DE1466357B1 - Free-running oscillator that can be modulated in frequency, in particular transistor oscillator - Google Patents

Free-running oscillator that can be modulated in frequency, in particular transistor oscillator

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DE1466357B1 DE1466357A DE1466357DA DE1466357B1 DE 1466357 B1 DE1466357 B1 DE 1466357B1 DE 1466357 A DE1466357 A DE 1466357A DE 1466357D A DE1466357D A DE 1466357DA DE 1466357 B1 DE1466357 B1 DE 1466357B1
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Description

3 43 4

resonanzkreises wenigstens teilweise als Induktivität im mittleren Bereich der Arbeitsfrequenzen liegenderesonance circuit at least partially lying as an inductance in the middle range of the working frequencies

des Reihenresonanzkreises zu verwenden. Frequenz, abgestimmt. Außerdem wurde die Kreis-of the series resonance circuit. Frequency, tuned. In addition, the district

Es ist weiterhin vorteilhaft, wenn die veränderbare gute, die durch den Verbraucher 16 mit bestimmt ist,It is furthermore advantageous if the changeable good, which is also determined by the consumer 16,

Kapazität im wesentlichen die Gesamtkapazität des derart niedrig gewählt, daß eine praktisch lineare Frequenzbestimmenden Parallelresonanzkreises bil- 5 Modulationskennlinie innerhalb eines maximalenCapacity essentially the total capacity of the chosen so low that it is practically linear The frequency-determining parallel resonance circuit forms 5 characteristic modulation curve within a maximum

det. Frequenzhubes von ± 3 MHz erhalten wurde. Alsdet. Frequency deviation of ± 3 MHz was obtained. as

Nachstehend wird die Erfindung an Hand eines brauchbarer Wert für die Kreisgüte hat sich unterIn the following, the invention is based on a useful value for the circular quality has been found below

Ausführungsbeispiels näher erläutert. diesen Verhältnissen auch hier eine belastete Kreis-Embodiment explained in more detail. these conditions here too a burdened district

Die F i g. 1 zeigt einen Transistoroszillator mit gute von etwa 1 bis 2 erwiesen.The F i g. 1 shows a transistor oscillator with good values of about 1 to 2.

einem Transistor 9, der in Basisschaltung betrieben io Die Wirkungsweise der in der F i g. 1 dargestellten wird und in dessen Ausgang ein Parallelresonanz- Oszillatorschaltung kann man sich wie folgt vorkreis, bestehend aus einer Induktivität 1 mit einer stellen.a transistor 9, which is operated in a common base circuit. The mode of operation of the in FIG. 1 shown and in its output a parallel resonance oscillator circuit can be precirculated as follows, consisting of an inductor 1 with one place.

Parallelkapazität C1, und der Kapazität der parallel- Der Serienresonanzkreis 16, 17, 18, der bei denParallel capacitance C 1 , and the capacitance of the parallel- The series resonance circuit 16, 17, 18, which is used in the

geschalteten gegensinnig in Reihe liegenden Varactor- späteren Figuren mit RCL bezeichnet ist, hat einenconnected in opposite directions in series varactors - later figures are designated with RCL , has a

dioden 2, 3 vorgesehen ist. Der Parallelresonanz- 15 Frequenzgang seines Blindwiderstandswertes, wie erdiodes 2, 3 is provided. The parallel resonance frequency response of its reactance value, like him

kreis 1, 2, 3 Cp ist über eine Kopplungskapazität 8 in der F i g. 2 schematisch gezeigt ist. Für einecircuit 1, 2, 3 Cp is via a coupling capacitance 8 in FIG. 2 is shown schematically. For one

hinreichend hohen Wertes mit dem Kollektor des Abstimmfrequenz 3 ist der BlindwiderstandswertA sufficiently high value with the collector of the tuning frequency 3 is the reactance value

