DE1276742B - Transistor-Leitungsverstaerker mit UEberspannungsschutz - Google Patents

Transistor-Leitungsverstaerker mit UEberspannungsschutz

Info

Publication number
DE1276742B
DE1276742B DE1966S0107684 DES0107684A DE1276742B DE 1276742 B DE1276742 B DE 1276742B DE 1966S0107684 DE1966S0107684 DE 1966S0107684 DE S0107684 A DES0107684 A DE S0107684A DE 1276742 B DE1276742 B DE 1276742B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
power supply
connection
voltage
diode
zener
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE1966S0107684
Other languages
English (en)
Inventor
Dipl-Ing Erwin Popp
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE1966S0107684 priority Critical patent/DE1276742B/de
Priority to NL6717321A priority patent/NL149345B/xx
Priority to JP8358767A priority patent/JPS4923043B1/ja
Priority to GB5883767A priority patent/GB1164720A/en
Priority to SE1803367A priority patent/SE346885B/xx
Publication of DE1276742B publication Critical patent/DE1276742B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G11/00Limiting amplitude; Limiting rate of change of amplitude ; Clipping in general
    • H03G11/02Limiting amplitude; Limiting rate of change of amplitude ; Clipping in general by means of diodes

Landscapes

  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
  • Cable Transmission Systems, Equalization Of Radio And Reduction Of Echo (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

RUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND Int. Cl.:
GOIr
JTÜk Deutsche Kl.: H03f
DEUTSCHES WMW PATENTAMT Nummer: H 04 m
Aktenzeichen: 21 a2-41/07 ;
AUSLEGESCHRIFT Anmeldetag: 1276 742
Auslegetag: P 12 76 742.9-31 (S 107684)
1276 742 30. Dezember 1966
5. September 1968
Transistor-Leitungsverstärker zur Nachrichten-Weitverkehrsübertragung, der über die Nachrichtenleitung fernstromversorgt ist und Schutzeinrichtungen gegen Überspannungen auf der Nachrichtenleitung unter Verwendung von Halbleiterbegrenzereinrichtungen und Gasspannungsableitern aufweist.
Sowohl auf Kabeln als auch auf Freileitungen treten durch Blitzschlag, Starkstrom- oder Funksenderbeeinflussung im Übertragungskreis Überspannungen und Überströme auf, die die Halbleiter der angeschlossenen Geräte stark überlasten würden.
Zur Begrenzung von Spannungsscheiteln ist es aus dem »Taschenbuch der Hochfrequenztechnik«, Meinke-Gundlach, S. 990, Abb. 11.2 bekannt, zwei Zweige — je einen zur Begrenzung von Spannungsscheiteln einer Polarität — quer zur Übertragungsrichtung anzuordnen, von denen jeder Zweig aus einer Diode und einer diese Diode in Sperrichtung vorspannenden Batteriespannungsquelle besteht.
Zudem ist es durch die deutsche Auslegeschrift ao 1058 568, Spalte 1, Zeilen 41 bis 49 und die dazugehörige F i g. 2 bekannt, zur Begrenzung von Spannungsscheiteln einer Polarität, einen Zweig der vorgenannten Art zu verwenden, indem die Batteriespannungsquelle durch eine Zenerdiode realisiert ist, wobei der Verbindungspunkt der Diode und der Zenerdiode über einen Widerstand an eine Gleichspannung gelegt ist, welche die Diode und die Zenerdiode in Sperrichtung bzw. in Zenerrichtung vorspannt.
Außerdem ist es aus der deutschen Auslegeschrift 1222 544 (vgl. F i g. 2) bekannt, zwei Zweige, je einer wie vorstehend aufgeführt in der deutschen Auslegeschrift 1058 568 beschrieben, zur Begrenzung der Spannungsscheitel der einen bzw. der anderen Polarität vorzusehen.
Ferner ist es durch die deutsche Auslegeschrift 1221291 (vgl. F i g. 3) bekannt, bei einem Transistor-Leitungsverstärker zum Überlastungsschutz des Verstärkerausganges zwischen den Kollektor des letzten Transistors und der emitterseitigen Klemme der Stromversorgung (Potential Null) eine in Sperrichtung gepolte Diode und zu dieser Diode parallel eine Reihenschaltung einer in Sperrichtung gepolten Stabilisatordiode und einer weiteren Schutzdiode einzuschalten, wobei die Stabilisatordiode und die weitere Schutzdiode gegeneinander geschaltet sind. Nachteilig bei dieser Anordnung ist es, daß die weitere Schutzdiode ohne Vorspannung betrieben wird und deshalb an einer so hochohmigen Stelle, wie sie der Kollektor darstellt, nichtlineare Verzerrungen des Ausgangssignals hervorruft. Auch ist es bekannt (vgl. F i g. 1 derselben Auslegeschrift), parallel zu dem in Transistor-Leitungsverstärker mit
Überspannungsschutz
Anmelder:
Siemens Aktiengesellschaft, Berlin und München, 8000 München 2, Witteisbacherplatz 2
Als Erfinder benannt:
Dipl.-Ing. Erwin Popp, 8014 Neubiberg
der Fernspeiseschleife liegenden Stromversorgungseingang unmittelbar am Verstärker eine Parallelschaltung aus einer Stromversorgungszenerdiode und einem Parallelkondensator zu schalten. Nachteiligerweise können die bei Blitzbeeinflussung in der Fernspeiseschleife induzierten Ströme trotz der Blitzableiter am Eingang und Ausgang des Verstärkers in erheblichem Umfang über die Stromversorgungszenerdiode fließen und sie und den Stromversorgungseingang überlasten.
Eine Aufgabe der Erfindung ist es, für einen Transistor-Leitungsverstärker in einer fernstromversorgten Weitverkehrsverbindung eine im Vergleich zu bisher bekannten Anordnungen verbesserte Schutzeinrichtung gegenüber Überspannungen zu schaffen. Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, auch den Stromversorgungseingang des Verstärkers gegen kurzzeitig auftretende besonders hohe Überspannungen bzw. Überströme zu schützen.
