DE1207512B - Process for the production of semiconductor components with a platelet-shaped semiconductor body - Google Patents

Process for the production of semiconductor components with a platelet-shaped semiconductor body

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DE1207512B DET19742A DET0019742A DE1207512B DE 1207512 B DE1207512 B DE 1207512B DE T19742 A DET19742 A DE T19742A DE T0019742 A DET0019742 A DE T0019742A DE 1207512 B DE1207512 B DE 1207512B
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Description

Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen mit einem plättchenförmigen Halbleiterkörper Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen mit einem plättchenförnügen Halbleiterkörper, bei dem eine Unterscheidung der beiden großflächigen gleich großen Oberflächenseiten des Halbleiterkörpers erforderlich ist.Method for producing semiconductor components with a platelet-shaped Semiconductor body The invention relates to a method for producing semiconductor components with a platelet-shaped semiconductor body in which a distinction between the two large surface sides of the same size of the semiconductor body required is.

Die Kennzeichnung der einzelnen Oberflächen erfolgt meistens in einem besonderen technologischen Arbeitsgang, z. B. durch Rauhbeizen einer Plättchenseite. Dabei muß die nicht zu beizende Seite in einem weiteren Arbeitsgang vor dem Beizen abgedeckt werden und die sich dabei ergebende Abdeckschicht im Anschluß an das Beizverfahren wieder entfernt werden, ohne daß Rückstände verbleiben. Unter Umständen kann sich die Kennzeichnung, wie beispielsweise das Rauhbeizen, auch nachteilig auf das zu fertigende Bauelement auswirken.The labeling of the individual surfaces is usually done in one special technological operation, e.g. B. by rough pickling of a wafer side. The side that is not to be pickled must be carried out in a further operation before pickling are covered and the resulting cover layer following the pickling process can be removed again without leaving any residue. May be the labeling, such as the rough pickling, also has a detrimental effect on that affect the manufacturing component.

Zur Vermeidung dieser Nachteile wird das anfangs genannte Verfahren erfindungsgemäß so durchgeführt, daß der plättchenförmige Halbleiterkörper derart ausgebildet wird, daß auf Grund seiner geometrischen Form eine visuelle Unterscheidung der zu unterscheidenden großflächigen Oberflächenseiten möglich ist.The method mentioned at the beginning is used to avoid these disadvantages carried out according to the invention in such a way that the platelet-shaped semiconductor body is designed that due to its geometric shape a visual distinction the large surface sides to be distinguished is possible.

Eine solche Unterscheidung ist beispielsweise dann möglich, wenn der Halbleiterkörper derart ausgebildet ist, daß in den zu unterscheidenden Halbleiterebenen keine Symmetrielinien vorhanden sind. Eine entsprechende Formgebung des Halbleiterkristalls wird im allgemeinen durch Sägen und Rastern erzielt.Such a distinction is possible, for example, when the Semiconductor body is designed such that in the semiconductor levels to be distinguished there are no lines of symmetry. A corresponding shape of the semiconductor crystal is generally achieved by sawing and rasterizing.

Es empfiehlt sich, dem Halbleiterkörper eine solche Form zu geben, bei der während des üblichen Rastervorgangs keine Schnittverluste und zusätzliche Rasterarbeiten auftreten. Dies ist beispielsweise dann der Fall, wenn der Halbleiterkörper die Gestalt eines ungleichseitigen Dreiecks oder eines ungleichseitigen Parallelogramms erhält. Die F i g. 1 zeigt als Ausführungsbeispiel den Fall, daß eine größere Halbleiterplatte 1 durch Rastern in einzelne ungleichseitige Parallelogramme 2 aufgegliedert wird. Eine analoge Aufteilung für ungleichseitige Dreiecke 2 ist in F i g. '2 dargestellt.It is advisable to give the semiconductor body such a shape that no cutting losses and additional raster work occur during the usual rasterization process. This is the case, for example, when the semiconductor body is given the shape of a non-equilateral triangle or a non-equilateral parallelogram. The F i g. As an exemplary embodiment, FIG. 1 shows the case in which a larger semiconductor plate 1 is subdivided into individual, unequal-sided parallelograms 2 by means of rastering. An analogous division for non-equilateral triangles 2 is shown in FIG. '2 shown.

