DE1250570B - - Google Patents

Info

Publication number
DE1250570B
DE1250570B DENDAT1250570D DE1250570DA DE1250570B DE 1250570 B DE1250570 B DE 1250570B DE NDAT1250570 D DENDAT1250570 D DE NDAT1250570D DE 1250570D A DE1250570D A DE 1250570DA DE 1250570 B DE1250570 B DE 1250570B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electron microscope
microscope according
electrons
electron
vacuum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DENDAT1250570D
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Publication date
Publication of DE1250570B publication Critical patent/DE1250570B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/285Emission microscopes, e.g. field-emission microscopes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Cl.:
HOIj
Deutsche Kl.: 21g-37/01
Nummer: 1250 570
Aktenzeichen: J 25347 VIII c/21 g
Anmeldetag: 27. Februar 1964
Auslegetag: 21. September 1967
Die Erfindung betrifft ein Emissionselektronenmikroskop mit photoelektrischer Ablösung der abbildenden Elektronen von einem elektrisch leitenden Objekt und mit Vergrößerung des abzubildenden Objektes durch Beschleunigung der abbildenden Elektronen in einem zentralsymmetrischen elektrischen Feld.
Es wird dabei keine Elektronenoptik im herkömmlichen Sinne, d. h. keine elektrostatischen oder magnetischen Elektronenlinsen, mit deren Hilfe das Bild des Objektes in Analogie zu optischen Geräten mit von einer Elektronenquelle herrührenden Elektronenstrahlen nach Durchstrahlung des Präparates auf einen Schirm vergrößert abgebildet wird, verwendet. Vielmehr erfolgt eine elektronenoptische Abbildung der Oberfläche durch Zentralprojektion, wobei die abbildenden Elektronen durch den Photoeffekt ausgelöst werden. Die Anordnung projiziert die der Austrittsarbeit entsprechende Emissionsstromdichteverteilung und ergibt einen ausgezeichneten Kontrast, da die Stromdichte von der Austrittsarbeit bzw. deren Änderungen exponentiell abhängig ist (Gleichung von Dushman — Richardson). Projektionszentrum ist die von der die Photoemission auslösenden elektromagnetischen Strahlung punktförmig beleuchtete Stelle der Probe, wobei die Abbildung auf einer zum Projektionszentrum konzentrischen Kugelkalottenfläche stattfindet.
Ein in der genannten Weise arbeitendes Mikroskop, bei dem die Elektronenauslösung durch ein sehr starkes, am Ort des abzubildenden Objektes wirkendes elektrisches Feld bewirkt wird, ist bereits bekannt. Bei diesem sogenannten Feldelektronenmikroskop ist die eigentliche elektronenauslösende Wirkung dem Tunneleffekt zuzuschreiben.
Ferner wurde auch ein hochauflösendes Emissionsmikroskop mit durch UV-Licht ausgelösten Elektronen bekannt, bei dem die Abbildung jedoch mittels einer elektrostatischen Linsenanordnung erfolgt.
Als elektronenauslösende Lichtquelle wird hierbei eine lOO-W-Quecksilberdampf-Höchstdrucklampe in Verbindung mit einem Kollimator aus Quarz benutzt, jedoch sind für diesen Zweck auch offene Bogenlampen oder Wasserstoffentladungslampen anwendbar. Besonders bei den letztgenannten Lichtquellen ist es allerdings schwierig, die erforderliche Lichtintensität sicherzustellen.
Bei den eingangs erwähnten Feldelektronen-Emissionsmikroskopen muß die Oberfläche des zu untersuchenden Objektes bzw. dessen Krümmungsradius sehr klein sein, um durch Spitzenwirkung die elektrische Feldstärke örtlich zu erhöhen und dadurch Emissionselektronenmikroskop
Anmelder:
International Business Machines Corporation,
Armonk, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter:
Dipl.-Ing. H. E. Böhmer, Patentanwalt,
Böblingen (Württ.), Sindelfinger Str. 49
Als Erfinder benannt:
Dr. Claus Ch. Schüler, Oberrieden (Schweiz)
Beanspruchte Priorität:
Schweiz vom 28. Februar 1963 (2582)
die notwendige Dichte des Elektronenflusses zu erreichen. Die Präparation einer solchen außerordentlichen scharfen Metallspitze ist schwierig und nur bei bestimmten Metallen möglich. Außerdem arbeiten solche Feldelektronen-Emissionsmikroskope nur bei einem sehr hohen Vakuum (ΙΟ"9 bis ΙΟ"10 Torr), was eine besondere Sorgfalt im Aufbau und in der Reinhaltung des Vakuumsystems erfordert.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgäbe zugrunde, ein einfaches Elektronenmikroskop ohne aufwendige Optik zu schaffen, bei dem die Justierschwierigkeiten und die elektrische Stabilisierung hoher Präzision entfallen.
