DE2441194C3

DE2441194C3 - Transistor oscillator

Info

Publication number: DE2441194C3
Application number: DE19742441194
Authority: DE
Inventors: Anton Dipl.-Ing 8000 München Sunkler
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Filing date: 1974-08-28
Publication date: 1977-10-20

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen Transistoroszillator für den Mikrowellenbereich im CLAPP-Schaltung, bei der es sich um eine kapazitive Dreipunktschaltung handelt mit einer in Serie zur Kreisinduktivität angeordneten Kapazität (vgl. Fig. 1).The invention relates to a transistor oscillator for the microwave range in the CLAPP circuit, which is a capacitive three-point circuit deals with a capacitance arranged in series with the circular inductance (cf. FIG. 1).

Von den in der Mikrowellentechnik gebräuchlichen 3S Oszillatorschaltungen bietet der CLAPP-Oszillator die besten Möglichkeiten für eine breitbandige Frequenzdurchstimmung, da die Kreisinduktivität Ls durch den Blindwiderstand der Kapazität Cs kompensiert werden kann. Die höchste Schwingfrequenz ergibt sich aus dem Wert der Kollektor-Basiskapazität Ccb und der kleinsten Kreisinduktivität. Das Rückkopplungsnetzwerk besteht aus dem kapazitiven Spannungsteiler zwischen Kollektor und Emitter sowie Emitter und Basis. Bei höheren Frequenzen kann man die parasitären Kapazitäten Cce und Ceb vorteilhafterweise als kapazitiven Spannungsteiler für das Rückkopplungsnetzwerk ausnutzen. Of the 3S oscillator circuits commonly used in microwave technology, the CLAPP oscillator offers the best options for broadband frequency tuning, since the circuit inductance Ls can be compensated for by the reactance of the capacitance Cs. The highest oscillation frequency results from the value of the collector base capacitance Ccb and the smallest circuit inductance. The feedback network consists of the capacitive voltage divider between collector and emitter as well as emitter and base. At higher frequencies, the parasitic capacitances Cce and Ceb can advantageously be used as a capacitive voltage divider for the feedback network.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, für einen derartigen, breitbandig durchstimmbaren Transistoroszillator eine Lösung anzugeben für einen einfachen und mechanisch stabilen Aufbau, der mit wenig Bauelementen und mit möglichst geringem Prüffeldaufwand erfolgen soll.The invention is based on the object for such a broadband tunable transistor oscillator to specify a solution for a simple and mechanically stable structure that with little Components and should be done with the least possible test field effort.

Diese Aufgabe wird bei einem Transistorosziliator der eingangs genannten Art gemäß der Erfindung gelöst durch den Aufbau in Streifenleitungstechnik und durch eine zur Kollektor-Basiskapazität in Serie geschaltete, zwischen Basis und Masse liegende zusätzliche kleine Kapazität und durch eine HF-Verdrosselung durch 6ü λ/4-lange Leitungsstücke, deren Enden über Blockkondensatoren kurzgeschlossen sind.This object is achieved in a transistor oscillator of the type mentioned at the outset according to the invention through the construction in stripline technology and through a series-connected to the collector base capacitance, Additional small capacitance between the base and ground and an HF throttling through 6ü λ / 4-long pieces of line, the ends of which have block capacitors are short-circuited.

Dabei besteht die zusätzliche Kapazität in Weiterbildung der Erfindung aus einer am Ende offenen Leitung, deren elektrische Länge kleiner als λ/4 ist, oder wird von einem Trimmerkondensator oder Varaktorelementen gebildet.The additional capacity is in further training of the invention from a line open at the end, the electrical length of which is less than λ / 4, or is of a trimmer capacitor or varactor elements.