Der Transistor-Leitungsverstärker der eingangs erwähnten Art wird gemäß der Erfindung derart aufgebaut, daß der eine Anschluß einer ersten Halbleiterdiode mit dem kollektorseitigen Anschluß der Primärseite einer der Endstufe des Transistorverstärkers Kollektorstrom zuführenden Ausgangsübertragungseinrichtung verbunden ist und der andere Anschluß der in Sperrichtung gepolten ersten Halbleiterdiode mit der emitterseitigen Klemme des Stromversorgungseinganges verbunden ist, und eine Reihenschaltung einer Zenerdiode und einer mit ihrer
809 599/397
3 4
Durchlaßrichtung gleich der Zenerrichtung der Ze- Verstärkerausgang zusätzlich zu eventuell vorhandenerdiode gepolten zweiten Halbleiterdiode derart par- nen Gasspannungsableitern dadurch erreicht werden, allel zur Primärseite der Ausgangsübertragungsein- daß eine Antiserienschaltung aus zwei weiteren Zerichtung geschaltet ist, daß die Zenerdiode an den nerdioden zwischen die beiden, galvanisch mit der kollektorseitigen Anschluß, die zweite Halbleiter- 5 einen Klemme des Stromversorgungseinganges verdiode an den mit der kollektorseitigen Klemme des bundenen Anschlüsse der Sekundärseite der Aus-Stromversorgungseinganges verbundenen Anschluß gangsübertragungseinrichtung eingeschaltet ist, und der Primärseite der Ausgangsübertragungseinrich- daß der Verbindungspunkt der weiteren Zenerdioden tung angeschlossen ist, der Verbindungspunkt der jeweils in Sperrichtung vorgespannt über einen wei-Zenerdiode und der zweiten Halbleiterdiode über io teren Vorwiderstand mit der anderen Klemme des einen Vorwiderstand mit der emitterseitigen Klemme Stromversorgungseinganges verbunden ist. Dadurch des Stromversorgungseinganges verbunden ist, und tritt an einer Stelle des Verstärkerausganges, die bedie Zenerdiode und die zweite Halbleiterdiode bezug- reits an die abgehende Leitung angepaßt ist, ein stulich der Klemmen der Versorgungsspannung in fenweiser Abbau der auftretenden Überlastenergie Sperrichtung gepolt sind, daß zwischen die beiden 15 unter Vermeidung von kapazitiven und nichtlinearen Klemmen des Stromversorgungseinganges eine Par- Beeinflussungen des Ausgangssignals im ungestörten allelschaltung einer Versorgungsspannungszenerdiode Betrieb auf.
und eines Parallelkondensators eingeschaltet ist, und An Stelle von Zenerdioden können auch andere
daß der eine mit der einen fernstromführenden Ader Spannungsbegrenzende Bauelemente, beispielsweise der Nachrichtenleitung verbundene Anschluß eines 20 Varistoren, verwendet werden, wechselstrommäßig parallel zum Verstärkereingang Um Schwingungserscheinungen im Überspannungsoder -ausgang geschalteten Gasspannungsableiters fall zwischen dem Gasspannungsableiter, der wechüber eine Reihenschaltung aus einer Stromversor- selstrommäßig parallel zum Verstärkerausgang angegungsdrossel und einem Reihenwiderstand mit der ordnet ist, oder einem weiteren Gasspannungsableieinen Klemme des Stromversorgungseinganges und 25 ter an dieser Stelle und der Antiparallelschaltung aus der andere Anschluß des Gasspannungsableiters mit den zwei weiteren Zenerdioden zu vermeiden, kann der anderen über eine weitere Stromversorgungsdros- im Leitungszug zwischen der Antiparallelschaltung sei mit der anderen fernstromführenden Ader der aus zwei weiteren Zenerdioden und dem wechsel-Nachrichtenleitung verbundenen Klemme des Strom- strommäßig parallel zum Verstärkerausgang geschalversorgungseinganges verbunden ist. 30 teten Gasspannungsableiter ein Dämpfungswider-
Durch die Schutzmaßnahmen nach der Erfindung stand eingeschaltet sein.
ergeben sich die Vorteile, daß der Stromversorgungs- Die Erfindung wird im folgenden an Hand des in
eingang, insbesondere die Stromversorgungszener- der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels diode, mit Hilfe des ohnehin zum Schutz des Eingan- näher erläutert.
