DE1499663A1 - Magnetschichtspeicher - Google Patents

Description

DIPL-PHYS. F ENDLICH ⁸⁰³⁴ unterpfäffenhofen 21 .September 1966

PATENTANWALT b-MDNOHEN EH/S

BLUMENSTRASSE 5 *

1 I O Π r> r* O TELEFON CMDNOHENJ 8736 38

TELEGRAMMADRESSE: PATENDLICH MÜNCHEN

Unsere Aktes 1655

Anmelder: General Electric Company, Scheneetady, Hew York, ST.Y. USA

Magnetschichtspeicher

Die Erfindung "betrifft Magnets chichts pel eher, insbesondere eine Schichtspeiehermatrix mit einem geschlossenen Flußpfad für Jedes Speicherelement und ein Verfahren zu ihrer Herstellung. Die Erfindung ist besonders für ein zerstörungsfreies Ablesen -wichtig.

2>ie Verwendung von dünnen magnetischen Schichten für die Informationsspeicherung und -ablesung in großen Rechenanlagen und dergl. hat gegenüber voluminösen magnetischen Elementen wie Magnetkernen größere Vorteile. Magnetschichten sprechen sehr schnell auf die zugeführte Information an, d.h., eine schnelle Änderung des Flusses in den magnetischen Schichten kann erreicht werden. Sie können daher bei äußerst hohen Frequenzen im Bereich von ei-

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nigen 10 Hz bei gleichzeitig geringer.Leistungsaufnahme betrieben werden. Durch ihren planparallelen Aufbau benötigen sie nur einen Bruchteil des Volumens von voluminösen magnetischen Elementen. Die Packungsdichte von diskreten Informationselementen kann viel höher sein. Ferner sind die Abmessungen der Schichtspeicher mit denen integrierter Schaltkreise verträglich.

Zur Herstellung von Magnetschicht-Speichermatrizen wird eine anisotrope Magnetschicht, die so polarisiert ist, daß sie eine

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remanente Magnetisierung nur entlang einer einzelnen Achse, der . Vorzugsache ("Easy¹¹Achse), zeigt, auf einer Unterlage aufgetragen. In der Schicht wird eine Anzahl von diskreten Speicherelementen oder -bezirken ausgebildet, deren Magnetisierung in. eine der beiden entgegengesetzten Eichtungen entlang der Vorzugsachse gerichtet ist, um eine" binäre ¹M ⁿ oder "0" zu speichern. Bin erster Satz von induktiv gekoppelten parallelen Leitungen, die gewöhnlich Bitleitungen (digit conductors) genannt werden, liegen so ausgerichtet auf der Schicht, daß in dieser entlang der Vorzugsachse ein Magnetfeld erzeugt wird. Bin zweiter Satz von induktiv gekoppelten parallelen Leitungen, die gewöhnlich Treiber- oder Wortleitungen genannt werden, liegen auf der Schicht senkrecht zu dem ersten Satz von Leitungen, so daß ein Magnetfeld in der zu dsr Vorzugsaohae senkrechten Achse erzeugt wird. Die Speicherelemente werden unter den TJberkreuzungen der übereinanderliegenden Sätze von Leitungen gebildet. Die Speicherung wird durch Erregung ausgewählter Paare von Bit- und Wortleitungen vorgenommen. Eine zerstörungsfreie Ablesung wird durch alleinige Erregung der Wortleitungen erreicht, wobei die abzulesende Information entweder von den Bitleitungen oder von einem dritten Satz von Leitungen gelesen wird, die mit den Speicherelementen induktiv gekoppelt sind.

Bs ist offensichtlich wünschenswert, die Speicherelemente so anzuordnen, daß eine möglichst große Bitdichte erreicht wird.

Bis jetzt ist eine enge Anordnung der Elemente schwierig gewe-

sen, besonders im Hinblick auf ein zerstörungsfreies Ablesen, da Streufelder und entmagnetisierende Felder zwischen benachbarten Elementen auftreten. Wenn sie nicht vermieden werden,

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führen diese Felder lind die damit verbundenen Effekte zu einem Fehler "beim Speichern und "beim lesen und können auch die Zerstörung der Speicherelemente bei einem zerstörungsfreien Lesen bewirken. '