Durch die US-PS 35 13 411 ist es an sich bekannt, bei einem Transistoroszillator zur Kollektor-Bas.skapazitat Sich eine kleine, /wischen Basis und Masse hegende Kapazität in Serie zu schalten. Durch die Serienschaltung einer solchen zusätzlichen Kapazität verringert sich die insgesamt wirksame KapazitätFrom US-PS 35 13 411 it is known per se in a transistor oscillator for collector bas.skapazitat A small, / wipe base and mass to connect existing capacity in series. Through the Series connection of such an additional capacity the overall effective capacity is reduced

FeJSr ist aus der FR-PS 12 14 582 ein abstimmbar Transistorverstärker mit einem Resonanzkreis im Kollektorzweig bekannt, bei dem zur Ehminierung des »serie^KolIektor-Basiskapazität auf die Resonanzfrequenz des Resonanzkreises ein Senenwider- «and zwischen Kollektor und Resonanzkreis eingeschaltet ist Parallel zu diesem Senenwiderstand ist eine Induktivität angeordnet. Die schaltungstechnischen Mittel und der Schaltungsaufbau sind hierbei also unterschiedlich zu der erfindungsgemäßen Ausführung, Hie zudem auch besonders vorteilhaft ist Denn durch die zusätzliche Kapazität zwischen Basis und Masse beim Transistoroszillator gemäß der Erfindung, durch die zum einen hohe Schwingfrequenzen erreicht werden und durch deren Änderung zum anderen die mit der Kreiskapazität durchstimmbare Bandbreite verschiebbar ist entfällt auch eine hochfrequenzmäßige galvanische Erdung der Basis, bei der im allgemeinen parasitäre Induktivitäten auftreten. Man erhält somit eine Oszillatorschaltung einfachen Aufbaus mit wenig Bauelementen wodurch die Schaltung gegen parasitäre Einflüsse weitgehend unempfindlich ist und ohne nachträgliche Abeleicharbeiten definierte Werte für Ausgangsleistung und durchstimmbare Bandbreite erzielt werden Außerdem ergibt sich aus den definierten Emgnffsmoglichkeiten auf die Schwingfrequenz die Ableitung einer Vielzahl weiterer Oszillatorvarianten aus der erfindungsgemäßen Oszillatorschaltung.FeJSr can be tuned from FR-PS 12 14 582 Transistor amplifier with a resonance circuit in the collector branch known, in which to embed the »Series ^ Collector basic capacitance on the resonance frequency In the resonance circuit a sensor resistance is switched on between the collector and the resonance circuit is parallel to this Senen Resistance is one Arranged inductance. The circuitry means and the circuit structure are here different from the embodiment according to the invention, this is also particularly advantageous because by the additional capacitance between base and ground in the transistor oscillator according to the invention which, on the one hand, achieve high oscillation frequencies and, on the other hand, those with the Circular capacitance can be shifted with a tunable bandwidth, there is also no need for a high-frequency galvanic Grounding of the base, which generally has parasitic inductances. An oscillator circuit is thus obtained simple structure with few components which means that the circuit is protected against parasitic influences is largely insensitive and defined values for output power without subsequent calibration work and tunable bandwidth can also be achieved from the defined reception possibilities on the oscillation frequency the derivation of a large number of further oscillator variants from the invention Oscillator circuit.

Weitere Einzelheiten der Erfindung werden nachstehend anhand von in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert. In der Zeichnung zeigt
Fig I einen bekannten CLAPP-Oszillator. Fig.2 einen gemäß der Erfindung abgeänderten CLAPP-Oszillator,Further details of the invention are explained in more detail below with reference to the exemplary embodiments shown in the drawing. In the drawing shows
Fig. I shows a known CLAPP oscillator. 2 shows a CLAPP oscillator modified according to the invention,

F i g. 3 das Gesamtschaltbild des Oszillators, F i g 4 den Mikrowellenteil des Oszillators, F i g 5 das Ersatzschaltbild des Mikrowellenteils und F i g. 6 bis 12 verschiedene Varianten des erfindungsgemäßen Oszillators. _Ar>r>~ ■„F i g. 3 shows the overall circuit diagram of the oscillator, FIG. 4 shows the microwave part of the oscillator, FIG. 5 shows the equivalent circuit diagram of the microwave part and FIG. 6 to 12 different variants of the oscillator according to the invention. _Ar>r> ~ ■ "

