DE1288138B

DE1288138B - Mit Stromuebernahme arbeitende Gatterschaltung

Info

Publication number: DE1288138B
Application number: DEM70227A
Authority: DE
Inventors: Walter Christian; Murray Donald Edward
Original assignee: Motorola Inc
Current assignee: Motorola Solutions Inc
Priority date: 1965-07-15
Filing date: 1966-07-14
Publication date: 1969-01-30
Also published as: GB1149165A; NL6608918A; US3422283A

Description

Dioden und Widerstände beschränkt sein sollen, so daß sich die Schaltungen leicht in integrierter Form herstellen lassen.

Erfindungsgemäß wird dies dadurch erreicht, daß das Auslesegatter für ein logisches Speicherelement, das an zwei Ausgängen jeweils zueinander komplementäre Ausgangssignale liefert, zwei von diesen Signalen gesteuerte Schalter aufweist, von denen je-

legt wird. Dieses Schaltungsprinzip ermöglicht sehr io gatter für das Auslesen oder gegebenenfalls das über kurze Schaltzeiten, insbesondere dann, wenn die als eine der erwähnten Abfrage- oder Suchleitungen Schalter benutzten Transistoren nicht in der Sätti- erfolgende zwischenzeitliche Abfragen des Speichergung betrieben werden, da dann die für die Entfer- zustandes die Umschaltung nur eines Stromes erfornung des in der Basiszone angesammelten Ladungs- derlich sein, so daß die Schaltung sparsamer arbeitet. Überschusses benötigte Zeit entfällt. Diesem Vorteil 15 Überdies ist es wünschenswert, daß die in den Schalsteht jedoch beim Betrieb eines Transistors eine ver- tungen verwendeten Bauelemente auf Transistoren, ringerte Ausgangsleistung gegenüber. Eine bekannte
Schaltung verwendet daher zum Zwecke eines Kompromisses einen Begrenzungswiderstand für den Gesamt-Emitterstrom zweier parallelgeschalteter Tran- ao
sistoren, deren einer den Strom des anderen übernehmen kann.

Die Aufgabe der Erfindung besteht in der Schaffung eines Auslesegatters für ein logisches Speicherelement, das an zwei Ausgängen jeweils zueinander 25 weils nur einer leitet und die nach Art bekannter komplementäre Ausgangssignale liefert. Im Inter- ODER-Gatter in einen gemeinsamen Außenwiderstand zusammenlaufen, daß mindestens in den einen Strompfad zwischen den Außenwiderstand und den ersten Schalter ein gleichzeitig mit diesem leitender 30 Zwischenschalter eingefügt ist, daß in Reihe mit dem ersten Schalter und parallel zu dem Zwischenschalter und dem Außenwiderstand ein beide bei Anlegen eines Lesesignals und leitendem ersten Schalter überbrückender und deren Strom übernehmender Lese-

über den außerhalb des taktmäßigen Auslesezyklus 35 schalter liegt, und daß mit dem Außenwiderstand auch zwischendurch der Zustand des betreffenden eine dessen Spannung abfühlende Ausgangsschaltung Speicherelementes abgefragt werden kann, wenn verbunden ist. Bei dieser einfachen Form der erfindessen Kenntnis zur Durchführung eines bestimmten dungsgemäßen Schaltung fließt in dem einen Speicher-Teils des Rechnungsprogramms notwendig ist, wie zustand ein Strom durch den einen der zuerst gedies bei Rechnern der Fall ist, bei denen mehrere 40 nannten Schalter sowie den mit ihm verbundenen

esse einer möglichst schnellen Abfragung des Speicherzustandes soll dabei von dem bekannten Prinzip der Stromübernahme Gebrauch gemacht werden.

