DE1549053C

DE1549053C - Circuit arrangement for monitoring write-in processes in memories

Info

Publication number: DE1549053C
Authority: DE
Inventors: Herbert Dr Ing 8000 München Stegmeier
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Publication date: 1972-08-17

Description

1 21 2

In nachrichtenverarbeitenden Anlagen, insbeson- Registers angeschlossen und mit seinem anderen Eindere Fernsprechvermittlungsanlagen, ist die ordnungs- gang mit den Leseleitungen verbunden, wobei der gemäße Arbeitsweise der ganzen Anlage von der ord- Vergleicher mit diesem anderen Eingang zweckmänungsgemäßen Funktion einer Vielzahl von Bau- ßigerweise an den Ausgang eines den Leseleitungen bzw. Funktionsgruppen abhängig, die oft in nur 5 nachgeschalteten zweiten Registers angeschlossen ist. schwer überschaubarer Weise miteinander verknüpft Die Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung eröffsind. Um bei einem etwaigen fehlerhaften Arbeiten net vorteilhafterweise die Möglichkeit, eine Überder Anlage bzw. von Anlageteilen gezielte Abhilfe wachung nicht nur des erstmaligen Einschreibens schaffen zu können, ist es zweckmäßig, die einzelnen einer einzuspeichernden Information in den Speicher, Bau- bzw. Funktionsgruppen mehr oder weniger indi- io sondern auch eines nach einem Auslesen einer eingeviduell auf ein ordnungsgemäßes Arbeiten zu über- speicherten Information erforderlichen Wiedereinwachen. Wesentliche Bestandteile solcher nachrich- Schreibens der betreffenden Information vornehmen tenverarbeitender Anlagen, insbesondere neuerer zu können. Hierzu ist es zweckmäßig, daß das ge-Femsprechvermittlungsanlagen, in denen allgemein nannte erste Register mit einem Eingang für nach eine Tendenz zur Verwendung von zentralen Steuer- 15 einem Auslesen wiedereinzuschreibende Informatioeinrichtungen zu beobachten ist, sind Speicher, in die nen an die Leseleitungen angeschlossen ist.
für den Betrieb der Anlage erforderliche Informatio- Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung nähei nen, insbesondere über den jeweiligen Betriebszu- erläutert. Die Zeichnung zeigt eine Schaltungsanordstand der betreffenden Anlage einschließlich der von nung gemäß der Erfindung im Zusammenhang mit ihr bedienten Einrichtungen, eingeschrieben und bei 20 einem Speicher KS, der als Speicherelemente Ma-Bedarf ausgelesen werden. Die Erfindung betrifft nun gnetkerne K aufweist. Diese Magnetkerne K sind die Überwachung eines speziellen Betriebsvorganges. jeweils von einer der Ansteuerung des betreffenden nämlich die Überwachung von Einschreibvorgängen Kernes dienenden Spaltenleitung und Zeilenleitung bei solchen Speichern, und zwar bezieht sich die Er- sowie von einer das Einschreiben von Binärzeichen findung auf eine Schaltungsanordnung zur Überwa- 25 bestimmenden Inhibitleitung / und einer ausgelesene chung von Einschreibvorgängen bei Speichern mit Zeichen führenden Leseleitung / durchzogen. Die wie Speicherelementen, die beim Einschreiben von Infor- die in der Zeichnung dargestellten Kerne Kl, Kl, mationen jeweils in Abhängigkeit von dem in dem K3 und K\ jeweils von ein und derselben Spaltenbetreffenden Speicherelement einzuspeichernden, auf leitung und von ein und derselben Zeilenleitung einer Schreibleitung (Inhibitleitung) auftretenden Zei- 30 durchzogenen Kerne bilden eine zu speichernde chen einen Zustandswechsel ausführen oder nicht Information, ein Wort, aufnehmende Speicherzelle, ausführen und beim Auslesen von Informationen auf Soll in die Speicherzelle ein Wort eingeschrieben werein Abfragesignal hin einen entsprechenden Zustands den, so erhalten die betreffende Spaltenleitung und die wechsel ausführen bzw. nicht ausführen, auf Grund betreffende Zeilenleitung einen Schreibimpuls jeweils dessen das in dem betreffenden Speicherelement 35 von der halben Einschreibamplitude; auf Grund dieser gespeicherte Zeichen auf einer Leseleitung auf- beiden sich überlagernden Schreibimpulse werden tritt. diejenigen Magnetkerne, in die ein Zeichen L einzu-In message processing systems, in particular registers and connected with its other one telephone exchange system, the orderly process is connected to the reading lines, whereby the correct operation of the whole system from the ord- comparator with this other input, functional function of a multitude of structural forms the output of one of the read lines or function groups, which is often connected in only 5 downstream second registers. linked to one another in a difficult-to-understand manner. The circuit arrangement according to the invention is opened. In order to be able to create an over the system or system parts targeted remedial monitoring not only of the initial registration in the event of any faulty work, it is expedient to more or more or the individual pieces of information to be stored in the memory, structural or functional groups less individually but also a wake-up after reading out an individually required for proper work on overstored information. Essential components of such news-writing of the information concerned can be carried out by ten-processing systems, in particular newer ones. For this purpose it is advisable that the telephone exchanges, in which generally named first registers with an input for information devices to be rewritten after a tendency to use central control 15 to be read out, are memories in which NEN is connected to the read lines .
Information required for the operation of the plant The invention is explained with reference to the drawing, in particular about the respective operation. The drawing shows a circuit arrangement of the system in question, including the devices operated by voltage according to the invention in connection with it, written in and at 20 a memory KS, which are read out as memory elements Ma demand. The invention now relates to gnetkerne K having. These magnetic cores K monitor a special operating process. in each case of one of the control of the respective column line and row line serving the monitoring of write operations core in such memories, namely the invention as well as of the writing of binary characters relates to a circuit arrangement for the monitoring inhibit line / and a read out chung of write-in processes for memories with a read line leading through characters /. The like memory elements, the cores Kl, Kl, mations shown in the drawing when writing information depending on the memory element to be stored in the K 3 and K \ in each case by one and the same column, on line and by one and the same row line A write line (inhibit line) occurring line cores to be stored form a change of state or not execute information, a word, receiving memory cell, and when reading out information on target in the memory cell a word were written in a query signal towards a corresponding state , the relevant column line and the change or not execute changes receive, due to the relevant row line, a write pulse of half the write amplitude in the relevant memory element 35; On the basis of these stored characters on a read line, two overlapping write pulses will occur. those magnetic cores in which an L is inserted

