DE1524005A1

DE1524005A1 - Optisches Speichersystem

Info

Publication number: DE1524005A1
Application number: DE19661524005
Authority: DE
Inventors: Morton Jack Andrew; Bowers Klaus Dieter
Original assignee: Western Electric Co Inc
Current assignee: AT&T Corp
Priority date: 1965-08-09
Filing date: 1966-07-06
Publication date: 1970-07-30
Also published as: BE685104A; US3421154A; GB1158482A

Description

WESTERN ELECTRIC COMPANY INCORPORATED Bowers-Morton 4-26

New York, N. Y. 10007 USA

Optisches Speichersystem

Die Erfindung betrifft eine optische Speichereinrichtung, bestehend aus einer Schicht aus magnetischem Material mit einem ersten und einem zweiten stabilen Zustand, ferner aus einem ersten und einem zweiten auf der Schicht liegenden Leiter, die einen Abstand voneinander haben und schließlich aus einer Quelle, die ein vorbestimmtes Potential an den ersten und den zweiten Leiter anlegt.

Die Forderung der Rechenanlagen-Industrie nach immer größeren Informationsspeicherdichten und nach immer schnelleren Zugriffszeiten haben die Speicherkonstrukteure veranlaßt, ihre Aufmerksamkeit auf optische Zugriffs- und Ablesesysteme zu richten.

Die bisherigen Einrichtungen haben sich im Gebrauch als nicht zufriedenstellend erwiesen. Diese Speicher, welche eine auf einem entwickelten Fotografischen Film gespeicherte Information verwenden, sind für die meisten Anwendungen zu unbeweglich, während eine andere Technik mit Verwendung von optisch erzeugter Wärme zu) Änderung des Zustande eines magnetischen Films zu viel Energie erfordert und für den Betrieb von Rechenanlagen zu langsam ist·

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Diese Probleme der bisherigen Technik wurden durch die vorliegende Erfindung gelöst, in dem eine optische Speichereinrichtung geschaffen wurde, welche aus einer Vielzahl von leitenden Kreisen besteht, die den ersten und den zweiten Leiter verbinden, wobei jeder der Kreise mit einem Teil der Schicht gekoppelt ist und einen alternativen ersten und zweiten Stromweg zwischen den Leitern ergibt, ferner aus einer ersten und einer zweiten Öffnung in dem ersten bzw. dem zweiten Stromweg sowie aus lichtempfindlichen Halbleitermaterial, das die erste und die zweite Öffnung überbrückt und das erregt werden kann, um die erste und die zweite Öffnung selektiv zu schließen und hierdurch den ersten und den zweiten stabilen Zustand in dem angekoppelten Teil der Schicht unter dem Einfluß eines äußeren optischen Signals herstellt.

Die Erfindung ermöglicht daher den Aufbau eines beweglichen leicht herzustellenden billigen optischen Speichers, der nur zwei äußere elektrische Anschlüsse erfordert und der bei einem Laser oder einer anderen Lichtquelle mit verhältnismäßig geringer Energie benutzt werden kann und der bei normaler Raumtemperatur betrieben werden kann,

Fig. 1 ist eine schematische Zeichnung einer als Beispiel gewählten erfindungsgemäßen Speichereinheit;

Fig. 2A und 2B zeigen eine Aufsicht und eine explodierte Ansicht von Teilen der als Beispiel gewählten Speichereinheit der Fig, I;

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Fig. 3A und 3B zeigen Querschnitte des Teils der erfindungsgemäßen als Beispiel gewählten Speichereinheit in Figur 2A;

Fig. 4 ist ein Blockschema eines optischen Speichers, bei dem die als Beispiel gewählte Speichereinheit der Figur 1 verwendet werden kann.