ges oder Ausganges des Verstärkers notwendigen 35 In der Zeichnung ist ein fernstromversorgter, tran-Gasspannungsableiters geschützt ist, womit dann die sistorisierter Trägerfrequenzleitungsverstärker für gerade im Störungsfall so wichtige Gleichstromfehler- Koaxialleitungen dargestellt. Der positiv gerichtete ortung, bei der an Stelle des Fernspeisestromes ein Fernspeisestrom wird dem Verstärker über den Anumgekehrt gerichteter Meßgleichstrom eingespeist Schluß 1 des Innenleiters der ankommenden Koaxialwird, ungestört ermöglicht wird und immer sicher- 40 leitung zugeführt und fließt über die eingangsseitige gestellt ist, daß die erste Halbleiterdiode die Über- Stromversorgungsdrossel Ll zu der kollektorseitigen lastenenergie der derart gepolten Spannungsscheitel Klemme UK des Stromversorgungseinganges unmitam Kollektor der Endstufe, welche die Emitter-Basis- telbar am Verstärker. Der Verstärker besteht aus drei Strecke in Sperrichtung belasten würde, auf den in Emitter-Basis-Schaltung betriebenen, i?C-gekop-Stromversorgungseingang ableitet; dabei ist die die 45 pelten Transistoren Tl, T2 und T 3, die jeweils vom anders gepolten Spannungsscheitel begrenzende Rei- npn-Leitwerttyp sind, und deren Kollektoren jeweils henschaltung aus der zweiten Halbleiterdiode und der galvanisch mit der kollektorseitigen Klemme UK Zenerdiode so angeordnet, daß ebenso wie bei der des Stromversorgungseinganges verbunden sind. Die ersten Halbleiterdiode die Qualität des Ausgangs- kollektorseitige Klemme des Stromversorgungseinsignals im ungestörten Betrieb weder durch kapazi- 50 ganges weist folglich das positive Potential der Vertive noch durch nichtlineare Belastung beeinträch- sorgungsspannung auf. Die negatives Potential fühtigt wird. Dies ist, was insbesondere bei den zumeist rende emitterseitige Klemme UE des Stromversorbreitbandigen Leitungsverstärkern zur Nachrichten- gungeinganges ist einerseits über je einen Emitter-Weitverkehrsübertragung von großer Bedeutung ist. widerstand mit den Emittern der drei Transistoren
Vorteilhafterweise sind zur Vermeidung von un- 55 Tl, Γ 2 und T 3, andererseits über eine Reihenschalnötigen Spannungsabfällen in der Fernspeisungs- tung der ausgangsseitigen Stromversorgungsdrossel schleife in Gegenüberstellung zur Sicherheit des L 3 und des Reihenwiderstandes RS mit dem AnSchutzes der Versorgungsspannungszenerdiode Wi- Schluß 3 des Innenleiters der abgehenden Koaxialderstandswert und Belastbarkeit des Reihenwider- leitung verbunden, über die der Fernspeisestrom Standes danach bemessen, daß der Strom, der sich 60 weiterfließt.
aus der Differenz zwischen der Begrenzerspannung Die eingangsseitige Stromversorgungsdrossel Ll
des Gasspannungsableiters und der Zenerspannung bildet zusammen mit den Kondensatoren Cl und Cl der Stromversorgungszenerdiode durch Division mit die eingangsseitige Stromversorgungsweiche; die ausdem Widerstandswert des Reihenwiderstandes ergibt, gangsseitige Stromversorgungsdrossel L 3 bildet zukurzzeitig von der Stromversorgungszenerdiode und 65 sammen mit den Kondensatoren C 4 und C 5 die ausdem Reihenwiderstand aufgenommen werden kann. gangsseitige Stromversorgungsweiche.
In weiterer Ausgestaltung der Erfindung kann in Zwischen die beiden Klemmen UK und UE des
vorteilhafter Weise ein abgestufter Grobschutz am Stromversorgungseinganges ist eine Parallelschaltung
5 6
aus der Versorgungsspannungszenerdiode Z 2 und kann, mit der emitterseitigen Klemme UE des Strom-
dem Parallelkondensator C 3 eingeschaltet. Die Ver- Versorgungseinganges. Der andere Anschluß des vor-
sorgungsspannungszenerdiode Z 2 ist derart gepolt, genannten Gasspannungsableiters A 3 ist einerseits
daß sie die Versorgungsspannung auf sichere Werte über den Kondensator C 5 mit dem Anschluß 4 des
(20 V) im Normalfall begrenzt und bei Anwendung 5 Außenleiters der abgehenden Koaxialleitung anderer-
der Gleichstromfehlerortung, bei der an Stelle des seits mit dem anderen Anschluß der Sekundärseite
Fernspeisestromes ein umgekehrt gerichteter Meß- des Ausgangsübertragers Ü2 und der kollektorseiti-
gleichstrom eingespeist wird, niederohmig wird, so gen Klemme UK des Stromversorgungeinganges ver-
daß lediglich die Durchlaßknickspannung an ihr ab- bunden. Überströme in der Fernspeiseschleife werden
fällt. ίο dadurch anteilmäßig durch den Gasspannungsableiter