Transistors verbunden, dessen Speisung mit Gleich- jx — Null, für höhere Frequenzen ist der Serienreso-Connected to the transistor, the supply of which is equal to jx - zero, for higher frequencies the series resonator is

strom über eine Drossel 10 erfolgt. Die Betriebsspan- nanzkreis induktiv, für tiefere Frequenzen ist dercurrent takes place via a throttle 10. The operating voltage circuit is inductive, for lower frequencies

nungszuführung ist gegen das Bezugspotential über 20 Serienresonanzkreis kapazitiv.The power supply is capacitive to the reference potential via 20 series resonance circuits.

eine Kapazität 14 wechselstrommäßig entkoppelt. Da In der Fig. 3 ist in Abhängigkeit von der an den es sich um eine dem Huth-Kühn-Oszillator ähnliche Kapazitätsdioden 2, 3 anliegenden Augenblicksspan-Oszillatorschaltung handelt, liegt im Emitterkreis des nung U die Resonanzfrequenz des ausgangsseitigen Transistors 9 ein weiterer Parallelresonanzkreis mit Parallelresonanzkreises der Oszillatorschaltung aufeiner Induktivität 11 und einer Kapazität 12. Über 25 getragen. Diese Kurve ist mit fp (U) bezeichnet. Als die Induktivität 12 wird zugleich der Emitterstrom mittlerer Frequenzwert des Arbeitsfrequenzbereiches geführt. Aus diesem Grund ist das dem Emitter ab- soll im Diagramm der Fig. 3 der durch den Punkt 3 gewandte Ende des Parallelresonanzkreises über die gekennzeichnete Frequenzwert gelten. Für diesen Durchführungskapazität 13 nur wechselstrommäßig Frequenzwert stellt der Serienresonanzkreis RCL mit dem Bezugspotential des Oszillators verbunden. 30 eine reine ohmsche Belastung dar, die in die Schwing-Lediglich die Basis des Transistors 9 liegt unmittel- frequenz des Oszillators nicht eingeht. Hierbei ist bar auf Bezugspotential. Zur Sicherstellung einer unterstellt, daß der Transistor selbst praktisch noch guten Rückkopplung ist noch eine zusätzliche ein- keine merkbare Phasendrehung hat und somit der stellbare Kapazität Ct zwischen Emitter und Kollek- einzig frequenzbestimmende Teil in der Oszillatortor des Transistors 9 eingefügt. Die Abstimmung der 35 schaltung der Parallelresonanzkreis ist, der zwischen Kreise ist derart, wie es für Huth-Kühn-Oszillatoren dem Kollektor und dem Basisanschluß des Transibekanntist. stors eingeschaltet ist. Die Blindwiderstände desa capacitance 14 is decoupled in terms of alternating current. Since in Fig. 3 is dependent on the instantaneous span oscillator circuit connected to a capacitance diodes 2, 3 similar to the Huth-Kühn oscillator, the resonance frequency of the transistor 9 on the output side is in the emitter circuit of the voltage U with a further parallel resonance circuit Parallel resonance circuit of the oscillator circuit on an inductance 11 and a capacitance 12. About 25 carried. This curve is denoted by f p (U). At the same time, the emitter current of the mean frequency value of the working frequency range is carried as the inductance 12. For this reason, in the diagram in FIG. 3, the end of the parallel resonance circuit facing the point 3 is the emitter should apply via the marked frequency value. The series resonant circuit RCL is connected to the reference potential of the oscillator for this lead-through capacitance 13 only in terms of frequency value. 30 represents a pure ohmic load that is not included in the direct frequency of the oscillator. Here is bar on reference potential. To ensure that it is assumed that the transistor itself is practically still good feedback has an additional, no noticeable phase shift and thus the adjustable capacitance C t between emitter and collector - the only frequency-determining part is inserted in the oscillator gate of transistor 9. The tuning of the circuit 35 is the parallel resonance circuit between circuits is such as to Huth Kühn oscillators the collector and the base terminal of the Transibekanntist. stors is turned on. The reactances of the

Die Zuführung der Modulationsspannung erfolgt Transistors sind dabei in den ParallelresonanzkreisThe modulation voltage is supplied to the transistor in the parallel resonance circuit

zwischen den Varactordioden 2, 3 über eine der mit einbezogen betrachtet. Hat der Transistor, wieconsidered included between the varactor diodes 2, 3 via one of the m it. Does the transistor like

