DE1201920B - Process for the production of semiconductor, in particular selenium rectifier elements in tablet form by cutting up a larger starting plate - Google Patents

Process for the production of semiconductor, in particular selenium rectifier elements in tablet form by cutting up a larger starting plate

Info

Publication number
DE1201920B
DE1201920B DES81379A DES0081379A DE1201920B DE 1201920 B DE1201920 B DE 1201920B DE S81379 A DES81379 A DE S81379A DE S0081379 A DES0081379 A DE S0081379A DE 1201920 B DE1201920 B DE 1201920B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
lacquer
paint
strips
semiconductor
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES81379A
Other languages
German (de)
Inventor
Erich Bergner
Heinz Schneider
Werner Goetze
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DES81379A priority Critical patent/DE1201920B/en
Priority to DES81378A priority patent/DE1205195B/en
Priority to FR946978D priority patent/FR1375260A/en
Priority to GB3573563A priority patent/GB998749A/en
Publication of DE1201920B publication Critical patent/DE1201920B/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/10—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/10—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
    • H01L21/108—Provision of discrete insulating layers, i.e. non-genetic barrier layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/14—Treatment of the complete device, e.g. by electroforming to form a barrier
    • H01L21/145—Ageing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Gerontology & Geriatric Medicine (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biotechnology (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Printing Methods (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLANDFEDERAL REPUBLIC OF GERMANY

DEUTSCHESGERMAN

PATENTAMTPATENT OFFICE

AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL

Int. α.:Int. α .:

Nummer: Aktenzeichen: Anmeldetag: Auslegetag:Number: File number: Registration date: Display day:

HOIlHOIl

Deutsche KL: 21 g -11/02German KL: 21 g -11/02

S 81379 VIII c/21g 10. September 1962 30. September 1965S 81379 VIII c / 21g September 10, 1962 September 30, 1965

Es ist bekannt, Selen-Gleichrichtertabletten durch Zerteilen einer größeren Ausgangsplatte zu gewinnen, die aus einer Trägerplatte, der Selenschicht und einer Deckelektrodenschicht besteht. Das Zerteilen der Ausgangsplatte kann z. B. durch Zerschneiden oder Stanzen vorgenommen werden. Es ist ferner bereits angegeben, bei einem derartigen Verfahren zwischen der Halbleiterschicht und der Deckelektrode der Ausgangsplatte eine rasterartig ausgebildete Isolierschicht vorzusehen, durch die die Schnitte geführt werden, um die empfindliche Sperrschicht an den Schnittstellen gegen atmosphärischen Angriff, insbesondere Feuchtigkeit, zu schützen. Hierbei ist unter anderem die Verwendung einer Lackschicht vorgesehen, die auf die Halbleiterschicht aufgespritzt wird, wobei zur Abgrenzung der Lackschicht eine Schablone erforderlich ist. Die Verwendung einer Schablone hat den Nachteil, daß sich ihre Öffnungen sehr bald mit Lack zusetzen und daß daher eine häufige Reinigung notwendig ist.It is known to obtain selenium rectifier tablets by cutting up a larger starting plate, which consists of a carrier plate, the selenium layer and a cover electrode layer. Dividing the Output plate can e.g. B. be made by cutting or punching. It is also already specified, in such a method between the semiconductor layer and the top electrode of the Starting plate to provide a grid-like insulating layer through which the cuts are made be to the sensitive barrier layer at the interfaces against atmospheric attack, in particular Moisture, to protect. Among other things, the use of a layer of varnish is provided here, which is sprayed onto the semiconductor layer, with a stencil to delimit the lacquer layer is required. The use of a template has the disadvantage that its openings are very large soon clog with varnish and that therefore frequent cleaning is necessary.