Parallel zu den Anschlüssen 1 und 2 der ankom- A3 an der Stromversorgungszenerdiode Z2 und dem menden Koaxialleitung liegt der äußere eingangssei- Stromversorgungseingang vorbeigeleitet, wie es der tige Gasspannungsableiter Al, parallel zu den An- Begrenzerspannung des Gasspannungsableiters entschlüssen 3 und 4 der abgehenden Koaxialleitung spricht. Der Reihenwiderstand R S bewirkt weiterhin, liegt der äußere ausgangsseitige Gasspannungsableiter 15 daß durch die Versorgungsspannungszenerdiode Z 2 A 4. Diese beiden äußeren Gasspannungsableiter A1 auch kurzzeitig kein höherer Strom fließen kann, als und A 4 weisen jeweils eine Ansprechspannung es der Differenz der Begrenzerspannung (90 V) des (600 V) auf, die größer als die maximal auftretende Gasspannungsableiters A 3 und der Zenerspannung Fernspeisespannung des Innenleiters gegen den (20 V) der Stromversorgungszenerdiode Z 2 dividiert Außenleiter der Koaxialverbindung ist. Die An- 20 durch den Widerstandswert (10 Ω) des Reihenwiderschlüsse 2 und 4 der Außenleiter der Koaxialleitun- Standes R 5 entspricht. Der sich aus den inklammeriergen sind miteinander verbunden. Den beiden äußeren ten Werten ergebende Strom von 7 A bleibt im inter-Gasspannungsableitern Al und A4 ist jeweils ein essierenden Zeitraum von 0,15 Sekunden innerhalb innerer Gasspannungsableiter A 2 bzw. A 3 wechsel- der zulässigen Belastbarkeit der Stromversorgungsstrommäßig parallel geschaltet, die jeweils die nied- 25 zenerdiode Z 2. Andererseits darf der Widerstandsrigstmögliche Ansprechspannung (90 V) aufweisen. wert des Reihenwiderstandes auch nicht zu groß ge-Durch die Hochpaßwirkung eines zur eingangs- bzw. wählt werden, da dies zu große Spannungsabfälle zur ausgangsseitigen Stromversorgungsweiche gehören- Folge hätte, die sich in der Fernspeiseschleife insgeden Kondensators Cl bzw. C 5 zwischen dem jeweils samt addieren würden.
äußeren und inneren Gasspannungsableiter ist er- 30 Der Kollektorstrom des dritten Transistors Γ3 ist reicht, daß bei steilen Uberspannungsflanken auf der mit dem einen Anschluß der Primärseite des Aus-Koaxialleitung zuerst der jeweils innere Gasspan- gangsübertragers Ü2 verbunden, dessen anderer Annungsableiter A 2 bzw. A 3 anspricht und sodann der Schluß über eine der Stabilität des Verstärkers diejeweils äußere Gasspannungsableiter A1 bzw. A 4 bei nende Parallelschaltung aus einem Widerstand R 6 breiteren Impulsen den Hauptenergienanteil der 35 und einer Paralleldrossel L2 mit der kollektorseiti-Überspannung aufzehrt. gen Klemme UK des Stromversorgungseinganges ver-
Bei Fremdbeeinflussungen der Fernmeldeleitung ist bunden ist. Die erste Halbleiterdiode D1 ist in Sperrnicht nur der Verstärkereingang und -ausgang ge- richtung gepolt zwischen die emitterseitige Klemme fährdet, sondern auch der Stromversorgungseingang UE der Versorgungsspannung und den Kollektor des des Transistor-Leitungsverstärkers. Durch Stark- 40 dritten Transistors T 3 eingeschaltet. Zwischen die Strombeeinflussung können für einen Zeitraum von kollektorseitige Klemme UK des Stromversorgungsetwa 0,15 Sekunden Ströme von etwa 100 A in der einganges und den Kollektor des dritten Transistors Fernspeiseschleife über die Innenleiter der Koaxial- Γ 3 ist eine Reihenschaltung aus der zweiten Halbverbindung induziert werden, die besonders die Ver- leiterdiode D 2 und einer mit ihrer Zenerrichtung sorgungsspannungszenerdiode Z 2 stark überlasten 45 gleich der Durchlaßrichtung der zweiten Halbleiterwürde und den Schutz des Stromversorgungseingan- diode D 2 gepolten Zenerdiode Zl eingeschaltet. Dages sowie die gerade im Störungsfall so wichtige bei ist die Zenerdiode Zl an den Kollektor des drit-Gleichstromfehlerortung in Frage stellen würde. ten Transistors Γ 3 und die zweite Halbleiterdiode
Der Gasspannungsableiter, der nach der Erfindung D 2 an die kollektorseitige Klemme UK des Stromsowohl wechselstrommäßig parallel zum Verstärker- 50 Versorgungseinganges angeschlossen. Der Verbineingang oder -ausgang als auch über eine Reihen- dungspunkt der zweiten Halbleiterdiode D 2 und der schaltung aus einer Stromversorgungsdrossel und Zenerdiode Zl ist über den Vorwiderstand R 4 mit einen Reihenwiderstand parallel zum Stromversor- der emitterseitigen Klemme UE des Stromversorgungseingang geschaltet ist, ist im vorliegenden Aus- gungseinganges verbunden, wobei die zweite HaIbführungsbeispiel der innere ausgangsseitige Gasspan- 55 leiterdiode D 2 und die Zenerdiode Zl derart gepolt nungsableiter A3 mit niedrigstmöglicher Ansprech- sind, daß sie durch die Versorgungsspannung in spannung (90 V). Der eine Anschluß des vorgenann- Sperrichtung vorgespannt sind,