Hochfrequenzverdrosselung dienende Induktivität 4. 40 vor allem im Bereich seiner Grenzfrequenzen, merk-High-frequency throttling inductance 4. 40 , especially in the range of its cut-off frequencies, noticeable

Über diese Induktivität wird einerseits eine Vorspan- iicne Phasendrehungen, dann ändern sie an der prin-Via this inductance, on the one hand, a biasing phase turns , then they change on the prin-

nung der Varactordioden 2, 3 über den Widerstand 5 zipiellen Wirkungsweise des Erfindungsgegenstandestion of the varactor diodes 2, 3 via the resistor 5 cipial mode of operation of the subject of the invention

und die Verblockungskapazität 15 zugeführt, wäh- nichts. Es wird nur die mittlere Schwingfrequenz ent-and the interlocking capacity 15 supplied, nothing. Only the mean oscillation frequency is

rend die Zuführung der Modulationsspannung über sprechend verschoben. Wird nun gegenüber dem so-rend the supply of the modulation voltage shifted over speaking. Is now compared to the

den Anschluß 6 gegen das Bezugspotential und über 45 eben betrachteten Fall die Augenblicksspannung U, the connection 6 against the reference potential and via 45 the case just considered the instantaneous voltage U,

die Kapazität 7 erfolgt. Die Kapazität 7 ist zu diesem die den Kapazitätswert der Kapazitätsdioden 2, 3 be-the capacity 7 takes place. The capacitance 7 is the same as the capacitance value of the capacitance diodes 2, 3

Zweck im Kapazitätswert so hoch bemessen, daß die stimmt, erhöht, so nimmt wegen der dann eintreten-The purpose is so high in the capacity value that it is correct, increased, then because of the then occurring-

Modulationsfrequenzen praktisch ungeschwächt zu den Kapazitätsminderung in den Dioden 2, 3 auchModulation frequencies practically not weakened to the capacity reduction in the diodes 2, 3 also

den Varactordioden gelangen. Der Widerstand 5 bil- die Abstimmfrequenz des Parallelschwingkreises 1, get to the varactor diodes. The resistor 5 forms the tuning frequency of the parallel resonant circuit 1,

det zugleich den Abschlußwiderstand für die Modu- 50 2, 3, Cp entsprechend zu. Beispielsweise soll diedet at the same time the terminating resistor for the module 50 2, 3, Cp accordingly. For example, the

lationsspannungszuleitung 6. Aus diesem Grund ist Spannung U so weit erhöht werden, daß sich die Ab-lation voltage supply line 6. For this reason, voltage U must be increased so that the output

die Verblockungskapazität 15 im Wert derart hoch Stimmfrequenz entsprechend dem Punkt 4 auf derthe blocking capacity 15 worth such a high voice frequency corresponding to point 4 on the

gewählt, daß sie praktisch einen Kurzschluß auch Kurve /„ (U) ergebe. Für den Punkt 4 bzw. 4' wirktchosen that it practically results in a short circuit also curve / „ (U). Acts for point 4 or 4 '

noch für die niedrigsten vorkommenden Modulations- aber der Serienresonanzkreis RLC wie eine parallel-nor for the lowest occurring modulation over a series resonant circuit RLC as a parallel-

frequenzen bildet. 55 liegende Induktivität. Da die Schwingfrequenz desfrequencies. 55 horizontal inductance. Since the oscillation frequency of the

Erfindungsgemäß ist an eine Anzapfung der Spule 1 Oszillators dadurch bestimmt ist, daß sich die Blind-According to the invention is determined at a tap of the coil 1 oscillator that the blind

des ausgangsseitigen Parallelresonanzkreises des leitwerte zwischen Kollektor und Basis gegenseitigof the parallel resonance circuit on the output side of the conductance between the collector and the base