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-, insbesondere Selengleichrichterelementen in Tablettenform, durch Zerteilen einer größeren Ausgangsplatte, die aus einer auf einer Trägerplatte aufgebrachten Halbleiterschicht mit einer darüber befindlichen Deckelektrode besteht und zwischen der Halbleiterschicht und der Deckelektrode einen Kreuzraster von isolierenden Lackstreifen aufweist, wobei die Schnitte beim Zerlegen der Ausgangsplatte durch die Streifen des Lackrasters in deren Längsrichtung geführt werden. Das Verfahren nach der Erfindung besteht darin, daß der Lackraster unter Verwendung eines Kunstharzlackes mit einem trocknenden öl als Lösungs- oder Bindemittel und einem Zusatz von thixotropen Mitteln und pulverförmigen Füllstreifen auf die Halbleiteroberfläche mittels mehrerer nebeneinander angeordneter und relativ zur Halbleiteroberfläche bewegter Lackträger oder Lackspender, deren Breite oder Mündungsdurchmesser die Breite der Lackstreifen bestimmt, aufgebracht wird. Nach Trocknung des Lackrasters wird die Halbleiteroberfläche mit einer durchgehenden Deckelektrodenschicht bedeckt, worauf die Platte als Ganzes thermisch und/oder elektrisch formiert werden kann. Die thermische Formierung, d. h. die Umwandlung der Halbleiterschicht in ihre bestleitende Modifikation, kann auch bereits erfolgen, wenn die Halbleiterschicht noch unbedeckt oder nur mit dem Lackraster bedeckt ist. Die mit der Deckelektrodenschicht versehene Platte wird dann durch Stanzen oder Schneiden derart in Tabletten zerlegt, daß sämtliche Schnitte durch die Streifen des Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-,
insbesondere Selengleichrichterelementen in
Tablettenform durch Zerteilen einer größeren
AusgangsplatteThe present invention relates to a method for the production of semiconductor, in particular selenium rectifier elements in tablet form, by dividing a larger starting plate, which consists of a semiconductor layer applied to a carrier plate with a cover electrode located above and a cross grid of insulating between the semiconductor layer and the cover electrode Has lacquer strips, the cuts being made when the starting plate is dismantled through the strips of the lacquer grid in the longitudinal direction thereof. The method according to the invention consists in that the lacquer grid using a synthetic resin lacquer with a drying oil as a solvent or binder and an addition of thixotropic agents and powdery filler strips on the semiconductor surface by means of several lacquer carriers or lacquer dispensers arranged next to one another and moved relative to the semiconductor surface Width or mouth diameter determines the width of the paint strip is applied. After the lacquer grid has dried, the semiconductor surface is covered with a continuous cover electrode layer, whereupon the plate as a whole can be thermally and / or electrically formed. The thermal formation, ie the conversion of the semiconductor layer into its most conductive modification, can also take place when the semiconductor layer is still uncovered or only covered with the lacquer grid. The plate provided with the cover electrode layer is then broken up into tablets by punching or cutting in such a way that all cuts through the strips of the process for the production of semiconductor,
in particular selenium rectifier elements in
Tablet form by dividing a larger one
Starting plate

Anmelder:Applicant:

Siemens-Schuckertwerke Aktiengesellschaft,Siemens-Schuckertwerke Aktiengesellschaft,

Berlin und Erlangen,Berlin and Erlangen,

Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50

Als Erfinder benannt:
Erich Bergner,
Heinz Schneider,
Werner Götze, BerlinNamed as inventor:
Erich Bergner,
Heinz Schneider,
Werner Götze, Berlin

Lackrasters in deren Längsrichtung geführt werden. Auf diese Weise ergeben sich Tabletten, die an ihren Rändern zwischen der Halbleiterschicht und der Deckelektrode Lackstreifen einschließen, so daß die Sperrschicht nicht an die Oberfläche tritt.Lacquer grid are guided in the longitudinal direction. In this way, tablets are produced that are attached to their Include edges between the semiconductor layer and the cover electrode paint strips so that the Barrier layer does not rise to the surface.

Es ist an sich bekannt, auf die Halbleiterschicht eines Selengleichrichters zur Verbesserung des Gleichrichtungsverhältnisses einen Lackraster aufzudrucken, wobei eine Wirkungsweise analog zum Spitzendetektor erzielt werden soll. Abgesehen davon, daß hier die Aufgabenstellung eine andere ist als bei der Erfindung, besteht beim Aufdrucken einer Lackschicht die grundsätzliche Schwierigkeit, daß übliche Lacke nach dem Aufbringen auf die Unterlage noch fließen, so daß die gewünschten Bedeckungsgrenzen der Lackschicht nicht eingehalten werden können. Das Verfahren nach der Erfindung ermöglicht eine präzise Aufbringung der Lackschicht; der Lack der angegebenen Zusammensetzung hat eine pastenartige Konsistenz, die ein Fließen des Lackes nach dem Aufbringen verhindert.It is known per se to print a lacquer grid on the semiconductor layer of a selenium rectifier in order to improve the rectification ratio, the aim being to achieve a mode of operation analogous to the peak detector. Apart from the fact that the task here is different from that of the invention, there is the fundamental difficulty with printing a lacquer layer that conventional lacquers still flow after application to the substrate, so that the desired coverage limits of the lacquer layer cannot be maintained. The method according to the invention enables precise application of the lacquer layer; the paint of the specified composition has a paste-like consistency that prevents the paint from flowing after application.