Bei dem in F i g. 1 dargestellten CLAPP-Oszillator handelt es sich, wie beim Colpitts-Oszillator, um eine kapazitive Dreipunktschaltung, deren Teilerschaltung von der Kollektor-Emitterkapazität Cce und der Emitter-Basiskapazität Ceb gebildet wird, wobei jedoch im Unterschied zum Colpitts-Oszillator in Serie zur Schwinginduktivität Ls noch eine Kapazität C₅ geschal-Ausgehend von diesem bekannten CLAPP-Oszillator ist beim erfindungsgemäßen Oszillator gemäß F i g. 2 ir Serie zur Kollektor-Basiskapazität zusätzlich eine kleine Kapazität Cbm in Serie geschaltet, die zwischer der Basis des Transistors und Masse angeordnet ist Durch die Serienschaltung der Kollektor-Basiskapazitä Ccb mit der weiteren kleinen Kapazität C_flM zwischei Basis und Masse wird die wirksame Kreiskapazitä verringert und dadurch eine Erhöhung der Schwmgfre quenz bewirkt. Ferner entfällt durch die Einfügung de Serienkapazität C_BMeine hochfrequenzmäßige, galvani sehe Erdung der Basis, bei der im allgemeinen parasitär Induktivitäten auftreten.In the case of the FIG. 1 is, like the Colpitts oscillator, a capacitive three-point circuit, the divider circuit of which is formed by the collector-emitter capacitance Cce and the emitter base capacitance Ceb, but in contrast to the Colpitts oscillator in series with the oscillating inductance Ls Another capacitance C _{5 is} formed on the basis of this known CLAPP oscillator in the oscillator according to the invention according to FIG. Switched 2 ir series with the collector-base capacitance in addition a small capacity Cbm in series, the zwischer the base of the transistor and ground is disposed through the series circuit of the collector-Basiskapazitä Ccb with the further small capacitance C _FLM zwischei base and ground, the effective Kreiskapazitä is reduced and thereby causes an increase in Schwmgfre frequency. Furthermore, by inserting the series capacitance C _{BM, there is} no need for a high-frequency, galvanic grounding of the base, in which generally parasitic inductances occur.

In Fig.3 ist das Gesamtschaltbild des Oszillator dargestellt. Der Mikrowellenteil der Schaltung bestehIn Fig.3 is the overall circuit diagram of the oscillator shown. The microwave part of the circuit consists

aus den Leitungsstücken A, k und I₃, den Varaktordioden V₁, V₂ für die elektronische Durchstimmung der Frequenz und dem Mikrowellentransistor Tr. Das Leitungsstück A bildet die zusätzliche Kapazität C_B\r, es ist mit seinem einen Ende ir.it der Basis des Mikrowellentransistors Tr verbunden; an dessen Kollektor sind die beiden in Serie geschalteten, gegensinnig gepolten Varaktordioden V_u V₂ angeschlossen, an die sich im Längszweig das Leitungsstück I₂ und im Querzweig das die Schwinginduktivität L_s bildende Leitungsstück /3 anschließen. Der Gleichstromteil umfaßt eine Verpolungsschutzdiode D, den Emitterwiderstand R* dea Basisspannungsteiler /?,, R₂, den Varaktorwiderstand Rv sowie die Abblockkondensatoren Ci, C₂, Ci. Alle Gleichströme und die Varaktorspannung werden über λ/4-lange hochohmige Leitungsstükke /4, /5. k zugeführt Das Leitungsstück I₇ dient zur Gleichstromrückführung für den Kollextor des Mikrowellentransistors Tr und die Varaktordiode V\. Es ist eine am Ende kurzgeschlossene Leitung der Länge λ/4.from the line pieces A, k and I ₃ , the varactor diodes V ₁ , V ₂ for the electronic tuning of the frequency and the microwave transistor Tr. The line piece A forms the additional capacitance C _B \ r, one end of which is ir.it the Connected to the base of the microwave transistor Tr; the two series-connected, oppositely polarized varactor diodes V _u V _{2 are} connected to its collector, to which the line section I _{2 is connected} in the series branch and the line section / 3 forming the oscillating inductance L _s. The direct current part comprises a reverse polarity protection diode D, the emitter resistor R * dea base voltage divider /? ,, R ₂ , the varactor resistor Rv and the blocking capacitors Ci, C ₂ , Ci. All direct currents and the varactor voltage are transmitted via λ / 4-long high-resistance line sections / 4, / 5. k The line section I ₇ is used for direct current return for the collector of the microwave transistor Tr and the varactor diode V \. It is a short-circuited line with a length of λ / 4.