Diese Schaltungsanordnung ist gemäß der Erfin- schreiben ist, in den L-Zustand ummagnetisiert,According to the invention, this circuit arrangement is magnetized to the L state,

dung dadurch gekennzeichnet, daß mit den Schreib- während diejenigen Kerne, in die ein Zeichen O ein-is characterized in that with the writing while those kernels in which a character O is

(bzw. Inhibit-)leitungen des Speichers der eine Ein- 40 zuschreiben ist, unter dem Einfluß eines dann jeweils(or inhibit) lines of the memory to which an input 40 is to be written, under the influence of one then in each case

gang und mit den Leseleitungen des Speichers der auf der zugehörigen Einschreibleitung i auftretenden,output and with the read lines of the memory that occurs on the associated write line i ,

andere Eingang eines Vergleichers verbunden ist, wel- den Schreibimpulsen entgegenwirkenden Inhibit-other input of a comparator is connected, which inhibit the write pulses counteracting

cher in der Schreibphase bei Zeichenabweichung ein impulses im O-Zustand verbleiben. Zum Auslesen descher in the writing phase in the event of a character deviation, an impulse will remain in the O-state. To read out the

entsprechendes Signal abgibt. in der Speicherzelle gespeicherten Wortes erhaltenemits the corresponding signal. word stored in the memory cell