Bei heutigen mit logischen Elementen arbeitenden Schaltungen, wie Rechnern u. dgl., wird bei Auslesegattern außer dem üblichen Eingang für das normale Lesesignal meist noch ein weiterer Eingang verlangt,

Rechnungsabläufe im Interesse einer kurzen Gesamtrechenzeit gleichzeitig durchgeführt werden. Meist haben die Auslesegatter zwei solcher zusätzlicher Abfrageeingänge, die mit entsprechenden Abfrage-

. Zwischenschalter und den Außenwiderstand. Der erstgenannte, unmittelbar vom Speicherelement angesteuerte Schalter wirkt hierbei als Konstantstromquelle. Bei Anlegen eines Lesesignals an den Lese

leitungen, welche in der amerikanischen Literatur als 45 schalter übernimmt dieser sehr schnell den Strom, »Suchleitungen« bezeichnet werden, verbunden sind. der vorher über den Zwischenschalter und den Soll nun im Ablauf des Programms festgestellt wer- Außenwiderstand geflossen ist. An dem Außenwiderden, welche Speicher einer bestimmten Gruppe beispielsweise gerade eine »1« enthalten, so wird auf
diejenige der beiden dieser Gruppe zugeordneten 50 stand und einer Ausgangsklemme vorgesehenen Such- oder Abfrageleitungen ein Signal, beispiels- Ausgangsschalter aufweisen kann, liefert eine entweise in Form eines Suchimpulses, gegeben, welche
für das Auffinden der Speicherinhalte »1« vorgesehen
ist. Am Leseausgang und an einem häufig außerdem
noch vorgesehenen zusätzlichen Abfrageausgang 55 nommen.

erscheint dann kein Ausgangssignal, wenn auf der Eine etwas erweiterte Ausführungsform des erfin-

Such- oder Abfrageleitung ein Suchsignal kommt, welches dem jeweiligen Speicherzustand entspricht: Enthält der Speicher also eine »1« und wird der Ausleseschaltung über die für das Suchen einer »1« bestimmte Leitung ein Impuls zugeführt, stimmt also die Wahl der beaufschlagten Abfrageleitung mit dem tatsächlichen Speicherzustand überein, so erscheint an dem Abfrageausgang kein Ausgangssignal. Wird

dagegen die für die Suche eines Speicherzustandes 65 ersten Zwischenschalter an ein gemeinsames Bezugs- »0« bestimmte Leitung mit einem Suchimpuls beauf- potential angeschlossen ist, ferner ist je ein parallel

stand fällt nun keine Spannung mehr ab, und die Ausgangsschaltung, die einen zwischen Außenwidersprechende Ausgangsspannung. Verschwindet das Lesesignal wieder, so wird der Strom "wieder vom Zwischenschalter und dem Außenwiderstand über-

dungsgemäßen Auslesegatters ermöglicht den Betrieb der oben beschriebenen Weise, wobei über die Suchoder Abfrageleitungen diejenigen Speicherelemente ermittelt werden können, die einen bestimmten, gesuchten Speicherzustand einnehmen. Bei dieser Ausführungsform ist im zweiten Strompfad zwischen dem zweiten Schalter und dem Außenwiderstand ein weiterer Zwischenschalter angeordnet, der mit dem

schlagt und der Speicher enthält eine »1«, stimmt also die Wahl der Abfrage- oder Suchleitung nicht

zum ersten Zwischenschalter und Außenwiderstand bzw. parallel zum zweiten Zwischenschalter und

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Außenwiderstand liegender, und diese bei Anlegen Speicherschaltung kleiner gemacht werden, und eines Abfragesignals jeweils überbrückender und damit erhöht sich deren Arbeitsgeschwindigkeit, ihren Strom übernehmender Abfrageschalter zur Ebenfalls wird damit die Neigung der Speicher-Feststellung des Speicher-»O«- bzw. Speicher-» 1«- schaltung verringert, bei Änderungen der Speise-Zustandes vorgesehen. Außer dem Leseausgangs- 5 spannung und der Umgebungstemperatur in die schalter kann an den Außenwiderstand ein zu einer Sättigung zu geraten.

zweiten Ausgangsklemme führender zweiter Aus- Eine Spannungsquelle 24 ist mit dem Bezugsgangsschalter angeschlossen sein. Die Eingänge der potential und über den Ausgangswiderstand 26 mit beiden Abfrageschalter sind dann jeweils mit einer den Kollektoren 32 und 35 der Transistoren 28 und zugehörigen Abfrage- oder Suchleitung verbunden, io 34 verbunden. Die Emitter 31 und 37 dieser Tranwährend der zweite Ausgangsschalter unabhängig sistoren sind an die Kollektoren 16 und 22 der vom Leseausgangsschalter eine Abgabe des auf das Transistoren 12 und 18 angeschlossen. Eine zweite Suchsignal hin erscheinenden jeweiligen Ausgangs- Bezugsspannung V_BB liegt über den Anschluß 33 an signals gestattet. den Basen 30 und 36 der Transistoren 28 und 34