Durch die Erfindung wird eine Speichermatrix angegeben, bei der auf einer Grundplatte eine dünne Magnetschicht aufgetragen wird, die so polarisiert ist3 daß sie einen remanenten Magnetismus nur entlang einer einzigen Achse zeigt. In der Schicht ist eine Anordnung von eng benachbarten Speicherelementen ausgebildet, wobei die remanente Magnetisierung in jedem Element in einer der beiden entgegengesetzten Richtungen entlang der einzigen Achse gerichtet ist, um eine binäre "1" oder ¹¹O" zu speichern. Gemäß der Erfindung ist auf jedem Speicherelement eine relativ dicke leitende Schicht aufgetragen, die eine zweite dünne Magnetschicht trägt, die mit den entgegengesetzten Enden jedes Elements verbunden ist, die den remanenten Magnetismus begrenzen. Die zweite Magnetschicht bildet einen geschlossenen magnetisciien Flußpfad für jedes Speicherelement, der die Ebene der Elemente verläßt. Ein erster Satz von Stromleitungen wird durch die leitenden Schichten hergestellt» Ein zweiter Satz von Stromleitungen, die induktiv Bit den Speicherelementen gekoppelt sind, schneidet den ersten Satz unter einem rechten Winkel. Der erste und der zweite Satz von Leitungen, werden zur Steuerung der Magnetisierung jedes Speicherelements beim Schreiben und Lesen erregt.

Gemäß der Erfindung umfaßt das Verfahren zur Herstellung des oben beschriebenen Speiehers folgende Verfahrensschritte: eine sehr dünne, glatte Trägerschicht aus gut leitendem Material

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wie Gold wird auf der planaren Oberfläche einer Grundplatte aus

Glas bis zu einer Dicke von etwa 200-300 A aufgetragen. Auf die leitende Schicht wird eine dünne Magnetschicht elektroplattiert, die zum Beispiel aus iTickel-Eisen-Permalloy bestehen kann und in Gegenwart eines polarisierenden Magnetfeldes aufgetragen wird, um in der Schicht eine magnetische Anisotropie zu erzeugen, die sich als remanente Magnetisierung entlang der Vorzugsachse äußert.

ο Die Magnetschicht hat eine Dicke von etwa 600 - 1000 A. Auf die Magnetschicht wird eine verhältnismäßig dicke Schicht aus einem Leiter wie Kupfer elektroplattiert, deren Dicke etwa 10 cm (0,5*10 Zoll) beträgt. Anschließend werden parallele Streifen aus den übereinanderliegenden Schichten senkrecht zur Richtung der Vorzugsachse geätzt. Auf die parallelen Streifen wird zum Abdecken der Streifen und zur Herstellung eines kontinuierlichen Pfads aus Magnetschichtmaterial um das Zupfer eine zweite dünne Magnetschicht elektroplattiert, die mit der vorher aufgetragenen dünnen Schicht gekoppelt ist. Eine Isolierschicht, die zum Beispiel aus versprühtem Epoxyd-Harz (epoxy) besteht, wird auf dieser Oberfläche aufgetragen. Auf der Isolierschicht wird eine weitere !Trägerschicht aus einem guten Leiter aufgetragen und auf diese eine relativ dicke Schicht aus einem Leiter elektroplattiert. Schließlich werden durch Ützeii aus der zuletzt hergestellten leitenden Schicht Streifen in Richtung der Vorzugsachse gebildet.

Die Erfindung soll anhand der Zeichnung naher erläutert werden. Es zeigen:

Fig.i eine schematische Aufsicht auf einen Magnetschichtspeicher gemäß der Erfindung;

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Fig. 2 einen (Querschnitt durch den Speicher von Fig. 1 entlang der linie 2-2; und

Fig. 3 eine perspektivische Ansicht eines abgewandelten Ausführungsbeispiels gemäß der Erfindung,bei dem zwei Speicher auf einer gemeinsamen Grundplatte montiert sind.

In den Figuren 1 und 2 ist ein Magnetschichtspsicher 1 abgebildet, der eine große Anzahl von Schiehtspeicherelementen 2 hat. Zur Erläuterung ist nur eine begrenzte -^zahl von Speicherelementen im stark vergrößerten Maßstab abgebildet worden. Gemäß Fig. T trägt der Speicher 1 eine Anzahl von parallelen "Spalten" 3 auf einer Grundplatte 4- aus einem amorphen Dielektrikum wie Glas. Auf den Spalten 3 liegt eine Anzahl von parallelen "Zeilen" 5.

