DE1549053B2

DE1549053B2 - Circuit arrangement for monitoring write-in processes in memories

Info

Publication number: DE1549053B2
Application number: DE19671549053
Authority: DE
Inventors: Herbert Dr.-Ing. 8000 München Stegmeier
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1967-10-13
Filing date: 1967-10-13
Publication date: 1970-11-05
Also published as: CH494447A; GB1183908A; NL6808336A; DE1549053A1

Description

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In nachrichtenverarbeitenden Anlagen, insbeson- Registers angeschlossen und mit seinem anderen Eindere Fernsprechvermittlungsanlagen, ist die ordnungs- gang mit den Leseleitungen verbunden, wobei der gemäße Arbeitsweise der ganzen Anlage von der ord- Vergleicher mit diesem anderen Eingang zweckmänungsgemäßen Funktion einer Vielzahl von Bau- ßigerweise an den Ausgang eines den Leseleitungen bzw. Funktionsgruppen abhängig, die oft in nur 5 nachgeschalteten zweiten Registers angeschlossen ist. schwer überschaubarer Weise miteinander verknüpft Die Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung eröffsind. Um bei einem etwaigen fehlerhaften Arbeiten net vorteilhafterweise die Möglichkeit, eine Uberder Anlage bzw. von Anlageteilen gezielte Abhilfe wachung nicht nur des erstmaligen Einschreibens schaffen zu können, ist es zweckmäßig, die einzelnen einer einzuspeichernden Information in den Speicher, Bau- bzw. Funktionsgruppen mehr oder weniger indi- io sondern auch eines nach einem Auslesen einer eingeviduell auf ein ordnungsgemäßes Arbeiten zu über- speicherten Information erforderlichen Wiedereinwachen. Wesentliche Bestandteile solcher nachrich- Schreibens der betreffenden Information vornehmen tenverarbeitender Anlagen, insbesondere neuerer zu können. Hierzu ist es zweckmäßig, daß das ge-Fernsprechvermittlungsanlagen, in denen allgemein nannte erste Register mit einem Eingang für nach eine Tendenz zur Verwendung von zentralen Steuer- 15 einem Auslesen wiedereinzuschreibende Informatioeinrichtungen zu beobachten ist, sind Speicher, in die nen an die Leseleitungen angeschlossen ist.
für den Betrieb der Anlage erforderliche Informatio- Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung nähei nen, insbesondere über den jeweiligen Betriebszu- erläutert. Die Zeichnung zeigt eine Schaltungsanordstand der betreffenden Anlage einschließlich der von nung gemäß der Erfindung im Zusammenhang mit ihr bedienten Einrichtungen, eingeschrieben und bei 20 einem Speicher KS, der als Speicherelemente Ma-Bedarf ausgelesen werden. Die Erfindung betrifft nun gnetkerne K aufweist. Diese Magnetkerne K sind die Überwachung eines speziellen Betriebsvorganges.. jeweils von einer der Ansteuerung des betreffenden nämlich die Überwachung von Einschreibvorgängen Kernes dienenden Spaltenleitung und Zeilenleitung bei solchen Speichern, und zwar bezieht sich die Er- sowie von einer das Einschreiben von Binärzeichen findung auf eine Schaltungsanordnung zur Überwa- 25 bestimmenden Inhibitleitung i und einer ausgelesene chung von Einschreibvorgängen bei Speichern mit Zeichen führenden Leseleitung I durchzogen. Die wie Speicherelementen, die beim Einschreiben von Infor- die in der Zeichnung dargestellten Kerne Kl, Kl, mationen jeweils in Abhängigkeit von dem in dem K 3 und K 4 jeweils von ein und derselben Spaltenbetreffenden Speicherelement einzuspeichernden, auf leitung und von ein und derselben Zeilenleitung einer Schreibleitung (Inhibitleitung) auftretenden Zei- 30 durchzogenen Kerne bilden eine zu speichernde chen einen Zustandswechsel ausführen oder nicht Information, ein Wort, aufnehmende Speicherzelle, ausführen und beim Auslesen von Informationen auf Soll in die Speicherzelle ein Wort eingeschrieben werein Abfragesignal hin einen entsprechenden Zustands- den, so erhalten die betreffende Spaltenleitung und die wechsel ausführen bzw. nicht ausführen, auf Grund betreffende Zeilenleitung einen Schreibimpuls jeweils dessen das in dem betreffenden Speicherelement 35 von der halben Einschreibamplitude; auf Grund dieser gespeicherte Zeichen auf einer Leseleitung auf- beiden sich überlagernden Schreibimpulse werden tritt. diejenigen Magnetkerne, in die ein Zeichen L einzu-In message processing systems, in particular registers and connected with its other one telephone exchange system, the orderly process is connected to the reading lines, whereby the correct operation of the whole system from the ord- comparator with this other input, functional function of a multitude of structural forms the output of one of the read lines or function groups, which is often connected in only 5 downstream second registers. linked with one another in a difficult-to-understand manner. The circuit arrangement according to the invention is opened. In order to be able to create a system or system parts targeted remedial monitoring not only of the initial registration in the event of any faulty work, it is advisable to store more or more of the individual items of information to be stored in the memory, structural or functional groups less individually but also a wake-up after reading out an individually required for proper work on overstored information. Essential components of such news-writing of the information concerned can be carried out by ten-processing systems, in particular newer ones. For this purpose, it is useful that the telephone switching systems, in which generally named first registers with an input for information devices to be rewritten after a tendency to use central control 15 read out, are memories in which NEN is connected to the read lines .
Information required for the operation of the plant The invention is explained with reference to the drawing, in particular about the respective operation. The drawing shows a circuit arrangement of the system in question, including the devices operated by voltage according to the invention in connection with it, written in and at 20 a memory KS, which is read out as memory elements Ma demand. The invention now relates to gnetkerne K having. These magnetic cores K are the monitoring of a special operating process .. each of one of the control of the relevant column line and row line serving namely the monitoring of writing processes core in such memories, namely the invention and the writing of binary characters is based on a circuit arrangement to the monitoring inhibit line i and a read out chung of writing processes in memories with reading line I carrying characters. The like memory elements, the cores Kl, Kl, mations shown in the drawing when writing information, each depending on the memory element to be stored in the K 3 and K 4 by one and the same column, on line and by one and the same row line A write line (inhibit line) occurring line cores form a chip to be stored Execute a state change or not Execute information, a word, receiving memory cell, and when information is read out to the memory cell, a word was written into the memory cell in an interrogation signal. which, as a result of the relevant row line, receive a write pulse of half the write amplitude in the relevant memory element 35; On the basis of these stored characters on a read line, two overlapping write pulses will occur. those magnetic cores in which an L is inserted

