DE1512416C - Verknüpfungsglied - Google Patents

Description

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Die Erfindung betrifft ein Verknüpfungsglied für nahme-Schaltung eine feste Spannung V_rel verwendet,

binäre, zwischen zwei Spannungswerten wechselnde so daß die am Eingang der Schaltung erscheinende

Eingangssignale mit einem Stromübernahme-Schalter, Schaltdifferenzspannung einfach durch den Ünter-

welcher zwei Eingänge und mindestens einen Aus- schied zwischen der Differenz aus dem hohen Eingang aufweist und zwischen die Klemmen einer Be- 5 gangssignalwert und V_rai und der Differenz aus

triebsspannungsquelle geschaltet ist, und mit einer F_rcf und dem niedrigen Eingangssignalwert bestimmt

Schaltung zum Übertragen der Eingangssignale zum wird. Wenn V_iel und der Mittelpunkt zwischen

Stromübernahme-Schalter, welche bei Anlegen der dem hohen und dem niedrigen Wert des binären

Eingangssignale davon abhängige binäre Signale er- Signals in einer bestimmten Beziehung zueinander zeugt, deren Spannungssprung gleich der Differenz io stehen (z. B. so eingestellt werden, daß sie praktisch

zwischen den beiden Spannungswerten der Ein- gleich groß sind), so kann der Stromübernahme-

gangssignale ist, und welche außerdem verstärkte, zu Schalter bei einem Wechsel des Eingangssignals, von

den binären Signalen inverse Signale liefert. niedrigem zu hohem und von hohem zu niedrigem

Die Erfindung befaßt sich insbesondere mit einer Wert symmetrisch ansprechen.

als Verknüpfungsglied (»logisches Gatter«) verwend- 15 Es ist ferner bekannt, über eine Kollektorstufe baren Stromübernahme-Schaltung, gelegentlich auch niederohmig eine bistabile Stufe eines Verzögerungs-Stromlenkschaltung genannt, die sich besonders für. Verstärkers anzusteuern, die aus zwei Transistoren sehr schnelle Digitaleinrichtungen, z. B. elektronische gebildet ist, welche getrennte Kollektorkreise und Rechner und andere elektronische Geräte eignet, da einen gemeinsamen Emitterkreis besitzen (USA.-die in einer solchen Schaltung verwendeten Transi- 20 Patentschrift 3 210 562). Ebenso ist es an sich schon stören außerhalb der Sättigung mit relativ kleinem bekannt, eine niederohmige Ansteuerung über meh-Spannungshub betrieben werden können, der in der rere parallelgeschaltete, in Kollektorschaltung be-Größenordnung von Bruchteilen eines Volt liegt. triebene Transistoren vorzunehmen (USA.-Patent-Durch Vermeiden einer Sättigung der Transistoren schrift 3 058 007). Auch ist es bekannt, einen in durch den geringen Spannungshub wird bei den 25 Kollektorschaltung arbeitenden Transistor vom ge-Stromübernahme-Schaltungen eine hohe Ansprech- meinsamen Kollektoranschlußpunkt einer Signalgeschwindigkeit erreicht. . übertragungsschaltung mit zwei Transistoren anzu-