Bei dem Ausführungsbeispiel der Erfindung ist eine Reihe von Leiterkreisen zwischen einer Quelle mit verhältnismäßig hohem Potential und einer Quelle mit verhältnismäßig niedrigem Potential (Erde) auf der Oberfläche eines magnetischen Materials angeordnet. Die Leiterkreise sind an zwei Punkten offen, wobei ein erster und ein zweiter fotoleitender Fleck die Öffnungen überbrückt. Unter dem Einfluß von Licht, das auf den ersten Fleck gerichtet wird, fließt ein Strom um einen Teil des leitenden Kreises, der im Fluß in dem magnetischen Material, das von dem Kreis eingeschlossen wird, in einen stabilen Zustand bringt. Unter dem Einfluß von Licht, das auf den zweiten Fleck gerichtet wird, fließt ein Strom in den anderen Teil des Kreises, der den Fluß in einen zweiten stabilen Zustand bringt. Die Flußrichtung wird optisch festgestellt, z. B. mit Hilfe des Faraday-Effekts. Für die Speichereinheit sind nur zwei Leiter notwendig, von denen der eine mit einer Potentialquelle und der andere mit Erde verbunden ist.

Figur 1 zeigt eine als Beispiel gewählte elektrisch veränderbare Speichereinheit 10 entsprechend der Erfindung. Die Speichereinheit besteht aus einem magnetisch remanentem Material 11,

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auf deren Oberfläche in einem Abstand der erste und der zweite Leiter in einer ineinandergeschobenen Weise angebracht sind. Ineinandergeschobene Anordnungen dieser Art können auch als ^itDoppelkamm^t'-Anordnungen bezeichnet werden. Der erste Leiter ist mit einer positiven Potentialquelle 12 verbunden und daher mit P bezeichnet. In gleicherweise ist der zweite Leiter mit einer relativ negativen Potentialquelle 13 verbunden und daher mit N bezeichnet. Zweckmäßigerweise bestehen die Quellen 12 und 13 aus einer einzigen Batterie mit deren entgegengesetzten Seiten die Leiter P und N verbunden sind. Zwischen die entsprechenden Zähne der Leiter P und N ist eine Vielzahl von leitenden Kreisen 15 geschaltet. Die sich ergebende Anordnung eines typischen Kreises ist in Fig. 2A vergrößert dargestellt. Wie man sieht, ist der Kreis 15 mit den Leitern P und N durch leitende Streifen 16 und 17 verbunden. Den leitenden Kreis kann man sich aus den beiden Teilen 15A und 15B zusammengesetzt denken, wobei jeder Teil ein normalerweise isolierendes fotoleitendes Material PCA und PCB enthält. Eine Schicht 18, die ebenfalls aus magnetisch remanentem Material besteht und die in Figur 1 weggeschnitten gezeichnet ist, liegt auf der leitenden Anordnung. Eine explodierte Ansicht des typischen leitenden Kreises und der remanenten Materialien (18 und 11), ist in Fig. 2B dargestellt.

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Die Arbeitsweise der Speichereinheit der Figur 1 wird anhand der Speicherung undd Feststellung von binären Werten in einem Teil des remanenten magnetischen Materials, das mit einem einzelnen Leiterkreis gekoppelt ist, leicht verständlich. Ein derartiger Kreis mit dem eingeschlossenen remanenten Material ist in den Querschnitten der Figuren 3A und 3B dargestellt. Die Querschnitte führen entlang der Linie B-B¹ der Figur 2A vom Leiter N aus gesehen.

Licht, das zum Beispiel von einer digitalen Lichtablenkeinrichtung ausgeht und das das fotoleitende Material PCA trifft, bewirkt, daß ein Strom von dem entsprechenden Leiter P zum Leiter N durch das Material PCA fließt. Zu diesem Zweck liefert das normalerweise isolierende fotoleitende Material PCA und PCB in dem leitenden Kreis 15 zwei Kurzschlüsse, die unter dem Einfluß von auftreffendem Licht selektiv kurzgeschlossen (leitend gemacht) werden. Das das Material PCA treffende Licht, das in der beschriebenen Weise einen Strom zur Folge hat, erzeugt infolgedessen ein Feld um den Leiter 15A, das einen Fluß in dem eingeschlossenen magnetischen Material nach unten verursacht. Das entstehende Flußbild ist in Figur 3A durch den nach unten gerichteten Teil in dem remanenten Material 11 dargestellt, das von dem Kreis 15 eingeschlossen ist. Der Fluß wird über die Schicht 18 auf den Teil 15A des Kreises 15 gesohlossen. Da die Schicht 18 nur das Schließen des Flusses bewirken muß, braucht ihr Material nicht

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remanent zu sein. Andererseits kann die Schicht aus einem Material mit verhältnismäßig niedrigem magnetischem Widerstand bestehen.