Aus Fig. 2 ist ersichtlich, daiS jede Spalte 3 eine glatte Trägerschicht 6 aus einem guten Leiter hat, die sich auf der Glas oberfläche befindet. Gold oder eine Gold-Kupf er-I»e gierung' mit einer Dicke von 200-300 A haben sich als sehr geeignet für diese Schicht erwiesen. Auf der Goldschicht 6 befindet sich eine Magnetschicht 7. Die Schicht 7 besteht typisch aus Hiekel-Bisen-

ο Permalloy mit einer Dicke von etwa 600-1000 A. Wie bald genauer erläutert werden soll» wird die Schicht aus Ifiekel-Msen-Permalloy so aufgetragen, daß sie magnetisch anisotrop ist»

Eine Schicht 8 aus einem Leiter liegt auf der Magnetschicht. Die Schicht 8 ist relativ dick zum Leiten von Strom in ihrer Längsrichtung, und sie besteht normalerweise aus Kupfer mit einer Dicke von etwa 10"⁵cm (O,5^#1O~⁵ Zoll). Eine Deckschicht 9 in Form einer Magnetschicht, normalerweise ebenfall® aua Hisfcel-Eisen-Permalloy, liegt auf drei Seiten der leitenden Schicht 8

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und steht in enger Berührung mit den Enden der Schicht 7. Dementsprechend wird ein geschlossener kontinuierlicher·· Pfad aus Magnetschichtmaterial gebildet, der aus den die leitende Schicht 8 umschließenden Schichten 7 und 9 besteht.

Auf den Spalten. 3 befindet sich eine Isolierschicht 10, die versprühtes Epoxyd-Hars sein kann. Eine Schicht 11 aus einem guten Leiter, die der Schicht 6 ähnlich ist, befindet sich auf der Isolierschicht. Jede Zeile 5 &at allein eine relativ dicke Schicht 12 aus einem Leiter, die der Schicht 8 ähnlich ist und auf den Spalten 3 liegt- sowie von dem leitenden Material dieser Spalten durch den isolierenden Überzug getrennt ist.

Es soll nun der Betrieb des Magnetschichtspeichers in den Figuren 1 und 2 besehrieben werden. Die Schichten 8 bilden einen ersten Satz von Leitungen, die durch Strom erregt werden und induktiT mit der Schicht 7 gekoppelt sind, und die Schichten 12 bilden einen aweiten Satz von induktiv gekoppelten Leitungen für den !rregungsstroni, wobei diese Leitungen senkrecht su dem ersten Satz von leitungen verlaufen,* Die einzelnen Speicherelemente 2 des Speichers werden in der Schicht 7 unter den tjberkreuzungen der Leitungen des ersten und zweiten Satzes gebildet. Bei der Herstellung der Magnetschicht 7 wirkt ein magnetisches Gleichfeld ein_s um die Magnetsohieht in eine Sichtung zu polarisieren, damit si© ©ine remanente Magnetisierung entlang einer einzigen Achse, der Torzugaaciise, zeigt. Sie Orientierung der Vorzugsaehs© tmä d©r Queraehse- ("transverse" Achse) ist in dem Speicher von Pig. 1 bei 13 bsw«, 14 zu sehen.

Di© £©itung©n 8 dienen in zweifacher Waise sowohl als Biteis auch als Leaeleitungen^ die Leitungen 12 als Treiberleitungen.

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Eine Information in Form einer binären "1" oder "0" wird in den Speicherelementen 2 gespeichert, indem die Magnetisierungsvektoren in einer der beiden entgegengesetzten Eichtungen entlang der Vorzugsachse zeigen. Zum Schreiben von Information wird eine ausgewählte Treiberleitung durch einen von einer geeigneten, nicht abgebildeten Impulsquelle abgegebenen unipolaren Impuls erregt, so daß ein Magnetfeld entlang der Querachse in jedem der Speicherelemente unter der erregten Treiberleitung erzeugt wird. Dieser Impuls hat genügend Energie, um tatsächlich den Magnetisierungsvektor in den Speicherelementen aus der Vorzugsachse zur Querachse zu drehen. Gleichzeitig mit der Zufuhr eines Treiberimpulses wird einer einzelnen Bit-Lese-Leitung 8, falls die Information in ein einzelnes Speicherelement eingegeben werden soll, ein bipolarer Bitimpuls zugeführt«, dessen Polarität sich nach der zu speichernden binären Information richtet. Der Bitimpuls wird auch von einer geeigneten, nicht abgebildeten Impulsquelle abgegeben. Es ist ersichtlich, daß üblicherweise Information gleichzeitig in eine ganze Zeile von Speicherelementen eingegeben wird, in welchem iall alle Bit-Leitungen zusammen erregt werden. Die Stärke des Treiberimpulses soll so groß sein, daß er zusammen mit dem Bitimpuls den Magnetisierungsvektor des erregten Speicherelements um 180° dreht, wobei der Bitimpuls so gerichtet, aber nicht so groß ist, daß er allein den Magnetisierungsvektor drehen kann.