Werden besonders hohe Forderungen an die 15 und liefert die Basisspannung für diese Transistoren. Arbeitsgeschwindigkeit des Auslesegatters gestellt, Der Emitter 41 des Transistors 38 ist an den so kann die Schaltung so ausgelegt werden, daß die Emitter 37 des Transistors 34 angeschlossen, und der Schalter in an sich bekannter Weise nicht in der Kollektor 42 des Transistors 38 ist mit der Speise-Sättigung betriebene Transistoren sind. Vorzugsweise spannung 24 verbunden. Der Transistor 38 kann an handelt es sich dann um npn-Transistoren. 20 seiner Basis 40 ein Suchsignal nach dem Speicher-

Eine zweckmäßige Ausbildung der Schaltung liegt zustand »1« empfangen. Die Emitter 47 und 53 der ferner darin, daß die beiden unmittelbar von den Transistoren 44 und 50 sind an den Emitter 31 des Ausgängen des Speicherelementes angesteuerten Transistors 28 angeschlossen, und die Kollektoren 48 Schalter emittergekoppelte Transistoren sind und und 54 der Transistoren 44 und 50 sind mit der mit dem Kollektor des einen dieser Transistoren die 25 Speisespannung 24 verbunden. Der Transistor 44 zusammengeschalteten Emitter der Transistoren des kann an seiner Basis 46 ein Suchsignal nach dem Leseschalters und des ersten Zwischenschalters ver- Speicherzustand »0« und der Transistor 50 an seiner bunden sind, während mit dem Kollektor des Basis 52 ein Lesesignal empfangen. Der Leseauszweiten Transistors die miteinander verbundenen gangstransistor 56 ist mit seinem Emitter 59 an den Emitter der Transistoren des zweiten Zwischen- 30 Leseausgangsanschluß 61 und den Lastwiderstand 57 schalters und des zweiten Abfrageschalters verbunden und mit seinem Kollektor 60 an die Speisespannung sind, und daß die Ausgangsschalter an den Aus- 24 angeschlossen. Seine Basis 58 erhält vom Ausgangswiderstand angeschlossene Emitterfolgertransi- gangswiderstand 26 ein Vorspannungssignal. Der stören sind. Abfrageausgangstransistor 62 ist mit seinem Emitter

Weitere Einzelheiten ergeben sich aus der folgen- 35 65 an den Abfrageausgangsanschluß 67 und den

den Beschreibung zweier in den Zeichnungen ver- Lastwiderstand 63 angeschlossen, und sein Kollektor

anschaulichten Ausführungsformen der Erfindung. 66 liegt an der Speisespannung 24. Vom Widerstand

Es zeigt 26 wird der Basis des Transistors 62 ein Vorspan-

Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel der erfindungs- nungssignal zugeführt. Da ein Lastwiderstand nur gemäßen Ausleseschaltung mit zusätzlichen Abfrage- 40 im Kollektorkreis von Transistoren erscheint, deren oder Sucheingängen, teilweise in Blockdarstellung, Basen am Bezugspotential V_BB liegen, wird ein geteilweise in schematischer Darstellung und wisser Spielraum für die Sättigung gegenüber Schal-

Fig. 2 eine vereinfachte Ausführungsform der tungen erhalten, bei denen ein Lastwiderstand im

