage electrodes or screen method solved by the fact that the support network has little electrodes, which consists of a layer of an insulator facing the transparent layer with a high secondary emission coefficient is provided with a gold layer that and a conductive one transparent to electrons for producing the transparent layer on a Layer consist of an organic film opposite the one placed on the support net Layer thickness of a relatively wide-meshed metal mesh material is a cohesive metal layer of is supported. 50 to 400 A thickness, preferably made of aluminum,

Bei Fernsehaufnahmeröhren vom SEC Typ (Se- 50 aufgebracht wird und hierauf das Material der orgacondary Emission Conductivity) werden Fotoelektro- nischen Folie in einer trockenen reduzierenden Atnen mit einer Geschwindigkeit von mehreren KeV in mosphäre bei erhöhter Temperatur rückstandlos vereine Speicherelektrode mit innerer Sekundäremission dampft wird, daß danach das Netz mit der aufliegeneingeschossen und lösen dabei eine große Anzahl den transparenten Metallschicht bei einer Temperavon Sekundärelektror.en aus. Ein Feld, welches zwi- 55 tür zwischen 400 und 500° so lange erhitzt wird, bis sehen der metallischen Schichtunterlage und der dem sich die Metallschicht mit den Netzstegen durch Dif-Abtaststrahl zugekehrten Seite der Speigherschicht fusionslötung vermittels des als Lot wirkenden Golderzeugt wird, leitet diese Elektrode zur Unterlage ab. Überzugs der Netzstege verbindet, und daß schließ-Die zurückbleibende positive Ladung wird dann lieh die Sekundärelektronen emittierende Schicht auf durch Elektronen des Langsamabtaststrahls unter Er- 60 die dem Netz abgewandte Seite der Metallschicht zeugung eines Bildsignals an der metallischen Unter- aufgedampft wird.With television tubes of the SEC type (Se- 50 is applied and then the material of the orgacondary Emission Conductivity) are photoelectronic foil in a dry reducing atmosphere unite without residue at a speed of several KeV in the atmosphere at elevated temperature Storage electrode with internal secondary emission is vaporized, that afterwards the network is shot in with the rest and thereby solve a large number of the transparent metal layer at a Temperavon Secondary electrics off. A field which is heated between 400 and 500 ° until see the metallic layer base and which the metal layer with the network webs by Dif scanning beam The facing side of the storage layer is fusion soldered by means of the gold acting as solder this electrode conducts itself to the base. Coating connects the net webs, and that closes the Any remaining positive charge is then borrowed from the secondary electron-emitting layer by electrons of the slow scanning beam below the side of the metal layer facing away from the network generation of an image signal on the metallic lower part is vapor-deposited.

lage neutralisiert. Das so erhaltene Target zeichnet sich durch außer-situation neutralized. The target obtained in this way is characterized by

Die Qualität der SEC-Röhren und ihre Empfind- ordentlich gute Stabilität aus. Die Energieverluste lichkeit hängen weitgehend von der Fleckenfreiheit der Primärelektronen der Stützschicht sind wesent- und von der Ausbeute der Fotoelektronen an Sekun- 6j lieh geringer als bei der bekannten Ausführung, da däfelektroneti in der Speicherelektrode ab. Da die an Stelle der insgesamt 1000 Ä starken Aluminium-Sekundäremissionssehicht wegen ihrer lockeren oxyd-Alummiumschieht eine Aluminiumschicht von Struktur nicht frei tragend hergestellt werden kann, 50 bis 400 A Dicke verwendet wird. Die Absorp-The quality of the SEC tubes and their sensation are extremely stable. The energy losses depend largely on the absence of spots in the primary electrons of the supporting layer are essential and from the yield of photoelectrons in seconds less than in the known design, since däfelektroneti in the storage electrode. Since the aluminum secondary emission layer, which has a total thickness of 1000 Å Because of their loose oxide-aluminum, an aluminum layer of Structure cannot be made self-supporting, 50 to 400 A thickness is used. The absorption

tionsveriuste to dieser Ahiinimhaut betragen 400 gets bekannter bzw. erfindungsgeroäßef Ausführung,tion veriuste to this Ahiinimhaut amount to 400 gets known or inventive execution,