ten Gasspannungsableiters A 3 ist einerseits mit dem Bei Auftreten von Überspannungen am Kollektor Anschluß 3 des fernstromführenden Innenleiters der des Endtransistors Γ 3 werden diejenigen Spannungsabgehenden Koaxialleitung und über eine Reihen- 60 scheitel, welche die Emitter-Basis-Strecke in Sperrschaltung aus einem Kondensator C 4 und einem richtung belasten würden — das sind im vorliegen-Dämpfungswiderstand R 8 mit dem einen Anschluß den Fall die negativen Spannungsscheitel am Kollekder Sekundärseite des Ausgangsübertragers Ü2 ver- tor — durch die erste Halbleiterdiode Dl begrenzt, bunden, andererseits über eine Reihenschaltung aus Da die Vorspannung der ersten Halbleiterdiode Dl der ausgangsseitigen Stromversorgungsdrossel L 3 65 gleitend ist, denn es ist die Versorgungsspannung an und dem Reihenwiderstand jR5, der unter Verwen- den Klemmen UK-UE, werden die vorgenannten dung von Widerstandsdraht mit der Stromversor- Spannungsscheitel bei Ausfall der Fernspeisung auf gungsdrossel L3 zu einer Baueinheit vereinigt sein sehr kleine Werte begrenzt. Das ist von großem Vor-
teil, weil dann trotz der Durchschaltewirkung der Kollektor-Basis-Strecken der Transistoren Tl, Tl und Γ3 im Fall fehlender Versorgungsspannung die Emitter-Basis-Strecken des Endtransistors und der vorhergehenden Transistoren nicht mehr gefährdet werden können. Die Spannungsscheitel der anderen Polarität werden von der zweiten Halbleiterdiode D 2 auf Werte begrenzt, die der Zenerspannung der Zenerdiode Zl gleich sind. Durch die Vorspannung der ersten und zweiten Halbleiterdiode Dl und D 2 im to letzteren Fall über den Vorwiderstand R 4 wird auf der hochohmigen Primärseite des Ausgangsübertragers der erforderliche Klirrabstand erzielt.
Parallel zur niederohmigen an die abgehende Koaxialleitung angepaßte Sekundärseite des Ausgangs-Übertragers Ü2 liegt eine Antiserienschaltung zweier weiterer Zenerdioden Z 2 und Z 3, die in Sperrichtung vorgespannt an ihrem Verbindungspunkt über einen weiteren Vorwiderstand Rl mit dem emitterseitigen Pol der Versorgungsspannung verbunden sind. Die Vorspannung der zwei weiteren Zenerdioden Z 3 und ZA bewirkt, daß die an dieser Stelle benötigte Verzerrungsfreiheit erreicht wird. Der Dämpfungswiderstand R8 dämpft Schwingungen, die im Überspannungsfall zwischen den ausgangsseitigen Gasspannungsleitern A3 und AA der Antiserienschaltung aus den zwei weiteren Zenerdioden Z 3 und ZA auftreten wurden.
Der eine Anschluß der Primärseite des Eingangsübertragers Ül ist über den Kondensator C 2 mit dem Anschluß 1 des Innenleiters der ankommenden Koaxialleitung verbunden. Der andere Anschluß dieser Primärseite ist einerseits mit der kollektorseitigen Klemme UK des Stromversorgungseinganges, andererseits über den Kondensator Cl mit dem An-Schluß 2 des Außenleiters der ankommenden Koaxialleitung verbunden. Der eine Anschluß der Sekundärseite des Eingangsübertragers Ül ist mit der Basis des ersten Transistors Tl, der andere Anschluß über einen Widerstand Rl mit dem Verbindungspunkt zweier Spannungsteilerwiderstände R2 und R3 verbunden, die zwischen den beiden Klemmen UK und UE des Stromversorgungseinganges eingeschaltet sind. Mit dem genannten Verbindungspunkt ist die Basis des zweiten und dritten Tran- sistors Γ2 bzw. Γ3 über je einen Basiswiderstand und die Basis des ersten Transistors Tl über eine Antiparallelschaltung zweier weiterer Halbleiterdioden D 3 und D 4 verbunden. Der Widerstand R1 bildet zusammen mit den weiteren Halbleiterdioden D3 und DA eine Schutzschaltung für den Eingang des Verstärkers.
An den Anschlüssen 1, 2 der ankommenden Koaxialleitung auftretende Überspannungen werden stufenweise in den eingangsseitigen Gasspannungsableitern A1 und A 2 und nach Passieren des Eingangsübertragers Ül und des Widerstandes 221 in den antiparallel geschalteten weiteren Halbleiterdioden D 3 und D 4 auf unschädliche Werte vermindert.
60