Zur Auftragung des Lackrasters wird mit Vorteil ein direktes Druckverfahren verwendet, bei dem eine mit scheibenförmigen Rippen versehene Druckwalze den Lack auf die Halbleiterschicht überträgt. Hierbei stellen die Ränder der scheibenförmigen Rippen die Lackträger dar; ihre Breite bestimmt die Breite der aufgebrachten Lackstreifen. Der Kreuzraster wirdA direct printing process is advantageously used to apply the lacquer grid, in which a Pressure roller provided with disc-shaped ribs transfers the lacquer onto the semiconductor layer. Here the edges of the disc-shaped ribs represent the paint carriers; their width determines the width of the applied paint strips. The cross grid will

509 689/319509 689/319

dadurch erhalten, daß nacheinander zwei Gitter aus parallelen Ladestreifen in zueinander senkrechten Richtungen auf die Halbleiteroberfläche aufgedruckt werden. Man kann jedoch auch die Lackstreifen unmittelbar auf die Halbleiteroberfläche auffließen lasen, indem man einen Lackbehälter mit einer Mehrzahl nebeneinanderliegender Auslaufdüsen verwendet und die Düsenreihe nacheinander in zwei zueinander senkrechten Richtungen über die Halbleiteroberfläche hinwegzieht. In jedem Fall ist es wesentlich, daß das Werkzeug, mit dem der Lack auf die Halbleiteroberfläche übertragen wird, die Breite der Lackstreifen selbst bestimmt. Hierin besteht ein wesentlicher Unterschied z. B. gegenüber der Verwendung einer Schablone, die mit Lack überspritzt wird. Der Nachteil einer Schablone, daß sich nämlich ihre öffnungen sehr bald mit Lack zusetzen und daß daher eine häufige Reinigung erforderlich ist, ist bei dem Verfahren nach der Erfindung vermieden.obtained in that one after the other two grids of parallel loading strips in mutually perpendicular Directions are printed on the semiconductor surface. However, you can also use the paint strips directly let flow onto the semiconductor surface by placing a paint container with a plurality of Adjacent outlet nozzles used and the nozzle row one after the other in two to each other pulls perpendicular directions over the semiconductor surface. In any case, it is essential that that Tool with which the lacquer is transferred to the semiconductor surface, the width of the lacquer strips self-determined. There is an essential difference in this z. B. versus using a Stencil that is sprayed over with varnish. The disadvantage of a template is that its openings add varnish very soon, and that therefore frequent cleaning is necessary, is part of the process avoided according to the invention.

Zur Herstellung des Kreuzrasters sind Lacke geeignet, die nach Trocknung bis zu einer Temperatur von nahezu 220° C, wie sie für die thermische Formierung der Selenschicht verwendet wird, beständig sind. Kunstharzlacke, insbesondere Silikon- und Alkydharzlacke, die diese Bedingungen erfüllen, sind verfügbar. Als Lösungs- oder Bindemittel sind niedrig viskose trocknende Öle, z. B. Leinöl oder Sojaöl, geeignet; die Verwendung derartiger Öle statt der üblichen Lacklösungsmittel hat den Vorteil, daß das Lösungsmittel selbst zur Filmbildung beiträgt, so daß der Lack bei seiner Trocknung nur auf etwa 9O°/o seines Volumens einschrumpft. Die thixotropen-Mittel sind an sich bekannte Quellstoffe, die dem Lack im Zusammenwirken mit den pulverförmigen Füllstoffen eine pastenartige Konsistenz verleihen, so daß die Lackschicht auch in ungetrocknetem Zustand weitgehend formbeständig ist. Geeignete thixotrope Mittel sind z. B. organische Ammoniumbasen mit speziellen Montmorillonitverbindungen. Diese Stoffe sind zunächst pulverförmig; man verrührt sie z. B. in Testbenzin oder Xylol und fügt dieser Aufschwemmung polare Mittel, z. B. einen Alkohol oder Azeton, hinzu, worauf eine Quellung bzw. Gelierung eintritt. Diese Masse wird dann mit dem Lack, dem Bindemittel und den pulverförmigen Füllstoffen innig durchmischt. Als pulverförmige Füllstoffe kommen z. B. Glimmer- oder Quarzmehl in Frage; bevorzugt wird Titandioxyd, das der übrigen Masse im Verhältnis von etwa 2 : 1 zugesetzt werden kann.For the production of the cross grid lacquers are suitable, which after drying up to a temperature of almost 220 ° C, as it is used for the thermal formation of the selenium layer, resistant are. Synthetic resin paints, in particular silicone and alkyd resin paints, that meet these conditions are available. As a solvent or binder, low viscosity drying oils such. B. linseed oil or soybean oil, suitable; the use of such oils instead of the usual paint solvents has the advantage that the Solvent itself contributes to the formation of the film, so that the paint is only about 90% when it dries its volume shrinks. The thixotropic agents are known swelling substances that the Give paint a paste-like consistency in cooperation with the powdery fillers, so that the lacquer layer is largely dimensionally stable even in the undried state. Suitable thixotropic Means are e.g. B. organic ammonium bases with special montmorillonite compounds. These substances are initially in powder form; you stir them z. B. in white spirit or xylene and adds to this suspension polar agents, e.g. B. an alcohol or acetone, whereupon swelling or gelation occurs. This mass then becomes intimate with the paint, the binder and the powdery fillers mixed. As powder fillers such. B. mica or quartz powder in question; preferred becomes titanium dioxide, which can be added to the rest of the mass in a ratio of about 2: 1.