Stromübernahme-Schalter, wie sie von der Erfin- steuern (Telefunken-Veröffentlichung »Röhren- und dung verwendet werden, sind bekannt (»Digest of Halbleitermitteilungen« Nr. 65 10125, Integrierte Technical Papers, 1966, International Solid-State 30 Schaltung—Weg und Ziel, S. 9). :
Circuits Conference, Session 1, S. 12 bis 13«). Dabei Die vorliegende Erfindung gibt ein neues und verwird ein Differenzverstärker mit mindestens zwei bessertes Stromüberriahme-Verknüpfungsglied an, bei Transistoren verwendet, welche getrennte Kollektor- dem die Schaltdifferenzspannung mit einer Überkreise und einen gemeinsamen Emitterkreis besitzen, steuerung des Verknüpfungsglieds verbunden ist, um wobei letzterer an den einen Pol einer Stromquelle 35 unter anderem die Schaltgeschwindigkeit und den angeschlossen ist. Der Strom der Quelle (für den ein Gleichstromstörbereich zu verbessern und außerdem praktisch konstanter Wert möglich ist) kann dann die Schaltung zu vereinfachen und die Verlustleistung durch Einstellen einer geeigneten Potentialdifferenz herabzusetzen. Die Schaltungsanordnung gemäß der zwischen den Basen der beiden Transistoren durch Erfindung trägt ferner zu einem symmetrischen Aneinen der beiden von den Kollektor-Emitter-Pfaden 40 sprechverhalten auf Eingangssignale bei.
der Transistoren gebildeten Strompfade geschaltet' Ein Verknüpfungsglied der eingangs genannten Art werden. Für das Rückfließen des Stromes von den ge- ist. gemäß der Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß trennten Kollektorkreisen zum anderen Pol der die von der Signalübertragungsschaltung erzeugten biStromquelle sind geeignete Vorkehrungen getroffen. nären Signale über eine galvanische Verbindung an In einem der getrennten Kollektorkreise einer solchen 45 den ersten Eingang des Stromübernahme-Schalters Schaltung definiert man eine Ausgangsklemme. Ein und die (ebenfalls von der Signalübertragungsschal-Verknüpfungsglied dieser Art wird als Stromüber- rung erzeugten) verstärkten inversen Signale gleichnahme-Verknüpfungsglied (»CML-Gatter«) bezeich- strommäßig an dessen zweiten Eingang angelegt wernet. den. Dadurch wird erreicht, daß der Differenzspan-.

Betreibt man eine solche Schaltung als Verknüp- ₅₀ nungssprung zwischen den Eingängen des Stromfungsglied, so ist es üblich, die Potentialdifferenz schalters gleich dem Produkt aus dem Faktor (H-G) zwischen den Basiselektroden durch Anlegen eines und dem Spannungssprung der binären Signale ist. von einem, ersten, relativ hohen zu einem zweiten, Die Signalübertragungsschaltung wirkt als Einrelativ niedrigen Spannungswert wechselnden Signal gangsstufe des Stromiibernahme-Schalters, für den an die Basis des einen Transistors (welche einen 55 die verstärkten inversen Signale als Übersteuerungsersten Eingang des Verstärkers darstellt) und einer signale dienen. Bei einer bevorzugten Ausführungsfesten Referenzspannung (K₁.,.,-) an die Basis des an- form der Erfindung wird als Umkehrverstärker ein deren Transistors (welche einen zweiten Eingang dar- als Phasenumkehrstufe betriebener Transistor verstellt) herzustellen. Es sei darauf hingewiesen, daß wendet, welcher bei Anlegen der binären Eirigangsdas binäre Signal kontinuierlich sein, d.h. zwischen 60 signale sowohl die inversen als auch die nicht umbenachbarten hohen und niedrigen Bereichen einen gekehrten binären Signale liefert, und zwar an sei-Übergangsbereich aufweisen kann. Eine in der Mitte nem Kollektor bzw. Emitter.

zwischen dem hohen und dem niedrigen Signalwert ■ Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der

liegende Spannung wird als V_XKl bewertet, so daß die Zeichnung dargestellt. Die Zeichnung zeigt in .

Potentialdift'erenz zwischen den beiden Signalwerten 65 Fig. I ein schematisches Schaltbild einer Schal-

und F₁.,., festlegt, durch welchen der Transistoren der t'ungsanordnung gemäß der Erfindung,

Quellcnstrom geleitet wird. Fig. 2 eine graphische Darstellung des Eingangs-

Wie erwähnt, wird bei der bekannten Stromüber- differenzsignals des Stromübernahmeschalters, auf-

getragen gegen die Eingangsspannüng für die Schaltungsanordnung nach F i g. 1,

F i g. 3 eine graphische Darstellung der Gleichstrom-Übertragungscharakteristik der Schaltungsanordnung nach F i g. 1 und

F i g. 4 eine graphische Darstellung der einander überlagerten Schwingungsformen der an den beiden Eingängen des Stromübernahme-Schalters erscheinenden Spannungen.

Das in Fig. 1 dargestellte Verknüpfungsglied enthält . einen Stromübernahme-Schalter 10 und eine Signalübertragungsschaltung 11, die beide an zwei Versorgungsleitungen 12 und 13 angeschlossen sind. Der Stromübernahme-Schalter 10 weist zwei Transistoren Q 3 und Q 4 auf, deren Emitter 3 e bzw. 4 e zusammengeschaltet und über einen gemeinsamen Emitterwiderstand jR 5 mit der Versorgungsleitung 13 verbunden sind. Die Kollektoren 3 c und 4 c liegen über Widerstände R 3 bzw. R 4 an der Versorgungslung 12. Ferner sind die Kollektoren 3c und Ac mit Ausgangsklemmen 14 bzw.. 15 verbunden, wo körnplementäre Ausgangssignale C bzw ι C zur Verfugung stehen. Die Basiselektroden3b und 4b sind mit den. Emittern .2e bzw. Se der Transistoren Q2 bzw. β 5 der Koppelschaltung 11 zusammengeschaltet.