Diese Schaltungsanordnung ist gemäß der Erfin- schreiben ist, in den L-Zustand ummagnetisiert,According to the invention, this circuit arrangement is magnetized to the L state,

dung dadurch gekennzeichnet, daß mit den Schreib- während diejenigen Kerne, in die ein Zeichen O ein-is characterized by the fact that with the writing while those kernels in which a character O is

(bzw. Inhibit-)leitungen des Speichers der eine Ein- 40 zuschreiben ist, unter dem Einfluß eines dann jeweils(or inhibit) lines of the memory to which an input 40 is to be written, under the influence of one then in each case

gang und mit den Leseleitungen des Speichers der auf der zugehörigen Einschreibleitung i auftretenden,output and with the read lines of the memory that occurs on the associated write line i ,

andere Eingang eines Vergleichers verbunden ist, wel- den Schreibimpulsen entgegenwirkenden Inhibit-other input of a comparator is connected, which inhibit the write pulses counteracting

cher in der Schreibphase bei Zeichenabweichung ein impulses im O-Zustand verbleiben. Zum Auslesen descher in the writing phase in the event of a character deviation, an impulse will remain in the O-state. To read out the

entsprechendes Signal abgibt. in der Speicherzelle gespeicherten Wortes erhaltenemits the corresponding signal. word stored in the memory cell