Das Mikroskop ist für die Untersuchung aller Materialien mit hinreichender Leitfähigkeit, einscnließlich der Halbleiter, geeignet. Außerdem ist es möglich, mit diesem Gerät auch schwer zu präparierende Materialproben ohne besondere Kunstgriffe in einfacher Weise zu untersuchen und weiterhin mehrere Proben gleichzeitig im Vakuumraum anzuordnen.
Gemäß der Erfindung ist zur Ablösung der Elektronen aus dem Objekt eine Laser-Lichtquelle mit scharf gebündeltem Strahl hoher Energiedichte vorgesehen.
Das zu beschreibende Vorgehen ist, abgesehen von den damit zu erzielenden, bereits aus der obigen Aufgabenstellung hervorgehenden Vorteilen, auch deshalb nützlich, weil hierbei wegen der bekannten Eigenschaften der Laser-Lichtquelle, z. B. wegen der entfallenden zusätzlichen kollimierenden optischen Anordnungen Lichtintensitätsschwierigkeiten nicht zu erwarten sind. Außerdem ist es bei dieser Anordnung
709 648/28»
nicht schwierig, mehrere innerhalb des Vakuumraumes des Mikroskops angeordnete Proben sukzessive zu untersuchen, ohne jeweils hierbei das Vakuum erneuern zu müssen. Dies geschieht einfach durch eine Relativbewegung zwischen den Objekten und dem elektronenauslösenden Laserstrahl.
Wegen der angewendeten extrem hohen Energiedichte des elektronenauslösenden Lichtstrahles kann auf die Spitzenwirkung zur Erhöhung der ablösenden Feldstärke, wie sie beim Feldelektronenmikroskop benutzt wird, verzichtet werden. Dies stellt schon deshalb einen Vorteil dar, weil es schwierig ist, geeignete Spitzen zu präparieren. Außerdem kann ein im Vergleich mit bekannten Feldelektronenmikroskopen (10~9 bis 10"10 Torr) weniger gutes Vakuum benutzt werden (IO"5 bis 10~6 Torr). Dies bedeutet insbesondere auch eine Erleichterung beim Einschleusen von abzubildenden Präparaten in das Mikroskopsystem.
Im folgenden wird die beschriebene Einrichtung unter Zugrundelegung der Figuren im einzelnen beschrieben; in den Figuren bedeutet
F i g. 1 ein Elektronenmikroskop mit einer Materialprobe und außerhalb des Vakuums angeordnetem Laser und
Fig. 2 ein Elektronenmikroskop entsprechend demjenigen nach der F i g. 1, jedoch mit mehreren Materialproben.
Fig. 1 zeigt schematisch die für das Zustandekommen der Abbildung wesentlichen Teile des Elektronenmikroskops 1 mit einem Vakuumgefäß 2, in dem mittels einer Haltevorrichtung 3 der Probenhalter mit der Materialprobe 4 angeordnet ist. Der auf die abzubildende Stelle fokussierte Laserstrahl 5 eines (nicht dargestellten) außerhalb des Vakuumgefäßes angeordneten Lasers ist auf diese Materialprobe gerichtet. Gegenüber dieser letzten ist an der Gefäßinnenwandung als Registriereinrichtung für die emittierten Photoelektronen ein Leuchtschirm 6 angeordnet. Eine mit dem positiven Pol am Leuchtschirm 6 und mit dem negativen Pol an den Haltedrähten 3 angeschlossene Spannungsquelle 7 dient dazu, den Leuchtschirm 6 gegenüber der Materialprobe 4 positiv zu laden und ein die Elektronen beschleunigendes Feld zu erzeugen.
Das Elektronenmikroskop gemäß der F i g. 2 entspricht grundsätzlich demjenigen nach der Fig. 1, was durch die Verwendung von gleichen Bezeichnungen für gleiche Teile zum Ausdruck gebracht wird. Bei dieser Ausführung ist indessen an der Haltevorrichtung 3 im Innern des Gefäßes als Proberihalter ein hier stark vergrößert gezeichnetes Plättchen angeordnet, auf dem sich mehrere Materialproben 4 befinden. Die Mittel, um die Proben abwechslungsweise dem Laserstrahl aussetzen zu können, sind in der Figur nicht mit dargestellt. Beispielsweise kann für die Abtastung der Probenkörper der Laserstrahl mit an sich bekannten optischen Mitteln verschiebbar sein. Auch kann unabhängig davon der Probenhalter mit mechanischen Mitteln verschiebbar sein.
Die Wirkungsweise der Elektronenmikroskope nach den F i g. 1 und 2 ist folgende: Die auf die gewünschte abzubildende Stelle der Materialprobe fokussierten elektromagnetischen Strahlen des Lasers lösen aus dem Material Photoelektronen aus, die durch das angelegte elektrische Feld abgesogen und divergierend in Richtung auf die registrierende Schicht beschleunigt werden. Auf dem Leuchtschirm oder der Photoplatte ergibt sich daher ein vergrößertes Abbild der durch die photoemittierten Elektronen gegebenen Stromdichteverteilung der bestrahlten Stelle der Materialprobe. Die den Kontrast bildenden Unterschiede der Emissionsstromdichte sind ein Abbild der örtlich variierenden Austrittsarbeit, woraus Schlüsse auf die Oberflächenbeschaffenheit des untersuchten Materials gezogen werden können.