Transistoroszillators der Verbraucher 16 über einen kompensieren, muß somit bei der eigentlichenThe transistor oscillator of the consumer 16 must compensate for a, must therefore in the actual

Serienresonanzkreis mit der Induktivität 18 und der Schwingfrequenz der Parallelkreis eine entsprechendeSeries resonance circuit with the inductance 18 and the oscillation frequency of the parallel circuit a corresponding

Kapazität 17 angeschaltet. 60 kapazitive Komponente anbieten. Dies ist dann derCapacity 17 switched on. 60 offer capacitive components. Then this is the

Der Oszillator arbeitet beispielsweise in einem Be- Fall, wenn der Oszillator auf einer höheren Frequenz reich um 240 MHz. Der geforderte maximale Fre- als der Abstimmfrequenz des Parallelresonanzkreises quenzhub betrage bei dieser Mittenfrequenz beispiels- schwingt. Diese Kompensation der Blindwiderstandsweise ± 3 MHz. Der Serienresonanzkreis 17, 18 in werte von Serien- und Parallelkreis ergibt sich durch den beim Ausführungsbeispiel auch ein Teil der 65 die sich selbsttätig einstellende Schwingfrequenz von Streuinduktivität der Spule 1, die eine Art Spartrans- selbst. Da diese somit höher ist als die Abstimmfreformator bildet, abstimmungsmäßig mit eingeht, ist quenz des Parallelresonanzkreises, enthält man eine beim Ausführungsbeispiel erfindungsgemäß auf eine Schwingfrequenz /s (U) auf der in der F i g. 3 einge-The oscillator works, for example, in a loading case when the oscillator is at a higher frequency ranging around 240 MHz. The required maximum frequency as the tuning frequency of the parallel resonance circuit is, for example, oscillations at this center frequency. This compensation of the reactance mode ± 3 MHz. The series resonance circuit 17, 18 in terms of series and parallel circuit results from the automatically adjusting oscillation frequency of the leakage inductance of the coil 1, which is a kind of autotrans- self. Since this is thus higher than the tuning reformer , is included in the tuning, is the frequency of the parallel resonance circuit, if in the exemplary embodiment according to the invention one contains an oscillation frequency / s (U) on the one shown in FIG. 3 entered

zeichneten Kurve, die für unterhalb des Punktes 3 gelegene Werte unterhalb von fp (U) verläuft. Man sieht aus der F i g. 3, daß die Modulationssteilheit und auch die Linearität wesentlich erhöht sind, und daß dies nicht nur, wie im Hauptpatent angegeben, für eine Abstimmung des Serienresonanzkreises oberhalb des Arbeitsfrequenzbereiches gilt, sondern auch für eine Abstimmung, bei der die Serienresonanz im Arbeitsfrequenzbereich oder unterhalb des Arbeitsfrequenzbereiches liegt. Unter Modulationssteilheit wird hierbei die Änderung der Schwingfrequenz des Oszillators in Abhängigkeit von der Änderung der an die Dioden 2, 3 angelegten Spannung U verstanden.plotted curve which runs below f p (U) for values below point 3. One can see from FIG. 3, that the modulation steepness and also the linearity are significantly increased, and that this applies not only, as stated in the main patent, to a tuning of the series resonant circuit above the working frequency range, but also to a tuning in which the series resonance is in the working frequency range or below the working frequency range lies. Modulation slope is understood here to mean the change in the oscillation frequency of the oscillator as a function of the change in the voltage U applied to the diodes 2, 3.

Unter Zugrundelegung gleichen Frequenzhubes ist damit bei der erfindungsgemäßen Oszillatorschaltung eine geringere Aussteuerspannung U erforderlich im Vergleich zu dem Fall ohne die Einschaltung von R, L, C. Das ist gleichbedeutend einer wesentlichen Verminderung der Modulationsverzerrungen.On the basis of the same frequency deviation, the oscillator circuit according to the invention therefore requires a lower control voltage U compared to the case without switching on R, L, C. This is equivalent to a substantial reduction in the modulation distortion.