Die Erfindung gestattet es, mit relativ geringem 45 die betreffende Spaltenleitung und die betreffende Aufwand eine wirkungsvolle Überwachung des Ein- Zeilenleitung einen Leseimpuls jeweils von der halben schreibvorganges bei einem Speicher vornehmen zu Ausleseamplitude; auf Grund der beiden sich überkönnen. Der Vergleicher vergleicht zweckmäßiger- lagernden Impulse werden diejenigen Kerne, in die weise die auf den Schreibleitungen auftretenden Zei- ein Zeichen L eingespeichert worden war, wieder chen der einzuschreibenden Information mit den auf 50 in den O-Zustand ummagnetisiert, wobei auf Grund den Leseleitungen auftretenden Zeichen der einge- der Ummagnetisierung auf den zugehörigen Leseleischriebenen Information unmittelbar, d. h. bezüglich tungen I entsprechende Signale auftreten,
der einzelnen Bitstellen, um eine Überwachung des Die Erfindung macht sich nun den Umstand, daß Einschreibvorganges auf Fehler beliebiger Ordnung auch die mit dem Einschreiben von Zeichen L verzu erzielen. Will man den Einschreibvorgang nur auf 55 bundene Ummagnetisierung der betreffenden Kerne Fehler erster Ordnung überwachen, so vergleicht der das Auftreten entsprechender, von den soeben er-Vergleicher gemäß einer anderen Ausgestaltung der wähnten Signalen sich nur in der hier unberücksich-Erfindung zweckmäßigerweise die Zeichen nicht un- tigt bleibenden Polarität unterscheidender Signale mittelbar, sondern an Hand der Parität der betreffen- auf den zugehörigen Leseleitungen I zur Folge hat, den Information. Um dem mit den einzelnen Arbeits- 60 für die Überwachung des Einschreibvorganges zuvorgängen, nämlich Lesevorgängen, Schreibvorgängen nutze, indem sie einen Vergleich dieser Signale bzw. und Uberwachungsvorgängen, jeweils verbünde- der damit dargestellten Zeichen des gerade eingenen Zeitbedarf bzw. Unterschieden in den Zeitpunk- schriebenen Wortes mit den Zeichen des einzuschreiten, zu denen diese Vorgänge stattfinden, Rechnung benden Wortes vornimmt und bei einer Diskrepanz tragen zu können, ist zweckmäßigerweise der Ver- 65 zwischen beiden ein entsprechendes Alarmsignal abgleicher mit seinem einen Eingang an den Ausgang gibt. Hierzu ist in der in der Zeichnung dargestellten eines den Schreibleitungen vorgeschalteten, jeweils Schaltungsanordnung mit den Schreib- bzw. Inhibitdie einzuschreibende Information enthaltenden ersten leitungen i des Speichers KS der eine Eingang undThe invention makes it possible, with relatively little effort, to effectively monitor the column line in question and the effort involved in an effective monitoring of the single-row line to carry out a read pulse of half the write operation in a memory to read amplitude; because of the two can overpower each other. The comparator compares expediently stored impulses, those cores in which the characters L appearing on the write lines were stored, again the information to be written with the information on 50 in the O-state, which occurs due to the read lines Signs of the magnetization reversal appear directly on the associated read-out information, that is, signals corresponding to lines I appear,
The invention makes the fact that the writing process for errors of any order also verzu with the writing of characters L verzu. If you want to monitor the write-in process only for a bond reversal of the magnetization of the cores concerned, first-order errors do not compare the occurrence of corresponding signals from the comparator just mentioned according to a different embodiment of the above-mentioned signals only in the invention that is not considered here - Takes permanent polarity of distinguishing signals indirectly, but on the basis of the parity of the relevant - on the associated reading lines I results in the information. In order to use the previous 60 for monitoring the writing process, namely reading processes, write processes, by comparing these signals and monitoring processes, each associated signs of the time required or differences in the timing. The written word to intervene with the characters of the word to which these processes take place, takes account of the word and to be able to carry it in the event of a discrepancy, the connection between the two is expediently a corresponding alarm signal comparator with its one input at the output. For this purpose, one input and one input and one of the first lines i of the memory KS, which are connected upstream of the write lines and in each case with the write or inhibit the information to be written, are shown in the drawing