Die Abbildung ist eine Zentralprojektion. Das
ίο Projektionszentrum ist die punktförmig durch die elektromagnetische Strahlung beaufschlagte Stelle der Probe, die die Photoelektronen emittiert. Zur Abschätzung der erzielbaren Vergrößerung kann man annehmen, daß das Emissionszentrum einen Radius von etwa r = l bis 1000 μ, d.h. 10~4 bis 10-1Cm, aufweist. Der Radius der Vakuumgefäße 2 liegt in der Größenordnung von etwa R = 10 cm. Der erreichbare Vergrößerungsmaßstab kann daher in erster Näherung zu M = R/r = 102 bis 105 abge-
schätzt werden.
Da aus diesen Gründen zur Erreichung einer möglichst starken Vergrößerung das Emissionszentrum sehr klein sein soll, ist für eine ausreichende Ausbeute an Photoelektronen die intensive Bestrahlung
mit möglichst kurzwelliger elektromagnetischer Strahlung erforderlich. Derartig intensive Strahlenquellen sind nur nach dem Prinzip der sogenannten induzierten Anregung elektromagnetischer Strahlung realisierbar. Solche Lichtverstärker werden Laser genannt. Ein
weiterer Vorteil des Lasers für diesen Zweck ist, daß seine gesamte Strahlung photoelektrisch wirksam ist. Es treten keine zusätzlichen Erwärmungseffekte der bestrahlten Stelle durch langwellige, photoelektrisch nicht wirksame Strahlen auf, wodurch die Objekt-
belastung gering bleibt.
Die für Elektronen empfindliche Registriereinrichtung 6 kann eine auf einem Träger aufgebrachte selbstleuchtende Schicht, beispielsweise ein Leuchtschirm sein. Wenn der Leuchtschirm leitfähig ist,
kann er gleichzeitig als Anode für das beschleunigende elektrische Feld dienen. Sonst müssen andere geeignete Elektrodenformen benutzt werden, wie z.B. metallische Netze oder ringförmige Elektroden. Das Vakuumgefäß 2 kann aus Glas oder anderem
geeignetem durchsichtigem Material hergestellt sein und z. B. angenähert eine kugelförmige Gestalt besitzen. Dann ist die Registriereinrichtung 6 in der Form einer Kugelkalotte ausgebildet, was für eine verzerrungsarme Abbildung die günstigste Form ist.
Sonstx kann das Vakuumgefäß auch aus Metall oder einem anderen geeigneten Werkstoff hergestellt sein und an der Frontseite eine durchsichtige Scheibe enthalten, die in ihrer Form auch zylindrisch oder plan sein kann. Das Bild auf dem Leuchtschirm kann
beispielsweise von außerhalb des Vakuumgefäßes her photographiert werden. Eine andere Möglichkeit ist die, daß die für Elektronen empfindliche Registriereinrichtung von sich aus schon eine auf einen Träger aufgebrachte und durch ein chemisches Ver-
fahren entwickelbare aufzeichnende Schicht, beispielsweise eine Photoplatte ist. Solche Photoschichten oder gegebenenfalls registrierende Schichten anderer Art können ohne große Umstände in ein entsprechend eingerichtetes Vakuumgefäß eingebracht
werden, weil das für den neuen Typ von Elektronenmikroskopen nach dem Prinzip der Photoemission erforderliche relativ niedrige Vakuum derartige Manipulationen zuläßt.
Das Vakuum braucht nur etwa die Größe von 10~δ bis 10~6 Torr zu haben. Das ist ein um 4 bis 5 Zehnerpotenzen günstigerer Wert im Vergleich zu den Feldelektronen-Emissionsmikroskopen. Deshalb bedeutet der Einbau einer Einrichtung zum Einschleusen von Photokassetten keine großen Schwierigkeiten. Auch können Einrichtungen zum mechanischen Verstellen des Probehalters vorgesehen sein, um verschiedene Proben nacheinander dem Laserstrahl aussetzen zu können.
Weiterhin ist auch die erforderliche Feldstärke für das die Photoelektronen in Richtung auf die Registriereinrichtung beschleunigende elektrische Feld einige 10- bis lOOmal kleiner als beim Feldelektronen-Emissionsmikroskop. Eine große Anzahl Proben kann im gleichen Vakuum untersucht werden. Die Objektive sind einfach zu präparieren. Alle Materialien mit elektrischer Leitfähigkeit, also auch Halbleiter, sind brauchbar für die Untersuchung im beschriebenen Elektronenmikroskop.

