DE1514254C

DE1514254C - Semiconductor component

Info

Publication number: DE1514254C
Authority: DE
Inventors: Günther Carl Maximilian Eduard Iersel Alfons Matthijs Reimer van Rongen Jacobus Johannes Moors Petrus Martmus Albertus Wilhelmus Nymegen Wolfrum (Niederlande)
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Publication date: 1971-09-23

Description

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper mit mehreren Zonen, bei dem aneinander angrenzende Zonen verschiedene elektrische Eigenschaften haben, wenigstens eine der Zonen mit einer für Kontaktzwecke bestimmten Metallschicht elektrisch verbunden ist, die auf einer zwischen dieser Metallschicht und dem Halbleiterkörper befindlichen Isolierschicht liegt, und bei dem der von der Metallschicht bedeckte Teil der Isolierschicht wenigstens teilweise auf einer leitenden Abschirmschicht liegt, die aus einer Oberflächenzone des Halbleiterkörpers besteht und einen pn-übergang mit dem darunterliegenden Teil des Halbleiterkörpers bildet.The invention relates to a semiconductor component having a semiconductor body with a plurality of zones adjoining zones have different electrical properties, at least one of the Zones is electrically connected to a metal layer intended for contact purposes, which is on a is located between this metal layer and the semiconductor body insulating layer, and in the the part of the insulating layer covered by the metal layer at least partially on a conductive shielding layer which consists of a surface zone of the semiconductor body and a pn junction forms with the underlying part of the semiconductor body.

Halbleiterbauelemente der obenerwähnten Art sind z. B. planare Dioden und Transistoren. Ein planarer Transistor kann z. B. einen Halbleiterkörper enthalten, der mit einer Isolierschicht, wie einer Siliziumoxydschicht, bedeckt ist, wobei unter der Oxydschicht stellenwise eine Oberflächenzone, die Basiszone, vorhanden ist und wobei der die Basiszone umgebende Teil des Halbleiterkörpers als Kollektorzone dient und stellenweise in der Basiszone eine Emitterzone angebracht ist.Semiconductor components of the type mentioned above are, for. B. planar diodes and transistors. A planar transistor can e.g. B. contain a semiconductor body with an insulating layer, such as a Silicon oxide layer, is covered, with a surface zone under the oxide layer in places, which Base zone, is present and wherein the part of the semiconductor body surrounding the base zone as The collector zone is used and an emitter zone is attached in places in the base zone.

Elektrische Anschlüsse mit der Emitter- und Basiszone und gegebenenfalls auch mit der Kollektorzone können über in der Oxydschicht angebrachte Öffnungen hergestellt werden.Electrical connections to the emitter and base zones and, if necessary, also to the collector zone can be made through openings made in the oxide layer.

Für Hochfrequenztransistoren ist es besonders wichtig, daß die Kapazität zwischen den verschiedenen Zonen minimal ist. Die Größe der Oberfläche der Basis- und Emitterzone wird daher sehr klein gewählt, und dies bedeutet, daß die Öffnungen in der Oxydschicht zum Herstellen elektrischer Anschlüsse nur sehr klein sein können. Diese Öffnungen sind oft zu klein, um z. B. einen Anschlußdraht unmittelbar an der betreffenden Zone zu befestigen. Auf der Oxydschicht wird daher eine Metallschicht mit einer größeren Oberfläche als eine Öffnung in der Oxydschicht angebracht, wobei ein vorspringender Teil dieser Metallschicht in eine Öffnung in der Oxydschicht reicht und mit der betreffenden Zone, z. B. durch Legieren, elektrisch verbunden ist. Ein Anschlußleiter kann dann an dieser Metallschicht befestigt werden.For high-frequency transistors it is particularly important that the capacitance between the different Zones is minimal. The size of the surface of the base and emitter zones therefore becomes very small selected, and this means that the openings in the oxide layer for making electrical connections can only be very small. These openings are often too small, e.g. B. a connecting wire directly to be attached to the zone in question. On the oxide layer is therefore a metal layer with a larger surface area than an opening in the oxide layer, with a protruding part this metal layer extends into an opening in the oxide layer and with the relevant zone, for. B. by alloying, is electrically connected. A connection conductor can then be attached to this metal layer will.