Schaltung nach Fig. 1. Kollektorkreis von Transistoren liegt, deren Basen

In dem Speicherelement 10 nach F i g. 1 kann eine 45 an den Logikeingängen liegen.
»0« oder eine »1« gespeichert sein. Je nachdem liegt Zur Erläuterung des Betriebes der Schaltung nach dann am »O«-Ausgang oder am »!.«-Ausgang des Fig. 1 sei angenommen, daß im Speicher 10 eine Speicherelementes 10 ein Ausgangssignal. Der »0« enthalten sei. Das an der Basis 20 des Tran- »0«-Ausgang ist mit der Basis 20 des Transistors 18, sistors 18 liegende, dem Speicherzustand »0« entder »1 «-Ausgang mit der Basis 14 des Transistors 12 so sprechende Signal bringt diesen Transistor zum verbunden. Ist im Speicher 10 eine »0« enthalten, Leiten. Wegen seiner in diesem Zustand niedrigen so wird der Transistor 18 leitend vorgespannt, enthält Kollektorspannung bringt er auch den mit seiner der Speicher dagegen eine »1«, so wird der Transi- Basis über den Anschluß 33 an der Referenzspanstor 12 leitend vorgespannt. Als Ausgangswiderstände nung V_BB liegenden Transistor 34 zum Leiten. Bei für den Speicher 10 dienen die Widerstände 8 und 9. 55 einer gespeicherten »0« fließt also ein Strom von Ein Widerstand 23 verbindet die Emitter 15 und 21 der Stromquelle 24 durch den Ausgangswiderstand der Transistoren 12 und 18 mit einem Bezugs- 26, den Transistor 34, den Transistor 18 und den potential. Widerstand 23 zum ersten Bezugspotential. Die

Durch die Verwendung beider Ausgänge des Größe dieses Stromes ist im wesentlichen konstant

Speichers 10 zur Steuerung der Transistoren 12 und 60 und bestimmt sich nach dem Wert des zwischen der

18 an Stelle der Ankopplung der Basis eines der Basis 20 des Transistors 18 und dem Widerstand 23

Transistoren an ein Bezugspotential wird eine bessere liegenden »0«-Signals. Der Transistor 12 ist nicht-

Störunempfindlichkeit für den gleichen Logikspan- leitend vorgespannt und hält auch den Transistor 28

nungssprung erreicht bzw. kann der Logikspannungs- im nichtleitenden Zustand.

sprang ohne Verschlechterung der Störunempfind- 65 Ist im Speicher 10 dagegen eine.»l« gespeichert,

lichkeit verringert werden. Bei einem geringeren so ist der Transistor 12 leitend vorgespannt, und der

erforderlichen Spannungssprung kann der Außen- Transistor 18 wird nichtleitend. Der Strom fließt

widerstand und damit die i?C-Zeitkonstante der dann durch den Ausgangswiderstand 26, die Tran-

sistoren 28 und 12 und den Widerstand 23. In jedem Fall fließt eine einzige, dem eingeprägten Strom entsprechende »Stromeinheit« durch den Ausgangswiderstand 26. Der Stromfluß durch den Ausgangswiderstand 26 verringert das an den Basen 58 und 64 der Transistoren 56 und 62 liegende Potential und bringt diese Transistoren in einen Zustand minimaler Leitung. Damit ist die Ausgangsspannung sowohl am Leseanschluß 61 als auch am Abfrageanschluß 67 klein.

Soll ein Suchsignal angelegt werden, um zu bestimmen, ob eine »1« im Speicher 10 enthalten ist, so wird es an die Basis 40 des Transistors 38 gelegt. Am Abfrageausgang 67 erscheint dann ein hohes

Speicher 10 enthalten ist; dagegen erscheint am Abfrageausgangsanschluß 67 ein kleines Ausgangssignal, wenn eine entsprechende Information, also eine »1« im Speicher 10 enthalten ist.

Enthält nämlich der Speicher 10 eine »0« und wird ein Suchsignal an den für die Suche nach dem Speicherinhalt 1 vorgesehenen Anschluß gelegt, also an die Basis 40 des Transistors 38, so wird dieser

nur dann zum Leiten gebracht werden kann, wenn auch der Transistor 12 leitet. Damit ist die Ausgangsvorspannung, die an die Basis 58 des Transistors 56 gelegt wird, niedrig, und auch das Potential am 5 Leseausgangsanschluß 61 ist niedrig. Ist im Speicher 10 eine »1« enthalten, so ist der Transistor 12 leitend vorgespannt, und der Strom fließt von der Spannungsquelle 24 durch den Ausgangswiderstand 26, die Transistoren 28 und 12 und den Widerstand 23. ίο Bringt man den Transistor 50 über seine Vorspannung zum Leiten, so wird der Stromfluß durch den Ausgangswiderstand 26 unterbrochen, so daß die an der Basis 58 des Transistors 56 liegende Spannung hoch ist und damit auch das Potential am Lese-Ausgangssignal, wenn eine diesem Suchsignal nicht 15 ausgangsanschluß 61 hoch ist. entsprechende, also eine »0«-lnformation, im F i g. 2 zeigt eine vereinfachte Schaltung, die keine