«Volt und darunter. Ein besonderer Vorteil so berge- und«Volt and below. A special advantage so mountain and

eteliter Schichtträger ist es, daß sie frei von Löchern F ig. 2 ein maßstabgetreues Teilstuck eines SEC-eteliter layer support is that it is free of holes F ig. 2 a true-to-scale part of a SEC

sind, was eine grundlegende Voraussetzung für die Targets in erfindungsgemüßer Ausführung zeigtare, which shows a basic requirement for the targets in the embodiment according to the invention

Herstellung fleckenfreier SEC-Targets ist S In F ig. la ist ein TeüstOck eines nach konventio-Manufacturing spot-free SEC targets is S In Fig. la is a piece of a conventional

Mit diesem Target läßt sich die Konstruktion der neller Art hergestellten SEC-Targets in einer Vergrö-SEC-Röhren verbessern. Bei den bisherigen Röhren, ßerung dargestellt, in weicher der SchicUttrloer, zubei denen zwischen Fotokathode und Target eme sararaengesetzt aus der Al-Schicht! und der AUO9-Spannung von etwa 5 bis 8 kV aufrechterhalten wer- Schicht 2, eme Dicke von 0,1 μ = 1000 A besitzt den mußte, war es erforderlich, ein elektrostatisches xo Die KCi-Sebicht3 ist bier aus Darstellungsgrönden Abbildungssystem zur Übertragung der Fotoelektro- auf die Schichtdicke des kompakten Materials redunen auf das Target vorzusehen. (Ein magnetisches ziert Da ihre wahre Schichtdicke m der locker aufge-Abbildungssystem, wie es z. B. bei Orthikonröhren dampften Form 10 bis ί5 μ beträgt, kann sie in der üblicherweise verwendet wird, ergibt bei so hohen Zeichnung nicht maßstabgetreu wiedergegeben wer-Elektronengeschwindigkeiten eine sehr umbequeme 15 den.With this target, the construction of the more recently manufactured SEC targets in a magnified SEC tube can be improved. In the previous tubes, shown, the layer was softer, and in the case of those between the photocathode and the target, a sarara set from the aluminum layer! and the AUO 9 voltage of about 5 to 8 kV can be maintained. Layer 2, a thickness of 0.1 μ = 1000 A, was required, an electrostatic xo The KCi-Sebicht3 is an imaging system for transmission for reasons of illustration the photoelectro to reduce the thickness of the compact material on the target. (A magnetic adorns because its true layer thickness m of the loosely up-imaging system, as it is e.g. 10 to ί5 μ in the case of orthicon tubes, it can be used in the usual way, but with such high drawing results not to scale reproduced who-electron velocities a very uncomfortable 15 den.

Dimensionierung des Bildwandlers.) Aus der Ver- Im Vergleich hierzu zeigt F i g. 1 b im selben Maßwendung eines elektrostatischen Fokussierungssy- stab ein Teilstück eines erßndungsgemäß hergestellstems folgt jedoch der Nachteil, daß die Fotokathode ten Targets mit der KCl-SchichtS in reduzierter auf einer gekrümmten Fläche liegen muß, da sonst Schichtdicke. Der Schichtträger besteht hier nur aus eine erhebliche Kissenverzeichnung eintritt, (s. z. B. ao der Al-Schicht Γ vor, 50 bis 400 A Dicke und dem W. Heimann, Zeitschrift für Instrumentenkunde, Stütznetz4, von dem ein Steg in etwa maßstabge-73, S. 1). Man benutzt heute als Frontplatte der treuer Dicke dargestellt ist. Das Stütznetz 4 ist mit Röhre eine Glasfaserplatte, die eine kugelförmige einem Goldüberzug 5 versehen, der galvanisch oder Krümmung auf der zur Aufnahme der Fotokatho- durch Aufdampfen aufgebracht werden kann und als denschicht dienenden Seite, und eine ebene Ober- »5 Lot zur Verbindung der Al-Folie 1' mit den Gitterfläche auf der zur Abbildung des optischen Bildes Stegen des Stütznetzes 4 dient.Dimensioning of the image converter.) From the comparison, FIG. 1b in the same direction of an electrostatic focusing system, a section of a manufactured according to the invention, however, has the disadvantage that the photocathode th target with the KCl layer must be less on a curved surface, otherwise the layer thickness. The layer base consists of a considerable amount of pillow distortion (see e.g. the Al layer Γ before, 50 to 400 A thickness and the W. Heimann, Zeitschrift für Instrumentenkunde, Stütznetz4, of which a web is roughly to scale). P. 1). It is used today as a front panel of the true thickness is shown. The support net 4 is a glass fiber plate with a spherical gold plating 5, which can be galvanically or curved on the to accommodate the photocatho by vapor deposition and as the layer serving side, and a flat top »5 solder to connect the Al foil 1 'with the grid surface on which webs of the support network 4 are used to depict the optical image.