Die Dicke der Lackstreifen (senkrecht zur Halblederoberfläche gemessen) soll wenigstens 5 μ betragen. Man gewinnt zusätzliche Vorteile, wenn man die Dicke der Lackstreifen etwa in der gleichen Größenordnung wählt wie die Schichtdicke der Deckelektrode, also z. B. 20 bis 50//; eine derartige Dicke läßt sich, falls erforderlich, durch mehrfaches Übereinanderdrucken erreichen. Eine erhebliche Dicke der Lackstreifen hat zur Folge, daß die oberhalb der Lackstreifen liegenden Teile der Deckelektrode Erhebungen bilden; bei dem üblichen Übereinanderstapeln der Tabletten in der fertig montierten Gleichrichteranordnung stehen dann nur solche Teile der Deckelektrode unter Kontaktdruck, die nicht oberhalb der aktiven Sperrschicht liegen. Ferner wird durch eine größere Dicke der Lackschicht die Gefahr vermindert, daß beim Schnitt der Tabletten Kurzschlüsse der Deckelektrode mit der Trägerplatte gebildet werden.The thickness of the lacquer strips (measured perpendicular to the half-leather surface) should be at least 5 μ . You gain additional advantages if you choose the thickness of the paint strip in about the same order of magnitude as the layer thickness of the top electrode, so z. B. 20 to 50 //; such a thickness can, if necessary, be achieved by overprinting several times. A considerable thickness of the lacquer strips has the consequence that the parts of the cover electrode lying above the lacquer strips form elevations; When the tablets are usually stacked one on top of the other in the fully assembled rectifier arrangement, only those parts of the cover electrode that are not above the active barrier layer are then under contact pressure. Furthermore, a greater thickness of the lacquer layer reduces the risk of short circuits between the cover electrode and the carrier plate being formed when the tablets are cut.

Das Verfahren nach der Erfindung wird im folgenden an Hand der F i g. 1 bis 10 erläutert.The method according to the invention is described below with reference to FIGS. 1 to 10 explained.

In der F i g. 1 ist mit 1 eine Ausgangsplatte mit der Trägerplatte 2 und der Selenschicht 3 bezeichnet. Die Trägerplatte 2 kann z. B. aus Eisen oder Aluminium bestehen. Mit 4 ist eine Druckwalze bezeichnet, deren Seitenansicht in F i g. 2 dargestellt ist. Sie besteht aus Scheiben 5, die durch Abstandsscheiben 6 geringeren Durchmessers voneinander getrennt sind. Die Ränder der Scheiben 5 werden durch eine Farbwalze 7 mit Lack eingefärbt. Die Platte 1 wird relativ zur Walze in Richtung des Pfeiles 8 bewegt, wobei gemäß F ig. 3 eine Schar paralleler Lackstreifen 9 auf die Oberfläche der Selenschicht 3 aufgedruckt wird. Die Breite der Lackstreifen 9 wird hierbei in der gleichen Weise wie bei einem Papierdruck durch die Breite der Ränder der Scheiben 5 bestimmt. Durch eine weitere, entsprechend ausgebildete Druckvorrichtung wird die Oberfläche der Selenschicht 3 anschließend mit einer zweiten Schar von Lackstreifen 10 bedeckt, die senkrecht zu den Streifen 9 liegen.In FIG. 1, 1 denotes an initial plate with the carrier plate 2 and the selenium layer 3. The carrier plate 2 can, for. B. made of iron or aluminum. With 4 a pressure roller is referred to, the side view of which in FIG. 2 is shown. It consists of disks 5, which are secured by spacer disks 6 smaller diameter are separated from each other. The edges of the discs 5 are made by an inking roller 7 colored with varnish. The plate 1 is moved relative to the roller in the direction of arrow 8, wherein according to Fig. 3 a group of parallel lacquer strips 9 is printed onto the surface of the selenium layer 3. The width of the lacquer strips 9 is here in the same way as in a paper print by the Width of the edges of the disks 5 is determined. By means of a further, correspondingly designed printing device the surface of the selenium layer 3 is then covered with a second set of lacquer strips 10 covered, which are perpendicular to the strips 9.