Claims (8)

Patentansprüche:
1. Emissionselektronenmikroskop mit photoelektrischer Ablösung der abbildenden Elektronen von einem elektrisch leitenden Objekt und mit Vergrößerung des abzubildenden Objektes durch Beschleunigung der abbildenden Elektronen in einem zentralsymmetrischen elektrischen Feld, dadurch gekennzeichnet, daß zur Ablösung der Elektronen aus dem Objekt eine Laser-Lichtquelle mit scharf gebündeltem Strahl hoher Energiedichte vorgesehen ist.
2. Elektronenmikroskop nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Laser-Lichtquelle außerhalb des Vakuumraumes des Mikroskops angeordnet ist.
3. Elektronenmikroskop nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere elektronenabgebende Objekte im elektrischen Feld innerhalb des Vakuums angeordnet sind.
4. Elektronenmikroskop nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß für die Abtastung des oder der Objekte eine optische Anordnung zur Lenkung des Laserstrahles vorgesehen ist.
5. Elektronenmikroskop nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine mechanische Anordnung zur Verschiebung des Objekthalters vorgesehen ist.
6. Elektronenmikroskop nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für die Elektronen eine Registriereinrichtung, beispielsweise ein Leuchtschirm, vorgesehen ist.
7. Elektronenmikroskop nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für die Elektronen eine als Photoplatte ausgebildete Registriereinrichtung vorgesehen ist.
8. Elektronenmikroskop nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Registriereinrichtung wenigstens angenähert in der Form einer Kugelkalotte ausgebildet ist.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Mahl und Gölz, »Elektronenmikroskopie«, VEB Bibliographisches Institut Leipzig, 1951, S. 96 bis 100;
Zeitschrift für Physik, Bd. 152, 1958, S. 1 bis 18.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
709 648/280 9. 67 © Bundesdruckerei Berlin
DENDAT1250570D 1963-02-28 Pending DE1250570B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH258263A CH404005A (de) 1963-02-28 1963-02-28 Elektronenmikroskop mit Photo-Emission