dienenden Seite besitzt. Solche Glasfaserplatten sind In F i g. 2 ist ein Teilstück eines eriindungsgemäß aber relativ teuer. Mit einem SEC-Target von hinrei- hergestellten SEC-Targets in einem solchen Maßstab chender Stabilität und Festigkeit kann eine andere, dargestellt, daß eine Netzmasche von etwa 36 u Zeian sich bekannte Abbildungstechnik verwendet wer- 30 lenbreite die Zeichnungsbreite ausfüllt. Die isolieden, die sogenannte Sandwich-Technik. Bei dieser rende Emissionsschicht 6, nunmehr in entsprechen-Technik werden die Fotokathode und das Target ein- dem Maßstab dargestellt, hat eine Dicke k von 15 μ. ander in so geringem Abstand gegenübergestellt, daß Die Dicke der Al-Folie 1' liegt mit 50 bis 400 A urdie von der Fotokathode ausgehenden Elektronen terhalb der Strichstärke der Zeichnung,
nahezu ohne seitliche Streuung auf das Target gelan- 35 Das geschilderte Verfahren kann nicht nur zur gen. Die Konstruktion sogenannter Sandwich-Röh- Herstellung von Speichereiektroden für die Aufnahren war jedoch bei SEC-Targets so lange nicht mög- meröhren vom SEC-Typ, sondern auch von Bildlich, a!s das Target aus einer zerbrechlichen und wandlerelektroden in ein- oder mehrstufigen Bildverdeformierbaren Folie bestand, welche bei den erfor- stärkerröhren dienen. Bei Versuchen hat sich gezeigt, derlichen Feldstärken von über 2 kV/mm den auf- 40 daß die Aluminiumfolie sogar dünner als 100 A getretenden elektrostatischen Kräften nicht standhielt. macht werden kann; sie ist dann auch optisch trans-Mit dem erfindungsgemäßen Target mit wesentlich parent und so elektronendurchlässig, daß der Energeringerem Spannungsbedarf und wesentlich größerer gieverlust weniger als 200 eV beträgt. Auch eine Festigkeit kann nunmehr eine Sandwich-Röhre ver- solche Folie ist infolge der Anhaftung an das Stützwirklicht werden, bei der die Fotokathode eben aus- 45 netz noch für die genannten Anwendungszwecke hingebildet ist und eine Fiberglasplatte als Frontplatte reichend stabil.
serving side owns. Such fiberglass panels are shown in FIG. 2 is a part of an inventively but relatively expensive. With an SEC target of adequately manufactured SEC targets in such a scale of adequate stability and strength, another one can be shown that a net mesh of about 36 microns by using an imaging technique known per se fills the width of the drawing. The isolate, the so-called sandwich technique. In this generating emission layer 6, now using the corresponding technology, the photocathode and the target are shown on the scale, has a thickness k of 15 μ. opposed to the other at such a small distance that the thickness of the Al foil 1 'is 50 to 400 A ur the electrons emanating from the photocathode below the line width of the drawing,
The described method can not only be used for the construction of so-called sandwich tube production of storage electrodes for opening was, however, for SEC targets not possible for SEC-type, but also from figurative, as the target consisted of a fragile and transducer electrodes in single- or multi-stage image deformable foil, which are used for the required tubes. Tests have shown that such field strengths of over 2 kV / mm could not withstand the electrostatic forces that occurred even thinner than 100 A. can be made; it is then also optically trans-With the target according to the invention with substantially parent and so electron permeable that the energy lower voltage requirement and much greater energy loss is less than 200 eV. A sandwich tube can now also become rigid as a result of the adhesion to the supporting material, in which the photocathode is made of a network for the stated purposes and a fiberglass panel is sufficiently stable as a front panel.

