DE1273954B - Process for the galvanic coating of p-conducting germanium with antimony, lead or alloys of these metals - Google Patents

Process for the galvanic coating of p-conducting germanium with antimony, lead or alloys of these metals

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DE1273954B
DE1273954B DEN24534A DEN0024534A DE1273954B DE 1273954 B DE1273954 B DE 1273954B DE N24534 A DEN24534 A DE N24534A DE N0024534 A DEN0024534 A DE N0024534A DE 1273954 B DE1273954 B DE 1273954B
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lead
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germanium
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Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLANDFEDERAL REPUBLIC OF GERMANY

DEUTSCHESGERMAN

PATENTAMTPATENT OFFICE

AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL

Int. CL: Int. CL:

C23bC23b

Deutsche Kl.: 48 a - 5/50 German class: 48 a - 5/50

Nummer: 1273 954Number: 1273 954

Aktenzeichen: P 12 73 954.7-45 (N 24534)File number: P 12 73 954.7-45 (N 24534)

Anmeldetag: 29. Februar 1964 Filing date: February 29, 1964

Auslegetag: 25. Juli 1968Opening day: July 25, 1968

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum galvanischen Überziehen von p-leitendem Germanium mit Antimon, Blei oder Legierungen dieser Metalle unter Verwendung einer Antimonzwischenschicht.The invention relates to a method for electroplating p-type germanium with antimony, lead or alloys of these metals using an antimony intermediate layer.

Es sind verschiedene Verfahren zum galvanischen Überziehen von elektrisch leitendem Material mit Antimon, Blei oder Legierungen dieser Metalle bekannt. Insbesondere ist es bekannt, Germanium galvanisch mit zwei Schichten von Antimon zu überziehen, wobei die erste Antimonschicht aus einem wäßrigen, Natriumzitrat, Zitronensäure und Kaliumantimontartrat enthaltenden Bad niedergeschlagen wird (USA.-Patentschrift 2 817 629).There are various methods of electroplating electrically conductive material with Antimony, lead or alloys of these metals are known. In particular, it is known to galvanize germanium to be coated with two layers of antimony, the first layer of antimony being made of one aqueous bath containing sodium citrate, citric acid and potassium antimony tartrate (U.S. Patent 2,817,629).

Es hat sich jedoch gezeigt, daß es mit den bekannten Verfahren nicht möglich ist, p-leitendes Germanium genügend gleichmäßig mit Antimon, Blei oder einer Legierung dieser beiden Metalle zu bedecken, wie dies zum Anbringen sehr kleiner niederohmiger Kontakte auf Germaniumtransistoren erforderlich ist. Die Oberfläche von p-leitendem Germanium wird in der Regel nur mangelhaft mit dem Metall bedeckt.However, it has been shown that it is with the known Method is not possible, p-type germanium sufficiently evenly with antimony, lead or an alloy of these two metals to cover, as this is for attaching very small low resistance Contacts on germanium transistors is required. The surface of p-type germanium is usually only insufficiently covered with the metal.

Verschiedene chemische und elektrochemische Vorbehandlungen des p-leitenden Germaniums, wie chemisches Ätzen mittels eines fluoridhaltigen Bades, anodisches Beizen in einer Kalilaugenlösung, während kurzer Zeit anodisches Schalten im Bleibad, aus dem darauf kathodisch Blei niedergeschlagen wird, wurden erfolglos erprobt. Auch Elektrolyse bei erhöhter Temperatur gab nicht das gewünschte Ergebnis.Various chemical and electrochemical pretreatments of the p-type germanium, such as chemical Etching using a fluoride bath, anodic pickling in a potassium hydroxide solution, while a short time anodic switching in the lead bath, from which lead is cathodically deposited on it tried unsuccessfully. Electrolysis at elevated temperatures also did not give the desired result.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, mit dem eine völlige Bedeckung von p-leitendem Gemanium mit den genannten Metallen möglich ist. Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die Antimonzwischenschicht mit einer Dicke von etwa 0,1 bis 1 μ bei einem dem Sättigungsstrom entsprechenden Kathodenpotential ohne Gasentwicklung abgeschieden wird.The invention is based on the object of specifying a method with which a complete covering of p-conducting Gemanium with the metals mentioned is possible. This object is achieved in that the antimony intermediate layer has a thickness from about 0.1 to 1 μ at a cathode potential corresponding to the saturation current without gas evolution is deposited.