Sobald die Information in den verschiedenen Speicherelementen .des Speichers 1 gespeichert worden ist, kann sie durch Erregung der Treiberleitungen abgelesen werden. Es ist üblich, eine ganze Zeile von Speicherelementen gleichzeitig durch Er-

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regung einer gegebenen Treiberleitung abzulesen, wobei die Ausgangssignale von den Bit-Lese-Leitungen erhalten werden. Auf diese Weise können ganze Worte oder Wortgruppen gleichzeitig abgelesen werden. Durch die Erregung einer gegebenen Treiberleitung rotieren die Magnetisierungsvektoren der Speicherelemente unter dieser Leitung von der Yorzugsaoh.se weg, und beim Aufhören des Treiberimpulses nehmen sie ihre ursprüngliche Lage an. Die schnelle Änderung der Magnetisierung erzeugt eine Spannung in den zugehörigen Bit-Lese-Leitungen, deren Polarität eine Funktion der gespeicherten Information ist.

In einem praktisch erprobten Ausfuhrungsbeispiel, bei dem zerstörungsfrei abgelesen wurde, waren die Speicherelementstreifen etwa 2,5 cm lang und'0,025 cm breit, und ihre Mittelpunkte waren 0,0508 cm voneinander entfernt. Auf diese Weise wurde eine Gesamt-Bit-Dichte von etwa 15000 Bit/cm erreicht. Die Bitstromimpulse betrugen 100 mA und die Treiberstromimpulse 300 mA. Die Leseausgangsspannung betrug 1 mY bei einer Anstiegszeit von 15 nsee (nanosee).

Der oben beschriebene Magnetschichtspeicher wird folgendermaßen hergestellt: Die glatte Oberfläche der Glasgrundplatte 4 wird zuerst mit einer sehr dünnen, glatten Schicht aus einem guten Leiter überzogen, in dem speziellen Ausführungsbeispiel Gold oder eine Goldlegierung, aber auch aus einem anderen Edelmetall bestehen kann. Damit das Gold auf der Glasoberfläche haftet, wird zuerst auf der Oberfläche eine dünne Schicht aus Niekel-Chrom oder vergleichbarem Material mit einer Dicke von 100-200 A kathodenzerstäubt. Das Gold wird dann auf die Nickel-

Chrom-Schicht bis zu einer Dicke von etwa 200-300 Ä zerstäubt.

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Darauf wird eine Magnetschicht mit einer Dicke von etwa 600-100OA, in den speziellen Ausfiihrungsbeis^.iel aus llickel-lisen-Permalloy, auf die Goldschicht in Gegenwart eines magnetischen G-leichfeldes elektroplattiert, das die Magnetschicht entlang der Torzugsachse polarisiert. Das Elektroplattieren ist ein genau kontrollierbares Verfahren zur Auftraguiig von Schichten mit sehr kleinen Toleranzen. Bs ist ersichtlich, daß das Auftragen der Goldträgers ciiicht nur wegen der Verwendung der Elektroplattierung zum Auftragen der Hagnetschicht notwendig ist, Mexm eine andere bekannte Technik zur Herstellung von Magnetschichten mit kleinen ΪΟχeraxizen verwendet werden sollte, zum Beispiel Aufdampfen oder elektrochemische ITi ed erschlagung, dann kann die magnetische Permalloysciiicht direkt auf der Glasoberfläche niedergeschlagen werden. Das Auftragen der magnetischen xermalloysehicht auf der glatten Oberfläche der Unterlage erzeugt eine weiche Magnetschicht mit einem relativ geringen Sättigungsfluß im Vergleich zu einer harten Magnetschicht;, letzteres wird durch Auftragen des magnetischen Permalloys auf einer nicht ganz glatten Oberfläche erzeugt.