Wie bereits erwähnt, kann man die Lackstreifen 9 und 10 auch durch einen Lackspender aufbringen, der den Lack unmittelbar auf die Oberfläche von 3 auffließen läßt. Ein solcher Lackspender ist in den F i g. 4 und 5 schematisch in zwei zueinander senkrechten Schnitten dargestellt. Der Lackspender ist mit 11 bezeichnet. Er besitzt an seinem unteren Rand kammartig angeordnete Düsen 12, deren Mündungen in geringem Abstand oberhalb der Platte 1 entlang geführt werden. Durch einen Rohrstutzen 13 kann der Druck oberhalb der Lackfüllung 14 so geregelt werden, daß pro Zeiteinheit eine passende Menge Lack aus den Düsen 12 austritt. Die Breite der auf der Halbleiteroberfläche 3 auf diese Weise aufgebrachten Lackstreifen wird hierbei durch den Mündungsdurchmesser der Düsen 12 bestimmt.As already mentioned, the lacquer strips 9 and 10 can also be applied using a lacquer dispenser, which allows the paint to flow directly onto the surface of 3. Such a paint dispenser is in the F i g. 4 and 5 shown schematically in two mutually perpendicular sections. The paint dispenser is denoted by 11. At its lower edge it has nozzles 12 which are arranged in a comb-like manner and whose mouths be guided along at a small distance above the plate 1. Through a pipe socket 13 can the pressure above the lacquer filling 14 can be regulated so that a suitable amount per unit of time Paint emerges from the nozzles 12. The width of the applied to the semiconductor surface 3 in this way The paint strip is determined by the opening diameter of the nozzles 12.

Nachdem der gemäß F i g. 3 aufgebrachte Kreuzraster aus den Lackstreif en 9 und 10 getrocknet ist, wird die gesamte Halbleiter- und Lackoberfläche mit einer durchgehenden Deckelektrode bedeckt, z. B. durch Aufspritzen einer Zinn-Kadmium-Legierung. Ein Schnitt durch die Ausgangsplatte hat dann das in F i g. 6 dargestellte Aussehen. Die Deckelektrodenschicht ist hier mit 15 bezeichnet. Vorzugsweise in diesem Zustand wird die thermische und die elektrische Formierung der gesamten Ausgangsplatte 1 durchgeführt; die thermische Formierung der Selenschicht 3 kann jedoch auch ganz oder zum Teil vor dem Bedrucken der Halbleiterschicht 3 oder vor dem Aufbringen der Deckelektrodenschicht 15 erfolgen. Im zweiten Falle kann damit gleichzeitig eine Trocknung der Lackschicht verbunden werden. Wesentlich ist, daß die Formierung der fertig beschichteten Ausgangsplatte vor ihrer Zerlegung in Tabletten beendet ist.After the according to FIG. 3 applied cross grids from the lacquer strips 9 and 10 has dried, the entire semiconductor and lacquer surface is covered with a continuous cover electrode, e.g. B. by spraying on a tin-cadmium alloy. A cut through the starting plate then has that in Fig. 6 appearance shown. The top electrode layer is denoted by 15 here. Preferably in this state is the thermal and electrical formation of the entire starting plate 1 carried out; however, the thermal formation of the selenium layer 3 can also be entirely or partially the printing of the semiconductor layer 3 or before the top electrode layer 15 is applied. In the second case, drying of the lacquer layer can be combined with this at the same time. Essential is that the formation of the finished coated starting plate ends before it is broken down into tablets is.