Die Erfindung gestattet es, mit relativ geringem 45 die betreffende Spaltenleitung und die betreffende Aufwand eine wirkungsvolle Überwachung des Ein- Zeilenleitung einen Leseimpuls jeweils von der halben schreibvorganges bei einem Speicher vornehmen zu Ausleseamplitude; auf Grund der beiden sich überkönnen. Der Vergleicher vergleicht zweckmäßiger- lagernden Impulse werden diejenigen Kerne, in die weise die auf den Schreibleitungen auftretenden Zei- ein Zeichen L eingespeichert worden war, wieder chen der einzuschreibenden Information mit den auf 5° in den O-Zustand ummagnetisiert, wobei auf Grund den Leseleitungen auftretenden Zeichen der einge der Ummagnetisierung auf den zugehörigen Leseleischriebenen Information unmittelbar, d. h. bezüglich tungen / entsprechende Signale auftreten,
der einzelnen Bitstellen, um eine Überwachung des Die Erfindung macht sich nun den Umstand, daß Einschreibvorganges auf Fehler beliebiger Ordnung auch die mit dem Einschreiben von Zeichen L verzu erzielen. Will man den Einschreibvorgang nur auf 55 bundene Ummagnetisierung der betreffenden Kerne Fehler erster Ordnung überwachen, so vergleicht der das Auftreten entsprechender, von den soeben er-Vergleicher gemäß einer anderen Ausgestaltung der wähnten Signalen sich nur in der hier unberücksich-ErfinduHg zweckmäßigerweise die Zeichen nicht un- tigt bleibenden Polarität unterscheidender Signale mittelbar, sondern an Hand der Parität der betreffen- auf den zugehörigen Leseleitungen / zur Folge hat, den Information. Um dem mit den einzelnen Arbeits- 60 für die Überwachung des Einschreibvorganges zuvorgängen, nämlich Lesevorgängen, Schreibvorgängen nutze, indem sie eineil Vergleich dieser Signale bzw. und Überwachungsvorgängen, jeweils verbünde- der damit dargestellten Zeichen des gerade eingencn Zeitbedarf bzw. Unterschieden in den Zeitpunk- schriebenen Wortes mit den Zeichen des einzuschreiten, zu denen diese Vorgänge stattfinden, Rechnung benden Wortes vornimmt und bei einer Diskrepanz tragen zu können, ist zweckmäßigenveise der Ver- 65 zwischen beiden ein entsprechendes Alarmsignal abgleicher mit seinem einen Eingang an den Ausgang gibt. Hierzu ist in der in der Zeichnung dargestellten eines den Schreibleitungen vorgeschalteten, jeweils Schaltungsanordnung mit den Schreib- bzw. Inhibitdie einzuschreibende Information enthaltenden ersten leitungen i des Speichers KS der eine Eingang undThe invention makes it possible, with relatively little effort, to effectively monitor the column line in question and the effort involved in an effective monitoring of the single-row line to carry out a read pulse of half the write operation in a memory to read amplitude; because of the two can overpower each other. The comparator compares expediently stored impulses, those cores in which the characters L appearing on the write lines were stored, and the information to be written is again magnetized to the O-state at 5 °, with the read lines appearing characters of the magnetic reversal on the associated read-out information immediately, i.e. with regard to services / corresponding signals occur,
The invention makes the fact that the writing process for errors of any order also verzu with the writing of characters L verzu. If you want to monitor the write-in process only for bound magnetic reversal of the cores concerned, first-order errors, then the occurrence of the corresponding signals from the comparator just mentioned according to a different embodiment of the above-mentioned signals are only expediently not compared to the characters in the invention, which is not taken into account here - Takes permanent polarity of distinguishing signals indirectly, but on the basis of the parity of the relevant - on the associated read lines / results in the information. In order to use the previous 60 for monitoring the write process, namely read processes, write processes, by comparing these signals and monitoring processes, respectively associated signs of the currently specific time requirement or differences in the time points. To intervene in the written word with the characters for which these processes take place, to take account of the word and to be able to carry it in the event of a discrepancy, the connection between the two is expediently the 65 corresponding alarm signal calibrator with its one input to the output. For this purpose, one input and one input and one of the first lines i of the memory KS, which are connected upstream of the write lines and in each case with the write or inhibit the information to be written, are shown in the drawing