Die Signalübertragungs-Schaltung 11 enthält mindestens eine Umkehrstufe, welche beim Ausführungsbeispiel der als Phasenumkehrstufe geschaltete Transistor Q 2 ist. Auf dieser Seite der Schaltung können an die Basis 2 b binäre Eingangssignale B angelegt werden.

Mittels eines Widerstandes R 2 und eines Transistors Q 6 für eine Temperaturkompensation und für Gleichlauf der Versorgungsleistung ist der Emitter 2 e mit der Versorgungsleitung 13 verbunden. Die Basis; 6 b dieses Kompensationstransistors Q 6 und sein Kollektor 6c sind gemeinsam mit dem Widerstand R2 verbunden, während sein Emitter 6e an der Versorgungsleitung 13 liegt. An Stelle des Transistors β 6 könnte man zur Temperaturkompensation selbstverständlich auch eine Halbleiterdiode oder ein anderes Bauteil mit einem pn-übergang verwenden. Im übrigen ist eine Einrichtung zur Temperaturkompensation wie der Transistor β 6 nur dann erforderlich, wenn die Schaltungsanordnung über einen großen Temperaturbereich und bei starken Schwankungen, der Versorgungsleistung zuverlässig arbeiten soll, sie sie kann jedoch fortgelassen werden, wenn eine Betriebssicherheit nur innerhalb eines geringen Temperaturbereiches und bei relativ stabiler Versorgungsleistung verlangt wird.

Über einen Widerstand Rl liegt der Kollektor 2 c an der Versorgungsleitung 12. Ferner ist der Kollektor 2c mit der Basis 5 b des als Emitterfolger geschalteten Transistors β 5 verbunden. Der Kollektor 5 c liegt ebenfalls an der Versorgungsleitung 12, während der Emitter 5 e- über einen Widerstand R 6 mit der Versorgungsleitung 13 zusammengeschaltet ist.

Man lcann zusätzliche Eingänge des Verknüpfungsgliedes vorsehen, indem man parallel zum Kollektor 2 c und Emitter 2 e des Transistors Q 2 die Kollektoren bzw. Emitter weiterer Transistoren schaltet. Wie in der Zeichnung mit unterbrochenen Linien dargestellt ist, ist beispielsweise mit dem Kollektor 2 c der Kollektor Ic eines weiteren Transistors β I und mit dem Emitter 2 e dessen Emitter Ie verbunden. An die Basis 1 δ können weitere binäre Eingangssignale A angelegt werden.

Die Schaltung, soweit sie bisher beschrieben wurde, kann als integrierte Schaltung oder in Mikromodul- ' technik hergestellt werden. Es ist auch. möglich, in einem einzigen Halbleiterstück eine Reihe der oben beschriebenen Schaltungsanordnungen herzustellen und so zusammenzuschalten, daß sie in irgendeinem digitalen System verschiedene Verknüpfung- und Schaltfunktionen ausführen können. Die beschriebene Schaltungsanordnung kann aber auch aus einzelnen

ίο Bauteilen zusammengestellt werden.

An die Versorgungsleitungen 12 und 13 ist eine Spannungsquelle 16 angeschlossen, welche eine Arbeitsspannung des Wertes E liefert. Werden, wie beim dargestellten Ausführungsbeispiel, npn-Transistoren verwendet, so liegt die Versorgungsleitung 13 am negativen Pol der Quelle 16 und die Leitung 12 an ihrem positiven Pol, wobei die Leitung 12 auf irgendein beliebiges Bezugspotential gelegt ist, beim dargestellten Ausführungsbeispiel auf Massepotential.

Werden für die Schaltungsanordnung' pnp-Transi-. stören verwendet, muß die Polarität der Quelle 16 selbstverständlich umgekehrt werden.