Hinsichtlich der Ausbildung des Serienresonanz- ao kreises gelten im übrigen die bereits im Hauptpatent gemachten Ausführungen.With regard to the formation of the series resonance circuit, those already in the main patent apply made statements.

Der Serienresonanzkreis R, C, L kann so, wie in der F i g. 4 gezeigt, auch vollständig dem Parallelresonanzkreis parallel geschaltet werden. »5,The series resonance circuit R, C, L can be as shown in FIG. 4, can also be completely connected in parallel to the parallel resonance circuit. »5,

Legt man so, wie in der Fi g. 1 und in der Fi g. 5 gezeigt, den Zweipol an eine Anzapfung des Schwingkreises, so kann man erreichen, daß für den Fall optimaler Linearisierung der Widerstand R den Wert üblicher Kabelwellenwiderstände annimmt und R somit gleichzeitig der Lastwiderstand des Oszillators ist. Bei Frequenzen im Ultrakurzwellenbereich und im Bereich noch kürzerer Wellen entfällt in der Schaltung oft sogar eine konzentrierte Induktivität L, weil sie durch die Streuinduktivität der untersetzt angezapften Spule gebildet werden kann, die wie ein Übertrager Ü wirkt. Dieser Fall ist in der F i g. 6 gezeigt.If you place it as shown in Fig. 1 and in Fi g. 5, the two-pole connection to a tap of the resonant circuit, one can achieve that, for the case of optimal linearization, the resistance R assumes the value of conventional cable wave resistances and R is thus at the same time the load resistance of the oscillator. At frequencies in the ultra-short wave range and in the range of even shorter waves, there is often even no concentrated inductance L in the circuit, because it can be formed by the leakage inductance of the reduced tapped coil, which acts like a transformer U. This case is shown in FIG. 6 shown.

Von besonderer Bedeutunug ist die Erfindung im Zusammenhang mit Modulatoren für Richtfunkstrecken, die mit Frequenzmodulation arbeiten. Bei neueren Systemen dieser Art werden zum Teil extrem breite Basisbandfrequenzbänder angeliefert, die möglichst linear in eine Frequenzmodulation der radiofrequenten Trägerschwingung umgesetzt werden sollen. Hierbei leistet die erfindungsgemäße Modulationsschaltunug Besonderes, weil sie ermöglicht, ein z. B. den Informationsinhalt von 300 Telefoniekanälen enthaltendes Basisband in eine bereits relativ hoch gelegene Frequenzlage als Winkelmodulation zu bringen. Derartige Forderungen treten häufig bei Relaisstationen von Richtfunkstrecken auf, in denen ein Bündel von Kanälen zusätzlich in freigehaltene Bereiche eingeschleust werden soll. Vor allem für derartige Zwecke ist der erfindungsgemäße Oszillator gedacht.The invention is of particular importance in connection with modulators for radio links, that work with frequency modulation. In newer systems of this type, they are sometimes extreme Broad baseband frequency bands supplied, which are as linear as possible into a frequency modulation of the radio-frequency Carrier oscillation should be implemented. This is where the modulation circuit according to the invention provides Special because it enables a z. B. the information content of 300 telephony channels containing baseband in an already relatively high frequency position as angle modulation bring to. Such requirements often occur in relay stations of radio links in which a bundle of channels is also to be smuggled into areas that have been kept free. Especially for the oscillator according to the invention is intended for such purposes.

An sich zeigt somit die Schaltung nach der Weiterbildung der Erfindung die gleiche Eigenschaft wie sie bereits für die Schaltung nach dem Hauptpatent angegeben ist. Es wirkt nämlich der Zweipol RLC wie eine mit zunehmender Betriebsfrequenz im Kapazitätswert abnehmende Kapazität linearisierend auf die Modulationskennlinie ein.As such, the circuit according to the development of the invention shows the same property as has already been specified for the circuit according to the main patent. The two-pole RLC has a linearizing effect on the modulation characteristic as a capacitance that decreases in capacitance value with increasing operating frequency.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims (5)