zusätzlichen Sucheingänge besitzt. Die Bauelemente sind mit den gleichen Bezugsziffern wie in Fig. 1 versehen. Die Basis 90 des Transistors 88 ist an ein ao Bezugspotential V_BB, das an Klemme 94 liegt, angeschlossen. Wird kein Lesesignal an den Leseanschluß 86 gelegt, so ist das an der Basis 82 des Transistors 80 liegende Potential niedrig. Ist im Speicher eine »1« enthalten, so ist der Transistor 80 wegen seiner leitend und übernimmt den Strom durch den Außen- 25 Vorspannung gesperrt, und der Transistor 88 leitet, widerstand 26 und den Transistor 34, der in den Es fließt nun ein Strom von der Spannungsquelle 24 nichtleitenden Zustand gebracht wird, da die Emit- durch den Ausgangswiderstand 78, die Transistoren ter 37 und 41 der Transistoren 34 und 38 zusammen- 88 und 12 und den Widerstand 23. Enthält der geschlossen sind. Es fließt nun ein Strom von der Speicher eine »0«, so fließt der Strom von der Speisespannungsquelle 24 durch den Transistor 38, 30 Spannungsquelle 24 durch den Ausgangswiderstand den Transistor 18 und den Widerstand 23. Während 78, den Transistor 18 und den Widerstand 23. In die Größe des durch die Schaltung fließenden beiden Fällen erzeugt der Spannungsabfall am WiderStromes unverändert ist, ist der durch den Wider- stand 78 ein niedriges Ausgangspotential an der stand 26 fließende Strom auf »0« zurückgegangen, Basis 98 des Transistors 96 und damit ein niedriges und das an der Basis 64 liegende Potential ist hoch. 35 Ausgangspotential am Leseausgangsanschluß 102. Dieses hohe Potential an der Basis 64 bringt den Ist im Speicher 10 eine »0« gespeichert, so sucht

Transistor 62 in einen maximal leitenden Zustand ein am Anschluß 86 angelegtes Lesesignal den Tran- und erzeugt ein hohes Ausgangssignal am Abfrage- sistor 80 über dessen Vorspannung zum Leiten zu ausgang 67. bringen. Da jedoch der Transistor 12 wegen seiner

Wird andererseits an den für die Suche nach dem 40 Vorspannung gesperrt ist, fließt der Strom über den Speicherinhalt »0« vorgesehenen Anschluß ein Such- Transistor 18 und über den Ausgangswiderstand 78. signal angelegt, so liegt dies an der Basis 46 des Das an der Basis 98 des Transistors 96 liegende Transistors 44 und bringt ihn zum Leiten. Potential bleibt niedrig, und damit ist auch das Aus-

Da jedoch die Information »0« im Speicher 10 gangspotential am Leseausgangsanschluß 102 niedrig, enthalten ist, ist der Transistor 12 nichtleitend vor- 45 Enthält der Speicher 10 eine »1«, so leitet der Trangespannt, so daß auch der Transistor 28 nichtleitend sistor 12 infolge seiner Vorspannung, und der Strom ist. Es fließt also weiterhin ein Strom durch den fließt von der Spannungsquelle 24 über den Wider-Ausgangswiderstand 26, den Transistor 34 und den stand 78, die Transistoren 88 und 12 und den WiderTransistor 18, und die Spannung an der Basis 64 des stand 23. Ein am Anschluß 86 angelegtes Lesesignal Transistors 62 bleibt wegen des Spannungsabfalls am 50 bringt den Transistor 80 zum Leiten, so daß dieser Widerstand 26 niedrig. Somit entsteht auch am den Strom durch den Transistor 88 und den Wider-Abfrageausgang 67 ein niedriges Ausgangssignal. stand 78 übernimmt. Am Ausgangswiderstand 78 Ein Suchsignal auf der dem jeweiligen Speicher- fällt dann keine Spannung mehr ab, so daß das zustand entsprechenden Leitung hat also am Abfrage- Potential an der Basis 98 des Transistors 96 und ausgang ein kleines Ausgangssignal zur Folge, wäh- 55 damit am Leseausgangsanschluß 102 ansteigt und rend im nicht entsprechenden Falle das Ausgangs- angezeigt wird, daß eine »1« im Speicher 10 gesignal hoch ist.