Die binären Signale A und B weisen die bekannte Kurvenform mit einem hohen und einem niedrigen Spannungswert und einem Übergang dazwischen auf, wie in Fig. 1 an der Basis Ib mit der Kurve 17 angedeutet ist. Wie aus der Darstellung zu erkennen ist, weisen der hohe bzw. der niedrige Spannungswert die Werte V₁₁ bzw. V_L auf. Die Signale A und B können beispielsweise von den Ausgangsklemmen ähnlicher Stromübernahme-Schaltiingen eines digitalen Systems stammen.

Der gemeinsame Emitterwiderstand R 5 und die Spannungsquelle 16 bilden für den Stromübernahme-Schalter 10 eine Stromquelle. Wenn die an der Basis 3 b liegende Basisspannung V_b:l positiver ist als die Basisspannung V_hi, so wird der Transistor Q3 leitend und der Transistor β 4 gesperrt, so daß der Strom von der Stromquelle über die. Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors Q 3 und den Widerstand R 3 geschaltet wird und die Ausgangssignale C bzw. ü auf niedrigem bzw. hohem Potential liegen. Ist V_bA positiver als V_{b s}, so leitet der Transistor β4, während der Transistor β 3 gesperrt ist und der Quellenstrom über die Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors β 4 fließt und die Ausgangssignale C und U hohes bzw. niedriges Potential aufweisen. . ·

Der Transistor β 3 wird leitend, wenn eines oder beide der binären Signale A und B sich auf dem

So hohen Spannungswert befinden. Das hohe Potential der Signale A und B wird unter Verschiebung des Potentials je nach dem vorliegenden Fall über den Basis-Emitter-Übergang des Transistors β 1 oder des Transistors β 2 auf die Basis 3 b des Transistors β 3 übertragen. Zusätzlich kehrt der Transistor β 1 oder 02 mit einem Verstärkungsfaktor G das binäre Signal A oder B um. Das umgekehrte binäre Signal wird über eine Koppeleinrichtung, zu der eine Einrichtung , zur Potentialverschiebung (nämlich die Basis-Emitter-Strecke des Transistors β 5) gehört, als ein.um den Verstärkungsfaktor G modifiziertes Signal niedrigen Potentials an die Basis 4b angelegt. In diesem Falle ist also V_h:i positiver als V₁,,, so daß der Transistor β 3 leitend wird, der Transistor β 4 da-

65. gegen nichtleitend. Die Ausgangssignale C und ü * weisen niedriges bzw. hohes Potential auf.

Der Transistor β 4 wird nur dann leitend, wenn die binären Signale A und B beide niedrige Werte ange-

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nommen haben. Das niedrige Potential der Signaled Spannungsabfalls V_BIS der Transistoren Ql, β 2, QS und B wird unter Potentialverschiebung über die und β 6 gleich groß sein werden, wenn alle übrigen Basis-Emitter-Strecken der Transistoren Q1 und Q 2 Werte der Vorrichtung gleich sind. Unterschiede von auf die Basis 3 & des Transistors Q 3 übertragen. Zu- F_ßt- auf Grund von Temperaturänderungen werden sätzlich kehren die Transistoren Ql und Q2 mil 5 sich also im Gleichlauf befinden (Primäreffekt), und einem Verstärkungsfaktor G den niedrigen Signalwert die absoluten Werte von V_BE werden bei jeder Temder binären Signale A und B um. Das inverse binäre peratur gleich sein (Sekundäreffekt).
Signal wird mit Potentialverschiebung über die Basis- In. F i g. 4 sind überlagerte Schwingungsformen der Emitter-Strecke des Transistors β 5 zur Basis 4 ö als Spannungssignale F₆₃ und F₆₄ dargestellt, wobei ein um den Verstärkungsfaktor G modifiziertes Signal io V_H = 0 Volt, V_L = — 0,8 Volt, V_BE (Spannungshohen Potentials übertragen. In diesem Fall ist also abfall an der Basis-Emitter-Strecke) = 0,8 Volt, F₆₄ positiver als F₆₃, so daß der Transistor QA G=0,125 und £=5,2 Volt betragen". Die Wahl dieser leitend und der Transistor Q 3 nichtleitend ist und Werte ist willkürlich und in keiner Weise einschrändie Ausgangssignale C und C hohes bzw. niedriges kend zu werten.
Potential aufweisen. 15 In Fig. 4 weist F₆₃ einen gesamten Sprung γοη