1 2 Ohmsche Belastung, vorzugsweise der Verbraucher-Patentansprüche: widerstand über einen Zweipol mit einem Impedanzverlauf, dessen kapazitiver Wert mit zunehmender1 2 Ohmic load, preferably the consumer claims: resistance across a two-pole with an impedance curve, the capacitive value of which increases with 1. In der Frequenz modulierbarer freischwin- Frequenz derart abnimmt, daß die Modulationskenngender Oszillator, insbesondere für die Richtfunk- 5 linie im Arbeitsbereich linear verläuft, an den fretechnik, mit einem frequenzbestimmenden Par- quenzbestimmenden Parallelresonanzkreis angekopallelresonanzkreis, dessen Kapazität im wesent- pelt ist, bei dem ferner dem frequenzbestimmenden liehen durch einen Kondensator gebildet wird, Parallelresonanzkreis ein Zweipol parallel geschaltet dessen Kapazitätskennlinie der einer Kapazitäts- ist, der im Arbeitsfrequenzbereich kapazitiv ist und diode entspricht und vorzugsweise durch zwei ge- ίο dessen Kapazitätswert mit zunehmender Frequenz gensinnig in Reihe geschaltete Kapazitätsdioden derart abnimmt, daß die Modulationskennlinie im gebildet wird, denen die Modulationsspannung Arbeitsbereich linear ist, nach Patent 1252 761.
parallel zugeführt wird, bei dem weiterhin eine Die Aufgabe beim Hauptpatent besteht darin, einen Ohmsche Belastung, vorzugsweise der Ver- in der Frequenz mittels Varactordioden modulierbraucherwiderstand über einen Zweipol mit einem 15 baren Oszillator in der Modulationskennlinie auf ein-Impedanzverlauf, dessen kapazitiver Wert mit zu- fache Weise zu linearisieren. Nach der Lehre des nehmender Frequenz derart abnimmt, daß die durch die französische Patentschrift 1 370 975 vor-Modulationskennlinie im Arbeitsbereich linear veröffentlichten Hauptpatents geschieht dies bei verläuft, an den frequenzbestimmenden Parallel- einem Oszillator, insbesondere Transistoroszillator, resonanzkreis angekoppelt ist, bei dem ferner 30 der durch eine Modulationsspannung in der Fredem frequenzbestimmenden Parallelresonanzkreis quenz modulierbar ist und an den eine Belastung derein Serienresonanzkreis parallel geschaltet ist, der art angekoppelt ist, daß die Modulationskennlinie im im Arbeitsfrequenzbereich kapazitiv ist und des- Arbeitsbereich wenigstens nahezu linear verläuft, dasen Kapazitätswert mit zunehmender Frequenz durch, daß in den frequenzbestimmenden Resonanzderart abnimmt, daß die Modulationskennlinie im 35 kreis des Oszillators eine im Takte der Modulation Arbeitsbereich linear ist, nach Patentschrift veränderbare Kapazität mit einer Varactordioden 1252761, dadurch gekennzeichnet, daß entsprechenden Kapazitätskennlinie mit einbezogen die Abstimmfrequenz des Serienresonanzkreises ist und daß an diesen Resonanzkreis ein Ohmscher (17, 18) frequenzmäßig unterhalb des Arbeits- Widerstand über einen Serienresonanzkreis angefrequenzbereichs gewählt ist, und zwar in etwa 30 schaltet ist, dessen Abstimmung oberhalb der höchim Bereich der Frequenzablage für die Abstim- sten Arbeitsfrequenz und dessen Kreisgüte unter mung des Serienresonanzkreises oberhalb des Einbeziehung des Widerstandes niedrig gewählt ist, Arbeitsfrequenzbereichs. daß die Modulationskennlinie im Arbeitsbereich1. Freischwin- frequency modulatable in frequency decreases in such a way that the modulation characteristic of the oscillator, in particular for the directional radio line in the working area, runs linearly to the fretechnik, with a frequency-determining parallel resonance circuit that is coupled with a frequency-determining parallel resonance circuit, the capacity of which is essentially, in which the frequency-determining borrowed is also formed by a capacitor, parallel resonance circuit is a two-pole connected in parallel whose capacitance characteristic is that of a capacitance, which is capacitive in the operating frequency range and corresponds to diode and preferably by two capacitance diodes connected in series with increasing frequency decreases in such a way that the modulation characteristic is formed in which the modulation voltage working range is linear, according to patent 1252 761.
