-
Transistorisierte Modulationsschaltung mit Vorverstärker für die Modulationsspannung
Die Erfindung betrifft eine amplitudenmodulierte Funksprechsendeeinrichtung mit
Transistoren.
-
Es sind Sendeschaltungen mit Transistoren bekannt, welche Hochfrequenzspannungen
erzeugen, deren Amplituden durch ein Signal mit einer geringeren Grundfrequenz moduliert
sind.
-
Im allgemeinen besitzen diese Schaltungen einen Hochfrequr,nzoszi,llator
mit einem oder mehreren Transistoren und einen Modulationsverstärker, der ebenfalls
einen oder mehrere Transistoren aufweist.
-
Weiter sind Schaltungen dieser Art bekannt, bei denen die Verbindung
zwischen dem Hochfrequenzoszillator und dem Modulationsverstärker dadurch hergestellt
wird, daß der Endtransistor des Verstärkers bezüglich der Gleichstromversorgung
in Reihe mit dem Oszillatortransistor geschaltet ist.
-
Diese Schaltungsart hat jedoch den Nachteil, daß der Wirkungsgrad
der Verstärker-Endstufe schlecht ist, weil diese mit einer geringeren Emitter-Kollektor-Spannung
arbeitet. Weiter ist die Modulationscharakteristik wegen der während der Modulation
von dem Oszillator bewirkten Impedanzänderung nicht linear.
-
Ferner ist eine Schaltungsanordnung bekannt, bei der ein Modulationsverstärker
und ein Transistoroszillator bezüglich der Gleichstromversorgung in Reihe geschaltet
sind, wobei der Kollektor des Verstärkertransistors an einer festen Spannung liegt
und sein Emitter einerseits über einen Kondensator mit Masse und andererseits mit
dem Emitter des Oszillatortransistürs verbunden ist. Das Modulationssignal wird
über ein-en Kondensator der auf ein bestimmtes Gleichspannungspotential festgelegten
Basis des Verstärkertransistors zugeführt. Modulator- und Oszillatortransistor sind
von entgegengesetzter Polarität.
-
Der wesentliche Nachteil dieser Schaltungsanordnung besteht in der
Verwendung von Transistoren mit entgegengesetzter Polarität. Auf Grund des begrenzten
Typenbereichs von pnp-Siliziumtransistoren und npn-German-iumtransistoren werden
die Anwendungsmöglichkeiten dieser Schaltung sowohl hinsichtlich der Frequenz als
auch der Leistung stark eingeschränkt. Werden diese Schwierigkeiten durch die Verwendung
eines pnp-Germaniumtransistors und eines npn-Siliziumtransistors umgangen, so gehen
die Vorteile des Siliziumtransistors hinsichtlich der Temperatur verloren.
-
Ziel der Erfindung ist ein Transistorsender, der ohne Modulationstranformator
arbeitet, bei dem keine Transistoren mit entgegengesetzter Polarität, sondem die
zur jeweiligen Anwendung geeigneten Transistoren ohne irgendeine besondere Beschränkung
gewählt werden können und dessen Betriebssicherheit im Vergleich mit den bekannten
Sendern wesentlich verbessert wird.
-
Die Erfindung geht aus von einer transistorisierten Modulationsschaltung
mit einem Vorverstärker für die Modulationsspannung für ein tragbares Funksprechgerät,
bei dem die Basis des ersten Transistors zur Verstärkung der Modulationssignale
auf einem vorbesti,mmten Gleichspannungspotential liegt und die Modulationssignale
zugeführt erhält, bei dem ferner der Kollektor dieses Transistors mit einem Pol
einer festen Spannungsquelle verbunden. ist, der Emitter über einen Kondensator
an Masse liegt und parallel zu diesem Kondensator in Reihe mit zusätzlichen Elementen
die Emitter-Kollektor-Strecke des zweiten, zur Schwingungserzeugung dienenden Transistors
liegt, der an seiner Basis geeignet vorgespannt ist.
-
Gemäß der Erfindung sind der Transistor für die Verstärkung der Modulationsspannung
und der Oszillatortransistor vom gleichen Leitfähigkeitstyp (pnp bzw. np.n), ferner
ist der Kollektor des Oszillatortransistors über eine erste Schwingspule mit dem
Emitter des ersten Transistor-, verbunden, während der Emitter des Oszillatortransistor
über eine zweite Schwingspule, die mit der ersten gekoppelt ist, an Masse liegt.