Es ist willkürlich angenommen, daß der Fluß in dem im Kreis 15 eingeschlossenen remanenten magnetischen Material nach unten eine gespeicherte binäre "l" darstellt. Eine binäre "θ" wird als Eluß dargestellt, der in diesem Teil des remanenten Materials

schließt nach oben gerichtet ist. Insbesondere fyl/etyi/ein Licht, das den Fotoleiter PCB trifft, die Öffnung im Teil 15B des Kreises 15, wobei ein Strom vom Leiter P zum N durch den Teil fließen kann, um ein Feld zu erzeugen, das den Fluß in dem genannten Gebiet nach oben richtet. Das Flußbild für eine gespeicherte Null ist in Fig. 3B dargestellt. Somit werden durch selektives Schließen der ersten und der zweiten Öffnung in einem leitenden Kreis binäre ¹¹I¹¹ und ¹¹O¹¹ in Teilen eines magnetisch remanenten Materials gespeichert.

Das Ablesen wird zweckmäßigerweise dadurch durchgeführt, daß die Drehung der Polarisationsebene von Licht gemessen wird, die von demjenigen Teil des remanenten Materials der durch den jeweiligen Kreis eingeschlossen wird, durchgelassen (Faraday-Effekt) oder reflektiert (Kerr-Effekt) wird. Insbesondere wird die Polarisationsebene von polarisiertem Licht, das z.B. von dem remanenten Material durchgelassen wird, bei einer Orientiertung des Flusses innerhalb des abgefragten Gebiets des Materials in einer Richtung

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und bei der anderen Orientierung in der anderen Richtung gedreht.

Da die Speicherung und Wiedergewinnung einer Information auf einen Teil des von dem leitenden Kreis eingeschlossenen remanenten Materials beschränkt werden kann, kann dieser Teil des remanenten Materials als Bjtort der Speichereinheit betrachtet werden. Digitale Zugriff-Lichtablenk-Einrichtungen, die bei einer derartigen Speichereinheit verwendet werden können, brauchen nur drei Lichtpositionen für jeden Bitort zu liefern.

Offensichtlich braucht der leitende Kreis nicht kreisförmig zu sein. In der Tat kann der Kreis aus zwei geraden Teilen bestehen, die durch getrennte Streifen jeweils mit den Leitern P und N verbunden sind. Ferner kann offensichtlich das fotoleitende Material z. B. durch Lawinendioden ersetzt werden. Die Arbeitsweise ist dann ganz analog.

Es ist in diesem Zusammenhang zweckmäßig, das Gesamtsystem zu beschreiben,, in dem eine derartige Speichereinheit beschrieben wird. Da derartige Systeme bekannt sind, wird die Beschreibung kurzgefaßt. Insbesondere ist ein optischer Speicher, bei dem eine erfindungs gemäße Speichereinheit verwendet werden kann, in Fig. 4 als Blockschema dargestellt. D ie Figur zeigt eine Quelle 100 für polarisiertes Licht, welche Licht auf eine digitale Lichtablenkeinrichtung 101 richtet. Bekanntlich richten derartige Lichtablenkeinrichtungen unter dem Einfluß von kodierten Eingängen von Polarisationsmodulatoren (Schaltern) in ihren verschiedenen Stufen ein 009831/1270

Eingangslicht auf eine von einer Vielzahl von Ausgangspositionen. Sowohl die Stufenanordnung als auch die Eingangsmittel sind bekannt und werden daher hier nicht erläutert. Es genügt festzustellen, daß ein Licht von einer derartigen Ablenkeinrichtung austritt um auf ausgewählte Bitörter der Speichereinrichtung aufzutreffen. Eine Betriebsart des optischen Speichers mit Lichtdurchlaß ist in Figur dargestellt. Hierbei wird die Drehung der Polarisationsebene von Licht, das durch den Bitort durchgelassen wird, durch einen Detektor 102 im Durchlaßweg hinter dem Detektor festgestellt. Zu diesem Zweck enthält der Detektor 102 typischerweise einen Polarisator, um das Licht auszulöschen, das in einer der Richtungen polarisiert ist, in die das Licht durch das remante Material gedreht wird. Es sei bemerkt, daß für eine Betriebsart mit Lichtdurchlaß beide remanente Materialien der Speichereinheit bei der Frequenz des benutzten Lichtes durchlässig sind. Geeignete Materialien werden später vorgeschlagen.