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1250570B true DE1250570B (de) 1967-09-21

Family

ID=4237026

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DENDAT1250570D Pending DE1250570B (de) 1963-02-28

Country Status (4)

Country Link
CH (1) CH404005A (de)
DE (1) DE1250570B (de)
FR (1) FR1383525A (de)
GB (1) GB997851A (de)

Also Published As

Publication number Publication date
CH404005A (de) 1965-12-15
FR1383525A (fr) 1964-12-24
GB997851A (en) 1965-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2842527B2 (de) Elektrostatische Emissionslinse
DE3878828T2 (de) Sekundaerelektronen-detektor zur anwendung in einer gasumgebung.
EP0218829B1 (de) Anordnung zur Detektion von Sekundär- und/oder Rückstreuelektronen in einem Elektronenstrahlgerät
DE112009003724B4 (de) Verwendung eines Elektronenstrahlgeräts
EP1280184B9 (de) Untersuchungssystem zum teilchenoptischen Abbilden eines Objekts, Ablenkvorrichtung für geladene Teilchen sowie Verfahren zum Betrieb derselben
DE2921151C2 (de) Vorrichtung zum Nachweis von in einem Abtast-Elektronenstrahlmikroskop von einer Probe ausgehenden Rückstreuelektronen
DE102008060270A1 (de) Gasfeldionisations-Ionenquelle, Rasterladungsteilchenmikroskop, Einstellverfahren für die optische Achse und Probenbetrachtungsverfahren
EP0379865B1 (de) Verfahren zur Untersuchung einer Probe in einem Korpuskularstrahlgerät
DE2556291C3 (de) Raster-Ionenmikroskop
Mulvey Origins and historical development of the electron microscope
EP0105439A2 (de) Spektrometerobjektiv mit parallelen Objektiv- und Spektrometerfeldern für die Potentialmesstechnik
DE102016103157B4 (de) Nahfeld-Photonentransmissions-Elektronenemissionsmikroskop
DE60033374T2 (de) Röntgenmikroskop mit einer röntgenstrahlungsquelle für weiche röntgenstrahlungen
DE3943211C2 (de) Abbildendes elektronenoptisches Gerät
DE1250570B (de)
EP0401658A1 (de) Rastertunnelmikroskop mit Einrichtungen zur Erfassung von von der Probe herkommender Elektronen
DE2540602A1 (de) Feldemissions-strahlsystem
US3696246A (en) Specimen analysis in an electron microscope
DE112015006910B4 (de) Vakuumvorrichtung
DE970600C (de) Vorrichtung zum Sichtbarmachen und Verstaerken von Roentgenbildern
DE2043749A1 (de) Raster Korpuskularstrahlmikroskop
EP0087152A2 (de) Sekundärelektronen-Spektrometer und Verfahren zu seinem Betrieb
DE1204350B (de) Elektronenmikroskop
JPH08212957A (ja) 電子顕微鏡用試料ホルダー
DE10131931A1 (de) Untersuchungssystem zum teilchenoptischen Abbilden eines Objekts, Ablenkvorrichtung für geladene Teilchen sowie Verfahren zum Betrieb derselben