DE1564708A1 - Method for contacting electrical components, in particular diode, transistor systems and integrated systems - Google Patents
Method for contacting electrical components, in particular diode, transistor systems and integrated systemsInfo
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Description
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SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT München 2, 2 rMAJ ^9 & Siemens Aktiengesellschaft Munich 2, 2 r ^ 9 MAJ &
WittelsbacherplatzWittelsbacherplatz
PA 66/2856PA 66/2856
Verfahren zur Kontaktierung von elektrischen Bauelementen, ins- j besondere von Dioden-, Transistorsystemen und integrierten Systemen! Method for contacting electrical components, especially diode, transistor systems and integrated systems!
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Kontaktieren von elektrischen Bauelementen in Serienbauweise, insbesondere von Mikrohalbleiterbauelementen.The invention relates to a method of contacting of electrical components in series construction, in particular of micro-semiconductor components.
- 2 IHSPECTED - 2 IHSPECTED
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Aufgabe der Erfindung iot eo, ein rationelles Verfahren anzugeben, das cc ermöglicht, eine Vielzahl von Bauelementen, insbesondere von llikro bauelement en, wie beispielsweise Hikre^txi Planartransistoren und -dioden, zu kontaktieren. Die Anwendung des Bar.dmontageprinzips bereitet jedoch aufgrund der geringen mechanischen Stabilität derartiger Bauelcncntc erhebliche Schwierigkeiten. So war es bei den bisher bekannten Verfahren nicht möglich, ohne besondere Hilfsmittel, wie beispielsweise Horden, teure Halterungen oder vorgefertigte Gehäuse für die Kontage der äußeren Elektroden auszukoinnen. Außerdem entstanden bei Verwendung der meist zwischen den Systemanordnüngen und elektrischen Zuführungen erforderlichen Kontaktierungsdrähten durch die oft schwierige Fixierung Instabilitäten, die zu Schwankungen der physikalischen Eigenschaften der fertigen Bauelemente führten und dadurch bei ihrer Anwendung erhebliche Störungen verursachten.The object of the invention is to provide an efficient method which enables cc to produce a large number of components, in particular from llikro components, such as Hikre ^ txi Planar transistors and diodes to contact. The application of the Bar.dmontageprinzips prepares, however, due to the low mechanical stability of such components is considerable Trouble. This was the case with the previously known methods not possible without special aids, such as Hordes, expensive brackets or prefabricated housings for the contact of the outer electrodes. Also emerged when using the mostly between the system arrangements and electrical leads required contacting wires due to the often difficult fixation instabilities that lead to Fluctuations in the physical properties of the finished components resulted in their application being considerable Caused disturbances.
Im Rahcen der vorliegenden Erfindung soll es nun liegen, ein Verfahren anzugeben, das es ermöglicht, ohne Kontaktierungsdrühte und ohne besondere Hilfsmittel, wie beispielsweise Horden oder Halterungen, auszukommen. Han geht dabei so vor, daß als Kontaktierungsrcaterial ein al3 Transportband während einzelner Arbeitsvorgänge geeigneter Trägerkörper verwendet wird, der mit einem dem herzustellenden Bauelement angepaßten Raster mit Einschnitten so versehen ist, daS sich daraus die Ans3hl der äußeren Elektroden des zu fertigenden Bauelements in beatienter geometrischer Anordnung ergibt, co daß durchIt should now be within the scope of the present invention Specify a method that makes it possible to do without contacting wires and without special aids such as shelves or holders. Han does it like this that as a contacting material an al3 conveyor belt during Individual work processes suitable carrier body is used, which is adapted to the component to be produced The grid is provided with incisions in such a way that the outer electrodes of the component to be manufactured are connected in ventilated geometric arrangement results, co that through
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Verformen mindestens einer der zunächst in einer Ebene liegenderDeform at least one of the initially lying in one plane
Elektroden zwischen der oder den in der Ausgangsstellung befindlichen Elektroden und der oder den verforntcn Elektroden eine mechanische Vorspannung entsteht, daß dann zwischen die vorgespannten Elektroden die für die Kontaktierung vorgesehene Bauelcncntcenordnung in orientierter Weise eingelegt und anschließend die aus Kontaktierungsnatcrial bestehenden Elektroden mit den zu kontaktierenden Bauolcnent verbunden v/erdcn.Electrodes between the one or those in the starting position Electrodes and the deformed electrode or electrodes, a mechanical bias is created that then between the biased electrodes, the component order provided for contacting is inserted in an oriented manner and then the electrodes made of contacting material connected to the component to be contacted.