Andererseits kann eine Betriebsweise mit Lichtreflexion {nicht dargestellt) benutzt werden. Da eine digitale Lichtablenkeinrichtung Licht nur durchläßt, wenn ihre Polarisationsebene in einer "bevorzugten" Richtung liegt, muß .die Polarisationsebene des Lichts, das in die Ablenkeinrichtung reflektiert wird, bei einer Betriebsweise mit Lichtreflexion wenigstens eine Komponente in dieser bevorzugten Richtung haben, um festgestellt zu werden. Eine geeignete Orientierung für das reflektierte Licht wird durch

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eine Dreheinrichtung geliefert, die zwischen die Ablenkeinrichtung und die Speichereinheit gebracht wird. Das durch die Speichereinheit in einer Richtung gedrehte Licht wird durch die Dreheinrichtung z.B. in 90 zu der bevorzugten Richtung weitergedreht (in diese Richtung gedrehtes Licht wird ausgelöscht). Das durch die Speichereinheit in die andere Richtung gedrehte Licht wird in irgendeinen Zwischenwert gedreht (weniger als 90 zu der bevorzugten Richtung), wobei die Komponente dieses Lichts in der bevorzugten Richtung festgestellt wird. Es sei bemerkt, daß das Licht durch jede Speichereinheit und jede Dreheinrichtung zweimal hindurchgeht.

Gleichgültig, ob die Betriebsweise mit Lichtdurchlaß oder mit Lichtreflexion verwendet wird, ist es wichtig, dajä verwendbare digitale Lichtablenkeinrichtungen drei Lichtpositionen für jeden Bitort liefern. Diese Forderung wird z. B. einfach dadurch erfüllt, daß normalerweise drei Zugriffskode für benachbarte Bitorte in den Stufen einer digitalen Lichtablenkeinrichtung einem einzigen Bitort der Speichereinheit gemäß der Erfindung zugeordnet werden.

Nachdem ein eingeschlossener optischer Speicher der mit der als Beispiel gewählten Speichereinheit gemäß der Erfindung verwendet werden kann, kurz beschrieben wurde, sollen einige praktische Betrachtungen, die unter anderem die Energiepegel und die Abmessungen der Speichereinheit betreffen, angestellt werden.

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Zunächsttiegt bei optischen Speichern die Spedchereinheit in der Brennebene des optischen Systems, wobei bei den leistungsfähigsten Anordnungen das Licht die Speichereinheit senkrecht zu ihr trifft.. Insbesondere läuft das Licht für eine maxümale Drehung der Polarisationsebene parallel zur Magnetisierung. Somit liegt die Richtung der leichten Magnetisierung vorzugsweise senkrecht zur Ebene der Speichereinheit. Teilweise kompensierte magnetische Materialien, wie dünne Schichten aus Eisengranaten, seltener Erden, z, B. aus Gadolineisengranat und Yttrium-Aluminiumgranat liefern die gewünschte Richtung für die Achse leichter Magnetisierung. Geeignete Schaltfelder übersteigen das Anisotropbiefeld. Der Betrieb findet bei einer Temperatur statt, die von der Kompensationstemperatur derartiger Materialien verschieden ist. Irgendwelche Entmagetisierungsfelder, die sonst während des Betriebs vorhanden sind, werden durch die Abdeckung verringert, die hohe Magnetisierungen bei verhältnismäßig geringen Strömen erlaubt.

Zweitens spricht das Schaltfeld auf Licht an. Wenn die Energie des einfallenden Lichtstrahls durch P dargestellt wird, dann ist

P = η h ν (1)

wobei η die Anzahl der Photonen pro Sekunde, h die Planck¹ sehe Konstante und ν die Frequenz des Lichts sind (hv sind der Energiewert jedes Photons). Wenn man eine Wellenlänge von 1 Mikro-

-34 meter annimmt, beträgt die Energie eines Photons 6, 6 χ 10 χ

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3 χ 10 oder etwa 2 χ 10 Joules. Somit ist für einen Energie-