mit den Leseleitungen I des Speichers KS der andere Eingang eines Vergleichers V verbunden, und zwar ist der Vergleicher V mit seinem einen Eingang an den Ausgang eines ersten, den in die Schreibleitungen i eingefügten Schreibverstärkern vorgeschalteten, jeweils die einzuschreibende Information enthaltenden Registers Regl und mit seinem anderen Eingang an den Ausgang eines zweiten, den in die Leseleitungen / eingefügten Leseverstärkern nachgeschalteten Registers Reg 2 angeschlossen. Der Vergleicher V vergleicht damit die auf den Schreibleitungen i auftretenden Zeichen einer einzuschreibenden Information mit den auf Grund der beim Einschreiben ausgeführten Zustandswechsel von Speicherkernen K auf den Leseleitungen / auftretenden Zeichen und gibt bei Zeichenabweichung ein entsprechendes Signal ab.connected to the sense lines I of the memory KS the other input of comparator V, namely, the comparator V with its one input connected to the output of a first, upstream in the write lines i inserted write amplifiers, each of the information to register containing Regl and with its the other input is connected to the output of a second register Reg 2 connected downstream of the read lines / inserted read amplifiers. The comparator V thus compares the characters appearing on the write lines i of an item of information to be written with the characters occurring on the read lines / due to the change of state of memory cores K carried out during writing and emits a corresponding signal in the event of a character discrepancy.

Eine im Speicher KS neu einzuspeichernde Information, z. B. ein Wort LOLO, wird in das Register Regl über dessen rechten Eingang eingegeben und bewirkt bei Ansteuerung der die Magnetkerne Kl bis KA enthaltenden Speicherzelle eine Ummagnetisierung der Magnetkerne K1 und K 3. Auf Grund dieser Ummagnetisierung werden in den Leseleitungen L1 und L 3 dieser beiden Magnetkerne Impulse induziert, die sich von den bei einem Auslesen des gespeicherten Wortes LOLO aus den Magnetkernen K1 bis K4 auf den Leseleitungen H und L 3 auftretenden Zeichen nur durch ihre Polarität unterscheiden. Diese Impulse werden in das Register Reg 2 eingegeben. Der Vergleicher V vergleicht nun die noch im Register Regl stehende, einzuspeichernde Information mit den in das Register Reg 2 eingegebenen Zeichen und damit mit der tatsächlich eingeschriebenen Information und prüft, ob jedem Zeichen L des einzuschreibenden Wortes LOLO ein Impuls auf der in Frage kommenden Leseleitung (Zl und 14) und jedem Zeichen O des einzuschreibenden Wortes LOLO kein Impuls auf der in Frage kommenden Leseleitung (Z2 und 14) entspricht. Ist das nicht der Fall, gibt der Vergleicher V an seinem Ausgang α ein Alarmsignal ab.A new information to be stored in the memory KS, e.g. B. a word LOLO, is entered into the Regl register via its right input and, when the memory cell containing the magnetic cores Kl to KA is activated, magnet cores K 1 and K 3 are reversed These two magnetic cores induce pulses which differ from the characters appearing on reading lines H and L 3 when reading out the stored word LOLO from magnetic cores K 1 to K4 only in terms of their polarity. These pulses are entered in register Reg 2 . The comparator V now compares the information to be stored in register Regl with the characters entered in register Reg 2 and thus with the information actually written, and checks whether every character L of the word LOLO to be written is a pulse on the relevant read line ( Zl and 14) and each character O of the word LOLO to be written does not correspond to an impulse on the read line in question (Z 2 and 14) . If this is not the case, the comparator V emits an alarm signal at its output α.

Bei einem Lesevorgang wird, wie sich aus dem oben allgemein zur Funktion des Kernspeichers KS Gesagten ergibt, die in der betreffenden Speicherzelle gespeicherte Information zerstört. Unmittelbar nach dem Auslesen des gespeicherten Wortes befinden sich alle Magnetkerne der betreffenden Speicherzelle im O-Zustand. Zwecks Aufrechterhaltung der Speicherung muß daher die betreffende ausgelesene Information in die betreffende Speicherzelle wieder eingeschrieben werden, was in einem an den Lesevorgang sich anschließenden, dem zuvor erläuterten Neueinschreibvorgang entsprechenden Wiedereinschreibvorgang vor sich geht. Dieser Wiedereinschreibvorgang wird nun mittels der Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung ebenfalls überwacht. Zu diesem Zweck ist in der in der Zeichnung dargestellten Schaltungsanordnung das Register Reg 1 mit einem Eingang für solche, nach einem Auslesen wieder einzuschreibende Informationen an die Leseleitungen Z angeschlossen, wobei in der Zeichnung angedeutet ist, daß ein Umschalter U die während des Lesevorganges auf den Leseleitungen Z auftretenden Zeichen dem Register Regl über dessen linken Eingang zuleitet und die während des Einschreibvorganges auf den Leseleitungen Z auftretenden Impulse dem Eingang des Registers Reg 2 zuführt.During a reading process, as is evident from what has been said above in general about the function of the core memory KS , the information stored in the relevant memory cell is destroyed. Immediately after reading out the stored word, all magnetic cores of the relevant memory cell are in the O state. In order to maintain the storage, the relevant read-out information must therefore be rewritten into the relevant memory cell, which takes place in a rewriting process that follows the reading process and corresponds to the previously explained rewriting process. This rewriting process is now also monitored by means of the circuit arrangement according to the invention. For this purpose, in the circuit arrangement shown in the drawing, the register Reg 1 with an input for such information to be rewritten after reading out is connected to the reading lines Z, the drawing indicating that a switch U switches to the during the reading process The characters appearing on the reading lines Z are fed to the register Regl via its left input and the pulses occurring on the reading lines Z during the writing process are fed to the input of the register Reg 2 .