Es liegt auch in Rahccn der Erfindung, gleichzeitig mehr als zwei Elektroden mit der Bauelcnentcencdnung zu kontaktieren.It is also within the scope of the invention, at the same time more than to contact two electrodes with the component design.
In einer Weiterbildung des Erfindungsgedankens ist vorgesehen, die Bcuelcccnteanordnung durch lötung rait den Elektroden, insbesondere in Schutzgasatmosphäre, zu verbinden. Es kenn aber auch ein Thcmokonprccsionsverfahrcn angewendet werden. Bei einer besonders günstigen Ausführungeforn des Verfahrens wird ein nit einer Silber-Zinn-Lcgierung versehenes Kupferband al3 Kontaktierungcnatcrial verwendet. Dabei ist es zweckmäßigι auf das Kupferband zunächst eine etwa 1o/un dicke Silberschicht und denn anschließend eine etwa 5/UU dicke Zinnochicht elektrolytisch abzuscheiden. Die Silbcr-Zinn-Schicht kann aber auch aufgedampft oder auf gewälzt v/erden. ·In a further development of the concept of the invention it is provided that the electrode assembly by soldering especially in a protective gas atmosphere. It However, a thermal configuration process can also be used. With a particularly favorable execution of the process becomes one with a silver-tin alloy Copper tape used as a contacting material. It is expedient to first apply about 10 / un to the copper strip thick silver layer and then about 5 / UU thick layer of tin to be deposited electrolytically. The silver-tin layer but can also be vapor-deposited or rolled on. ·
Das Verfahren gemäß der Erfindung eignet sich zum Kontaktieren aller Halbleiterbauelenente, die nach der legierungs- und Diffusionstechnik gefertigt sind. Es ist aber auch ebenso vorteilhaft anwendbar bei der Montage von Planastransiotorcn ·The method according to the invention is suitable for contacting of all semiconductor components that are made according to the alloy and Diffusion technology are made. However, it can also be used to advantage in the assembly of planar transistors
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und -dioden sowie integrierten Schaltungen, wobei die Zahl der zu verfornicnden Elektroden beliebig gewühlt werden kann.and diodes and integrated circuits, where the number the electrodes to be deformed can be selected as desired.
Eine weitere Anwendungsraöglichkeit ergibt sich bei der Kontaktierung von mehrpoligen elektrischen Bauelementen, z.B. von Kondensatoren und Widerständen.Another possible application arises from contacting of multi-pole electrical components, e.g. of capacitors and resistors.
In folgenden soll die Erfindung anhand von zwei Ausftihrungsbeispielcn, aus denen weitere Einzelheiten und Vorteile des Verfahrens hervorgehen, näher erläutert werden.In the following, the invention is intended to be based on two exemplary embodiments, from which further details and advantages of the method emerge, are explained in more detail.
In Fig. 1 und 2 ist die Kontaktierung und Fertigstellung einer Diode dargestellt. Fig. 3 zeigt die der Erfindung zugrunde-· liegenden Verfahrcnoschritte an Beispiel eines Transistors.In Fig. 1 and 2, the contacting and completion is a Diode shown. 3 shows the process steps on which the invention is based, using a transistor as an example.