Die Zerlegung der Ausgangsplatte in Tabletten wird so vorgenommen, daß sämtliche Schnitte durch die Lackstreifen 9 und 10 in deren Längsrichtung geführt werden; das ist aus dem Schnitt nach Fig. 6 und der Draufsicht auf einen Teil der Ausgangsplatte nach F i g. 7 ersichtlich, in denen die Schnittlinien mit 16 bzw. 17 bezeichnet sind. Für das Zerschneiden werden vorzugsweise Rollenscheren verwendet, die sämtliche Schnitte einer Richtung in einem Arbeitsgang durchführen.The dismantling of the starting plate into tablets is carried out in such a way that all cuts through the lacquer strips 9 and 10 are guided in the longitudinal direction thereof; that is from the section according to FIG. 6 and the plan view of part of the output plate according to FIG. 7 can be seen in which the cutting lines are designated by 16 and 17, respectively. Roller shears are preferably used for cutting, which carry out all cuts in one direction in one operation.

In der F i g. 8 ist eine so hergestellte Tablette in größerem Maßstab im Schnitt dargestellt. Mit 2 istIn FIG. 8 shows a tablet produced in this way on a larger scale in section. With 2 is

wieder die Trägerelektrode, mit 3 die Selenschicht und mit 15 die Deckelektrodenschicht bezeichnet. An den Rändern der Tabletten sind zwischen der Selenschicht 3 und der Deckelektrodenschicht 15 halbierte Lackstreifen 9 eingeschlossen, so daß die zwischen 15 und 3 gebildete Sperrschicht nicht an die Oberfläche der Tablette tritt. Da die Lackstreifen 9 etwa die gleiche Dicke aufweisen wie die Deckelektrode 15, bildet die Elektrode 15 am Rande Erhebungen, die an den Ecken der Tablette wegen des an diesen Stellen doppelten Lackauftrages noch erhöht sind. Bei dem Aufbau von Stapeln aus mehreren übereinanderliegenden Tabletten stehen daher die Tabletten nur an ihren Rändern, insbesondere an ihren Ecken, unter Kontaktdruck, so daß der Bereich der aktiven Fläche druckfrei bleibt. Es ist bekannt, daß der Sperrstrom durch mechanischen Druck auf die Sperrschicht erhöht wird und daß es daher erwünscht ist, die Sperrschicht druckfrei zu halten.again the carrier electrode, 3 denotes the selenium layer and 15 denotes the top electrode layer. At the edges of the tablets are halved between the selenium layer 3 and the top electrode layer 15 Lacquer strips 9 included, so that the barrier layer formed between 15 and 3 does not stick to the surface the tablet occurs. Since the lacquer strips 9 have approximately the same thickness as the cover electrode 15, the electrode 15 forms at the edge elevations, which at the corners of the tablet because of the at these points double paint application are still increased. When building stacks from several stacked Tablets are therefore only below the tablets at their edges, in particular at their corners Contact pressure, so that the area of the active surface remains free of pressure. It is known that the reverse current is increased by mechanical pressure on the barrier layer and that it is therefore desirable that the Keep barrier layer free of pressure.

Bei der Herstellung von Kleinst-Selengleichrichtern ist es vielfach erwünscht, Tabletten zu verwenden, die bei kleiner aktiver Fläche ein relativ großes Gesamtformat haben, das ihre Handhabung bei der Montage erleichtert. Für diesen Zweck kann das vorliegende Verfahren so durchgeführt werden, daß die Lackstreifen des auf die Halbleiterschicht 3 aufgebrachten Kreuzrasters relativ breit sind. Ein Ausführungsbeispiel dieser Art zeigen die Fig. 9 und 10; gleichzeitig wird an diesen Figuren das Zerlegen der Ausgangsplatte durch Ausstanzen der Tabletten erläutert. In the manufacture of miniature selenium rectifiers, it is often desirable to use tablets, which have a relatively large overall format with a small active area, which makes their handling in the Assembly made easier. For this purpose, the present method can be carried out so that the Lacquer strips of the cross grid applied to the semiconductor layer 3 are relatively wide. An embodiment Figures 9 and 10 show this type; at the same time, the dismantling of the Starting plate explained by punching out the tablets.

Gemäß der F i g. 9, die eine Draufsicht auf einen Teil der Ausgangsplatte darstellt, sind auf der Halbleiterschicht Lackstreifen 20 und 21 aufgebracht, die wesentlich breiter sind als die zwischen ihnen verbleibenden freien Flächen der Halbleiteroberfläche. Aus einer fertig beschichteten Ausgangsplatte dieser Art werden Tabletten 22 ausgestanzt, die jeweils eine kleine aktive Fläche 23 enthalten. Ein Schnitt durch eine derartige Tablette ist in der F i g. 10 dargestellt, wobei die Trägerplatte wieder mit 2, die Selenschicht mit 3, die halbierten Lackstreifen mit 21 und die Deckelektrode mit 15 bezeichnet sind.According to FIG. 9, which shows a plan view of part of the starting plate, lacquer strips 20 and 21 are applied to the semiconductor layer, which are considerably wider than the free areas of the semiconductor surface that remain between them. Tablets 22, each of which contains a small active surface 23, are punched out of a finished, coated starting plate of this type. A section through such a tablet is shown in FIG. 10, the carrier plate again being denoted by 2, the selenium layer by 3, the lacquer strips cut in half by 21 and the top electrode by 15.