Vorzugsweise wird auf die Antimonzwischenschicht aus dem gleichen Bad eine zweite Antimonzwischenschicht aus grauem Antimon bei einem um 200 bis 35OmV erhöhten Kathodenpotential aufgebracht. A second antimony intermediate layer is preferably applied to the antimony intermediate layer from the same bath made of gray antimony at a cathode potential increased by 200 to 35OmV.

Als Bad wird vorzugsweise eine wäßrige Lösung von 15 bis 19 g/l Kaliumantimonyltartrat, 15 bis 52 g/l Zitronensäure und 37,5 bis 195 g/l Natriumzitrat mit einem pH-Wert von über 6 verwendet.The bath is preferably an aqueous solution of 15 to 19 g / l potassium antimonyl tartrate, 15 to 52 g / l citric acid and 37.5 to 195 g / l sodium citrate with a pH above 6 are used.

Um Antimon in kompakter grauer Form galvanisch niederzuschlagen, war es bekannt, daß zu diesem Zweck ein bestimmter kritischer Wert der Stromdichte nicht überschritten werden darf, da sonst Antimon in schwarzer Form mit mehr oder weniger Verfahren zum galvanischen ÜberziehenIn order to galvanically deposit antimony in a compact gray form, it was known that to this Purpose a certain critical value of the current density must not be exceeded, otherwise Black antimony with more or less electroplating processes

von p-leitendem Germanium mit Antimon, Blei oder Legierungen dieser Metalleof p-type germanium with antimony, lead or alloys of these metals

Anmelder:Applicant:

N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,

Eindhoven (Niederlande)Eindhoven (Netherlands)

Vertreter:Representative:

Dipl.-Ing. E. E. Walther, Patentanwalt,Dipl.-Ing. E. E. Walther, patent attorney,

2000 Hamburg 1, Mönckebergstr. 72000 Hamburg 1, Mönckebergstr. 7th

Als Erfinder benannt:
Clara Henderina de Minjer,
Emmasingel, Eindhoven (Niederlande)
Named as inventor:
Clara Henderina de Minjer,
Emmasingel, Eindhoven (Netherlands)

Beanspruchte Priorität:Claimed priority:

Niederlande vom 5. März 1963 (289 818)Netherlands 5 March 1963 (289 818)

poröser Struktur entsteht. Beim Zustandekommen der Erfindung hat sich ergeben, daß gerade bei hohen Stromdichten das p-leitende Germanium völlig mit diesem schwarzen Antimon bedeckt wird.porous structure is created. When the invention came about, it was found that just at high current densities, the p-type germanium is completely covered with this black antimony.

Es hat sich gezeigt, daß die Stromdichte (z) als Funktion des Kathodenpotentials (E) eine Form hat, wie diese in der Zeichnung dargestellt worden ist. Dieser Verlauf gilt für ein Antimonbad der Zusammensetzung It has been found that the current density (z) as a function of the cathode potential (E) has a form as shown in the drawing. This course applies to an antimony bath of the composition

16 g Kaliumantimonyltartrat,
82 g Natriumzitrat und
25 g Zitronensäure
16 g potassium antimonyl tartrate,
82 g sodium citrate and
25 g citric acid

pro Liter Lösung in Wasser und einen pH-Wert von etwa 5,8.per liter of solution in water and a pH of about 5.8.