is supplied in parallel, in which the further task of the main patent is to apply an ohmic load, preferably the frequency modulation consumer resistance by means of varactor diodes via a two-pole with a 15 bar oscillator in the modulation characteristic to one-impedance curve, its capacitive value with - linearize multiple ways. According to the teaching of the increasing frequency decreases in such a way that the main patent published by the French patent 1 370 975 pre-modulation characteristic in the working area linearly, this happens with, to the frequency-determining parallel an oscillator, in particular a transistor oscillator, is coupled to the resonance circuit, in which also 30 which can be modulated by a modulation voltage in the frequency-determining parallel resonance circuit and to which a load of the series resonance circuit is connected in parallel, is coupled in such a way that the modulation characteristic in the working frequency range is capacitive and the working range runs at least almost linearly, the capacitance value with increasing frequency by that in the frequency-determining resonance decreases in such a way that the modulation characteristic in the circle of the oscillator is linear in the cycle of the modulation working range, according to patent specification variable capacitance with a varactor diode 12527 61, characterized in that the corresponding capacitance characteristic is included in the tuning frequency of the series resonance circuit and that an ohmic (17, 18) frequency range is selected on this resonance circuit below the working resistance over a series resonance circuit, namely in about 30, the tuning of which is selected above the highest in the range of the frequency offset for the tuned working frequency and its circular quality, taking into account the series resonance circuit, above the inclusion of the resistor is selected to be low, the working frequency range. that the modulation characteristic is in the working area 2. Oszillator nach Anspruch 1, dadurch ge- linear ist. Im Hauptpatent ist ferner niedergelegt und kennzeichnet, daß mit dem Serienresonanzkreis 35 an Hand der dortigen F i g. 4 näher erläutert, daß die (17,18) in Reihe ein Ohmscher Belastungswider- Linearisierung im wesentlichen darauf zurückzufükstand (16) liegt. ren ist, daß der Serienresonanzkreis unterhalb seiner2. Oscillator according to claim 1, characterized in that it is linear. The main patent also specifies and indicates that with the series resonance circuit 35 on the basis of the local F i g. 4 explains in more detail that the (17,18) in series an ohmic load resistance linearization was essentially due to it (16) lies. ren is that the series resonance circle is below its 3. Oszillator nach Anspruch 2, dadurch ge- Resonanzfrequenz eine Kapazität zeigt, die mit kennzeichnet, daß der Serienresonanzkreis (R, wachsender Frequenz sehr schnell abnimmt.3. Oscillator according to claim 2, characterized in that the resonance frequency shows a capacitance which is indicated by the fact that the series resonance circuit (R, increasing frequency decreases very quickly. L, C) untersetzt an den Parallelresonanzkreis an- 40 Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ausgeschaltet ist. gehend von der im Hauptpatent dargestellten Auf- L, C) reduced to the parallel resonance circuit 40 The invention is based on the object, is switched off. going from the position shown in the main patent 4. Oszillator nach Anspruch 2, dadurch ge- gäbe und Lösung eine Verbesserung der Wirkung zu kennzeichnet, daß der Serienresonanzkreis (R, erzielen.4. Oscillator according to claim 2, characterized in that there would be an improvement in the effect that the series resonance circuit (R, achieve. L, C) an eine Anzapfung der Spule (1) des Par- Diese Aufgabe wird bei einem Oszillator der ein- L, C) to a tap on the coil (1) of the Par- This task is performed on an oscillator of the allelresonanzkreises angeschaltet ist und Vorzugs- 45 gangs genannten Art gemäß der Erfindung dadurch weise wenigstens ein Teil der Induktivität des gelöst, daß die Abstimmfrequenz des Serienresonanz-Serienresonanzkreises durch die Streuinduktivität kreises frequenzmäßig unterhalb des Arbeitsfrequenzdieser Spule gebildet wird. bereichs gewählt ist, und zwar in etwa im Bereichallele