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Transistor-Leitungsverstärker zur Nachrichten-Weitverkehrsübertragung, der über die Nachrichtenleitung fernstromversorgt ist und Schutzeinrichtungen gegen Überspannungen auf der Nachrichtenleitung unter Verwendung von Halbleiterbegrenzereinrichtungen und Gasspannungsableitern aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß der eine Anschluß einer ersten Halbleiterdiode (Dl) mit dem kollektorseitigen Anschluß der Primärseite einer der Endstufe des Transistorverstärkers Kollektorstrom zuführenden Ausgangsübertragungseinrichtung verbunden ist, und der andere Anschluß der in Sperrichtung gepolten ersten Halbleiterdiode (Dl) mit der emitterseitigen Klemme (!7E) des Stromversorgungseinganges verbunden ist, und eine Reihenschaltung einer Zenerdiode (Zl) und einer mit ihrer Durchlaßrichtung gleich der Zenerrichtung der Zenerdiode gepolten zweiten Halbleiterdiode (D 2) derart parallel zur Primärseite der Ausgangsübertragungseinrichtung geschaltet ist, daß die Zenerdiode (Zl) an den kollektorseitigen Anschluß, die zweite Halbleiterdiode (D 2) an den mit der kollektorseitigen Klemme (UK) des Stromversorgungseinganges verbundenen Anschluß der Primärseite der Ausgangsübertragungseinrichtung angeschlossen ist, der Verbindungspunkt der Zenerdiode (Zl) und der zweiten Halbleiterdiode (D 2) über einen Vorwiderstand (R4) mit der emitterseitigen Klemme (UE) des Stromversorgungseinganges verbunden ist, und die Zenerdiode (Zl) und die zweite Halbleiterdiode (D 2) bezüglich der Klemmen der Versorgungsspannung in Sperrichtung gepolt sind, daß zwischen die beiden Klemmen (UE und UK) des Stromversorgungseinganges eine Parallelschaltung einer Versorgungsspannungszenerdiode (Z 2) und eines Parallelkondensators (C 3) eingeschaltet ist, und daß der eine mit der einen fernstromführenden Ader (3) der Nachrichtenleitung verbundene Anschluß eines wechselstrommäßig parallel zum Verstärkereingang oder -ausgang geschalteten Gasspannungsableiters (A3) über eine Reihenschaltung aus einer Stromversorgungsdrossel (L 3) und einem Reihenwiderstand (R 5) mit der einen Klemme (JTE) des Stromversorgungseinganges und der andere Anschluß des Gasspannungsableiters (A 3) mit der anderen Klemme (UK) und über eine weitere Stromversorgungsdrossel (Ll) mit der anderen fernstromführenden Ader (1) der Nachrichtenleitung verbunden ist.
2. Transistor-Leitungsverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Widerstandswert und Belastbarkeit des Reihenwiderstandes (RS) danach bemessen sind, daß der Strom, der sich aus der Differenz zwischen der Begrenzerspannung des Gasspannungsableiters (A3) und der Zenerspannung der Stromversorgungszenerdiode (Z 2) durch Division mit dem Widerstandswert des Reihenwiderstandes (R 5) ergibt, kurzzeitig von der Stromversorgungszenerdiode (Z 2) und dem Reihenwiderstand (RS) aufgenommen werden kann.
3. Transistor-Leitungsverstärker nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine Antiserienschaltung aus zwei weiteren Zenerdioden (Z 3 und Z 4) zwischen die beiden, galvanisch mit der einen Klemme (UK) des Stromversorgungseinganges verbundenen Anschlüsse der Sekundärseite der Ausgangsübertragungseinrichtung eingeschaltet ist, und daß der Verbindungspunkt der weiteren Zenerdioden (Z 3 und Z 4) jeweils in Sperrichtung vorgespannt über einen wei-
teren Vorwiderstand (R 7) mit der anderen Klemme (UE) des Stromversorgungseinganges verbunden ist.
4. Transistor-Leitungsverstärker nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Gasspannungsableiter oder ein weiterer Gasspannungsableiter wechselstrommäßig parallel zum
10
Verstärkerausgang geschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, daß im Leitungszug zwischen der Antiparallelschaltung aus zwei weiteren Zenerdioden (Z 3, Z 4) und dem wechselstrommäßig parallel zum Verstärkerausgang geschalteten Gasspannungsableiter (A3) ein Dämpfungswiderstand (RS) eingeschaltet ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
DE1966S0107684 1966-12-30 1966-12-30 Transistor-Leitungsverstaerker mit UEberspannungsschutz Pending DE1276742B (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1966S0107684 DE1276742B (de) 1966-12-30 1966-12-30 Transistor-Leitungsverstaerker mit UEberspannungsschutz
NL6717321A NL149345B (nl) 1966-12-30 1967-12-19 Voor voeding via de transmissielijn ingerichte, met transistoren uitgeruste en tegen overspanningen beveiligde lijnversterker.
JP8358767A JPS4923043B1 (de) 1966-12-30 1967-12-26
GB5883767A GB1164720A (en) 1966-12-30 1967-12-28 Improvements in or relating to Transistor Line Amplifiers with Voltage Overload Protection
SE1803367A SE346885B (de) 1966-12-30 1967-12-29

