DE1232268B - Device for contacting the alloy electrodes of semiconductor components - Google Patents

Device for contacting the alloy electrodes of semiconductor components

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DE1232268B
DE1232268B DE1962T0022110 DET0022110A DE1232268B DE 1232268 B DE1232268 B DE 1232268B DE 1962T0022110 DE1962T0022110 DE 1962T0022110 DE T0022110 A DET0022110 A DE T0022110A DE 1232268 B DE1232268 B DE 1232268B
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Germany
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lead wire
contacting
centering
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Pending
Application number
DE1962T0022110
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Inventor
Karl Noesler
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Telefunken Patentverwertungs GmbH
Original Assignee
Telefunken Patentverwertungs GmbH
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Publication date
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Description

Vorrichtung zum Kontaktieren der Legierungselektroden von Halbleiterbauelementen Die Erfindung betrifft eine Vorrung zum Kontaktieren der Legierungselektrodevn"Halbleiterbauelementen, z. B. von Transisto oder Dioden, durch Erwärmen der Kontaktieruttelle und Eindrücken des Zuleitungsdrahtes ims Legierungsmaterial unter Verwendung eind3eschwerungsstückes. Die Erfindung besteht 1 einer solchen Vorrichtung darin, daß das Besch-ungsstück aus einem in einer Bohrung einer füzn Zuleitungsdraht und das Beschwerungsst bestimmten Zentrierungsform geführten Teil d aus einem außerhalb der Bohrung befindlicheiell besteht und daß das Beschwerungsstück deratusgebildet ist, daß der außerhalb der Bohrungdindliche Teil beim Erreichen der vorgesehenen idringtiefe auf eine auf der Zentrierungsform vesehene Auflagefläche zu liegen kommt und dadh ein weiteres Eindringen des Zuleitungsdrahtes iias Legierungsmaterial verhindert wird.Apparatus for contacting the alloy electrodes of semiconductor devices The present invention relates to a Vorrung for contacting the Legierungselektrodevn "semiconductor devices, for. Example of Transisto or diodes, by heating the Kontaktieruttelle and pushing the lead wire ims alloy material using eind3eschwerungsstückes. The invention is 1 such a device is that the loading piece consists of a part d guided in a hole of a füzn supply wire and the centering shape determined by a centering shape located outside the hole and that the weighting piece is formed so that the part located outside the hole comes on when the intended penetration depth is reached the centering form comes to rest and that further penetration of the lead wire in the form of an alloy material is prevented.

Es ist bereits ein Verfahren beka, bei dem die Verbindung des Zuleitungsdrahtemit der Legierungselektrode durch Erwärmen's Legierungsmaterials und Eindrücken des Zulangsdrahtes in das Legierungsmaterial unter Veendung eines Beschwerungsstückes erfolgt. Die Eidung hat eine Vorrichtung zum Gegenstand, die z,Durchführung des bekannten Verfahrens besond geeignet ist und die verhindert, daß bei der K(aktierung von Legierungselektroden durch Zuleitgsdrähte eine Beschädigung des Halbleitersysterns (tritt.There is already a method of connecting the lead wire to the the alloy electrode by heating the alloy material and pressing the Feed wire into the alloy material using a weighting piece he follows. The divorce has a device for the subject z, implementation of the known method is particularly suitable and which prevents the K (Aktierung from alloy electrodes through lead wires damage the semiconductor system (occurs.