nicht benötig* wird. Gleichzeitig entfällt der hohen Bei den nach dem erfindungsgemäßen Verfahren feinmechanischen Anforderungen unterliegende Elek- erzeugten Elektroden kann an der Aluminiumfolie trodenaufbau der elektrostatischen Vorabbildung. Die eine optische Reflexion eintreten, da die metallische so geschaffene SEC-Röhre mit Sandwich-Target be- 50 Trägerfolic eine glatte Oberfläche hat. Zur Vermeisitzt die hohe Empfindlichkeit dieses Röhrentyps, dung von Lichthöfen im wiedergegebenen Bild inkann aber wesentlich einfacher und billiger herge- folge Rückstrahlung des Lichtes p.uf die gegenüberstellt werden, liegende Fotokathode, ist e* daher vorteilhaft, dienot required *. At the same time, the high case of the method according to the invention does not apply Electrically generated electrodes that are subject to precision mechanical requirements can be attached to the aluminum foil electrode structure of the electrostatic pre-image. The an optical reflection occur because the metallic The SEC tube with sandwich target created in this way has a smooth surface. To Vermeisitz the high sensitivity of this type of tube, which can cause halos in the displayed image but it is much simpler and cheaper that the light is reflected back on the opposite side be, lying photocathode, e * is therefore advantageous that

Zur Veranschaulichung des erzielten Fortschrittes Neizseite der Kathode mit einem gegenüber CaesiumTo illustrate the progress achieved, the neizseite of the cathode with a cesium opposite

wird nun auf die Begleitzeichnungen Bezug genom- 55 inerten Schwärzungsmittel zu entspiegeln. Hierzureference is now made to the accompanying drawings. For this

men, von denen kann man metallisches Aluminium in einer Gasatmo-men, of which one can find metallic aluminum in a gas atmosphere

Fi g. 1 a und Ib je ein Teilstück eines SEC-Tar- Sphäre, etwa Argon, aufrauchen.Fi g. 1 a and Ib each smoke up a section of an SEC-Tar sphere, such as argon.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims (2)