3 43 4

mit den Leseleitungen I des Speichers KS der andere nen K1 bis K 4, ausgelesenes und wieder einzuschrei-Eingang eines Vergleichers V verbunden, und zwar bendes Wort wird dann in das Register Regl über ist der Vergleicher V mit seinem einen Eingang an dessen linken Hingang eingegeben und bewirkt bei den Ausgang eines ersten, den in die Schreibleitun- erneuter Ansteuerung der die Magnetkerne Kl bis gen / eingefügten Schreibverstärkern vorgeschalteten. 5 K<X enthaltenden Speicherzelle eine Ummagnetisiejeweils die einzuschreibende Information enthalten- rung der in Frage kommenden Magnetkerne. Auf den Registers Regl und mit seinem anderen Eingang Grund dieser Ummagnetisierung werden wiederum an den Ausgang eines zweiten, den in die Leseleitun- in den zugehörigen Leseleitungen Impulse induziert, gen / eingefügten Leseverstärkern nachgeschalteten die sich von den bei einem Auslesen des gespeicher-Registers Reg2 angeschlossen. Der Vergleicher V io ten Wortes aus den Magnetkernen Kl bis K4 auf vergleicht damit die auf den Schreibleitungen i auf- den betreffenden Leseleitungen auftretenden Zeichen tretenden Zeichen einer einzuschreibenden Informa- nur durch ihre Polarität unterscheiden. Diese Imtion mit den auf Grund der beim Einschreiben aus- pulse werden über den Umschalter U in das Register geführten Zustandswechsel von Speicherkernen K auf Reg 2 eingegeben, woraufhin der Vergleicher V die den Leseleitungen / auftretenden Zeichen und gibt 15 noch im Register Reg 1 stehende, wieder einzuschreibei Zeichenabweichung ein entsprechendes Signal ab. bende Information mit den in das Register Reg 2 ein-with the read lines I of the memory KS the other NEN K 1 to K 4, read out and re-enroll input of a comparator V connected, namely the bendes word is then in the register Regl via the comparator V with its one input at its left input entered and causes at the output of a first, the write amplifiers inserted upstream of the magnetic cores Kl to gen / inserted in the write lines again. 5 K <X containing memory cell a reversal of magnetization each containing the information to be written in of the magnetic cores in question. To the register Regl, and with its other input the basis of this magnetic reversal of a second, induced in the Leseleitun- in the associated read lines pulses gen / inserted sense amplifiers are in turn connected to the output downstream which differ from the case of a reading of the gespeicher register Reg 2 connected. The comparator V io th word from the magnetic cores K 1 to K 4 compares the characters appearing on the write lines i on the relevant read lines, distinguishing characters of information to be written only by their polarity. This intion with the pulses due to the writing are entered via the changeover switch U in the register from memory cores K to Reg 2 , whereupon the comparator V gives the read lines / characters and outputs 15 characters that are still in register Reg 1, a corresponding signal to be re-written in the event of a character deviation. information with the information entered in register Reg 2