Die angegebene EMK ist gegenüber einer Normalwasserstoffelektrode gemessen. Wenn sich das Potential vom weniger negativen zum stärker negativen bewegt, beginnt sich bei etwa — 600 mV hellgraues Antimon abzuscheiden. Bei weiterer Herab-Setzung des Kathodenpotentials bis zu etwa — 850 mV, wobei die Sättigungsstromdichte von etwa 0,28 A/dm2 erreicht wird, beginnt sich schwarzes Antimon ab-The specified EMF is measured against a standard hydrogen electrode. When the potential moves from the less negative to the more negative, light gray antimony begins to deposit at around - 600 mV. If the cathode potential is further reduced to about -850 mV, whereby the saturation current density of about 0.28 A / dm 2 is reached, black antimony begins to form.

809 587/463809 587/463

Claims (1)

3 43 4 zuscheiden. Wird das Potential noch weiter herab- abgelesen und der Strom derart gesteuert werden,to part. If the potential is read even further and the current is controlled in such a way, gesetzt bis unter etwa — 950 mV, so beginnt außer daß dieses Potential den gewünschten Wert hat.set to below about -950 mV, so begins except that this potential has the desired value. der Abscheidung von schwarzem Antimon Gas- Die Erfindung wird jetzt an Hand eines Ausfüh-the deposition of black antimony gas The invention is now based on an execution entwicklung aufzutreten. Der Punkt, bei dem diese rungsbeispiels näher erläutert.development to occur. The point at which this approximately example explained in more detail. Gasentwicklung auftritt, ist vom pH-Wert des Elek- 5 Germaniumstreifen mit Abmessungen vonGas evolution occurs is dependent on the pH of the elec- 5 Germanium strips with dimensions of trolyten abhängig. Bei niedrigen pH-Werten, nämlich 20-2-0,25 mm, die p-leitend waren durch Dotierentrolyte dependent. At low pH values, namely 20-2-0.25 mm, the p-type conductivity was due to doping bei einem pH-Wert <C6, trat die Gasentwicklung mittels Indium in einer Menge von 3,5 · 1015 Atomenat a pH <C6, gas was evolved by means of indium in an amount of 3.5 · 10 15 atoms bereits über — 950 mV auf. Vorzugsweise wird pro Kubikzentimeter mit einem spezifischen Wider-already over - 950 mV. It is preferable to use a specific resistance per cubic centimeter daher bei pH-Werten über 6 gearbeitet, da sonst die stand von etwa 1 Ohm-cm, wurden in der [Hl]-therefore worked at pH values above 6, otherwise the stand of about 1 ohm-cm, were in the [Hl] - Spanne im Potential zwischen Sättigungsstrom und io Richtung aus einem Einkristall gesägt, mit Karbo-Span in potential between saturation current and io direction sawn from a single crystal, with carbon Auftreten der Gasentwicklung klein ist. rundumpulver geläppt und darauf 15 Sekunden inOccurrence of gas evolution is small. lapped all-round powder and then 15 seconds in Es hat sich überraschenderweise gezeigt, daß mit einem Gemisch aus
dem sogenannten schwarzen Antimon eine völlige
It has surprisingly been found that with a mixture of
the so-called black antimony a complete one
Bedeckung der Oberfläche aus p-leitendem Genna- 5 ml HNO3 (d = 1,4),The surface is covered with p-type Genna- 5 ml HNO 3 (d = 1.4), nium möglich ist. Obwohl dieser Niederschlag eine 15 10 ml HF 50% undnium is possible. Although this precipitate is a 15 10 ml HF 50% and einigermaßen poröse Struktur aufweist, hat es sich 5 ml Äthanol gebeizt,
gezeigt, daß eine hierauf niedergeschlagene Schicht
has a somewhat porous structure, it has stained 5 ml of ethanol,
shown that a layer deposited on it