-
Der Oszillatortransistor bildet demnach einenTeil der Emitterbelastung
des Verstärkertransistors, wobei der Rest der Belastungsimpedanz durch passive Schaltungselemente
gebildet wird.
-
Diese passiven Stromkreiselemente können Selbstinduktionsspulen und/oder
lineare oder nichtlineare
Widerstände und/oder in Reihe und/oder
parallelgeschaltete Kapazitäten sein.
-
Die Mikrofonspannung kann durch einen Transistor erst vorverstärkt
werden. Dabei kann diese Verstärkerstufe so abgeglichen sein, daß das Glbichspannungspotential
an der Basis des nachfolgenden Verstärkertransistörs- festgelegt wird.
-
Die Oszillatorätüfe bietet der vorhergehenden Modulationsverstärkerstufe
nur eine geringe Ausgangsimpedanz, so daß die Änderungen der Eingangsimpedanz des
Oszillatortransistors keinen Einfluß auf die Modulationscharakteristik ausubt, die
somit linear bleibt. Ein weiterer Vorteil besteht darin, däß die Transisforen mit
solchen tmitter-Kollektor-Spannungen arbeiten, daß deren Arbeitspunkte in den linearen
Bereichen ihrer Charakteristiken liegen.
-
Weitere Vorteile -und Einzelheiten der Erfindung ergebe.ii# sich aus
der folgendeii Beschreibung eines Ausführungsbeispiels an Hand der Zeichnung, deren
eiäzige Figur die Schaltung eines tragbaren Senders gemäß der Erfindung darstellt.
-
Die Oszillatorstufe in Hartley-Schaltung enthält einen Transistor
T 3 und eine Schwingspule L 1 mit drei Wicklungen P,
S 1 und S 2. Die Wicklunö" P ist mit einem Kondensator
C 4 auf die, gewünschte Sendefrequ#nz abgestimmt.
-
Die WicOung 91 ist an den Kollektoi des Transistors
T 3 angeschlossen, während die Wicklung S 2 mit dem Emitter des Transistors
T3 verbunden ist.
-
Die Kopplung der Wicklungen S 1, S 2 und P gestattet
das Einsetzen der Schwingung, wenn der Transistor t3 -einen bestimmten Strom führt.
Dieser Strom wird durch einen Spannungsteiler mit Widerständen.R6, R7 an derBasis
desTransistors T3 festgelegt. Ein parallel zu R 7 liegender Kondensator
C 7
entkoppelt die Basis des Transistors T3 bei der OsiWatorfrequenz.
-
Die Modulationsverstärkerstufe weist einen Transistor 7;2 auf, dessen
Emitter einerseits über einen Kondensator C 3 mit Masse und andererseits
über die Spule S 1 mit dem Kollektor des Oszillatortransistors
T3 verbunden ist. Ein Teil der Belastung des Emittetkreise,s, dieses Transistors
T2 wird durch den Eingangswiddrständ des Oszillatortransistors T3 gebildet.-Das
Potential der Basis. des Transistors T2 wird durch eine Vorstufe nut einem Transistor
ti gesteuert, dessen Kollektcr über einen Widerstand R 4 mit der Stromversorgungsbatterie
A verbunden ist.
-
Der Transistor T1 empfängt und verstärkt den Mikrofonstrom.
Diesem ist ein Spähnungsteiler R2, R3 zugeordnet, welcher das- Gleichspännungspotential
der Basis von tl tä§tiägt. ber Belastungswiderstand R 4 in dem Kollektdikr#is regelt
die Verstärkung von Tl. Ein Wid,erstandR5 in dem Emitterkreis von Tit bewirkt die
Stabilisierung seiner Verstärkung bei TemperatürschWankungen..
-
Ein Mikrofon EC, das durch einen Kondensator C8 überbrückt ist, ist
über einen Kopplungskondensator CZ an die Basis des Transistors Tl angeschlossen.
Eine zum Mikrofon in Reihe liegende ParalleIschaltung eines WiderstandesR1 und eines
KondensatorsC1 gestattet die Regelung des Mikrofonstromes und der Axisprechkennlinie
des Mikrofons. - Die Stromversorgung erfolgt durch einen Akkumulator oder
durch eine Batterie A. Die positive Klemme von A ist mit Masge verbunden.
Ein Gleichrichter R, ist in das Gerät eingebaut, um für den Fäll, daß
A ein Akkümuiator ist, diesen wieder aufladen zu können.
-
. Die Antenne ist über einen Kondensator C5 an eine
Alizapfung der Spule P angeschaltet.