ι 2 muß man Scbiohtötger verwenden. Dieser Schiebt· Patentansprüche: träger muß an der Oberfläche elektrisch leitend sein, H um als Signalelektrode zu dienen, muß außerdem ge-ι 2 you have to use Scbiohtötger. This pushes patent claims: the surface of the carrier must be electrically conductive, H to serve as a signal electrode, it must also be 1. Verfahren zur Herstellung von Speichereiek- nügend Durchjassigkeft für die Fotoelektronen hatroden oder Büdwandlerelektroden, welche aus 5 ben, so daß der Energieverlust ^d famit dw Beeiner Schicht aus einem Isolator mit hohem Se- scblRunigungsspannung zu groß werde^ scbüeßUch kundamnissionskoeffMenten und einer für Elek- auch stabil und ttagfähig genug um E£cbütterwgen tronen transparenten leitenden Schicht bestehen, auszuhallen. Bei zu großer Beschleunigungsfelddie von einem gegenüber der Schichtdicke relativ stärke und zu dünnem Stahlträger kann letzterer weitmaschigen Metallnetz gestützt wird, da- u durch elektrostatische Feldkräfte zerrissen werden,
durch gekennzeichnet, daß das Stütz- Bei den gebräuchbcAen Ausfühningen besteht der netz wenigstens auf der der transparenten Schicht Schichtträger aus einer 700 A dicken Schicht aus zugewendeten Seite mit einer Goldscbicht verse- Aluminiumoxyd, die mit einer 700 A dicken Alumnen wird, daß zur Erzeugung der transparenten niumschicht bedampft ist (AJi. U ο er ι ο, kjr. Schicht auf einer auf das Stütznetz aufgelegten *5 Beyer und G.W. Goetze Advances in Electro-Folie aus organischem Material eine zusammen- nies and Electron Physics 22A, 1966, 2J9). in dieser hangende Metallschicht von SO bis 400 A Dicke, Trägerschicht verlieren die Pnmärelektronen mehr vorzugsweise aus Aluminium, aufgebracht wird, als 3 KeV Energie. Die mechanisch? Stabilität ist nur daß hierauf das Material der organischen Folie in gering, so daß die Speicherelektrode beim Anlegen einer trockenen reduzierenden Atmosphäre bei ao einer Spannung an eine Nachbarelektrode, wie sie erhöhter Temperatur rückstandslos verdampft durch bloßes Berühren der Sockelkontakte mit den wird, danach das Netz mit der aufliegenden Fingern entstehen kann, infolge elektrostatischer transparenten Metallschicht bei einer Temperatur Kräfte zerstört wird.
1. Process for the production of storage units - insufficient transmission for the photoelectron hatrodes or transducer electrodes, which are made of 5, so that the energy loss, together with the layer from an insulator with a high voltage, becomes too large, and one for elec - Also stable and day-to-day enough to be able to withstand a transparent conductive layer. If the acceleration field is too large, which is relatively strong and too thin compared to the layer thickness, the latter can be supported by a wide-meshed metal net so that it can be torn apart by electrostatic field forces,
characterized in that the support consists of a 700 Å thick layer of aluminum oxide coated with a 700 Å thick aluminum that is used to generate the transparent niumschicht is vapor-deposited (AJi. U ο er ι ο, kjr. Layer on a laid on the support net * 5 Beyer and GW Goetze Advances in electro-foil made of organic material together and Electron Physics 22A, 1966, 2J9). In this hanging metal layer from 50 to 400 Å thick, the carrier layer, the primary electrons, preferably from aluminum, lose more than 3 KeV of energy. The mechanical? The only stability is that the material of the organic film is low on this, so that the storage electrode when a dry reducing atmosphere is applied to a neighboring electrode at a voltage as it evaporates without residue by simply touching the base contacts, then the network with it the fingers on the surface can be created, as a result of the electrostatic transparent metal layer, forces are destroyed at a certain temperature.
zwischen 400 und 500° so lange erhitzt wird, bis Es ist bereits vorgeschlagen worden zur Erhöhung sich die Metallschicht mit den Netzstegen durch a5 der Stabiütät der Speicherelektrode em Stutznetz zu Diffusionslötung vermittels des als Lot wirkenden verwenden (DT-AS 1 298 542). Dabei diente als Goldüberzugs der Netzstege verbindet, und daß Schichtträger eine auf der Schichtseite metallisierte schließlich die Sekundär-Elektronen emittierende AL1O3-FoHe, die ihrerseits auf einem Stütznetz aufSchicht auf die dem Netz abgewandte Seite der lag'. Die Verwendung des Netzes ermöglicht zwar den Metallschicnt aufgedampft wird. 30 Schichtträger wesentlich dünner zu machen, jedochbetween 400 and 500 ° is heated until it has already been proposed to increase the metal layer with the network webs through a 5 of the stability of the storage electrode em support network for diffusion soldering by means of the acting as a solder use (DT-AS 1 298 542). This served as a gold coating that connects the web webs, and that the layer carrier is an AL 1 O 3 -FoHe, which is metallized on the layer side and finally emits secondary electrons, which in turn lay on a support network on layer on the side facing away from the network. The use of the net enables the metallic layer to be vapor-deposited. 30 to make substrate much thinner, however
2. Verfahren nach Anbruch 1, dahingehend ergaben sich Schwierigkeiten wegen unzulänglicher abgeändert, daß eine Goldschichi entweder aus- Haftung des Stütznetzes an dem Schichtträge··, schließlich oder zusätzlich i,if die Rückseite der welche infolge der verschiedenen Ausdehnungskoef-Folie aus organischem Material aufgebracht wird. fizienten öfter zum Abreißen oder zum Zerreißen des2. Procedure after opening 1, difficulties arose in this regard due to inadequate modified that a gold layer either from adhesion of the support network to the layer support, finally or additionally i, if the back of which as a result of the different expansion coefficient foil made of organic material is applied. efficient more often to tear off or tear the 35 Schichtträgers führt.35 layer carrier leads. Demgemäß bezweckt die Erfindung, ein technologisches Verfahren bei der Herstellung von Speicher-Accordingly, the invention aims to provide a technological process in the production of memory elektroden für SEC-Röhren anzugeben, welches trotzelectrodes for SEC tubes indicate which despite der Verwendung eines sehr dünnen Schichtträgers 40 eine sichere Haftung des Stütznetzes am Träger gewährleistet. the use of a very thin layer carrier 40 ensures secure adhesion of the support network to the carrier.
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