Eine im Speicher KS neu einzuspeichernde Infor- gegebenen Zeichen vergleicht und prüft, ob jedem mation, z. B. ein Wort LOLO, wird in das Register Zeichen L des wieder einzuschreibenden Wortes ein Regl über dessen rechten Eingang eingegeben und Impuls auf der in Frage kommenden Leseleitung und bewirkt bei Ansteuerung der die Magnetkerne Kl bis ao jedem Zeichen O des wieder einzuschreibenden Wor- K 4 enthaltenden Speicherzelle eine Ummagnetisie- tes kein Impuls auf der entsprechenden Leseleitung rung der Magnetkerne Kl und KZ. Auf Grund dieser entspricht, und, sofern dies nicht der Fall ist, an sei-Ummagnetisierung werden in den Leseleitungen Ll nem Ausgang α ein Alarmsignal abgibt, und L 3 dieser beiden Magnetkerne Impulse indu- Will man im Zuge des Einschreibvorganges aufziert, die sich von den bei einem Auslesen des ge- 35 tretende Fehler beliebiger Ordnung erkennen, so hat speicherten Wortes LOLO aus den Magnetkernen Kl der Vergleicher V den Inhalt des Registers Regl, bis KA auf den Leseleitungen/1 und /3 auftreten- d.h. die jeweils einzuschreibende Information, unden Zeichen nur durch ihre Polarität unterscheiden. mittelbar mit dem Inhalt des. Registers Reg2, d.h. Diese Impulse werden in das Register Reg 2 einge- mit der tatsächlich eingeschriebenen Information, zu geben. Der Vergleicher V vergleicht nun die noch im 30 vergleichen, wozu der Vergleicher V z. B. eine der Register Regl stehende, einzuspeichernde Informa- Zeichenanzahl entsprechende Anzahl von Antivation mit den in das Register Reg 2 eingegebenen Zei- lenzgliedern aufweisen kann, die ausgangsseitig über chen und damit mit der tatsächlich eingeschriebenen In- ein ODER-Glied zusammengefaßt sind. Ist die einformation und prüft, ob jedem Zeichen L des einzu- zuschreibende Information mit einem Paritäts-Bit schreibenden Wortes LOLO ein Impuls auf der in 35 versehen und sollen nur Fehler erster Ordnung er-Frage kommenden Leseleitung (/1 und /3) und jedem kannt werden, so genügt es, daß der Vergleicher V Zeichen O des einzuschreibenden Wortes LOLO kein ' für den Inhalt des Registers Reg 2, d. h. für die tat-Impuls auf der in Frage kommenden Leseleitung (12 sächlich eingeschriebene Information, eine entspre- und /4) entspricht. Ist das nicht der Fall, gibt der chende Paritätsprüfung vornimmt, wozu der Verglei-Vergleicher V an seinem Ausgang α ein Alarmsignal 40 eher vorteilhafterweise als nur an das Register Reg 2 ab. angeschlossene Paritätsprüfschaltung ausgebildetA new information to be stored in the memory KS compares and checks whether each mation, z. B. a word LOLO, a Regl is entered in the register character L of the word to be re-written via its right input and pulse on the read line in question and causes each character O of the re-written word K when the magnetic cores Kl to ao are activated 4 containing memory cell a magnetic reversal no pulse on the corresponding read line tion of the magnetic cores Kl and KZ. On the basis of this corresponds to, and, if this is not the case, an alarm signal is emitted in the read lines Ll nem output α in the read lines Ll nem output α, and L 3 of these two magnetic cores induce recognize the occurring errors of any order when reading the 35, the stored word LOLO from the magnetic cores Kl, the comparator V has the content of the register Regl until KA occurs on the read lines / 1 and / 3 - that is, the information to be written in each case, and distinguish characters only by their polarity. indirectly with the content of the register Reg2, ie these pulses are entered into the register Reg 2 with the information actually written. The comparator V now compares the still in 30 compare, for which purpose the comparator V z. B. a number of information characters to be stored in register Regl can have a corresponding number of motivation with the line elements entered in register Reg 2 , which are combined on the output side via surfaces and thus with the actually written in an OR element. Is the information and checks whether each character L of the information to be written with a parity bit writing word LOLO is provided with a pulse on the read line (/ 1 and / 3) and each are known, it is sufficient that the comparator V character O of the word LOLO to be written in no 'for the content of the register Reg 2, ie for the tat pulse on the read line in question (12 information written in, a corresponding and / 4) corresponds. If this is not the case, the corresponding parity check carries out, for which purpose the comparison comparator V outputs an alarm signal 40 at its output α more advantageously than only to the register Reg 2. connected parity check circuit formed

Bei einem Lesevorgang wird, wie sich aus dem wird.A read becomes what will become of the.

oben allgemein zur Funktion des Kernspeichers KS Wie sich aus dem im vorstehenden beschriebenen Gesagten ergibt, die in der betreffenden Speicherzelle Ausführungsbeispiel ergibt, wird also mit der Schalgespeicherte Information zerstört. Unmittelbar nach 45 tungsanordnung gemäß der Erfindung eine Überdem Auslesen des gespeicherten Wortes befinden sich wachung sowohl der Neu- als auch der Wieder-Einalle Magnetkerne der betreffenden Speicherzelle im schreibvorgänge erreicht, wobei vorteilhafterweise O-Zustand. Zwecks Aufrechterhaltung der Speiche- dieselben in die Leseleitungen / eingefügten Leseverrung muß daher die betreffende ausgelesene Informa- stärker, die die beim Auslesen von Informationen tion in die betreffende Speicherzelle wieder einge- 50 auf den Leseleitungen / auftretenden Signale verschrieben werden, was in einem an den Lesevorgang stärkt weitergeben, auch die beim Einschreiben von sich anschließenden, dem zuvor erläuterten Neuein- Informationen auf den Leseleitungen auftretenden Schreibvorgang entsprechenden Wiedereinschreibvor- Signale verstärkt weiterleiten.Above in general about the function of the core memory KS As is evident from what has been said above and which results in the exemplary embodiment in question, information stored with the mismatched memory is therefore destroyed. Immediately after the readout of the stored word there is a monitoring of both the new and the re-entry. In order to maintain the memory the same in the read lines / inserted readout, the relevant read out information must therefore be rewritten on the read lines / signals occurring when reading out information into the relevant memory cell, which in one to the Passing on the reading process more intensely, and also the rewriting pre-signals corresponding to the previously explained rewriting information occurring on the reading lines when writing in more intensely.