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pegel von 1 Milliwatt η = 5 χ 10 . Wenn man vollständige Sammlung, d.h. keine Rekombination oder kein Einfangen annimmt, ferner den Quantenwirkungsgrad eins, dann findet man aus

i - η q (2)

wobei i der Strom und q die Ladung je Ladungsträger ist, daß kiedxx i = 5 χ ΙΟ¹⁵ χ 1, 6 χ 10~¹⁹ =0,8 mA/mW. Es sei bemerkt, daß bei 1 Mikrometer 1 mW ungefähr gleich 1 mA ist. Das magnetische Feld H, das in einem Abstand r von einem der Teile des leitenden Kreises erzeugt wird, kann dargestellt werden durch

2TTrH ^i (3)

Wenn Linienbreiten von 0, 003 cm als durchführbar angenommen werden, ferner ein Schaltfeld von H =K)ersted, dann sind etwa 100 mA (ungefähr^mA/Oersted) erforderlich.

Die effektive Stromverstärkung in einem P&otoleiter ist gegeben durch das Verhältnis der Lebensdauer Teines Elektrons im Leitungsband zur Laufzeit T zwischen den Elektroden. Aus T =

Abstand S S ., . . , . „ ,

' ,, , .. ^a-*=· - ■ ergibt sich einfacher

Geschwindigkeit juE "^{Tr 6}

^Tr S²

wobei η die Beweglichkeit der Ladungsträger im Fotoleiter, 009831/1270

E das elektrische Feld, V die angelegte Spannung und S der Elektrodenabstand (d. h. die Strecke auf dem Fotoleiter) sind.

Für eine Mikrosekunde wird die Lebensdauer Tmit in der Größen-

_7

Ordnung von 10 Sekunden angenommen. Wenn man wieder Abmessungen von 0, 003 cm annimmt, hat man

2 -6 2

S - 6, 25 χ 10 cm . Typische Werte für /u liegen in der Größen-

Ordnung von 500 cm /Volt-Sekunde. Demgemäß ergibt sich aus Gleichung (4)

¹ - 500 V ~ 8 _m _ IQ"⁸ .

- · ■ T₆ - ιόν, τ- —γ- ,

r 6,25x10

und eine Stromverstärkung

= ίο v. ίο"⁸

Drittens liefert ein geeigneter optischer Maser mit hinreichender Lebensdauer z.B. der Yttrium-Aluminium-Granat (YAG oder YAlG) Maser ungefähr eine Ausgangsenergie von einem Watt. Für den Augenblick sei angenommen, daß nur 100 mW Energie benutzt werden» Der Verlust durch die digitale Lichtablenkeinrichtung wird als Beispiel mit 10 Dezibel angenommen. Dementsprechend sind 10 mW am Fotoleiter verfügbar. Eine Stromverstärkung zehn (100 mA) liefert ein Feld von 5 Oersted. Ein Volt zwischen den Leitern P und N liefert die erforderliche Verstärkung.Bei dieser Spannung zeigt das fotoleitende Material einen Anstieg der Temperatur von wenigen zehntel Grad Celsius während einer Sshaltperiode von einer Mikrosekunde.

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Es braucht nur daran erinnert zu werden, daß das remanente Material (wie auch das Material mit geringem Magnetischem Widerstand) lichtdurchlässig ist, wenn die Betriebsart mit Lichtdurchlaß verwendet wird. Zweckmäßigerweise dienen die Granate ebenfalls als geeignete Materialien mit niedrigem magnetischen Widerstand. Geeignete remanente Materialien und/oder Materialien mit geringem magnetischen Widerstand wie Yttrium-Aluminium-Granat mit einer Dicke von etwa 0, 003 - O^fliTcm reflektieren Licht mit Wellenlängen im Infrarotbereich (z.B.\ = 1, 06 yu, wobei W = 10 Angströmeinheiten ist). Dementsprechend können Materialien mit solchen Dicken vorzugsweise als Abdeckung bei der Betriebsart mit Lichtreflexion verwendet werden.