resonance circuit is switched on and preferred 45 type mentioned according to the invention thereby wise at least part of the inductance of the solved that the tuning frequency of the series resonance-series resonance circuit Due to the leakage inductance, the frequency is below the operating frequency of this Coil is formed. area is selected, in about the area 5. Oszillator nach einem der vorhergehenden der Frequenzablage für die Abstimmung des Serien-Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die ver- 50 resonanzkreises oberhalb des Arbeitsfrequenzbeänderbare Kapazität (2, 3) im wesentlichen die reichs.5. Oscillator according to one of the preceding the frequency offset for the tuning of the series claims, characterized in that the 50 resonance circuit above the working frequency changeable Capacity (2, 3) essentially the rich. Gesamtkapazität des frequenzbestimmenden Par- Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daßTotal capacity of the frequency-determining Par- The invention is based on the knowledge that allelresonanzkreises bildet. der Serienresonanzkreis nicht nur in dem Bereich, inallele resonance circle forms. the series resonance circle not only in the area in dem er nach außen eine kapazitive Reaktanz zeigt, 55 die eingangs erwähnte Wirkung in bezug auf diewhich he shows a capacitive reactance to the outside, 55 the effect mentioned above with regard to the Linearisierung zeigt, sondern auch in dem BereichLinearization shows but also in the area um die Resonanzfrequenz, in dem er induktiv wirksam ist, da er dann wie eine dem Parallelresonanz-around the resonance frequency, in which it is inductively effective, since it is then like a parallel resonance Die Erfindung bezieht sich auf einen in der Fre- kreis parallelliegende Induktivität wirkt. Bei entsprequenz modulierbaren freischwingenden Oszillator, 60 chender Abstimmung läßt sich demnach ein noch erinsbesondere für die Richtfunktechnik, mit einem heblich größerer Linearisierungsbereich erzielen als frequenzbestimmenden Parallelresonanzkreis, dessen bei der Abstimmung dieses Kreises gemäß der Lehre Kapazität im wesentlichen durch einen Kondensator des Hauptpatents.The invention relates to an inductance lying in parallel in the free circuit. At correspondence modulatable free-running oscillator, 60 corresponding tuning can therefore be a special one for directional radio technology, with a significantly larger linearization range than frequency-determining parallel resonance circuit, its in the vote of this circle according to the teaching Capacity essentially through a capacitor of the main patent. gebildet wird, dessen Kapazitätskennlinie der einer Mit Vorteil wird auch bei dieser Weiterbildung desis formed whose capacitance characteristic is that of a. With this further development of the Kapazitätsdiode entspricht und vorzugsweise durch 65 Gegenstandes des Hauptpatents der Serienresonanzzwei gegensinnig in Reihe geschaltete Kapazitäts- kreis untersetzt an den Parallelresonanzkreis des Osdioden gebildet wird, denen die Modulationsspan- zillators angeschaltet. Das bietet die zusätzliche Mögnung parallel zugeführt wird, bei dem weiterhin eine lichkeit, die Streuinduktivität der Spule des Parallel-Capacitance diode corresponds and preferably by the subject matter of the main patent to the series resonance two Capacitance circuit connected in series in opposite directions, stepped down to the parallel resonance circuit of the Osdiode is formed, to which the modulation tensioner is switched on. That offers the additional possibility is fed in parallel, in which there is still the possibility of reducing the leakage inductance of the coil of the parallel
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2547469A1 (en) * 1983-06-13 1984-12-14 Hulin Gilbert Single oscillator for the sequential generation of frequency-modulated signals, especially at high frequency, and device for controlling this oscillator
DE3627226A1 (en) * 1985-08-13 1987-02-26 Notifier Co SECURITY SYSTEM

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1370975A (en) * 1963-09-19 1964-08-28 Siemens Ag Transistor oscillator

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