Zur Kontaktierung, beispielsweise einer Diode, mit auf verschiedenen Systcmoeitcn angeordneten Kontaktierungsbereichen, z.B. in Form aufgedampfter lietallflecken, wird ein mit einer Silber-Zinn-Legierung versehenes Kupferband 1, wie in Piß. 1 im Abschnitt A) dargestellt, verwendet. Da dieses Band während noch folgender Arbeitsgänge auch als Transportband Vorwondung findet, ist es im Bereich seiner oberen Kante mit runden Ausstenzungcn 2 versehen, die als Aufnahme für Automated, beicpielctveicc bei Ätzprozeooon, Spritzgußverfahren ö&9*i elektriechen UcoDungen, dienen. Der ait 5 bezel/ des Sandte t wird nach den erfiöduii^cgeaäßcn Te^A copper strip 1 provided with a silver-tin alloy, as in Piß. 1 in section A) is used. Since this band is also used as conveyor belt Vorwondung while still following operations, there is provided in the region of its upper edge with circular Ausstenzungcn 2, as a receptacle for Automated, beicpielctveicc at Ätzprozeooon, injection molding ö & 9 * i elektriechen UcoDungen serve. The ait 5 bezel / des Sandte t is after the erfiöduii ^ cgeaäßcn Te ^
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durch den Pfeil 5 angedeuteten Richtung derart verfornt, d.h. so weit nach oben gebogen, bis der Bereich-3 mit einer bestimraten mechanischen Vorspannung auf den Bereich 6 des Metallbandeo zu liegen kommt, was durch die gestrichelte linie 7 in i*ig· 1 im Abschnitt A) dargestellt werden coil. Nun v/ird, wie in Abschnitt B) der Figur 1 dargestellt, zwischen die beiden Metallzungcn (3,6) die zu kontaktierende Halbleiteranordnung 8 so eingelegt bzw. eingeklemmt, daß sie mit ihren zu kontaktierenden Bereichen, die beispielsweise aus aufgedampften Metallflecken 9 bestehen, an den beiden Zungen anliegt.. Dann worden die Metallkontakte 3 und 6 mit dem Bauelement 8 bsv/. 9 durch einen kurzen Lütprozeß in Schutzgasatmosphäre verbunden. «■the direction indicated by the arrow 5 so deformed, ie bent so far upwards, until the area 3 comes to rest on the area 6 of the metal bandeo with a certain mechanical prestress, which is indicated by the dashed line 7 i n i * ig · 1 im Section A) shows coil. As shown in section B) of FIG , rests against the two tongues .. Then the metal contacts 3 and 6 with the component 8 bsv /. 9 connected by a short luting process in a protective gas atmosphere. «■
Wie in Fig. 2 dargestellt, werden nach dem Umhüllen der kont\ktierten Bauelementeanordnung durch ein Spritzgußverfahren oder Spritzpressverfahren mittels einer niedrigschmelzenden, bei der Betriebstemperatur des herzustellenden Bauelements festen Vergußmasse 14, beispielsweise Epoxidharz, die mit 1o, 11 und 12 bezeichneten, zur Stabilisierung des Metallbcndcs vorhandenen Stege ausgestanzt. Durch Abtrennen dec mit den Ausstanzungen 2 versehenen Bereiches des Metallbandea 1 an der strichpunktierten Linie 13 kann dann die so fertiggestellte Diode beispielsweise zum Einbau in Schaltungen direkt verwendet werden.As shown in Fig. 2, after wrapping the Contacted component arrangement by an injection molding process or transfer molding process using a low-melting, at the operating temperature of the component to be produced solid potting compound 14, for example epoxy resin, with 1o, 11 and 12, to stabilize the metal band existing webs punched out. By separating dec with the area of the metal band 1 provided with the punched-out 2 on the dash-dotted line 13 can then be completed in this way Diode, for example, can be used directly for installation in circuits.
Die Figur 3 zeigt in analoger V/eise den Aufbau eines Transistors nach den crfindungsgenäßen Verfahren» Mit t6 ist dieFIG. 3 shows in an analogous way the structure of a transistor according to the method according to the invention
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für einen Translator notwendige zusätzliche Elektrode bezeichnet, die mit den Kontaktfleckcn 2o verlötet wird. Anoonöten gelten die gleichen Bczugozcichen wie in Piß. 1. Das Vergießen deo Halbleiterbauelementα und da3 Entfernen der Stege und deo restlichen nib den Auootanzungen versehenen Metallbcndes erfolgt analog der Beschreibung in Pig. 2.denotes additional electrode required for a translator, which is soldered to the Kontaktfleckcn 2o. Ano-soldering The same terms apply as in Piß. 1. The potting of the semiconductor component and da3 removal of the webs and the rest of the metal band provided with the punched holes takes place analogously to the description in Pig. 2.
Es ist selbstverständlich, daß das beschriebene Verfahren auf beliebig viele Ausführungsformen des aus Kontaktierungsnatcrial bestehenden Transportbandes anwendbar ist. Die zu verformcndcn LIetallzungen können sowohl nach oben, nach hinten als auch seitlich umgeklappt werden.It goes without saying that the method described is based on any number of embodiments of the contacting material existing conveyor belt is applicable. The to be deformed Metal tongues can go upwards, backwards and backwards can be folded over to the side.
9 Patentansprüche 3 Piguren9 claims 3 Piguren
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BAD OBiGiNAL 909887/0810BAD OBiGiNAL 909887/0810
Claims (1)
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- 1967-09-13 GB GB4175667A patent/GB1148352A/en not_active Expired
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AT270752B (en) | 1969-05-12 |
GB1148352A (en) | 1969-04-10 |
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