Wegen der kleinen Abmessungen der Basis- und Emitterzone liegt eine für Kontaktzwecke bestimmte Metallschicht, welche mit einer dieser Zonen elektrisch verbunden ist, gewöhnlich größtenteils oberhalb des die Basiszone umgebenden, zur Kollektorzone gehörigen Teiles des Halbleiterkörpers.Because of the small dimensions of the base and emitter zone, there is one intended for contact purposes Metal layer electrically connected to one of these zones, usually mostly above it of the part of the semiconductor body surrounding the base zone and belonging to the collector zone.

Hierdurch tritt eine in vielen Schaltungen unerwünschte Vergrößerung der Basis-Kollektor- und/ oder Emitter-Kollektor-Kapazität auf. Aus der fran- ;:ösi';c!icn Patentschrift 1 318 391 ist es bekannt, diese Kapazitätsvergrößerung zu erniedrigen mittels einer unter der mit den Basis- und Emitterzonen verbundenen Metallschichten liegenden schwebenden, d. h. nicht kontaktierten Zone, die einen pn-übergang mit der Kollektorzonc bildet. Auch bei anderen Halbleitcrbauclcmcnten als Transistoren, z. B. bei planaren Dioden, kann zwischen einer für Kontaktzwecke bestimmten Metallschicht und dem Halbleiterkörper eine solche unerwünschte Kapazität auftreten.This results in an undesirable increase in the base-collector and / or emitter-collector capacitance. From the French;: ösi '; c! Icn patent specification 1 318 391 it is known this Increase in capacitance by means of a lower than that connected to the base and emitter zones Metal layers lying floating, d. H. non-contacted zone that has a pn junction the collector zone forms. Also with other semiconductor components as transistors, e.g. B. in planar diodes, can be between one for contact purposes certain metal layer and the semiconductor body such undesirable capacitance occur.

Der Erfindung liegt unter anderem die Erkenntnis zugrunde, daß in einfacher Weise die Kapazitätsvergrößerung nicht nur verringert, sondern ganz beseitigt werden kann.The invention is based, inter alia, on the knowledge that in a simple manner the increase in capacity can not only be reduced, but eliminated entirely.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Halbleiterbauelement der eingangs erwähnten Art zu schaffen, bei dem die erwähnte unerwünschte Kapazitätsvergrößerung im Betrieb beseitigt werden kann.The invention is based on the object of providing a semiconductor component of the type mentioned at the beginning to create, in which the aforementioned undesired increase in capacity can be eliminated during operation can.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Abschirmschicht einen von der Isolierschicht freigelegten Teil hat, mit dem ein Anschlußleiter verbunden ist.According to the invention, this object is achieved in that the shielding layer is one of the insulating layer has exposed part to which a connection conductor is connected.

Es ist einleuchtend, daß, wenn im Betrieb ein geeignetes Potential an einer Abschirmschicht angelegt wird, die Kapazität zwischen der für Kontaktzwecke bestimmten Metallschicht und dem Halbleiterkörper herabgesetzt werden kann. Ist die für Kontaktzwecke bestimmte Metallschicht ζ. B. mit der Basiszone eines Transistors verbunden und erstreckt sich diese Metallschicht bis oberhalb der Kollektorzone, so tritt eine eine Rückkopplung herbeiführende Basis-Kollektor-Kapazität auf, wenn der Transistor als Verstärkerelement mit seiner Emitterelektrode an einem Punkt konstanten Potentials, z. B. mit geerdeter Emitterelektrode, verwendet wird. Diese eine Rückkopplung herbeiführende Basis-Kollektor-Kapazität wird vermieden, wenn die Abschirmschicht gleichfalls an einen Punkt konstanten Potentials, z. B. an Erde, gelegt wird. Die Basis-Kollektor-Kapazität wird dann gleichsam durch eine Kapazität zwischen z. B. Basiselektrode und Erde und eine Kapazität zwischen Kollektorelektrode und Erde ersetzt, welche gewöhnlich nicht störend sind. Wird diese Abschirmschicht in Form der Oberflächenzone an Erde gelegt, so ist der pn-übergang selbsttätig in der Umkehrrichtung vorgespannt, wobei sich an der Stelle des pn-Überganges bekanntlich eine hochohmige Sperrschicht bildet.It is evident that when, in use, a suitable potential is applied to a shielding layer becomes, the capacitance between the metal layer intended for contact purposes and the semiconductor body can be reduced. Is the metal layer intended for contact purposes ζ. B. with the base zone one Connected transistor and extends this metal layer to above the collector zone, so occurs a base-collector capacitance causing a feedback when the transistor is used as Amplifier element with its emitter electrode at a point of constant potential, e.g. B. with grounded Emitter electrode, is used. This feedback-causing base-collector capacitance is avoided if the shielding layer is also at a point of constant potential, z. B. is placed on earth. The base-collector capacitance is then as it were by a capacitance between z. B. replaced base electrode and earth and a capacitance between collector electrode and earth, which are usually not annoying. This shielding layer is applied in the form of the surface zone Ground, the pn junction is automatically biased in the reverse direction, whereby the It is known that a high-resistance barrier layer forms at the point of the pn junction.