aus Antimon, Blei oder einer Legierung von Antimon Auf einer der Seiten der Streifen wurde elektro-made of antimony, lead or an alloy of antimony On one of the sides of the strips, electrical und Blei hervorragend haftet und sie völlig bedeckt. lytisch eine dünne Indiumschicht abgeschieden undand lead adheres excellently and completely covers them. lytically deposited a thin indium layer and Dieses schwarze Antimon wird als eine sehr dünne ao mit Silberlot ein Kupferdraht angebracht.This black antimony is attached to a copper wire as a very thin ao with silver solder. Haut mit einer Dicke von etwa 0,1 bis 1 μ angebracht. Die Seite des Streifens, an der der KupferdrahtSkin attached with a thickness of about 0.1 to 1 μ. The side of the strip where the copper wire Wenn die Schicht mit einer größeren Dicke ange- befestigt war, und der Kupferdraht selbst wurden mitWhen the layer was attached to a greater thickness, and the copper wire itself were with bracht wurde, so zeigte sich, daß die poröse Struktur einer Nitrocelluloselackschicht bedeckt,was brought, it was found that the porous structure covered a nitrocellulose lacquer layer, trotzdem keine Schwierigkeiten bereitet, was die Die Streifen wurden in einen wäßrigen ElektrolytenNevertheless, there was no problem with what the The strips were in an aqueous electrolyte völlige Bedeckung durch die darauffolgend nieder- 25 eingebracht, der pro Liter
geschlagene Schicht betrifft.
complete coverage by the subsequently deposited, the per liter
beaten layer concerns.
Wenn man auf p-leitendem Germanium eine 16 g Kaliumantimonyltartrat,If you put 16 g of potassium antimonyl tartrate on p-type germanium, Antimonschicht abscheiden will, so kann man dies, 82 g Natriumzitrat undIf you want to deposit an antimony layer, you can add 82 g of sodium citrate and nachdem die dünne Schicht aus schwarzem Antimon 25 g Zitronensäure
abgeschieden ist, mittels jedes an sich bekannten 30
after the thin layer of black antimony 25 g of citric acid
is deposited, by means of any 30 known per se
Elektrolyten durchführen. Man kann auch den zum enthielt und auf einen pH-Wert von 6,5 eingestelltPerform electrolytes. You can also use the contained and adjusted to a pH of 6.5 Anbringen der dünnen Schicht aus schwarzem war.Attaching the thin layer of black was. Antimon verwendeten Elektrolyten zu diesem Zweck Als Anode wurde ein Platinstreifen verwendet. DasAntimony used electrolytes for this purpose. A strip of platinum was used as the anode. That wählen und muß dann, nachdem die dünne Schicht Potential wurde durch eine Haber-Luggin-Kapillarechoose and then after the thin layer potential has been through a Haber-Luggin capillary niedergeschlagen ist, das Kathodenpotential um etwa 35 und eine gesättigte Kalomelektrode mittels einesis deposited, the cathode potential by about 35 and a saturated calom electrode by means of a 200 bis 350 mV erhöhen. Zum Abscheiden dickerer Potentiostats eingestellt. Die Elektrolyse wurde beiIncrease 200 to 350 mV. Set to deposit thicker potentiostats. The electrolysis was at Antimonschichten ist dieses Bad jedoch weniger 20° C durchgeführt,Antimony layers, this bath is carried out less than 20 ° C, geeignet. Das Potential wurde auf — 850 mV (gegenübersuitable. The potential was reduced to - 850 mV (opposite Muß auf dem mit der dünnen schwarzen Antimon- einer gesättigten Kalomelektrode) eingeschaltet, dann schicht versehenen p-leitenden Germanium Blei oder 40 schnell auf — 1100 mV gebracht, während einer eine Legierung aus Blei und Antimon abgelagert Minute auf diesem Wert gehalten, dann zurückwerden, so empfiehlt es sich, vorher aus dem gleichen geschaltet auf — 850 mV und auch 1 Minute auf die-Elektrolyten noch eine dünne Schicht aus grauem sem Wert, gehalten. Die Streifen wurden aus dem Antimon, ebenfalls durch Erhöhen des Kathoden- Bad entfernt, gespült und dann wurde ein Teil elekpotentials um 200 bis 350 mV, abzuscheiden. 