Claims (5)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-, insbesondere Selengleichrichterelementen in Tablettenform, durch Zerteilen einer größeren Ausgangsplatte, die aus einer auf einer Trägerplatte aufgebrachten Halbleiterschicht mit einer darüber befindlichen Deckelelektrode besteht und zwischen der Halbleiterschicht und der Deckelektrode einen Kreuzraster von isolierenden Lackstreifen aufweist, wobei die Schnitte beim Zerlegen der Ausgangsplatte durch die Streifen des Lackrasters in deren Längsrichtung geführt werden, dadurch gekennzeichnet, daß der Lackraster unter Verwendung eines Kunstharzlackes mit einem trocknenden öl als Lösungsoder Bindemittel und einem Zusatz von thixotropen Mitteln und pulverförmigen Füllstoffen auf die Halbleiteroberfläche mittels mehrerer nebeneinander angeordneter und relativ zur Halbleiteroberfläche bewegter Lackträger oder Lackspender, deren Breite oder Mündungsdurchmesser die Breite der Lackstreifen bestimmt, aufgebracht wird.1. Process for the production of semiconductor, in particular selenium rectifier elements in tablet form, by dividing a larger starting plate, which consists of one on a carrier plate applied semiconductor layer with an overlying cover electrode and between the semiconductor layer and the cover electrode a cross grid of insulating Has lacquer strips, the cuts through the strips when the original plate is dismantled of the lacquer grid are guided in the longitudinal direction thereof, characterized in that the lacquer grid using a synthetic resin lacquer with a drying oil as a solvent or binder and an addition of thixotropic Agents and powdery fillers on the semiconductor surface by means of several side by side Paint carrier or paint dispenser arranged and moved relative to the semiconductor surface, whose width or mouth diameter determines the width of the paint strips, applied will. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Lackträger die Ränder einer mit scheibenförmigen Rippen versehenen zylindrischen Druckwalze verwendet werden.2. The method according to claim 1, characterized in that the edges of a paint carrier cylindrical pressure roller provided with disc-shaped ribs can be used. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Lackspender nebeneinanderliegende Auslaufdüsen eines Lackbehälters verwendet werden.3. The method according to claim 1, characterized in that adjacent as a paint dispenser Outlet nozzles of a paint container can be used. 4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß als Füllstoff Titandioxyd verwendet wird.4. The method according to claim 3, characterized in that titanium dioxide is used as filler will. 5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichtdicke der Lackstreifen etwa in der gleichen Größenordnung liegt wie die Schichtdicke der Deckelektrode.5. The method according to claim 1, characterized in that the layer thickness of the lacquer strips is roughly in the same order of magnitude as the layer thickness of the top electrode. In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 886 178;
deutsche Auslegeschrift Nr. 1108 331;
britische Patentschrift Nr. 561873.Considered publications:
German Patent No. 886 178;
German Auslegeschrift No. 1108 331;
British Patent No. 561873. Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings 509 689/319 9.65 © Bundesdruckerei Berlin509 689/319 9.65 © Bundesdruckerei Berlin
DES81379A 1962-09-10 1962-09-10 Process for the production of semiconductor, in particular selenium rectifier elements in tablet form by cutting up a larger starting plate Pending DE1201920B (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES81379A DE1201920B (en) 1962-09-10 1962-09-10 Process for the production of semiconductor, in particular selenium rectifier elements in tablet form by cutting up a larger starting plate
DES81378A DE1205195B (en) 1962-09-10 1962-09-10 Process for the production of semiconductor tablets, in particular selenium rectifier tablets, with an active area which is small in relation to their total area
FR946978D FR1375260A (en) 1962-09-10 1963-09-09 Process for manufacturing semiconductor elements, in particular selenium rectifiers in the form of tablets, by cutting or stamping an initial plate of large size and carrying ready-made layers
GB3573563A GB998749A (en) 1962-09-10 1963-09-10 Improvements in or relating to the production of semiconductor elements