Der Hauptzweck der vorliegenden Erfindung liegt darin, mit Hilfe einer besonderen geometrischen Formgebung des Halbleiterkörpers seine verschiedenen Halbleiteroberflächen voneinander unterscheiden zu können. Wie diese Unterscheidung vorgenommen werden kann, soll am Beispiel eines in Parallelogrammform vorliegenden Halbleiterplättchens in Verbindung mit F i g. 3 erläutert werden. Bezieht man sich bei dem in Gestalt eines ungleichseitigen Parallelogrammes geschnittenen Halbleiterplättchens gemäß F i g. 3 auf die längere Seite c als Basis, so ist der einen Plättchenoberfläche auf der rechten Seite eindeutig ein spitzer Winkel ß1 (F i g. 3 a), der anderen Plättchenoberfläche dagegen als rechter Basiswinkel ein stumpfer Winkel ß2 (F i g. 3 b) zugeordnet. Je nachdem der rechte Basiswinkel ß also stumpf oder spitz ist, zeigt die eine oder die andere Seite des Plättchens nach oben.The main purpose of the present invention is to use a special geometric shape of the semiconductor body its various semiconductor surfaces to be able to distinguish from each other. How this distinction is made can, should using the example of a semiconductor wafer in the form of a parallelogram in connection with F i g. 3 will be explained. If you refer to that in Gestalt an unequal-sided parallelogram cut semiconductor wafer according to F i g. 3 on the longer side c as the base, then one is the surface of the platelet on the right side clearly an acute angle β1 (Fig. 3 a), the other On the other hand, the platelet surface is an obtuse angle ß2 (F i G. 3 b) assigned. Depending on whether the right base angle ß is obtuse or acute, points one or the other side of the plate upwards.

Bei dreieckförmigen Halbleiterplättchen mit unterschiedlichen Seiten ist eine Unterscheidung der einzelnen Halbleiteroberflächen auf ähnliche Weise möglich. Bezieht man sich gemäß der F i g. 4 a auf die Basis c des ungleichseitigen Dreiecks, so ist das Kriterium dafür, daß die eine Halbleiteroberfläche nach oben liegt, daß das von der Spitze C auf die Basis c gefällte Lot die Basis rechts vom Mittelpunkt D der Basis c trifft. Für die andere Halbleiteroberfläche gilt das umgekehrte Kriterium, d. h., das von der Spitze C des Dreiecks auf die Basis c gefällte Lot schneidet die Basis links von der Mitte D der Basis, wie F i g. 4 b zeigt.In the case of triangular semiconductor wafers with different sides a differentiation of the individual semiconductor surfaces is possible in a similar way. If, according to FIG. 4 a on the base c of the unequal triangle, so the criterion for the fact that one semiconductor surface is up is that the perpendicular dropped from the tip C to the base c is the base to the right of the center point D hits base c. The opposite criterion applies to the other semiconductor surface, d. that is, the solder precipitated from the tip C of the triangle to the base c intersects the base to the left of the center D of the base, as in FIG. 4 b shows.

Soll nun bei einseitig diffundierten Halbleiterplättchen zwischen diffundierten und nicht diffundierten Halbleiteroberflächen unterschieden werden, so ist bei der Diffusion darauf zu achten, daß, z. B. entsprechend einer der oder anderen Charakteristiken, bei visueller Betrachtung der Halbleiterplättchen die gleichen Kriterien erfüllt sind, so daß bei allen Plättchen auch die gleiche Oberfläche behandelt wird. Mit Hilfe der jeweiligen Kriterien ist nach erfolgter Diffusion im weiteren Verlauf des Herstellungsprozesses ständig die Möglichkeit der Unterscheidung der einzelnen Halbleiteroberflächen gegeben, so daß bei Kenntnis der jeweiligen Charakteristiken bei sämtlichen weiteren Arbeitsgängen eine Verwechslung der einzelnen Halbleiteroberflächen praktisch ausgeschlossen ist. Eine entsprechende geometrischeFormgebung des Halbleiterkörpers macht somit eine zusätzliche Kennzeichnung der Oberflächen nicht erforderlich.Should now in the case of semiconductor wafers diffused on one side between diffused and non-diffused semiconductor surfaces are distinguished, so care must be taken in the diffusion that, for. B. according to one of the or other characteristics when visually observing the semiconductor die the same criteria are met, so that all platelets also have the same surface is treated. With the help of the respective criteria is after diffusion has taken place in the further course of the manufacturing process there is always the possibility of differentiation of the individual semiconductor surfaces given, so that with knowledge of the respective Characteristics in all further work steps a mix-up of the individual Semiconductor surfaces is practically excluded. A corresponding geometric shape of Semiconductor body thus does not make an additional marking of the surfaces necessary.