Wenn also eines oder beide der Eingangssignale A 0,8 Volt auf, nämlich von —0,8 bis — 1,6 Volt, wäh-

und B auf hohem Potential liegen, erscheint ein Aus- rend der gesamte Sprung der Spannung F₆₄ von

gangssignal C mit niedrigem Potential. Nur wenn —1,15-bis'—1,25 Volt, also 0,1 Volt beträgt. Wäh-

beide binären Eingangssignale A und B niedriges rend der Schaltübergänge sind die zeitlichen Ände-

Potential aufweisen, ist das AusgangssignalC auf 20 rungsraten von F₆₃ und F₆₄ so groß, daß bei

hohem Potential. In jedem dieser Fälle ist natürlich —1,2 Volt, also der Mitte zwischen den Signalwerten

das Ausgangssignal C die Umkehrung des Ausgangs- sowohl von F₆₃ als auch von F₆₄, diese beiden Span-

signals C. Ordnet man dem hohen bzw. niedrigen nungen gleich groß sind (F₆₃=F₆₄). Bei den gewähl-

Potential das binäre Symbol »1« bzw. »0« zu, so kann ten Werten weist somit der Stromübernahme-Schalter

man sagen, daß die Schaltungsanordnung bezüglich 25 10 einen Schwellwert von -'1,2VoIt auf, während

des Ausgangssignals C als NOR-Gatter und bezüglich der Schwellwert der gesamten Verknüpfungsschaltung

des Äusgangssignals C als ODER-Gatter arbeitet. in der Mitte zwischen den Eingangssignalwerten bei

Ordnet man andererseits das binäre Symbol »1« bzw. — 0,4 Volt liegt.

»0« dem niedrigen bzw. hohen Potential zu, so wirkt Das an den Stromübernahme-Schalter. 10 angelegte die Schaltungsanordnung bezüglich des Ausgangs- 30 Differenzsignal ist die Differenz der. Schwingungssignals C als NAND-Gatter und bezüglich des Aus- formen der Fig. 4 oder V,,.,— V_h4. Dieses Differenzgangssignals C als UND-Gatter. signal ist in der Darstellung der F i g. 2 mit der durch-

Aus der bisherigen Beschreibung geht hervor, daß gehenden Kurve 20 als Funktion der Eingangsspandie vorliegende Erfindung von der Arbeitsweise be- nung F_iu dargestellt, d.h. als Funktion derjenigen kannter Schallungsanordnungen abweicht, F₆₄ (auch 35 Kombinationen der binären Signale A und B, welche mit K_n., bezeichnet) bezüglich Massepotenlial auf ein Schalten der Schaltungsanordnung verursachen, einer fixierten Spannung zu halten. Durch diese Ab- Wie in Fig. 2 zu sehen ist, wechselt die durchweichung ist es möglich, den Stromübernahmeschalter gehende Kurve 20 während der Schaltübergänge zwi-10 im Gegentaktverfahren mit einem Übersteuerungs- sehen 0,45 und —0,45 Volt, was einen gesamten signal zu betreiben, um die Schaltwirkung der Schal- 40 Sprung von 0,9 Volt bedeutet. Mit der gestrichelten tungsanordnung zu beschleunigen. Das Übersteue- Kurve 21 ist das Differenzsignal für eine ähnliche rungs-oder Gegeniaktsignal ergibt sich, da die beiden Stromübemahme-Schaltungsanordnung mit festem Erkennungssignalc F₆₃ und F₆₄ während der Schalt- oder konstantem Wert F₆₄ oder F₁.,., dargestellt. Wie übergänge in entgegengesetzte Richtungen wechseln. man sieht, wechselt die Kurve 21 zwischen 0,4VoIt, Einerseits erfährt F,,., den gesamten Sprung F//— F/, 45 hat also einen Gesamtsprung von 0,8VoIt. Somit da die Transistoren Q1 oder Q 2 nur das Potential der liefert die Gegentaktansteuerung gemäß der yorliegen-Eingangssignale A oder B verschieben. Auf der an- den Erfindung ein Differenz-Schaltsignal, welches um deren Seite erfährt K,, ₄ einen Sprung der inversen den Wert ' ,
Signale von _ G-(V_H^V_L) V

' . des an" die Basis 4 b angelegten Signals größer ist als

auf Grund der Umkehrung und Verstärkung durch das einer ähnlichen logischen Schaltung mit festem

die TransistorenQl odenß2. Das gesamte Differenz- F_rPf.