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES81379A DE1201920B (en) 1962-09-10 1962-09-10 Process for the production of semiconductor, in particular selenium rectifier elements in tablet form by cutting up a larger starting plate
DES81378A DE1205195B (en) 1962-09-10 1962-09-10 Process for the production of semiconductor tablets, in particular selenium rectifier tablets, with an active area which is small in relation to their total area

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1201920B true DE1201920B (en) 1965-09-30

Family

ID=25996987

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES81379A Pending DE1201920B (en) 1962-09-10 1962-09-10 Process for the production of semiconductor, in particular selenium rectifier elements in tablet form by cutting up a larger starting plate
DES81378A Pending DE1205195B (en) 1962-09-10 1962-09-10 Process for the production of semiconductor tablets, in particular selenium rectifier tablets, with an active area which is small in relation to their total area

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES81378A Pending DE1205195B (en) 1962-09-10 1962-09-10 Process for the production of semiconductor tablets, in particular selenium rectifier tablets, with an active area which is small in relation to their total area

Country Status (3)

Country Link
DE (2) DE1201920B (en)
FR (1) FR1375260A (en)
GB (1) GB998749A (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4037311A (en) * 1976-07-14 1977-07-26 U.S. Philips Corporation Methods of manufacturing infra-red detector elements

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB561873A (en) * 1942-12-03 1944-06-08 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in or relating to the manufacture of metal rectifiers
DE886178C (en) * 1942-12-03 1953-08-13 Int Standard Electric Corp Process for the manufacture of dry rectifiers
DE1108331B (en) * 1960-02-24 1961-06-08 Licentia Gmbh Selenium rectifier plate for assembly under pressure

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE847466C (en) * 1950-09-21 1952-08-25 Sueddeutsche App Fabrik G M B Selenium rectifier with intermediate lacquer layers

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB561873A (en) * 1942-12-03 1944-06-08 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in or relating to the manufacture of metal rectifiers
DE886178C (en) * 1942-12-03 1953-08-13 Int Standard Electric Corp Process for the manufacture of dry rectifiers
DE1108331B (en) * 1960-02-24 1961-06-08 Licentia Gmbh Selenium rectifier plate for assembly under pressure

Also Published As

Publication number Publication date
FR1375260A (en) 1964-10-16
DE1205195B (en) 1965-11-18
GB998749A (en) 1965-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2334427A1 (en) ASSEMBLY FOR A LSI PLATE AND MANUFACTURING PROCESS
DE2324780C3 (en) Method for manufacturing a semiconductor component
DE4108535A1 (en) VARISTORS
DE2101028C2 (en) Method for manufacturing a plurality of semiconductor components
DE10041343B4 (en) screen printing device
EP0167790A3 (en) Coated valve metal electrode used for zinc electroplating
DE2500701C2 (en) Method for applying an electrically conductive layer to contact areas of a keypad
DE3800040A1 (en) METHOD FOR FORMING CONDUCTORS OF DIFFERENT THICKNESS WITH HIGH ACCURACY ON ELECTRONIC COMPONENTS
DE1126516B (en) Process for the production of semiconductor arrangements with a pn transition
DE1201920B (en) Process for the production of semiconductor, in particular selenium rectifier elements in tablet form by cutting up a larger starting plate
DE1293900B (en) Field effect semiconductor device
DE2039027C3 (en) Semiconductor arrangement with a carrier made of insulating material, a semiconductor component and a connection pad
DE2914466A1 (en) METHOD OF ATTACHING WIRES TO THE TERMINALS OF A MICROCIRCUIT
DE641081C (en) Process for the production of a photoelectric cell consisting of several sub-cells connected in series
DE10327515A1 (en) Substrate based IC package
DE4108512C2 (en) Method and device for producing varistors
DE1285581C2 (en) Carrier with a microcircuit and method for its manufacture
DE102019135208B4 (en) Printing unit, printing device and method for parallel extrusion of printing medium onto a substrate
DE886178C (en) Process for the manufacture of dry rectifiers
DE234911C (en)
DE2332574A1 (en) METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR AND A SEMICONDUCTOR DEVICE
DE1209210B (en) Process for the production of selenium rectifier tablets with an active area which is small in relation to their total area
DE929380C (en) Electrical capacitor, in particular wound capacitor, with two assignments which are arranged in relation to one another in such a way that one assignment protrudes beyond the edge of the other
DE1054180B (en) Selenium dry rectifier element with one or more insulating layers
DE2543079B2 (en) Process for manufacturing solid electrolytic capacitors