45 trolytisch mit Blei und der Rest mit einer LegierungMust be turned on, then on the one with the thin black antimony (a saturated calom electrode) layered p-type germanium lead or 40 quickly brought to -1100 mV, during a an alloy of lead and antimony deposited minute held at this value, then returned, so it is advisable to previously switched from the same to - 850 mV and also 1 minute on the electrolyte another thin layer of gray sem value, held. The strips were from the Antimony, also removed by increasing the cathode bath, rinsed and then a part of the electrical potential around 200 to 350 mV, to be deposited. 45 trolytically with lead and the rest with an alloy Wenn das Potential mittels einer potentiostatischen aus Blei und Antimon überzogen.When the potential is coated by means of a potentiostatic made of lead and antimony. Anordnung angelegt wird, so muß verhütet werden, Das Bleibad hatte die folgende ZusammensetzungIf an arrangement is made, it must be prevented. The lead bath had the following composition daß an der Kathode ein großer Spannungsabfall auf- pro Liter Lösung in Wasser:that at the cathode there is a large voltage drop per liter of solution in water: tritt. In diesem Fall muß besonders darauf geachtet *ηη Ώ1 » , -m .Λ u t occurs. In this case special attention must be paid to * ηη Ώ1 », -m. Λ u t werden, daß die Verbindung des Germaniums mit 50 100 g Blei als Bleifluoborat,be that the connection of germanium with 50 100 g lead as lead fluorate, dem Stromzuführungsdraht einen möglichst niedrigen 80 g Fluoborsäure,the power supply wire as low as 80 g fluoroboric acid, Übergangswiderstand aufweist. Wenn dies nicht der 25 g Borsäure undHas transition resistance. If this is not the 25 g boric acid and Fall ist, so kann zwischen dem Stromzuführungsdraht .. 0,5 g Gelatine,
und dem Germanium ein Potentialunterschied von
Case, then between the power supply wire .. 0.5 g gelatin,
and the germanium a potential difference of
sogar 1V auftreten, wodurch der erforderliche Wert 55 Das Legierungsbad enthielt außer den oben-even 1V occur, whereby the required value 55 The alloy bath contained, in addition to the above des Kathodenpotentials zum Abscheiden schwarzen genannten Stoffen pro Liter Lösung 3 g Antimon alsof the cathode potential for the deposition of black substances mentioned per liter of solution 3 g of antimony as Antimons nicht erreicht wird. Dies kann auf an sich Antimonfluoborat oder als Sb2O3 und 72 g Weinsäure,Antimony is not reached. This can be based on antimony fluorate or as Sb 2 O 3 and 72 g of tartaric acid, bekannte Weise vermieden werden, z. B. durch ort- Die Anoden waren aus Blei. Die kathodischeknown ways are avoided, e.g. B. by place- The anodes were made of lead. The cathodic liehe Ablagerung einer dünnen Indiumschicht auf Stromdichte betrug 4 A/dm2. Die BadtemperaturThe deposition of a thin indium layer on current density was 4 A / dm 2 . The bath temperature dem durch Scheuern gereinigten Germanium und 60 wurde auf 20° C gehalten. Der Legierungsnieder-the scrub-cleaned germanium and 60 were kept at 20 ° C. The alloy low Anordnung eines Kupferdrahtes mit Silberlot auf schlag enthielt etwa 3 Vo Sb.Arrangement of a copper wire with silver solder on impact contained about 3 Vo Sb. dieser Schicht. Statt Indium kann man zu diesem Alle erhaltenen Niederschläge überzogen die ganzethis layer. Instead of indium one can get to this all precipitates coated the whole Zweck auch eine dünne Schicht eines anderen Metalls, nicht durch den Nitrocelluloselack bedeckte Ober-Use a thin layer of another metal, not covered by the nitrocellulose lacquer. z. B. Kupfer, auf dem Germanium niederschlagen. fläche der p-leitenden Germaniumstreifen.z. B. copper, precipitate on the germanium. area of the p-conducting germanium strips. Wenn kein Potentiostat verwendet wird, so ist es 65 .If