Die F i g. 5 schließlich zeigt einen gezogenen Transistor, bei dem eine npn-Zonenfolge im Halbleiterhö-per 1 vorbanden st. Durch er._tsprecl-.e äde eometrische Formgebung zumindest der Halbleiteroberflächen in Analogie mit den vorhergehenden Ausführungsbeispielen kann ebenfalls eine Unterscheidung der einzelnen Halbleiterteile vorgenommen werden. Bei einer solchen Anordnung wäre natürlich eine Unterscheidung auch dann möglich, wenn der übrige Halbleiterkörper mit Ausnahme der zur Unterscheidung dienenden Halbleiteroberflächen eine andere geometrische Struktur aufweist. Im Ausführungsbeispiel der F i g. 5 haben die Oberflächen der zu unterscheidenden Halbleiterteile die Form eines ungleichseitigen Dreiecks.The F i g. Finally, FIG. 5 shows a drawn transistor in which an npn zone sequence in the semiconductor housing 1 is pre-banded. Through er._tsprecl-.e äde eometric shaping of at least the semiconductor surfaces in analogy with the preceding Embodiments can also distinguish between the individual semiconductor parts be made. With such an arrangement there would of course be a distinction also possible if the rest of the semiconductor body, with the exception of the one for differentiation Serving semiconductor surfaces has a different geometric structure. In the exemplary embodiment the F i g. 5, the surfaces of the semiconductor parts to be distinguished have the shape of an unequal triangle.

Es besteht natürlich auch die Möglichkeit, den Halbleiterkörper dann, wenn eine Unterscheidung zwischen den einzelnen Oberflächen nicht mehr erforderlich ist, bezüglich seiner geometrischen Form abzuwandeln. Eine Unterscheidung kann beispielsweise dann überflüssig sein, wenn das System bereits kontaktiert ist.Of course, there is also the option of using the semiconductor body when a distinction between the individual surfaces is no longer necessary is to be modified in terms of its geometric shape. A distinction can be made, for example then be superfluous if the system has already been contacted.

Claims (4)

Patentansprüche: 1. Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen mit einem plättchenförmigen Halbleiterkörper, bei dem eine; Unterscheidung der beiden großflächigen gleich großen Oberflächenseiten des Halbleiterkörpers erforderlich ist, d a -durch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper derart ausgebildet wird, daß auf Grund seiner geometrischen Form eine visuelle Unterscheidung der zu unterscheidenden großflächigen Oberflächenseiten möglich ist. Claims: 1. Method for producing semiconductor components with a platelet-shaped semiconductor body, in which one; Distinction between the two large surface sides of the same size of the semiconductor body required is, d a -characterized in that the semiconductor body is formed in such a way that due to its geometric shape a visual differentiation of the to be distinguished large surface sides is possible. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper derart ausgebildet wird, daß die zu unterscheidenden Oberflächenseiten keine Symmetrielinien aufweisen. 2. The method according to claim 1, characterized characterized in that the semiconductor body is formed such that the to be distinguished Surface sides have no lines of symmetry. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper derart ausgebildet wird, daß die zu unterscheidenden Oberflächenseiten die Form, von ungleichseitigen Dreiecken haben. 3. The method according to claim 2, characterized in that the semiconductor body is formed such that the surface sides to be distinguished have the shape of unequal triangles. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper derart ausgebildet wird, daß die zu unterscheidenden Oberflächenseiten die Form von ungleichseitigeri Parallelogrammen haben. In Betracht gezogene. Druckschriften: Belgische Patentschrift Nr. 539 992; französische Patentschriften Nr. 1116 365, 1243 865; USA.-Patentschriften Nx. 2 913 676, 2 951191..4. The method according to claim 1, characterized in that the semiconductor body is formed such that the surface sides to be distinguished have the shape of uneven-sided parallelograms. Considered. Publications: Belgian Patent No. 539 992; French Patent Nos. 1116 365, 1243 865; U.S. Patents Nx. 2 913 676, 2 951191 ..
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2412947A1 (en) * 1977-12-22 1979-07-20 Western Electric Co SEMICONDUCTOR DEVICE AND MOUNTING DEVICE

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE539992A (en) *
FR1116365A (en) * 1953-12-24 1956-05-07 Philips Nv Electrode system comprising a semiconductor body, in particular crystal diode or transistor
US2913676A (en) * 1955-04-18 1959-11-17 Rca Corp Semiconductor devices and systems
US2951191A (en) * 1958-08-26 1960-08-30 Rca Corp Semiconductor devices
FR1243865A (en) * 1959-09-08 1960-10-21 Telecommunications Sa Improvement in the realization of p-n-p-n silicon switching diodes

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE539992A (en) *
FR1116365A (en) * 1953-12-24 1956-05-07 Philips Nv Electrode system comprising a semiconductor body, in particular crystal diode or transistor
US2913676A (en) * 1955-04-18 1959-11-17 Rca Corp Semiconductor devices and systems
US2951191A (en) * 1958-08-26 1960-08-30 Rca Corp Semiconductor devices
FR1243865A (en) * 1959-09-08 1960-10-21 Telecommunications Sa Improvement in the realization of p-n-p-n silicon switching diodes

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2412947A1 (en) * 1977-12-22 1979-07-20 Western Electric Co SEMICONDUCTOR DEVICE AND MOUNTING DEVICE

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