Sind wenigstens zwei Zonen des Halbleiterkörpers mit getrennten für Kontaktzwecke bestimmten Metallschichten elektrisch verbunden, so kann in vielen Fällen für diese Metallschichten vorteilhaft eine gemeinsame Abschirmschicht vorhanden sein.Are at least two zones of the semiconductor body with separate metal layers intended for contact purposes electrically connected, so in many cases a common one can be advantageous for these metal layers Shielding layer be present.

Die Erfindung ist insbesondere von Wichtigkeit für Halbleiterbauelemente mit einer Transistorstruktur, wie sich aus dem Vorhergehenden bereits ergeben hat. Eine wichtige Ausführungsform eines Halbleiterbauelementes nach der Erfindung weist daher das Kennzeichen auf, daß das Halbleiterbauelement eine planare Transistorstruktur mit einer Emitter-, Basis- und Kollektorzone aufweist, daß die Emitter- und Basiszone eine kleinere Fläche haben als die Kollektorzone, daß der Halbleiterkörper mit einer Isolierschicht bedeckt ist, auf der für Kontaktzwecke bestimmte Metallschichten angebracht sind, die sich bis über die Kollektorzone erstrecken und über Öffnungen in der Isolierschicht mit der Basis- und Emitterzone verbunden sind, daß zwischen wenigstens einer dieser Metallschichten und dem darunterliegenden, zur Kollektorzone gehörigen Teil des Halbleiterkörpers die Abschirmschicht vorhanden ist und daß eine weitere Öffnung in der Isolierschicht vorgesehen ist, über die ein Anschlußleiter mit der Abschirmschicht verbunden ist.The invention is particularly important for semiconductor components with a transistor structure, as has already emerged from the preceding. An important embodiment of a semiconductor component according to the invention therefore has the characteristic that the semiconductor component is a planar transistor structure with an emitter, base and collector zone that the emitter and Base zone have a smaller area than the collector zone that the semiconductor body with a Insulating layer is covered on which metal layers intended for contact purposes are applied, which extend over the collector zone and through openings in the insulating layer with the base and emitter zone are connected that between at least one of these metal layers and the underlying part of the semiconductor body belonging to the collector zone, the shielding layer is present is and that a further opening is provided in the insulating layer through which a connecting conductor to the Shielding layer is connected.

Die Erfindung betrifft auch eine Schaltung zum Betrieb eines Halbleiterbauelements nach der Erfindung zum Verstärken elektrischer Signale, die dadurch gekennzeichnet ist, daß an die Abschirmschicht ein Potential angelegt ist, das die Kapazität zwischen der für Kontaktzwecke bestimmten Metallschicht und dem Halbleiterkörper herabsetzt. Vor-The invention also relates to a circuit for operating a semiconductor component according to the invention for amplifying electrical signals, which is characterized in that to the shielding layer a potential is applied, which is the capacitance between the metal layer intended for contact purposes and lowers the semiconductor body. In front-

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zugsweise ist die Abschirmschicht mit einem Punkt Unterhalb dieser Teile und auch unterhalb der Oxydkonstanten Potentials verbunden. schicht 35 sind die p-Typ-Oberflächenzonen 37 yor_T the shielding layer is preferably connected to a point below these parts and also below the oxide constant potential. layer 35 are the p-type surface zones 37 and _T