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1966S0107684 DE1276742B (de) 1966-12-30 1966-12-30 Transistor-Leitungsverstaerker mit UEberspannungsschutz

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1276742B true DE1276742B (de) 1968-09-05

Family

ID=7528302

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1966S0107684 Pending DE1276742B (de) 1966-12-30 1966-12-30 Transistor-Leitungsverstaerker mit UEberspannungsschutz

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPS4923043B1 (de)
DE (1) DE1276742B (de)
GB (1) GB1164720A (de)
NL (1) NL149345B (de)
SE (1) SE346885B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2843919A1 (de) * 1978-10-09 1980-04-24 Siemens Ag Leitungsverstaerker mit einer schaltungsanordnung zum eingangs- und ausgangsseitigen ueberspannungsgrobschutz

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50103516U (de) * 1974-01-30 1975-08-26

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2843919A1 (de) * 1978-10-09 1980-04-24 Siemens Ag Leitungsverstaerker mit einer schaltungsanordnung zum eingangs- und ausgangsseitigen ueberspannungsgrobschutz

Also Published As

Publication number Publication date
NL6717321A (de) 1968-07-01
SE346885B (de) 1972-07-17
JPS4923043B1 (de) 1974-06-13
GB1164720A (en) 1969-09-17
NL149345B (nl) 1976-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2100368B1 (de) Halbleiterschutzelemente zur beherrschung von dc-seitigen kurzschlüssen bei spannungszwischenkreisumrichtern
DE69530131T2 (de) Schutzanordnung für eine aktive Fernsprechsleitungsschnittstellenschaltung
DE1936278A1 (de) Schaltung zum Schutz vor UEberspannung
DE69410929T2 (de) Überspannungsschutzschaltung
DE4402461A1 (de) Schutzschaltung für eine Teilnehmeranschlußschaltung sowie Teilnehmeranschlußschaltung damit
DE3537920C2 (de) Stabilisator mit Schutz gegen Übergangs-Überspannungen, deren Polarität entgegengesetzt zur Polarität des Generators ist, insbesondere für die Verwendung in Kraftfahrzeugen
DE3230250C2 (de) Teilnehmerschaltung für den Anschluß einer zweiadrigen Teilnehmerleitung an eine Fernmelde-, insbesondere Fernsprechanlage
DE2019937B2 (de) Einrichtung zum schutz von in explosionsgefaehrdeten raeumen befindlichen verbrauchern und/oder messwertgebern
DE69218602T2 (de) Schutzeinrichtung für schaltung
DE102017003272A1 (de) Eingangsüberspannungsschutzschaltung
DE3215551A1 (de) Schaltungsanordnung fuer den ueberspannungsschutz von schnittstellenschaltungen
DE1276742B (de) Transistor-Leitungsverstaerker mit UEberspannungsschutz
DE3542765C3 (de) Versorgungsschaltung
DE68920558T2 (de) Fernsprechschutzschaltung.
EP0349750A1 (de) Ausgleichs- und Überspannungsschutzschaltung für elektronische Geräte
DE1193594B (de) UEberspannungsschutz
DE2011303A1 (de) Schutzschaltung für einen Eingangskreis eines Feldeffekt-Transistors
DE2843213C2 (de) Schaltungsanordnung zur Spannungsbegrenzung
DE10314514A1 (de) Leistungsvorrichtungssteuerschaltung
DE2320075A1 (de) Schutzschaltung fuer elektronische geraete und bauelemente
DE1168962B (de) Schaltungsanordnung zur Vermeidung einer UEberlastung eines Schalttransistors
DE1487401B2 (de) Trägerfrequenzverstärker mit Blitzschutz
DE3621523A1 (de) Vorrichtung und verfahren zum schutz gegen spannungs/strom-stoesse
DE1289171B (de) Mit Halbleiterelementen bestueckte Schaltungsanordnung zur Begrenzung einer Gleich- oder Wechselspannung
DE102020130784A1 (de) Bordnetz, insbesondere für ein Elektrofahrzeug, mit zwei Teilbordnetzen und einer dazwischen angeordneten Schutzvorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977