Ein aus einer Speicherzelle, z. B. den Magnetkernen K1 bis K 4, ausgelesenes und wieder einzuschreibendes Wort wird dann in das Register Reg 1 über dessen linken Eingang eingegeben und bewirkt bei erneuter Ansteuerung der die Magnetkerne Kl bis K4 enthaltenden Speicherzelle eine Ummagnetisierung der in Frage kommenden Magnetkerne. Auf Grund dieser Ummagnetisierung werden wiederum in den zugehörigen Leseleitungen Impulse induziert, die sich von den bei einem Auslesen des gespeicherten Wortes aus den Magnetkernen Kl bis K4 auf den betreffenden Leseleitungen auftretenden Zeichen nur durch ihre Polarität unterscheiden. Diese Impulse werden über den Umschalter U in das Register Reg 2 eingegeben, woraufhin der Vergleicher V die noch im Register Reg 1 stehende, wieder einzuschreibende Information mit den in das Register Reg 2 eingegebenen Zeichen vergleicht und prüft, ob jedem Zeichen L des wieder einzuschreibenden Wortes ein Impuls auf der in Frage kommenden Leseleitung und jedem Zeichen O des wieder einzuschreibenden Wortes kein Impuls auf der entsprechenden Leseleitung entspricht, und, sofern dies nicht der Fall ist, an seinem Ausgang α ein Alarmsignal abgibt.One from a memory cell, e.g. B. the magnetic cores K1 to K 4, read out and re-written word is then entered into the register Reg 1 via its left input and causes a reversal of magnetism of the magnetic cores in question when the memory cell containing the magnetic cores Kl to K4 is activated again. As a result of this reversal of magnetization, pulses are in turn induced in the associated read lines which differ only in their polarity from the characters appearing on the read lines in question when the stored word is read out from the magnetic cores K1 to K4. These pulses are entered into register Reg 2 via switch U , whereupon the comparator V compares the information to be rewritten in register Reg 1 with the characters entered in register Reg 2 and checks whether each character L of the word to be rewritten a pulse on the read line in question and each character O of the word to be rewritten corresponds to no pulse on the corresponding read line, and, if this is not the case, emits an alarm signal at its output α.

Will man im Zuge des Einschreibvorganges auftretende Fehler beliebiger Ordnung erkennen, so hat der Vergleicher V den Inhalt des Registers Regl, d. h. die jeweils einzuschreibende Information, unmittelbar mit dem Inhalt des Registers Reg 2, d. h. mit der tatsächlich eingeschriebenen Information, zu vergleichen, wozu der Vergleicher V z. B. eine der Zeichenanzahl entsprechende Anzahl von Antivalenzgliedern aufweisen kann, die ausgangsseitig über ein ODER-Glied zusammengefaßt sind. Ist die einzuschreibende Information mit einem Paritäts-Bit versehen und sollen nur Fehler erster Ordnung erkannt werden, so genügt es, daß der Vergleicher V für den Inhalt des Registers Reg 2, d. h. für die tatsächlich eingeschriebene Information, eine entsprechende Paritätsprüfung vornimmt, wozu der Vergleieher vorteilhafterweise als nur an das Register Reg 2 angeschlossene Paritätsprüfschaltung ausgebildet wird.If you want to recognize errors of any order occurring in the course of the writing process, the comparator V has to compare the content of the register Regl, ie the information to be written in, directly with the content of the register Reg 2, that is to say with the information actually written, for which purpose the Comparator V z. B. can have a number of non-equivalence elements corresponding to the number of characters, which are combined on the output side via an OR element. If the information to be written is provided with a parity bit and only errors of the first order are to be recognized, then it is sufficient that the comparator V for the content of the register Reg 2, i. H. carries out a corresponding parity check for the information actually written, for which purpose the comparator is advantageously designed as a parity check circuit connected only to register Reg 2.