Wie sich aus dem Vorhergehenden bereits ergibt, handen, welche als Abschirmschicht dienen und die ist die Erfindung von besonderer Bedeutung für pn-Übergänge 48 mit dem darunterliegenden Teil desAs can already be seen from the preceding, there are which serve as a shielding layer and which the invention is of particular importance for pn junctions 48 with the underlying part of the

planare Transistoren in üblichen Emitter-und Basis- 5 Halbleiterkörpers 30, d.h. der Kollektorzone 31^planar transistors in the usual emitter and base 5 semiconductor body 30, i.e. the collector zone 31 ^

schaltungen. bilden. In der Oxydschicht 35 sind Öffnungen 40 mitcircuits. form. Openings 40 are provided in the oxide layer 35

Eine wichtige Ausführungsform der Schaltung nach einem Durchmesser von etwa 75 μΐη vorhanden, umAn important embodiment of the circuit after a diameter of about 75 μΐη present to

der Erfindung ist entsprechend dadurch gekennzeich- Anschlußleiter mit den frei liegenden Teilen 41 derthe invention is characterized accordingly marked connecting conductor with the exposed parts 41 of the

net, daß der Basiszone der Transistorstruktur elek- Abschirmschichten 37 verbinden zu können. Mit dennet that the base zone of the transistor structure elek- shielding layers 37 to be able to connect. With the

trische Signale zugeführt werden, daß die Emitter- io für Kontaktzwecke bestimmten Metallschichten 44Tric signals are supplied that the emitter io metal layers 44 intended for contact purposes

zone mit einem Punkt konstanten Potentials ver- und 45 sind ein Basisanschlußleiter 46 bzw. einzone with a point of constant potential and 45 are a base connection conductor 46 and a

bunden ist und daß die zwischen der elektrisch mit Emitteranschlußleiter 47 verbunden, die deutlich-is bound and that the between the electrically connected to emitter connection conductor 47, the clearly-

der Basiszone verbundenen, für Kontaktzwecke be- keitshalber nur in F i g. 2 gezeigt sind,connected to the base zone, for the sake of contact only in FIG. 2 are shown,

stimmten Metallschicht und der Kollektorzone vor- Der Transistor kann auf einer Trägerplatte 50 be-,The transistor can be determined on a carrier plate 50,

handene Abschirmschicht gleichfalls mit einem i₅ festigt sein, die gleichzeitig als KollektoranschlußExisting shielding layer should also be _{strengthened with an i 5} , which also acts as a collector connection

Punkt konstanten, die Kapazität herabsetzenden dient.Point serves constant, the capacity-degrading.

Potentials verbunden ist, und eine weitere wichtige Für den Transistor können übliche Materialien Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, daß verwendet werden, und der Transistor kann in.übder Emitterzone der Transistorstruktur elektrische licher Weise hergestellt werden.
Signale zugeführt werden, daß die Basiszone mit 20 Die Abschirmschichten 37 können durch Diffusion einem Punkt konstanten Potentials verbunden ist gleichzeitig mit der Basiszone 33 während einer ge- und daß die zwischen der elektrisch mit der Emitter- meinsamen Diffusionsbehandlung erzielt werden. Dazone verbundenen, für Kontaktzwecke bestimmten zu werden neben einer zum Erzielen der Basiszone Metallschicht und der Kollektorzone vorhandene 32 erforderlichen Öffnung 34 von etwa 65 · 65 μΐη Abschirmschicht gleichfalls mit einem Punkt kon- 25 gleichzeitig zum Erzielen der diffundierten Abstanten, die Kapazität herabsetzenden Potentials ver- schirmschichten 37 öffnungen 38 von etwa 175 ■ 85 μΐη bunden ist. in der ,Oxydschicht 35 angebracht, welche nach derFor the transistor, common materials embodiment can be used, and the transistor can be manufactured in an electrical manner in the emitter zone of the transistor structure.
Signals are supplied that the base zone with 20 The shielding layers 37 can be connected by diffusion to a point of constant potential simultaneously with the base zone 33 during and that between the diffusion treatment electrically shared with the emitter. To be connected to this, intended for contact purposes, in addition to a 32 required opening 34 of about 6565μΐη, which is required to achieve the base zone, the metal layer and the collector zone, the shielding layer is also connected to a point at the same time to achieve the diffused spacing, the potential reducing the capacitance. shield layers 37 openings 38 of about 175 ■ 85 μΐη is bonded. in the, oxide layer 35 attached, which after the