Schaltsignal beträgt also . Diese Schaltwirkung gemäß der Erfindung kann als γ _ y _ Q 1 (j\(y _ y ) 55 Rückkopplung mit offener Schleife bezeichnet wer^f>3 'μ. <. M η ■ t;· den, wobei die Gleichstrom-Übertragungskennlinie Die- Schaltungsanordnung ist vorzugsweise so aus- etwas schärfer ist als diejenige einer ähnlichen Schalgelegt, daß der durchschnittliche Wert von F₆₄ in der tung mit konstantem Wert F_rcI. Trotzdem entsteht Mitte zwischen den Signalwerten von K_h3 liegt, damit jedoch keine Hysteresis. Mit der durchgghenden sich für die Schaltungsanordnung ein Schaltschwell- 60 Kurve 22 in F i g. 3 ist die Gleichstrom-Übertragungswert ergibt, welcher in der Mitte zwischen den Wer- kennlinie für das Ausgangssignal C der vorliegenden ten der Eingangsspannutig liegt. Außerdem ist dann. Schaltungsanordnung dargestellt, welcher die gewenn eine Temperaturkompensation gewünscht wird. strichelt gezeichnete Kurve 23 der Gleichstrom-Überdie Schaltungsanordnung vorziigsweise so ausgelegt, tragungskennlinie einer ähnlichen Schaltung 'mit ' daß die mittleren Ströme in den Stromzweigen mit 65 F₁.,,, gegenübergestellt ist. Die größere Schärfender den Widerständen R 2 und R 6 gleich sind. Dadurch „' Kurve 22 spiegelt die Übersteuerungsschaltsignäle?und wird ein SckundärelTckt des Tcmperaturgleichlaufs die erhöhte Schallgeschwindigkeit bei der vorliegengcwährleistet. da die Absolutwerte des Basis-Emitter- den Erfindung wieder. Außerdem wird durch die

Kurve 22 die durch die Erfindung erzielte Verbesserung des Gleichstrom-Störverhaltens wiedergegeben, denn Änderungen der Ausgangsspannung F„_ut bedingen, verglichen mit der Kurve 23, größere Änderungen der Eingangsspannung V_m.

Bei der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung ist der Schaltungsaufwand etwas geringer als bei einer ähnlichen Schaltung, bei welcher eine feste Spannung V_rv[ von einem als Emitterfolger geschalteten Transistor eingestellt wird, denn für den Basiskreis des Emitterfolger ist ein zusätzlicher Spannungsteiler erforderlich. Außerdem wird die Verlustleistung etwas kleiner, da.zum Erlangen der Spannung F,._nrbei der vorliegenden Erfindung nur der durch den Emitterwiderstand R 6 fließende Strom hinzugefügt wird, während für den Emitterfolger mit einem Spannungsteiler für seinen Basiskreis mindestens zwei zusätzliche Ströme erforderlich sind.

Der Faktor G= „„ und sein Wert hängt weit-

R2

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gehend Von der richtigen Vorspannung der Transistoren Q1 und Q 2 ab. Wenn also, wie in F i g. 1 dargestellt ist, die Schaltungsanordnung mit einer einzigen Versorgungsquelle betrieben wird, so wird der Bereich für Werte von G eingeschränkt durch Überlegungen bezüglich der Sättigung der Transistoren Ql und Q2. Würde man jedoch für die Transistoren Ql und Q 2 getrennte Vorspannungsquellen Vorsehen, so könnte der Bereich für Werte von G erhöht werden, ohne daß eine Sättigung dieser Transistoren zu befürchten wäre. Eine andere Möglichkeit, den Bereich für Werte von G zu erhöhen, besteht darin, in den Schaltungszweig von R2 und Q6 zusätzliche Seriendioden einzusetzen, anstatt für die Transistoren Q1 und Q 2 eine äußere Vorspannungsquelle vorzusehen. Dies erhöht aber nicht nur den Schaltungsaufwand, sondern beeinträchtigt auch das Temperaturverhalten bzw. den Temperaturgleichlauf. ·

Es sei ferner darauf hingewiesen, daß die Transistoren Ql und Q 2 die Eingangskapazitäf des Vcrknüpfungsgliedes gemäß der Erfindung herabsetzen. Diese Transistoren arbeiten bezüglich der Basis 3 b als Emitterfolger und sind daher bestrebt, die Basis-KoIIcktor-Kapazität und andere Kapazitäten des Schalltransistors Q2> um einen Faktor β zu vermindem. vom Schaltungseingang her gesehen. Infolgedessen sind größere Schallgeschwindigkeiten und eine größere Zahl von Eingängen möglich, ohne das Schallverhalten anderer ähnlicher Verkiiüpfungsgliedcr. welche die Signale A und B liefern, zu beeinträchtigen.