Wie sich aus dem im vorstehenden beschriebenen Ausführungsbeispiel ergibt, wird also mit der Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung eine Überwachung sowohl der Neu- als auch der Wieder-Einschreibvorgänge erreicht, wobei vorteilhafterweise dieselben in die Leseleitungen Z eingefügten Leseverstärker, die die beim Auslesen von Informationen auf den Leseleitungen Z auftretenden Signale verstärkt weitergeben, auch die beim Einschreiben von Informationen auf den Leseleitungen auftretenden Signale verstärkt weiterleiten.As can be seen from the exemplary embodiment described above, the circuit arrangement according to the invention, monitoring of both new and rewriting processes achieved, wherein advantageously the same sense amplifiers inserted into the read lines Z, which amplifies the signals occurring on the reading lines Z when information is read out pass on, including those that occur when writing information on the reading lines Forward signals amplified.

An Hand der Zeichnung ist die Erfindung im Rahmen eines mit jeweis von 4 Drähten durchzogenen Magnetkernen aufgebauten Speicher KS beschrieben worden. Die Erfindung ist jedoch nicht auf solche 4-Draht-Korn-Speicher beschränkt, sondern auch bei anderen Speichern mit Speicherelementen, die beim Einschreiben von Informationen jeweils in Abhängigkeit von dem in dem betreffenden Speicherelement einzuspeichernden, auf einer Schreibleitung auftretenden Zeichen einen Zustandswechsel ausführen oder nicht ausführen und beim Auslesen von Informationen auf ein Auslesesignal hin einen entsprechenden Zustandswechsel ausführen bzw. nicht ausführen, auf Grund dessen das in dem betreffenden Speicherelement gespeicherte Zeichen auf einer Lese-The invention has been described with reference to the drawing in the context of a memory KS constructed with magnetic cores each through which 4 wires are drawn. However, the invention is not limited to such 4-wire grain memories, but also to other memories with memory elements which, when writing information, change or not change the state depending on the character to be stored in the relevant memory element and appearing on a write line carry out and when reading out information in response to a read signal, carry out or not carry out a corresponding state change, on the basis of which the character stored in the relevant memory element is transferred to a read

leitung auftritt, anwendbar, insbesondere auch bei 3- und 2-Draht-Kern-Speichern, ohne daß dies hier noch einer näheren Erläuterung bedürfte.line occurs, applicable, especially with 3- and 2-wire core memories, without this being done here needs further explanation.

Claims

Patent claims:

1.Circuit arrangement for monitoring write-in processes in memories with memory elements which, when writing information, execute or not execute a change of state depending on the characters to be stored in the relevant memory element and appearing on a write line (inhibit line), and when information is read on an interrogation signal execute or not execute a corresponding change of state, on the basis of which the character stored in the relevant memory element appears on a read line, characterized in that with the write (or. Inhibit) lines (i) of the memory (KS) the one Input and the other input of a comparator (F) is connected to the read lines (Z) of the memory (KS) , which outputs a corresponding signal in the writing phase in the event of a character deviation.

2. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that the comparator (V) compares the characters with respect to the individual bit positions.

3. Circuit arrangement according to claim 2, characterized in that the comparator (V) with its one input to the output of the write lines (i) upstream, each containing the information to be written first register (Regl) and with its other input to the output of a the read lines (/) downstream of the second register (Reg 2) is connected.

4. Circuit arrangement according to claim 3, characterized in that the first register (Reg 1) is connected to the read lines (/) with an input for information to be rewritten after reading out.

5. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that the comparator the Compares characters based on the parity of the information in question.

6. Circuit arrangement according to claim 5, characterized in that the comparator as only Parity check circuit connected to the output of a register connected downstream of the read lines is trained.

1 sheet of drawings