Vorzugsweise ist die Abschirmschicht mit dem- Diffusionsbehandlung wieder gedichtet werden, z. B.Preferably, the shielding layer is resealed with the diffusion treatment, e.g. B.

selben Punkt konstanten Potentials verbunden als die durch Oxydation mit 'leuchtem Sauerstoff. Es istthe same point of constant potential as that connected by oxidation with luminous oxygen. It is

mit einem Punkt konstanten Potentials verbundene 30 naturgemäß auch möglich, die Abschirmschichten 3730 connected to a point of constant potential naturally also possible, the shielding layers 37

Zone. . durch eine getrennte Diffusionsbehandlung anzubrin-Zone. . to be attached by a separate diffusion treatment

Es ist einleuchtend, daß die Erfindung auch vor- gen, was z. B. beim Anbringen einer verhältnismäßig teilhaft bei Halbleiterbauelementen mit einem Halb- hochohmigen Basiszone nützlich sein kann. Vorzugsleiterkörper anwendbar ist, in dem mehrere Halb- weise werden in diesem Falle zunächst die Abschirmleiterschaltelemente, wie Transistoren oder Dioden, 35 schichten 37 und anschließend die Basiszone 32 anangebracht sind und bei denen eine für Kontakt- gebracht, da die Wärmebehandlung wegen des Aufzwecke bestimmte und auf einer Isolierschicht lie- bringens der Abschirmschichten dann keinen Einfluß gende Metallschicht eine elektrische Verbindung auf die Basiszone 32 hat.
zwischen zwei Schaltelementen bilden kann. Im vorliegenden Beispiel sind für die Metall-It is evident that the invention also provides what z. B. when attaching a relatively partial in semiconductor components with a semi-high-resistance base zone can be useful. Preferred conductor body can be used, in which several half-wise, in this case, first the shielding conductor switching elements, such as transistors or diodes, 35 layers 37 and then the base zone 32 are attached and one of which is brought in for contact, since the heat treatment is determined for the purpose and If the shielding layers are placed on an insulating layer, the metal layer then has no influence and an electrical connection to the base zone 32.
can form between two switching elements. In this example, the metal

Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher 40 schichten 44 und 45 also getrennte Abschirmschich-The invention is based on the drawing in more detail 40 layers 44 and 45 so separate shielding layers

erläutert, in der ein Ausführungsbeispiel dargestellt ten 37 vorhanden. Deutlichkeitshalber sind Zufüh-explained, in which an embodiment shown th 37 present. For the sake of clarity, feed

ist. Es zeigt . rungsleiter, welche über die öffnungen 40 in deris. It shows . rungsleiter, which through the openings 40 in the

F i g. 1 in schematischer Darstellung eine Drauf- Oxydschicht 35 mit den frei liegenden Teilen 41 derF i g. 1 shows a schematic representation of a top oxide layer 35 with the exposed parts 41 of FIG

sieht auf einen Transistor nach der Erfindung, Abschirmschichten 37 verbunden werden müssen,looks at a transistor according to the invention, shielding layers 37 must be connected,

Fig. 2 einen Querschnitt durch den Transistor 45 nicht dargestellt. Solche Leiter können auf eine in2 shows a cross section through transistor 45, not shown. Such a ladder can be on an in

entlang der Linie V-V in F i g. 1 und der Halbleitertechnik übliche Weise angebrachtalong the line V-V in FIG. 1 and the semiconductor technology usual manner attached

Fig. 3 einen Querschnitt durch den Transistor werden,Fig. 3 will be a cross section through the transistor,

entlang der Linie VI-VI in Fig. 1. Wird z. B. der beschriebene Transistor als Ver-along the line VI-VI in FIG. B. the described transistor as a