no potentiostat is used, it is 65. nicht erforderlich, sehr niederohmige Kontakte an- l'atentansprucne:not required, very low-resistance contacts an- l'atentansprucne: zubringen. Mittels eines zweiten Kontaktes und eines 1. Verfahren zum galvanischen Überziehen vonbring to. By means of a second contact and a first method for galvanic coating of hochohmigen Spannungsmessers kann das Potential p-leitendem Germanium mit Antimon, Blei oderHigh-resistance voltmeter can measure the potential of p-conducting germanium with antimony, lead or Legierungen dieser Metalle unter Verwendung einer Antimonzwischenschicht, dadurch gekennzeichnet, daß die Antimonzwischenschicht mit einer Dicke von etwa 0,1 bis 1μ bei einem dem Sättigungsstrom entsprechenden Kathodenpotential ohne Gasentwicklung abgeschieden wird.Alloys of these metals using an antimony intermediate layer, characterized in that that the antimony intermediate layer with a thickness of about 0.1 to 1μ at deposited at a cathode potential corresponding to the saturation current without evolution of gas will. 2. Verfahren zum galvanischen Überziehen von p-leitendem Germanium mit Blei oder einer Blei-Antimon-Legierung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Antimonzwischenschicht aus dem gleichen Bad eine zweite Antimonzwischenschicht aus grauem Antimon bei einem um 200 bis 350 mV erhöhten Kathodenpotential aufgebracht wird.2. Process for the galvanic coating of p-conducting germanium with lead or a lead-antimony alloy according to claim 1, characterized in that a second antimony intermediate layer from the same bath is applied to the antimony intermediate layer from gray antimony is applied at a cathode potential increased by 200 to 350 mV. 3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein wäßriges 15 bis 19 g/l Kaliumantimonyltartrat, 15 bis 52 g/l Zitronensäure und 37,5 bis 195 g/l Natriumzitrat enthaltendes Bad verwendet und bei einem pH-Wert von über 6 gearbeitet wird.3. The method according to claim 1 and 2, characterized in that an aqueous 15 to 19 g / l Containing potassium antimonyl tartrate, 15 to 52 g / l citric acid and 37.5 to 195 g / l sodium citrate Bath is used and is operated at a pH above 6. In Betracht gezogene Druckschriften:
USA.-Patentschriften Nr. 2817629, 2753 299.
Considered publications:
U.S. Patent Nos. 2817629, 2753 299.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings 809 587/463 7.68 © Bundesdruckerei Berlin809 587/463 7.68 © Bundesdruckerei Berlin
DEN24534A 1963-03-05 1964-02-29 Process for the galvanic coating of p-conducting germanium with antimony, lead or alloys of these metals Pending DE1273954B (en)

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NL289818 1963-03-05

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2709385A1 (en) * 1977-03-04 1978-09-07 Heinrich Prof Dr Ing Gobrecht ELECTROLYTIC DEPOSITORY CELL
SE434895B (en) * 1979-02-21 1984-08-20 Mo Inzh Fizichesky I MERCURY SWITCH AND PROCEDURE FOR MANUFACTURING THE SAME
CN101235526B (en) * 2007-11-01 2010-08-18 华侨大学 Plating liquor for electroplating low-antimony-lead alloy and preparation method thereof

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2753299A (en) * 1953-04-23 1956-07-03 Bell Telephone Labor Inc Electroplating with antimony
US2817629A (en) * 1953-10-23 1957-12-24 Gen Motors Corp Antimony plating bath

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA608181A (en) * 1960-11-08 F. Smart Clarence Antimony plating bath
BE506280A (en) * 1950-10-10

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2753299A (en) * 1953-04-23 1956-07-03 Bell Telephone Labor Inc Electroplating with antimony
US2817629A (en) * 1953-10-23 1957-12-24 Gen Motors Corp Antimony plating bath

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