Aus diesem elektrischen Aufbau ergibt sich ein einfacher mechanischer Aufbau, der es erlaubt, die Schaltung bei einem Minimum an Bauelementen in Streifenleitungstechnik auf einem Kunststoff- bzw. Keramiksubstrat zu realisieren und verschiedene Transistortypen einzusetzen.This electrical structure results in a simple mechanical structure that allows the Circuit with a minimum of components in stripline technology on a plastic or Realize ceramic substrate and use different transistor types.

Fig.4 zeigt ein Schaltbild, in dem lediglich der Mikrowellenteil des Oszillators dargestellt ist. Der Übersichtlichkeit wegen sind in diesem elektrischen Ersatzschaltbild die durch Kurzschluß-Leerlauf-Transformation bedingten parasitären Einflüsse der λ/4-langen Gleichstromzuleitungen auf die Schwingfrequenz vernachlässigt. Dieses Schaltbild enthält im wesentlichen nur noch die frequenzbestimmenden Elemente, die anhand des Ersatzschaltbildes nach F i g. 5 noch näher beschrieben werden. Die Elemente des Transistors Tr sind hierbei strichliert umrandet. Mit Ccb ist dabei die Sperrschichtkapazität zwischen Kollektor und Basis bezeichnet, mit Cbm die zusätzliche Kapazität zwischen Basis und Masse (für A kleiner λ/4), mit L_s die Schwinginduktivität (kurzgeschlossenes Leitungsstück I₃ kleiner λ/4), mit Cv 1, Cv₂ die Varaktorkapazitäten, die die Schwingkapazität C₅ gemäß F i g. 1 und 2 bilden, mit Tr der Mikrowellentransistor, mit Cce, Ceb der Rückkopplungsspannungsteiler und mit Cem eine unerwünschte Streukapazität zwischen Emitter und Masse. R_TL ist die durch das Leitungsstück I₂ hochohmig iransformierte Last Rl, Für die Dimensionierung des Schwingkreises ist dabei zu beachten, daß der in der Figur links der senkrechten strichlierten Trennlinie gezeichnete Schaltungsteil in dem gewünschten Frequenzbereich kapazitiv, der Teil rechts der Trennlinie induktiv bleibt.4 shows a circuit diagram in which only the microwave part of the oscillator is shown. For the sake of clarity, the parasitic influences of the λ / 4-long direct current supply lines on the oscillation frequency caused by short-circuit-no-load transformation are neglected in this electrical equivalent circuit. This circuit diagram essentially only contains the frequency-determining elements that are based on the equivalent circuit diagram according to FIG. 5 will be described in more detail. The elements of the transistor Tr are outlined in dashed lines. Ccb denotes the junction capacitance between collector and base, Cbm denotes the additional capacitance between base and ground (for A less than λ / 4), with L _s the oscillating inductance (short-circuited line section I ₃ less than λ / 4), with Cv 1, Cv _{2 are} the varactor capacitances that make up the oscillating _{capacitance C 5} according to FIG. 1 and 2 form, with Tr the microwave transistor, with Cce, Ceb the feedback voltage divider and with Cem an undesired stray capacitance between emitter and ground. R _TL is the high-resistance load Rl transformed by the line section I _2. For the dimensioning of the resonant circuit, it must be ensured that the part of the circuit shown to the left of the vertical dashed dividing line in the figure remains capacitive in the desired frequency range, the part to the right of the dividing line remains inductive.