An Hand der F i g. 1, 2 und 3 wird ein Ausfüh- Stärkerelement in einer Emitterschaltung mit der rungsbeispiel besprochen, bei dem die Abschirm- 5° Emitterelektrode an einem Punkt konstanten Potenschicht aus einer Oberflächenzone des Halbleiter- tials, z. B. an Erde, angewendet, so werden Eingangskörpers besteht, während die Sperrschicht von dem signale dem von dem Basis- und Emitteranschluß 46 pn-übergang gebildet wird, den die Oberflächen- bzw. 47 gebildeten elektrischen Eingang zugeführt, schicht mit dem darunterliegenden Teil des Halb- und die Ausgangssignale werden dem von dem Kolleiterkörpers bildet. 55 lektor- und Emitteranschluß 50 bzw. 47 gebildetenOn the basis of FIG. 1, 2 and 3 is an execution strength element in an emitter circuit with the Example discussed in which the shielding 5 ° emitter electrode is constant at one point from a surface zone of the semiconductor tials, z. B. to earth, applied, the input body is there, while the barrier layer of the signal that of the base and emitter terminal 46 pn junction is formed, fed to the surface or 47 formed electrical input, layer with the underlying part of the half and the output signals are that of the collector body forms. 55 lector and emitter terminal 50 and 47 formed

Das Ausführungsbeispiel nach den F i g. 1, 2 elektrischen Ausgang abgenommen. Werden dabei und 3 betrifft einen Transistor mit einem Halbleiter- die Abschirmschichten 37 über Anschlußleiter, die körper 30 aus Silizium mit Abmessungen von etwa mit den frei liegenden Teilen der Abschirmschich'en 500 · 400 · 250 μΐη und mit der n-Typ-Kollektorzone verbunden sind, an einen Punkt konstanten Poten-31, der p-Typ-Basiszone 32 und der n-Typ-Emitter- 60 tials, z. B. an Erde gelegt, so wird die eine Rückzone 33. Der Halbleiterkörper 30 ist mit einer SiIi- kopplung herbeiführende Basis-Kollektor-Kapazität ziumoxydschicht 35 bedeckt, in der Öffnungen 36 stark herabgesetzt und die Verstärkung verbessert, und 39 mit Abmessungen von etwa 10-50 μΐη vor- Die pn-Ubergänge 48 sind dabei in Sperrrichtung handen sind, über welche die für Kontaktzwecke be- vorgespannt, so daß sie als Sperrschichten wirksam stimmten Metallschichten 44 und 45 mit der Basis- 65 sind. Wird der Transistor in einer Basisschaltung verzone 32 bzw. der Emitterzone 33 verbunden sind. wendet, so wird in ähnlicher Weise die eine Rück-Der Durchmesser der praktisch kreisförmigen Teile kopplung herbeiführende Emitter-Kollektor-Kapazität der Metallschichten 44 und 45 beträgt etwa 75 μπι. herabgesetzt und die Verstärkung verbessert.The embodiment according to FIGS. 1, 2 electrical output removed. Will be there and FIG. 3 relates to a transistor with a semiconductor, the shielding layers 37 via connecting conductors, the body 30 made of silicon with dimensions of approximately with the exposed parts of the Abschirmschich'en 500 400 250 μΐη and connected to the n-type collector zone, at a point of constant potential-31, the p-type base region 32 and the n-type emitter 60 tials, e.g. B. placed on earth, then the one back zone 33. The semiconductor body 30 is with a SiIi coupling causing base-collector capacitance ziumoxide layer 35, in which openings 36 are greatly reduced and the reinforcement is improved, and 39 with dimensions of about 10-50 μΐη before The pn transitions 48 are in the reverse direction are available, over which the biased for contact purposes, so that they act as barrier layers matched metal layers 44 and 45 with the base 65 are. If the transistor is zoned in a base circuit 32 or the emitter zone 33 are connected. turns, one of the reverses becomes similarly Diameter of the practically circular parts causing the coupling of the emitter-collector capacitance the metal layers 44 and 45 is about 75 μm. decreased and the gain improved.

