DE1273697B - Method for contacting a semiconductor component - Google Patents

Method for contacting a semiconductor component

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DE1273697B
DE1273697B DE1963T0026371 DET0026371A DE1273697B DE 1273697 B DE1273697 B DE 1273697B DE 1963T0026371 DE1963T0026371 DE 1963T0026371 DE T0026371 A DET0026371 A DE T0026371A DE 1273697 B DE1273697 B DE 1273697B
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DE
Germany
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glass
contacting
semiconductor
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semiconductor component
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Application number
DE1963T0026371
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Dipl-Phys Dr Reinhard Dahlberg
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Telefunken Patentverwertungs GmbH
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Telefunken Patentverwertungs GmbH
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Description

Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleiterbauelementes Es ist bereits der Vorschlag bekanntgeworden, die üblichen Halbleitergehäuse durch Glasüberzüge zu ersetzen und zu diesem Zweck Transistoren oder Dioden in eine Glasschmelze zu tauchen und sie allseits mit einem gut abschließenden überzug versehen. Der Glasüberzug wird bei den bekannten Verfahren erst nach der Kontaktierung des Halbleitersystems aufgebracht.Method for contacting a semiconductor component It is already the proposal became known to replace the usual semiconductor packages with glass coatings to replace and for this purpose transistors or diodes in a glass melt dive and give them a well-fitting coating on all sides. The glass cover in the known methods only after the semiconductor system has been contacted upset.

Die Erfindung bezieht sich im Gegensatz dazu auf die Kontaktierung der Halbleiterelektroden oder des Halbleiterkörpers selbst und besteht darin, daß die Verbindung zwischen den Elektrodenzuleitungen und den Kontaktierungsstellen durch Einbetten des Halbleiterkörpers und der Elektrodenzuleitungen in Glas hergestellt wird.In contrast, the invention relates to contacting the semiconductor electrodes or the semiconductor body itself and consists in that the connection between the electrode leads and the contacting points produced by embedding the semiconductor body and the electrode leads in glass will.

Bei der Herstellung dieser »Glasverbindung« zwischen den Elektrodenzuleitungen und der Kontaktierungsstelle, d. h. den Halbleiterelektroden oder dem Halbleiterkörper selbst, wird vorzugsweise ein Druck auf die Elektrodenzuleitungen ausgeübt, und zwar beim Einschmelzen und Erstarren des Glases. Nach dem Abkühlen sorgt die Glasperle an der Verbindungsstelle durch Kontaktion dafür, daß der Kontaktdruck und damit eine gute Verbindung zwischen der Elektrodenzuleitung und der Kontaktierungsstelle aufrechterhalten werden. Durch die Glasperle wird gleichzeitig eine mechanisch stabile Einheit geschaffen.When making this "glass connection" between the electrode leads and the contact point, d. H. the semiconductor electrodes or the semiconductor body itself, a pressure is preferably exerted on the electrode leads, and while melting and solidifying the glass. After cooling down, the glass bead takes care of it at the connection point by Kontaktion for that the contact pressure and thus a good connection between the electrode lead and the contact point be maintained. The glass bead also creates a mechanically stable one Unity created.

Es empfiehlt sich, den Glasüberzug derart aufzubringen, daß das gesamte Halbleitersystem in Glas eingebettet ist. In diesem Fall kann unter Umständen auf ein besonderes Halbleitergehäuse verzichtet werden. Bei der Auswahl der miteinander zu verbindenden Materialien ist darauf zu achten, daß der Ausdehnungskoeffizient des Glases mit dem der Elektrodenzuleitungen und des Halbleitermaterials möglichst weitgehend übereinstimmt. Des weiteren ist darauf zu achten, daß die verwendeten Glassorten einen tiefen Schmelzpunkt haben, wie es beispielsweise bei den sogenannten Glasloten, welche aus den Komponenten A1203, Si02, B203 und Zn0 bestehen, der Fall ist. An Stelle der Komponente Zn0 kann auch 1,40 treten.It is advisable to apply the glass coating in such a way that the entire Semiconductor system is embedded in glass. In this case, under certain circumstances a special semiconductor housing can be dispensed with. When choosing each other To be connected materials, care must be taken that the expansion coefficient of the glass with that of the electrode leads and the semiconductor material if possible largely coincides. It is also important to ensure that the Glass types have a low melting point, as is the case with the so-called Glass solders, which consist of the components A1203, Si02, B203 and Zn0, are the case is. The component Zn0 can also be replaced by 1.40.

Der Glasüberzug kann beispielsweise durch Eintauchen des Halbleiterbauelementes in eine Glasschmelze oder durch Ein- und Umschmelzen mit Hilfe eines vorgeformten Glashohlkörpers hergestellt werden.The glass coating can, for example, by immersing the semiconductor component into a glass melt or by melting and remelting with the help of a preformed one Glass hollow body are produced.

Die Erfindung soll an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden.The invention is to be explained in more detail using an exemplary embodiment.