Von den frequenzbestimmenden Elementen des Kreises setzt sich der kapazitive Blindwiderstand aus der Sperrschichtkapazität Ccb und einer aus den kapazitiven Eigenschaften der am Ende offenen Leitung /1 entstandenen Zusatzkapazität Cbm zusammen. Cbm ist durch Längenänderung des Leitungsstückes /| abgleichbar und kann durch andere kapazitive Elemente, wie Trimmer oder Varaktordioden ersetzt werden. Der induktive Blindwiderstand wird gebildet aus der Summe des positiven Blindwiderstandes der Schwinginduktivität Ls und der negativen Blindwiderstände der Varaktorelemente Cv\, Cn. Durch Verändern der in Serie geschalteten Kapazitäten Cm und Cn kann über ein großes Frequenzband ein induktiver Blindwiderstand eingestellt werden, der dem kapazitiven Blindwiderstand des Kreises betragsgleich ist. Die Schwingkreisinduktivität Ls besteht aus dem Leitungsstück I₃ und einer Kurzschlußkontaktierung, zum Beispiel einer Schraube, die gegen Masse führt Die Verstimmung des Schwingkreises durch Kompensation des induktiven Blindwiderstandes ermöglicht eine breitbandige Durchstimmung der Schwingfrequenz. Die Kapazitäten Cn und Cn können durch andere kapazitive Elemente ersetzt werden.Of the frequency-determining elements of the circuit, the capacitive reactance of the junction capacitance Ccb and a formed from the capacitive properties of the open-ended line / 1 extra capacity Cbm is composed. Cbm is determined by changing the length of the line section / | adjustable and can be replaced by other capacitive elements such as trimmers or varactor diodes. The inductive reactance is formed from the sum of the positive reactance of the oscillating inductance Ls and the negative reactance of the varactor elements Cv \, Cn. By changing the series-connected capacitances Cm and Cn , an inductive reactance can be set over a large frequency band, the amount of which is the same as the capacitive reactance of the circuit. The resonant circuit inductance Ls consists of the line piece I ₃ and a short-circuit contact, for example a screw, which leads to ground. Detuning the resonant circuit by compensating for the inductive reactance enables broadband tuning of the oscillation frequency. The capacitances Cn and Cn can be replaced by other capacitive elements.

Aus dem Ersatzschaltbild des Oszillators lassen sich eine Reihe weiterer Mikrowellensender verschiedener Eigenschaften ableiten, wobei die verschiedenen Varianten in den Fig.6 bis 12 dargestellt sind und im folgenden beschrieben werden.A number of other microwave transmitters can be identified from the equivalent circuit diagram of the oscillator Derive properties, the different variants being shown in FIGS. 6 to 12 and in will be described below.

F i g. 6 zeigt einen Festfrequenzoszillator mit einmaligem Frequenzabgleich. Bei diesem Oszillator werden die Kapazitäten Cv\ und Cn durch einen Kurzschluß ersetzt. Die Lastankopplung erfolgt über eine Anzapfung der Schwinginduktivität Ls- Der Abgleichvorgang besteht darin, daß das Leitungsstück A verkürzt wird, wobei eine Verschiebung der Schwingfrequenz zu einer höheren Frequenz erzielt wird.F i g. 6 shows a fixed frequency oscillator with one-time frequency adjustment. In this oscillator, the capacitances Cv \ and Cn are replaced by a short circuit. The load is coupled by tapping the oscillating inductance Ls- The balancing process consists in shortening the line section A, whereby the oscillation frequency is shifted to a higher frequency.

Die F i g. 7,8 und 9 zeigen jeweils einen Festfrequenzoszillator mit Frequenzabstimmung durch Trimmerkondensatoren. F i g. 7 zeigt dabei einen Oszillator, bei dem die Zusatzkapaziiiii Cbm ein Trimmerelement, ist und die Varaktorkapazitäten Cv\ und Cn überbrückt sind. Da die Abstimmschraube des Zylinderkondensators hierbei an Masse liegt, kann der Oszillator bei geschlossenem Gehäuse durchgestimmt werden. Beim Oszillator nach F i g. 8 wird die Zusatzkapazität Cbm vom Leitungsstück A gebildet, jedoch ist hierbei die Serienschaltung der Varaktorkapazitäten Cv\ und Cv₂ durch den Trimmerkondensator Cs ersetzt. Bei der maximal eingestellten Trimmerkapazität Cs kann durch Abschneiden des Leitungsstückes A eine untere Schwingfrequenz festgelegt werden. Von dieser Frequenz an ermöglicht der Trimmer eine breitbandige Durchstimmung. Beim Oszillator nach Fig.9 werden die Zusatzkapazität Cbm und die Schwingkapazität Cs von Trimmerelementen gebildet. Diese Anordnung ermöglicht eine sehr breitbandige mechanische Durchstimmung, da sowohl die Kreiskapazität als auch die Kreisinduktivitäi verändert werden.The F i g. 7, 8 and 9 each show a fixed frequency oscillator with frequency tuning by trimmer capacitors. F i g. 7 shows an oscillator in which the additional capacitance Cbm is a trimmer element and the varactor capacitances Cv \ and Cn are bridged. Since the tuning screw of the cylinder capacitor is connected to ground, the oscillator can be tuned when the housing is closed. In the case of the oscillator according to FIG. 8, the additional capacitance Cbm is formed by the line section A, but here the series connection of the varactor capacitances Cv \ and Cv _{2 is} replaced by the trimmer capacitor Cs. With the maximum set trimmer capacitance Cs, a lower oscillation frequency can be set by cutting off the line section A. From this frequency on, the trimmer enables broadband tuning. In the oscillator according to FIG. 9, the additional capacitance Cbm and the oscillating capacitance Cs are formed by trimmer elements. This arrangement enables a very broad-band mechanical tuning, since both the circuit capacitance and the circuit inductivity are changed.