Ist der Transistor nur dazu bestimmt, in Schaltungen mit dem Emitter an einem Punkt konstanten Potentials verwendet zu werden, so ist nur die Abschirmschicht 37 unter der Metallschicht 44, die mit der Basiszone 32 verbunden ist, von Bedeutung, und die Abschirmschicht 37 unter der Metallschicht 45 ist gegebenenfalls entbehrlich. Ist der Transistor nur dazu bestimmt, in Schaltungen mit der Basis an einem Punkt konstanten Potentials verwendet zu werden, so kann die Abschirmschicht 37 unter der Metallschicht fortfallen.The transistor is only intended to work in circuits with the emitter at one point constant Potential to be used, so is only the shielding layer 37 under the metal layer 44, which is with of the base region 32 is of importance, and the shielding layer 37 under the metal layer 45 is possibly dispensable. Is only intended to work in circuits with the base on one transistor Point of constant potential can be used, the shield layer 37 under the metal layer fall away.

Der Halbleiterkörper kann statt aus Silizium z. B. aus Germanium oder einer A_mB_v-Verbindung bestehen, und die Metallschichten können aus anderen Metallen als Aluminium bestehen. Weiterhin ist die Erfindung bei anderen Halbleiterbauelementen als Transistoren, z.B. bei Dioden oder integrierten HaIbleiterschaltungeri, anwendbar, bei denen für Kontaktzwecke bestimmte, auf einer Isolierschicht liegende Metallschichten verwendet werden.The semiconductor body can, instead of silicon, for. B. consist of germanium or an A _m B _v compound, and the metal layers can consist of metals other than aluminum. Furthermore, the invention can be used with other semiconductor components than transistors, for example with diodes or integrated semiconductor circuits, in which certain metal layers lying on an insulating layer are used for contact purposes.

Claims

Patent claims:

1. Semiconductor component with a semiconductor body with several zones, in which one another adjacent zones have different electrical properties, at least one of the zones is electrically connected to a metal layer intended for contact purposes, which is on a between this metal layer and the semiconductor body located insulating layer, and in which the part of the insulating layer covered by the metal layer is at least partially on top of one conductive shielding layer, which consists of a surface zone of the semiconductor body and forms a pn junction with the underlying part of the semiconductor body, thereby characterized in that the shielding layer (37) exposed one of the insulating layer (35) Part (41) has to which a connecting conductor is connected.

2. Semiconductor component according to claim 1, characterized in that at least two zones of the semiconductor body with separate metal layers intended for contact purposes are connected and a common shielding layer is present for these metal layers.

3. Semiconductor component according to claim 1 or 2, characterized in that the semiconductor component a planar transistor structure with an emitter (33), base (32) and collector zone (31) has that the emitter (33) and base region (32) have a smaller area than that Collector zone (31) that the semiconductor body (30) is covered with an insulating layer (35) on the for contact purposes certain metal layers (44, 45) are attached, which extend over the Collector zone (31) extend and via openings in the insulating layer (35) with the base (32) and emitter zone (33) are connected that between at least one of these metal layers (44, 45) and the underlying part of the semiconductor body belonging to the collector zone (31) (30) the shielding layer (37) is present and that a further opening (40) in the insulating layer (35) is provided, via which a connecting conductor is connected to the shielding layer (37) is.

4. Circuit for operating a semiconductor component according to one of the preceding claims for amplifying electrical signals, characterized in that the shielding layer (37) a potential is applied, which is the capacitance between that determined for contact purposes Metal layer (44, 45) and the semiconductor body (30) reduced.

5. A circuit according to claim 4, characterized in that the shielding layer (37) with connected to a point of constant potential.

6. Circuit for operating a semiconductor component according to at least one of claims 3 to 5, characterized in that the base zone (32) of the transistor structure has electrical signals are supplied so that the emitter zone (33) is connected to a point of constant potential and that those between the electrically connected to the base zone (32) intended for contact purposes Metal layer (44) and the shielding layer (37) present in the collector zone (31) likewise is connected to a point of constant, capacitance-reducing potential.

7. Circuit for operating a semiconductor component according to at least one of claims 3 to 5, characterized in that the emitter zone (33) of the transistor structure has electrical signals are supplied that the base zone (32) is connected to a point of constant potential and that between the electrically connected to the emitter zone (33), for contact purposes certain metal layer (45) and the collector zone (31) existing shielding layer (37) is also connected to a point of constant, capacitance-reducing potential is.

8. A circuit according to claim 6 or 7, characterized in that the shielding layer with is connected to the same point of constant potential as that of a point constant Potential connected zone.

1 sheet of drawings