Wenn dies wünschenswert ist, können an die Ausgangsklemmen 14 und 15 der dargestellten erfindiingsgcmäßen Schaltungsanordnung auch noch Emittcrfolgeschaluingen angeschlossen weiden. Dies würde jedoch zwischen dem Kollektor 2c und der Basis 4b eine zusätzliche Vorrichtung zur Potentialverschiebuim bedingen. Eine derartige 'zusätzliche Vorrichtung zur Potentialverschiebung könnte beispielsweise ein zwischen den Emiller 5 e und die Basis 4/) geschallcter pn-übergang' eines Halbleiters, beispielsweise eines Transistors oder einer Diode sein.

Claims (4)

Patentansprüche:

1. Verknüpfungsglied für binäre, zwischen zwei Spannungswerten wechselnde Eingangssignale mit einem Stromübernahme-Schalter, welcher zwei Eingänge und mindestens einen Ausgang aufweist und zwischen die Klemmen einer Betriebsspannungsquelle geschaltet ist, und mit einer Schaltung zum Übertragen der Eingangssignale zum Stromübernahme-Schalter, welche bei Anlegen der Eingangssignale davon abhängige binäre Signale erzeugt, deren Spannungssprung gleich der Differenz zwischen den beiden Spannungswerteri der Eingangssignale ist, und welche außerdem verstärkte, zu den binären Signalen inverse· Signale liefert, dadurchgekennzeichnet ,daß die von der Signalübertragungsschaltung (11) erzeugten binären Signale über eine galvanische Verbindung an den ersten Eingang (3 b) des Stromübernahme-Schalters (10) und die verstärkten inversen Signale gleichstrommäßig (über Sb, Se) an dessen zweiten Eingang (4 b) angelegt werden.

2. Verknüpfungsglied nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die am Ausgang der Signalübertragungsschaltung (11) erscheinenden verstärkten inversen binären Signale an den zweiten Eingang (4 b) des Stromübernahme-Schalters

(10) über eine Einrichtung (5 b, 5e) zum Verschieben des Potentials dieser Signale angelegt werden.

3. Verknüpfungsglied nach Anspruch 2, da-■ , durch gekennzeichnet, daß die über die Einrichtung (5b,Se) zum Verschieben des Potentials an den zweiten Eingang (Ab) des Stromübernahme-Schalters (10) gelieferten binären Signale einen mittleren Spannungswert (V_biavg in Fig. 4) aufweisen, welche in der Mitte (—1,2 Volt) zwischen den an den ersten Eingang (3 b) angelegten binären Signalen ( — 0,8, —1,6 Volt) liegt.

4. Verknüpfungsglied nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Signalübertragungsschaltung (11) mindestens einen Eingangstransistor (Q 2) aufweist, der mit seinem Emitter und Kollektor über je einen Widerstand (R 2 bzw. Rl) zwischen die Klemmen der. Spannungsquelle (16) geschaltet ist und bei Anlegen von binären .Eingangssignalen an seine Basis als Phasenumkehrstufe arbeitet, daß die verstärkten inversen binären Signale der Signalübertragungsschaltung

(11) an die Basis eines weiteren Transistors (QS) angelegt werden, dessen Emitter und Kollektor über einen weiteren Widerstand (R 6) parallel zur Emitter-Kollektor-Strecke des Eingangstransistors (Q 2) zwischen die Klemmen der Sparinungsquelle geschaltet sind, und daß eine Einrichtung (Q 6) zur Temperaturkompensation vorgesehen ist, wodurch von der Spannungsquelle zu den Emittern des Eingangst rnnsistors. und des weiteren, zum Verschieben des Potentials dienenden Transistors praktisch gleiche mittlere Ströme fließen, so daß

. in den verschiedenen Bestandteilen des Verknüpfungsglicdcs ein Temperaturgleichlauf stattfindet.

Hierzu 1 Blatt Zeichnunaen 109 625/92