Soll die im Speicher 10 enthaltene Information
regulär ausgelesen werden, so wird ein Signal auf
den Leseanschluß, die Basis 52 des Transistors 50, 60 gegeben. Ist eine »0« gespeichert, so leitet der Transistor 18, während der Transistor 12 gesperrt ist.
Durch den Ausgangswiderstand 26, Transistor 34,
Transistor 18 und den Widerstand 23 fließt ein Strom.
Ein Versuch, den Transistor 50 durch Anlegen eines 65 Lesesignals an seine Basis 52 zum Leiten vorzuspannen, bringt keine Änderung des Stromflusses durch
den Ausgangswiderstand 26, da der Transistor 50

speichert ist.

Claims

Patentansprüche:

1. Mit Stromübernahme eines von mindestens einer Konstantstromquelle gelieferten Stromes zwischen zwei parallelen Strompfaden arbeitende Gatterschaltung, dadurch gekennzeichnet, daß zur Verwendung als Auslesegatter für ein logisches Speicherelement (10), das an zwei Ausgängen jeweils zueinander komplementäre Ausgangssignale (0,1) liefert, zwei von diesen Signalen gesteuerte Schalter (12,18) vorgesehen

sind, von denen jeweils nur einer leitet und die nach Art bekannter ODER-Gatter in einen gemeinsamen Außenwiderstand (26, 78) zusammenlaufen, daß mindestens in den einen Strompfad zwischen dem Außenwiderstand (76,78) und dem ersten Schalter (12) ein gleichzeitig mit diesem leitender Zwischenschalter (28, 88) eingefügt ist, daß in Reihe mit dem ersten Schalter (12) und parallel zu dem Zwischenschalter (28,88) und dem Außenwiderstand (26,78) ein beide bei Anlegen eines Lesesignals und leitendem ersten Schalter (12) überbrückender und deren Strom übernehmender Leseschalter (50, 80) liegt, und daß mit dem Außenwiderstand (26, 78) eine dessen Spannung abfühlende Ausgangsschaltung (56, 57, 61; 96, 102) verbunden ist.

2. Gatterschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangsschaltung einen zwischen dem Ausgangswiderstand (26, 78) und einer Ausgangsklemme (61,102) liegenden Ausgangsschalter (56,96) aufweist.

3. Gatterschaltung nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch einen im zweiten Strompfad zwischen dem zweiten Schalter (18) und dem Außenwiderstand (26) liegenden zweiten Zwischenschalter (34), der mit dem ersten Zwischenschalter (28) an ein gemeinsames Bezugspotential (Fj₃J₃) angeschlossen ist, ferner durch je einen parallel zum ersten Zwischenschalter (28) und Außenwiderstand bzw. parallel zum zweiten Zwischenschalter (34) und Außenwiderstand liegenden und diese bei Anlegen eines Abfragesignals jeweils überbrückenden und ihren Strom übernehmenden Abfrageschalter (44 bzw. 38) zur Feststellung des Speicher-»0«- bzw. Speicher- »1«-Zustandes.

4. Gatterschaltung nach Anspruch 1, 2 oder 3, gekennzeichnet durch einen zu einer zweiten Ausgangsklemme (67) führenden, an den Außenwiderstand (26) angeschlossenen zweiten Ausgangsschalter (62).

5. Gatterschaltung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Schalter in an sich bekannter Weise nicht in der Sättigung betriebene Transistoren, vorzugsweise npn-Transistoren, sind.

6. Gatterschaltung nach den Ansprüchen 1, 2, 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Schalter (12,18) emittergekoppelte Transistoren sind, daß die Emitter der Transistoren des Leseschalters (80) und des ersten Zwischenschalters (88) an den Kollektor (16) des Transistors des ersten Schalters (12) angeschlossen sind und daß der Ausgangsschalter ein an den Außenwiderstand (78) angeschlossener Emitterfolgertransistor (96) ist (F i g. 2).

7. Gatterschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitter (37, 41) der Transistoren des zweiten Zwischenschalters (34) und des zweiten Abfrageschalters (38) an den Kollektor (22) des Transistors des zweiten Schalters (18) angeschlossen sind und daß der zweite Ausgangsschalter als Emitterfolgertransistor (56) ausgebildet ist (F i g. 1).

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen 909 505/1487