Auf die Magnetschicht wird eine relativ dicke Schicht aus Kupfer oder einem anderen geeigneten !»eiter mit einer Dicke von etwa 10~³cm (O,5*1O~³ Zoll) elektroplattiert. Anschließend werden parallele Streifen aus der überlagerten Magnetschicht und den entlang der Querachse fluchtenden Kupferschichten geätzt. Ein geeignetes Ätzverfahren besteht aus der Verwendung eines fotografischen Verfahrens, bei dem ein KPE-lPotöwiderstandsBiaterial auf der Kupferoberfläche aufgetragen wird. Me Oberfläche wird dann über eine Maske mit parallelen Schlitzen einer Lichtquelle

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ausgesetzt. Die Anordnung wird dann in eine Lösung, zum Beispiel aus Eisenchlorid (Ferric-Chloride) eingetaucht, die die unbelichteten Flächen von der Glasoberflache ablöst.

Beim nächsten Verfahrensschritt wird eine zweite dünne Schicht aus Niclcel-Bisen-Permalloy vollständig auf die drei äußeren Längsseiten: der ausgebildeten Streifen mit einer kontrollierten Dicke von etwa 600-1000 A elektroplattiert« Die Magnetschicht haftet nur auf dem Kupfer und den Enden der weichen Magnetschicht, die die Speicherelemente enthalten _o Die Auftragung des magnetischen Permalloys auf der relativ unebenen Kupferfläche erzeugt eine harte Magnetschicht. Die harte Magnetschicht stellt den geschlossenen magnetischen Flußpfad für die .Magnetisierung der Speicherelemente her und hält damit die gespeicherte Magnetisierung aufrecht. Ein Isolierstoffs zum Beispiel aus versprühtem Epoxyd-Harz ₉ wird dann auf der bis jetzt ausgebildeten Oberfläche aufgetragen. Auf der Isolierfläche wird anschließend eine Uiekel-Ghroin-Sehichtkathodenzerstäubt und darauf eine GoIdschieht ähnlich wie oben beschrieben aufgetragen. Auf der GoIdunterlage wird dann eine zweite relativ dicke Kupferschicht oder eine Schicht aus einem ähnlich guten Leiter aufgetragen.Anschließend werden durch eine zweite Ätzung ähnlich der oben beschriebenen parallele Streifen aus der zweiten Kupferschicht in Richtung der Vorzugsaehse ausgebildet. "

In Fig. 3 ist ein -Ausftihrungsbeispiel gemäß der Erfindung abgebildet, bei dem zwei_# Magnetschichtspeicher 2Q. und 21 von der in den Figuren 1 und 2 gezeigten Art auf entgegengesetzten großen Flächen einer gemeinsamen Grundplatte 22 anhaftend befestigt sind,die gweokmäßigerweise aus Kupfer ist und in der

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oben, beschriebenen Weise angeschlossen ist. Es ist ersichtlich., daß eine Quelle 23 Ton. Treiberimp .!sen durch Leitungen 24 mit !Preiberleitun^en 25 des Speichers 20 -verbunden ist, wobei ein Ende der l'reiberleitungen "25 geerdet ist. Ähnlich ist eine Quelle 23 durch Leitungen 26 mit den Ireiberleitungen des Speichers 21 verbunden. Eine Ein- und Ausgabeeinrichtung 27, die während des Schreibens Bitimpulse eii^ibt und auf Ausgangsimpulse während des" Lesens anspricht_s \st durch Leitungen 28 mit gemeinsam geschalteten Bit-Lese-Lei"yungen 29 verbunden.

Beim Betrieb des Speichers wird Information im Speicher durch Erregung der Sreiberleitungen 25 und der Bit-Lese-Leitungen 29 gespeichert. Die Information im Speicher 21 wird durch Erregung seiner IreOberleitungen und der Leitungen 29 gespeichert. Entsprechend kann die Information aus den beiden Speiehern durch getrenntes Erregen ihrer jeweiligen Tr-eiberleitungen abgelesen werden. Der Betrieb ist sonst ähnlich dem im Zusammenhang mit einem einzelnen Speicher beschriebenen.