Das Einschreiben in eine Speichereinheit findet erfindungsgemöß mit willkürlichem Zugriff in der beschriebenen Weise ohne Rücksicht auf den vorherigen Inhalt der Speichereinheit statt. Es ist nur erforderlich, daß der lichtabhängige Strom, der durch den ausgewählten Teil eines Leiterkreises fließt, ein Feld erzeugt, das den Schaltschwell wert des remanenten magnetischen Materials-an dieser Stelle Übersteigt. Dementsprechend wird eine einfache elektrisch veränderbare Speichereinheit vorgesehen, die bei einem Lichtablenksystem verwendet werden kann. Ferner sind die (Licht) Energieforderungen an erfindungsgemäße Speichereinheiten so gering, daß eine Organisierung auf Wortbasis eines eingeschlossenen optischen Speichers möglich ist. Wenn es insbesondere erforderlich ist,

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daß z.B. ein auf Wortbasis organisierter Speicher parallel zu vierzig Speichereinheiten Zugriff hat, erhält jede Einheit ein 40zigstel des Lichts. Diese Energieforderungen werden durch vorhandene optische (YAG) Maser (Laser) leicht erfüllt, die Ausgänge von z.B. einem Watt haben.

Eine erfindungsgemäße Speichereinheit kann zwecktnäßigerweise durch bekannte Aufdampfungs- und Lichtabdeckverfahren hergestellt werden. Insbesondere wird eine Granatschicht von etwa 0, 0Θ3 cm dick zweckmäßigerweise durch reagierende Sprühverfahren auf eine lichtdurchlässige Unterlage (z.B. Glas) von willkürlicher Dicke aufgebracht. Dann wird eine Schicht aus Kupfer von etwa 0, 0015 cm Dicke auf das Granat aufgebracht und selektiv geätzt, um Kupferleiter von etwa 0, 003 cm Breite zu liefern. Danach wird fotüeitendes Material, z.B. Cadmiumselenid durch eine Maske mit einer Dicke von etwa 0, 0015 cm und einer Breite von etwa 0, 003 cm aufgebracht. Schließlich wird eine Abdeckung aus Granat von 0, 003 cm Dicke vorgesehen.

Claims

PATENTANSPRÜCHE

1.« Optische Speichereinrichtung bestehend aus einer Schicht aus magnetischem Material mit einem ersten und einem zweiten stabilen Zustand, ferner aus einem ersten und einem zweiten Leiter, die auf die Schicht mit einem Abstand aufgebracht sind und schließlich aus einer Quelle, die ein vorbestimmtes Potential an den ersten und den zweiten Leiter anlegt, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung weiterhin besteht aus einer Vielzahl von leitenden Kreisen (15) die den ersten Leiter (P) und den zweiten Leiter (N) verbinden, wobei jeder Kreis mit einem Teil der Schicht (11) gekoppelt ist und alternativ einem ersten (15A) und einem zweiten (15B) Stromweg zwischen den Leitern ergibt, aus ersten (PCA) und zweiten (PCB) Öffnungen in dem ersten (15A) und dem zweiten (15B) Stromweg und schließlich aus lichtempfindlichen halbleitendem Material, das die erste (PCA) und die zweite (PCB) Öffnung überbrückt und das erregt werden kann, um selektiv die erste und die zweite Öffnung zu schließen und hierdurch den ersten (Fig. 3A) und den zweiten (Fig. 3B) stabilen Zustand in den angekoppelten Teilen der Schicht (11, Fig. 1) unter dem Einfluß eines äußeren optischen Signals herzustellen.

2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß

die Schicht aus magnetischem Material (11) eine Achse leichter Magnetisierung hat, die senkrecht zur Ebene der Schicht aus magnetischem Material liegt.

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3. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung weiterhin besteht aus einer Schicht (18) aus Material mit verhältnismäßig geringem magnetischen Widerstand, die über den leitenden Kreisen (15) liegt.

4. Einrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (11) aus magnetischem Material und die Schicht (18) aus Material mit geringem magnetischen Widerstand lichtdurchlässig sind.

5. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung weiterhin besteht aus einer Schicht (18) aus magnetisch remanentem Material die über den leitenden Kreisen (15) liegt.

6. Einrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (11) aus magnetischem Material lichtdurchlässig ist und daß die Schicht (18) aus remanentem Material einfallendes Licht reflektiert.

7. Einrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (11) aus magnetischem Material und die Schicht (18) aus magnetisch remanentem Material lichtdurchlässig sind.

8. Einrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (11) aus magnetischem Material lichtdurchlässig ist und daß die Schicht (18) aus Material mit geringem magnetischen Widerstand einfallendes Licht reflektiert.

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