gang vor sich geht. Dieser Wiedereinschreibvorgang An Hand der Zeichnung ist die Erfindung im Rahwird nun mittels der Schaltungsanordnung gemäß der 55 men eines mit jeweis von 4 Drähten durchzogenen Erfindung ebenfalls überwacht. Zu diesem Zweck ist Magnetkernen aufgebauten Speicher KS beschrieben in der in der Zeichnung dargestellten Schaltungs- worden. Die Erfindung ist jedoch nicht auf solche anordnung das Register Reg 1 mit einem Eingang für 4-Draht-Kem-Speicher beschränkt, sondern auch bei solche, nach einem Auslesen wieder einzuschreibende anderen Speichern mit Speicherelementen, die beim Informationen an die Leseleitungen / angeschlossen, 60 Einschreiben von Informationen jeweils in Abhängigwobei in der Zeichnung angedeutet ist, daß ein Um- keit von dem in dem betreffenden Speicherelement schalter U die während des Lesevorganges auf den einzuspeichernden, auf einer Schreibleitung auftre-Leseleitungen / auftretenden Zeichen dem Register tenden Zeichen einen Zustandswechsel ausführen Reg 1 über dessen linken Eingang zuleitet und die oder nicht ausführen und beim Auslesen von Inforwährend des Einschreibvorganges auf den Leseleitun- 65 mationen auf ein Auslesesignal hin einen entspregen / auftretenden Impulse dem Eingang des Regi- chenden Zustandswechsel ausführen bzw. nicht aus- sters Reg 2 zuführt. führen, auf Grund dessen das in dem betreffendenis going on. This rewriting process with the aid of the drawing, the invention is now also monitored by means of the circuit arrangement according to FIG. 55 of an invention with 4 wires in each case. For this purpose, memory KS constructed with magnetic cores has been described in the circuit shown in the drawing . However, the invention is not limited to such an arrangement of the register Reg 1 with an input for 4-wire core memory, but also to those other memories with memory elements which are to be rewritten after reading out and which are connected to the read lines / 60 for information Writing of information is indicated in the drawing that the reverse of the switch U in the relevant memory element which during the reading process on the reading lines / characters occurring on a write line to be stored in the register will execute a change of state Reg 1 via its left input and which or does not carry out and when reading out information during the writing process on the reading lines 65 on a read signal, carry out a corresponding / occurring impulse to the input of the correct state change or does not supply Reg 2 . lead on the basis of this in the relevant

Ein aus einer Speicherzelle, z. B. den Magnetker- Speicherelement gespeicherte Zeichen auf einer Lese-One from a memory cell, e.g. B. the Magnetker memory element stored characters on a reading

leitung auftritt, anwendbar, insbesondere auch bei 3- und 2-Draht-Kern-Speichern, ohne daß dies hier noch einer näheren Erläuterung bedürfte.line occurs, applicable, especially with 3- and 2-wire core memories, without this being done here would require further explanation.

Claims

Patent claims:

1.Circuit arrangement for monitoring write processes in memories with memory elements, which when writing information in each case depending on the character to be stored in the memory element in question, occurring on a write line (inhibit line) execute or not execute a change of state and when reading out. Execute or not execute a corresponding change of state information in response to an interrogation signal, on the basis of which the character stored in the relevant memory element appears on a read line, characterized in that the write (or inhibit) lines (/) of the memory ( KS) one input and the other input of a comparator (V) is connected to the read lines (/) of the memory (KS) , which outputs a corresponding signal in the writing phase in the event of a character deviation.

2. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that the comparator (V) compares the characters with respect to the individual bit positions.

3. Circuit arrangement according to claim 2, characterized in that the comparator (V) with its one input to the output of the write lines (i) upstream, each containing the information to be written first register (Regl) and with its other input to the output of a the read lines (/) downstream of the second register (R eg 2) is connected.

4. Circuit arrangement according to claim 3, characterized in that the first register (Regl) is connected to the read lines (/) with an input for information to be rewritten after reading out.

5. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that the comparator the Compares characters based on the parity of the information in question.

6. Circuit arrangement according to claim 5, characterized in that the comparator as only Parity check circuit connected to the output of a register connected downstream of the read lines is trained.

1 sheet of drawings