Die Fig. 10, H und 12 zeigen elektronisch durchstimmbare Oszillatoren. Dabei geschieht beim elektronisch durchstimmbaren Oszillator mit abgleichbarer Anfangsfrequenz nach Fig. 10die elektronische Durchstimmung durch Kompensation des induktiven Biindwiderstandes der Schwinginduktivität Lsmit einem oder mehreren in Serie geschalteten Varaktorelementen V., V₂. Die untere Schwingfrequenz bzw. Anfangsfrequenz kann durch Verkürzen des Leitungsstückes A abgeglichen werden. Einen elektronisch durchstimmbaren Oszillator mit abstimmbarer Anfangsfrequenz zeigt Fig. 11. bei dem im Ume-schied zum Oszillator nach Fig. 10 die Zusatzkapazität Cbm an Stelle von dem Leitungsstück A von einem Trimmerkondensator gebildet wird. Fig. 12 zeigt einen elektronisch durchstimmbaren Oszillator mit elektronisch abstimmbarer Anfangsfrequenz, bei dem die Schwingkapazitäten und die Zusatzkapazitäten aus Varaktorelementen V\, V₂ und VV V₄ bestehen. Hierbei kann bei der Durchstimmung der beiden Varaktorelerr.entenpaare die gleiche Vorspannung verwendet werden, wodurch man wegen der gleichzeitigen Änderung der Kreisinduktivität und Kreiskapazität eine sehr breitbandige elektronische Durchstimmung erreicht, oder man verwendet für dieFigures 10, H and 12 show electronically tunable oscillators. In the case of the electronically tunable oscillator with adjustable initial frequency according to FIG. 10, the electronic tuning takes place by compensating the inductive binding resistance of the oscillating inductance Ls with one or more series-connected varactor elements V, V ₂ . The lower oscillation frequency or initial frequency can be adjusted by shortening the line section A. FIG. 11 shows an electronically tunable oscillator with a tunable initial frequency, in which, unlike the oscillator according to FIG. 10, the additional capacitance Cbm is formed by a trimmer capacitor instead of the line section A. 12 shows an electronically tunable oscillator with an electronically tunable initial frequency, in which the oscillating capacitances and the additional capacitances consist of varactor elements V 1, V ₂ and VV V ₄ . The same bias voltage can be used when tuning the two pairs of varactor elements, whereby a very broad-band electronic tuning is achieved because of the simultaneous change in the circuit inductance and the circuit capacitance, or one uses for the

die Zusatzkapazität bildenden Varaktorelemente eine eigene Vorspannung, wodurch die untere Schwingfrequenz (Anfangsfrequenz) elektronisch abgestimmt werden kann. Die zweite Oszillatorvariante weist also zwei unabhängige Frequenzmodulationseingänge auf.the varactor elements forming the additional capacitance have their own bias voltage, which results in the lower oscillation frequency (Initial frequency) can be tuned electronically. The second oscillator variant thus has two independent frequency modulation inputs.

Hierzu 3 Blatt ZeichnungenFor this purpose 3 sheets of drawings

Claims

Patent claims:

1. Transistor oscillator for the microwave range

in CLAPP circuit. characterized by the construction in stripline technology and by an additional small capacitance (Cbm) connected in series to the collector base capacitance between the base and ground and by an HF throttling through λ / 4-long line pieces (A, fe, 4), their ends are short-circuited via block capacitors (Ci, C2, Cj).

2. Transistor oscillator according to claim 1, characterized in that the additional capacitance (Cbm) consists of a line (A) which is open at the end and whose electrical length is less than λ / 4

3. Transistor oscillator according to claim I, characterized in that the additional capacitance (Cbm) consists of a trimmer capacitor

4. Transistor oscillator according to claim I _1, characterized in that the additional capacitance (Cbm) of varactor elements (V3, V4) is formed.