Patent ans pru ehe

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Claims (1)

1. " ¹² ■ ■ U99663

   2T.September 1966

   EH/S

   Unsere Akte: 1655

   Patentansprüche

   1. Magnetschichtspeicher, "bei'dem eine Grundplatte eine glatte Oberfläche hat, auf der eine magnetisch anisotrope Magnetschicht liegt, die in Richtung einer einzigen Achse (Yorzugsachse) in der Schichtebene eine remanente Magnetisierung hat, gekennzeichnet durch eine erste, verhältnismäßig dicke, leitende Schicht (8), die auf der Deekfläche der Magnetschicht (7) liegt, und durch eine zweite Magnetschicht (9), die auf der Deekfläche lind den Seitenflächen der leitenden Schicht (8) liegt und die Enden der Magnetschicht (7) berührt, die die remanente Magnetisierung begrenzen, so daß ein geschlossener Plußpfad um die leitende Schicht ausgebildet ist.

   2. Schichtspeicher nach¹Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet V daß die Schicht (7) die Form von parallelen Streifen (3) hat, die sich quer zu der Vorzugsaeh.se (13) erstrecken, und daß die leitende Schicht (8) ebenfalls die Form von parallelen Streifen hat, die gleichzeitig den Streifen (3) überlagert sind.

   3. Schichtspeicher nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Magnetschicht (7) aus einem magnetische» weichen Material und die zweite Magnetschicht (9) aus einem magnetisch harten Material besteht.

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   4» Sciiichtspeicher ns. oil Einspruch 3, gekennzeichnet d u r c Ii eine zweite leitende Schicht (12) in form paralleler Streifen (5), die sich in Eichtung der- Torzugsachse (13) erstrecken und der zweiten Magnetschicht (9) von ihr isoliert Überlagert sind, so daß ein erster und ein zweiter Satz von senkrecht zueinander angeordneten, induktiv mit der Hagnetschicht (7) gekoppelten Leitungen vorhanden sind, wobei die Speicherelemente des Speichers in den zu den Überkreuzungen der Leitungen benachbarten Bereichen der Magnetschicht (7) ausgebildet sind.

   ο Schichtspeicher nach Anspruch 4» dadurch ge-' kennzeichnet, daß jede Magnetschicht etwa 600-1000 1 und jede leitende Schicht etwa 10~^cm (0,5'10"³ZoIl) dick ist. '■ " *

   6. Terfahren zur Herstellung eines Schichtspeichers nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch g e Lz e η η zeichnetj daß a) magnetisches Permalloy auf der glatten Oberfläche einer Grundplatte (4) in Gegenwart eines magnetischen Gleichfeldes aufgetragen wird, um auf der Grundplatte eine anisotrope Magnetschicht (7) mit einer remanenten Magnetisierung entlang der Torzugsachse (13) in der Schichtebene zu erzeugen_s daß "b) eine relativ dicke leitende Schicht (8) auf der Beokflache der Magnetschicht (7) aufgetragen wird, daß C-) durch Ätzen der auf der Grundplatte übereinander liegenden Schichten parallele Linien hergestellt werden, die sich quer zu der einzelnen Achse erstrecken, um parallele Streifen (3) der übereinander liegenden Schichten zu bilden,

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   und daß d)" magnetisches Permalloy als Magnetschicht (9) auf der Deckfläche und den längs Seitenflächen der hergestellten parallelen Streifen aufgetragen wird, um einen geschlossenen magnetischen Ilußpfad um die leitende Schicht jedes Streifens auszubilden«

   7. Herstellungsverfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Magnetschicht· (7) auf die Deckfläche und die Längsaeitenflachen der parallelen Streifen elektroplattiert· wird.

   8. Herstellungsverfahren nach Anspruch 6 oder 7». dadurch gekennzeichnet, daß "beim Auftragen magnetischen Permalloys auf der Oberfläche der Grundplatte (4) eine Schicht (6) aus einem Edelmetall auf die Oberfläche der Grundfläche aufgetragen wird, und daß die magnetisch anisotrope Schicht (7) auf der Edelmetallschicht aufgetragen wird.

   9. Herstellungsverfahren nach Anspruch 8, d a d u r c h gekennzeichnet-, daß eine Isolierschicht (1Q) auf den parallelen Streifen aufgetragen wird, daß eine zweite verhältnismäßig dicke, leitende Schicht dl) auf der Isolierschicht aufgetragen iirira, und daß die zweite leitende Schicht entlang paralleler linien geätzt wird, die sich entlang der Yorzugsaehse zu der einseinen Achse erstrecken, um parallele leiterstreifen ("5) auszubilden, die senkrecht zu den unter^v ihnen liegenden parallelen Streifen angeordnet sind.

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