Es empfiehlt sich, die Elektrodenleitung bereits vor dem Eindrücken auf die erfoerliche Länge zuzuschneiden. Im allgemeinen wl ein gerader Draht in das auf erhöhter Tempeiär befindliche Legierungsmaterial eingedrückt. Soller Zuleitungsdraht jedoch eine andere Form erhgn, so kann er nach dem Eindrücken und Abkühlems Legierungsmaterials entsprechend geformt werd( Die Erfindung, soll an einem Aushrungsbeispiel näher erläutert werden. Die in der Fur dargestellte Kontaktierung der Kollektorelektroi erfolgt nach dem Legieren der Emitter- und Illektorpillen 1 und 2 in einem Arbeitsgang zusamen mit dem Auflöten des Halbleiterkörpers 3 9 die Trägerplatte 4. Der Halbleiterkörper 3 md zu diesem Zweck zusammen mit der Trägerplat 4 in die Vertiefung eines Aufnahmeteiles 5 eingelacht. Auf dem Aufnahmeteil 5 befindet sich eine Zentrierungsform 6, welche zum Zentrieren des if der Kollektorpille 2 aufliegenden Kollektorzuleungsdrahtes 7 dient. Das Eindrücken des Zuleitursdrahtes 7 erfolgt mit Hilfe des Beschwerungssicks 8, dessen unteres Teilstück 9 auf dem Zuleitungsdraht aufliegt. Um das Eindringen des Zuleitungsdrahtes zu erleichtern, wird das Legierungsmaterial erwärmt, und zwar im allgemeinen bis zum Erweichungspunkt. Soll beim Kontaktieren gleichzeitig eine Trägerplatte mit dem Halbleiterkörper verlötet werden, so erfolgt die Erwärmung des Systems bis zu der dazu erforderlichen Löttemperatur. Die Eindringtiefe des Zuleitungsdrahtes richtet sich nach der Länge des unteren Teilstückes 9, da der Zuleitungsdraht nicht mehr in die Legierungspille eindringen kann, wenn das Beschwerungsstück 8 auf der Zentrierform 6 aufliegt.It is advisable to cut the electrode lead to the required length before pressing it in. Generally, a straight wire will be pressed into the elevated alloy material. However Soller lead wire erhgn a different shape, he can after pressing and Abkühlems alloy material becoming correspondingly shaped (The invention will be explained in more detail at a Aushrungsbeispiel The contacting of the Kollektorelektroi shown in Fur takes place after the alloying of the emitter and Illektorpillen. 1 and 2 in one operation together with the soldering of the semiconductor body 3 9 the carrier plate 4. The semiconductor body 3 for this purpose together with the carrier plate 4 is embedded in the recess of a receiving part 5. On the receiving part 5 there is a centering form 6 which is used for centering the if the collector pill 2 resting Kollektorzuleungsdrahtes 7 is used. the depression of the Zuleitursdrahtes 7 is performed using the Beschwerungssicks 8 whose lower portion 9 rests on the lead wire. in order to facilitate the penetration of the lead wire, the alloy material is heated, and although in general to softening points. If a carrier plate is to be soldered to the semiconductor body at the same time when making contact, the system is heated up to the soldering temperature required for this. The penetration depth of the lead wire depends on the length of the lower section 9, since the lead wire can no longer penetrate the alloy pill when the weighting piece 8 rests on the centering mold 6.

Claims (2)

Patentanspräche: 1. Vorrichtung zum Kontaktieren der Legierungselektroden von Halbleiterbauelementen, z.B. von Transistoren oder Dioden, durch Erwärmen der Kontaktierungsstelle und Eindrücken des Zuleitungsdrahtes in das Legierungsmaterial unter Verwendung eines Beschwerungsstückes, dadurch gekennzeichnet, daß das Beschwerungsstück aus einem in einer Bohrung einer für den Zuleitungsdraht und das Be-,sform schwerungsstück bestimmten Zentrierung ,geführten Teil und aus einem außerhalb der Bohrung befindlichen Teil besteht und daß das Beschwerungsstück derart ausgebildet ist, daß der außerhalb der Bohrung befindliche Teil beim Erreichen der vorgesehenen Eindringtiefe auf eine auf der Zentrierungsform vorgesehene Auflagefläche zu liegen kommt und dadurch ein weiteres Eindringen des Zuleitungsdrahtes in das Legierungsmaterial verhindert wird. Patent claims: 1. Device for contacting the alloy electrodes of semiconductor components, e.g. transistors or diodes, by heating the contact point and pressing the lead wire into the alloy material using a weighting piece, characterized in that the weighting piece consists of one in a bore for the lead wire and the loading, sform weighting piece specific centering, guided part and a part located outside the bore and that the weighting piece is designed such that the part located outside the bore comes to rest on a support surface provided on the centering form when the intended penetration depth is reached and thereby further penetration of the lead wire into the alloy material is prevented. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auch zur Führung des Zuleitungs(tes eine Bohrung in der Zentrierungsform voehen ist. In Echt gezogene Druckschriften: Deutsche legeschriften Nr. 1059 112, 1060055. 2. Apparatus according to claim 1, characterized in that a hole in the centering form is also provided for guiding the supply line (tes. Printed publications in real: Deutsche Legeschriften Nr. 1059 112, 1060055.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1059112B (en) * 1958-04-11 1959-06-11 Intermetall Process for contacting silicon transistors alloyed with aluminum
DE1060055B (en) * 1957-11-15 1959-06-25 Siemens Ag Process for the production of the electrical connections of semiconductor arrangements

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1060055B (en) * 1957-11-15 1959-06-25 Siemens Ag Process for the production of the electrical connections of semiconductor arrangements
DE1059112B (en) * 1958-04-11 1959-06-11 Intermetall Process for contacting silicon transistors alloyed with aluminum

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