Die Zeichnung zeigt die Kontaktierung der Emitter-und Basiszone eines Mesa-Transistors, dessen Halb-Leiterkörper 1 vom Leitungstyp der Kollektorzone auf die Grundelektrode 2 aufgelötet ist. Die Kontaktierung der in den Halbleiterkörper 1 diffundierten Basiszone 3 erfolgt mit Hilfe der Basiselektrode 4 und der Basiselektrodenzuleitung 5. Die Emitterzone 6, die im Gegensatz zur Basiszone 3 durch Legieren hergestellt ist, ist bei dem Mesa-Transistor durch die Emitterelektrodenzuleitung 7 kontaktiert, die auf die Emitterelektrode 8 aufgebracht ist.The drawing shows the contacting of the emitter and base zones of a mesa transistor whose semi-conductor body 1 of the conductivity type of the collector zone is soldered onto the base electrode 2. The base zone 3 diffused into the semiconductor body 1 is contacted with the aid of the base electrode 4 and the base electrode lead 5. The emitter zone 6, which, in contrast to the base zone 3, is made by alloying, is contacted in the mesa transistor by the emitter electrode lead 7, which is on the emitter electrode 8 is applied.

Die Elektrodenzuleitungen 5 und 7 sind im Gegensatz zu den bekannten Techniken nicht mit den Elektroden verlötet, sondern unter Druck in die Glasperle 9 eingeschmolzen, die dafür sorgt, daß der Kontaktdruck zwischen den Elektrodenzuleitungen und den Elektroden auch nach dem Aufsetzen der Elektrodenzuleitungen und dem Einschmelzen erhalten bleibt.The electrode leads 5 and 7 are in contrast to the known ones Techniques not soldered to the electrodes, but under pressure into the glass bead 9 melted, which ensures that the contact pressure between the electrode leads and the electrodes even after the electrode leads have been attached and melted down preserved.

Der Mesa-Transistor der Zeichnung ist darert in Glas eingeschmolzen, daß sämliche abzuschirmenden Teile des Halbleitersystems in Glas eingebettet sind. Glas eingeschmolzen, daß sämtliche abzuschirmenden der einzubettenden Teile entsprechend aufeinander abgestimmt, so ist ein weiteres Gehäuse nicht mehr erforderlich, wenn gleichzeitig die gewünschte mechanische Stabilität gewährleistet ist.The mesa transistor in the drawing is melted in glass, that all parts of the semiconductor system to be shielded are embedded in glass. Glass melted down so that all parts to be shielded and embedded accordingly matched to each other, a further housing is no longer required if at the same time the desired mechanical stability is guaranteed.

Claims (1)

Patentansprüche: 1. Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleiterbauelementes, insbesondere eines Transistors oder einer Diode, bei dem die Elektrodenzuleitungen auf die auf der Halbleiteroberfläche befindlichen Kontaktierungsstellen aufgesetzt werden, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindung zwischen den Elektrodenzuleitungen und den Kontaktierungsstellen durch Einbetten des Halbleiterkörpers und der Elektrodenzuleitungen in Glas hergestellt wird. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Glaseinschmelzung ein Druck auf die Kontaktierungsstelle ausgeübt wird. 3. Anwendung des Verfahrens nach Anspruch 1 oder 2 zur Kontaktierung von mindestens zwei Kontaktierungsstellen auf einer Oberflächenseite eines Halbleiterkörpers. 4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausdehnungskoeffizient des Glases auf die Ausdehnungskoeffizienten der einzubettenden Teile abgestimmt wird. 5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Glaseinbettung durch Eintauchen in eine Glasschmelze oder durch Ein- und Umschmelzen mit Hilfe eines vorgeformten Glashohlkörpers erfolgt. 6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das verwendete Glas aus den Komponenten A1.03, Si02, B.03 und Zn0 besteht. 7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das verwendete Glas aus den Komponenten A1203, Si02, B.03 und Li20 besteht. In Betracht gezogene Druckschriften: österreichische Patentschrift Nr. 221587; französische Patentschrift Nr. 1267 686.Claims: 1. Method for contacting a semiconductor component, in particular a transistor or a diode in which the electrode leads placed on the contacting points located on the semiconductor surface are, characterized in that the connection between the electrode leads and the contact points by embedding the semiconductor body and the electrode leads is made in glass. 2. The method according to claim 1, characterized characterized in that when the glass is melted down, a pressure is applied to the contacting point is exercised. 3. Application of the method according to claim 1 or 2 for contacting of at least two contact points on one surface side of a semiconductor body. 4. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the expansion coefficient of the glass on the expansion coefficient of the to be embedded Parts is matched. 5. The method according to any one of the preceding claims, characterized characterized in that the glass embedding by immersion in a glass melt or takes place by melting and remelting with the help of a preformed glass hollow body. 6. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the glass used consists of the components A1.03, Si02, B.03 and Zn0. 7. Procedure according to one of the preceding claims, characterized in that the used Glass consists of the components A1203, Si02, B.03 and Li20. Considered Publications: Austrian Patent No. 221587; French patent specification No. 1267 686.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1267686A (en) * 1959-09-22 1961-07-21 Unitrode Transistor Products Semiconductor device
AT221587B (en) * 1959-08-27 1962-06-12 Philips Nv Semiconductor electrode system with a semiconductor body and at least one aluminum-containing electrode on this body

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT221587B (en) * 1959-08-27 1962-06-12 Philips Nv Semiconductor electrode system with a semiconductor body and at least one aluminum-containing electrode on this body
FR1267686A (en) * 1959-09-22 1961-07-21 Unitrode Transistor Products Semiconductor device

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